JP2005050914A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体装置のピッチや切断ラインがずれるおそれを防止することができ、さらに、半導体装置の素子面に形成された電極部を汚染するおそれを防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置が形成されたウエハ１の素子面に、ダイシングによって、後記研磨を行った後の半導体装置の厚さよりも深い溝を複数本形成する。次に、溝を形成したウエハ１の素子面に、スピンナーを用いて、第１樹脂層２になる液状樹脂を塗布し、前記溝を埋める。その後、第１樹脂層２になる液状樹脂によって、ウエハ１に、ダミーのＳｉウエハやガラスなどからなる硬質板３を貼り付ける。次に、ウエハ１の裏面を、前記溝に埋められた第１樹脂層２の樹脂が現れる状態まで研磨する。
【選択図】 図４
【解決手段】半導体装置が形成されたウエハ１の素子面に、ダイシングによって、後記研磨を行った後の半導体装置の厚さよりも深い溝を複数本形成する。次に、溝を形成したウエハ１の素子面に、スピンナーを用いて、第１樹脂層２になる液状樹脂を塗布し、前記溝を埋める。その後、第１樹脂層２になる液状樹脂によって、ウエハ１に、ダミーのＳｉウエハやガラスなどからなる硬質板３を貼り付ける。次に、ウエハ１の裏面を、前記溝に埋められた第１樹脂層２の樹脂が現れる状態まで研磨する。
【選択図】 図４
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関するものであり、特に、ウエハを薄型化、個片化して、個片化された半導体装置の裏面にダイボンド用材料を配置する半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯情報機器の小型化、軽量化に伴い、半導体装置の高密度実装が特に必要とされてきている。小型化、軽量化を実現するためには、半導体装置を薄型化することが必須である。
【０００３】
しかし、半導体装置が形成されたウエハの裏面を研磨し薄型化した後にダイシングして半導体装置を個片化すると、ウエハ裏面やダイシング断面にチッピングが生じ、後の組み立て工程で半導体装置が割れる原因になるおそれがある。
【０００４】
これらの割れの確率を下げる方法として、先ダイシング法が考案されている。この先ダイシング法は、ウエハ裏面を研磨する前にダイシングを行うことによって、研磨後の半導体装置の厚さよりも深い溝をウエハに形成しておき、その後の裏面研磨により半導体装置を個片化するものである。
【０００５】
この先ダイシング法では、裏面研磨が完了した時点で半導体装置がすでに個片化されている。このため、これら個片化された半導体装置の裏面にダイボンド用接着フィルムを貼り付け、次いで、半導体装置を接着フィルム面でチップ分割用シートに貼り付け、その後、その接着フィルムを切断する必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような先ダイシング法では、半導体装置が個片化されるまで裏面研磨を行うと、前記のような溝があるため、図３４のように個片化された半導体装置１４のピッチや切断ラインがずれるおそれがある。また、ダイボンド用接着フィルムを貼り付けた後、半導体装置１４をチップ分割用シート６に貼り付ける際に、半導体装置１４が個片化されており、かつ、薄いダイボンド用接着フィルムにより固定されているため、前記のピッチや切断ラインがさらにずれるおそれがある。
【０００７】
このため、従来は、例えば特開２００２−１１８０８１号公報に示されるように、ピッチのずれが影響するおそれのない化学的エッチング除去による方法が半導体装置の製造に広く用いられていた。
【０００８】
しかしながら、化学的エッチング除去による方法では、溶かされたダイボンド用接着フィルム材が、半導体装置の素子面に形成された電極部を汚染するおそれがあり、これを防ぐ施策が必要になる。
【０００９】
本発明はこのような実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体装置のピッチや切断ラインがずれるおそれを防止することができ、さらに、半導体装置の素子面に形成された電極部を汚染するおそれを防止することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、半導体装置が形成されたウエハの素子面におけるチップ分割用ラインに沿って、裏面に到達しない深さの溝を複数本形成する工程と、これらの溝とウエハの素子面とを第１樹脂層で覆い、この第１樹脂層を介してウエハを硬質板に貼り付け、次いで第１樹脂層を硬化させる工程と、硬質板に貼り付けられたウエハの裏面を、第１樹脂層が現れるまで研磨する工程と、研磨されたウエハの裏面にダイボンド用の第２樹脂層を形成する工程と、この第２樹脂層の裏面をチップ分割用シートに貼り付ける工程と、硬質板を取り除く工程と、
第１樹脂層を接着シートに転写して取り除くことで、半導体装置を個片化する工程と、個片化された半導体装置の間に存在する前記第１及び第２の樹脂を取り除く工程と、
チップ分割用シートから第２樹脂層とともに半導体装置をピックアップし、ウエハ素子面が上になるように、第２樹脂層を介して半導体装置を回路基板に搭載する工程と、半導体装置の電極と回路基板の外部接続端子に電気的に接続された接続パッドとを金属細線で電気的に接続し、その回路基板の回路面を第３樹脂層で封止する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１１】
このように構成された半導体装置の製造方法によれば、ウエハ裏面を研磨する際やウエハをチップ分割用シートに貼り付ける際に、個片化のための溝が第１樹脂層で覆われているから、半導体装置のピッチや切断ラインがずれることはない。従って、ウエハ裏面やダイシング断面のチッピングが少なく、後の組み立て工程で半導体装置が割れるおそれが少ない。さらに、半導体装置の薄型化、個片化を実現することができ、かつ、ダイボンド用接着剤の裏面への配置が可能となることから、薄型半導体装置パッケージの実現により高密度実装が可能になる。
【００１２】
本発明に係る半導体装置の製造方法において、第１樹脂層は、熱により接着性がなくなるか低下するか発泡する樹脂から構成することができる。
【００１３】
このように構成すれば、第１樹脂層を接着シートに転写して取り除く工程において、加熱によって第１樹脂層の接着力を減少させて、その取り除きをいっそう容易に行うことができる。
【００１４】
第１樹脂層は、紫外線により接着性がなくなるか低下する樹脂フィルム、もしくは紫外線により発泡する樹脂から構成することもできる。
【００１５】
このように構成すれば、第１樹脂層を接着シートに転写して取り除く工程において、紫外線の照射によって第１樹脂層の接着力を減少させて、その取り除きをいっそう容易に行うことができる。
【００１６】
本発明に係る半導体装置の製造方法において、第１樹脂層が、熱可塑性樹脂フィルムからなり、ウエハの素子面に形成された前記溝が、同樹脂フィルムの樹脂で充填されているように構成することもできる。
【００１７】
このように構成すれば、前記溝とウエハの素子面とを第１樹脂層で覆う際に、スピンナーによる液状樹脂の塗布に代えることができる。
【００１８】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１樹脂層が、熱硬化性樹脂からなり、第１樹脂層と硬質板との間に、熱により接着性がなくなるか低下するか発泡する樹脂からなる剥離シートを、その反応面が第１樹脂層の表側の面に対向するように介在させる工程と、第１樹脂層を接着シートに転写して取り除く前記工程に先立って、加熱により、硬質板および剥離シートを取り除く工程とをさらに備えているのが好ましい。
【００１９】
このように構成された半導体装置の製造方法によれば、加熱によって剥離シートの接着力を減少させることができるので、第１樹脂層を接着シートに転写して取り除く前記工程に先立って、硬質板および剥離シートを容易に取り除くことができる。
【００２０】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１樹脂層が、熱硬化性樹脂からなり、第１樹脂層と硬質板との間に、熱により発泡する樹脂からなる剥離シートを、その発泡面が硬質板に対向するように介在させる工程と、硬質板を取り除く前記工程の後に、加熱により、剥離シートおよび第１樹脂層を接着シートに転写して取り除く工程とをさらに備えているのが好ましい。
【００２１】
このように構成された半導体装置の製造方法によれば、加熱によって剥離シートの接着力を減少させることができるので、硬質板を取り除く前記工程の後に、剥離シートおよび第１樹脂層を接着シートに転写して容易に取り除くことができる。
【００２２】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１樹脂層が、熱硬化性樹脂からなり、硬質板が、レーザ光を透過させる性質を有し、第１樹脂層と硬質板との間に、熱により接着性がなくなるか低下するか発泡する樹脂からなる剥離シートを、その反応面が第１樹脂の表側の面に対向するように介在させる工程をさらに備え、硬質板を取り除く前記工程が、レーザ光による局所的加熱により行われ、第１樹脂層を接着シートに転写して取り除く前記工程が、剥離シートを含めて行われるように構成されているのが好ましい。
【００２３】
このように構成された半導体装置の製造方法によれば、硬質板を透過したレーザ光による局所的加熱によって剥離シートの接着力を減少させることができるので、硬質板および剥離シートを容易に取り除くことができる。
【００２４】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１樹脂層が、熱硬化性樹脂からなり、硬質板が、紫外線を透過させる性質を有し、第１樹脂層と硬質板との間に、紫外線により接着性がなくなるか低下するか発泡する樹脂からなる剥離シートを、その剥離面が硬質板の表側の面に対向するように介在させる工程をさらに備え、硬質板を取り除く前記工程が、紫外線を照射することにより行われ、第１樹脂層を接着シートに転写して取り除く前記工程が、剥離シートを含めて行われるように構成されているのが好ましい。
【００２５】
このように構成された半導体装置の製造方法によれば、硬質板を透過した紫外線の照射によって剥離シートの接着力を減少させることができるので、硬質板および剥離シートを容易に取り除くことができる。
【００２６】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、硬質板、または硬質板および剥離シートを取り除く前記工程の後に、第１樹脂層で充填された溝に、幅がこれらの溝よりも狭い別の溝を深さがチップ分割用シートに達するまで形成する工程をさらに備え、半導体装置を個片化する前記工程が、第１樹脂層を含めて行われ、個片化された半導体装置どうしの間に存在する第１樹脂層を取り除く前記工程が、第２樹脂層または剥離シートを含めて行われるように構成されているのが好ましい。
【００２７】
このように構成された半導体装置の製造方法によれば、前記溝が、前記の別の溝を形成することで第１樹脂層および第２樹脂層を切断して半導体装置を個片化する時まで、第１樹脂層で覆われているから、半導体装置のピッチや切断ラインがずれることはまったくない。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明における３つの実施の形態を添付図面に基づいて説明する。なお、これらによって本発明が限定されるものではない。
【００２９】
実施の形態１
図１〜図１１はそれぞれ、本発明の実施の形態１に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【００３０】
まず、図１に示すように、半導体装置が形成されたウエハ１の素子面に、ダイシングによって、後記研磨を行った後の半導体装置の厚さよりも深い溝を複数本形成する。ただし、これらの溝の形成方法は、ダイシングによるものに限らず、レーザなどによるものでもかまわない。
【００３１】
次に、図２に示すように、溝を形成したウエハ１の素子面に、スピンナーを用いて、第１樹脂層２になる液状樹脂を塗布し、前記溝を埋める。
【００３２】
その後、図３に示すように、第１樹脂層２になる液状樹脂によって、ウエハ１に、ダミーのＳｉウエハやガラスなどからなる硬質板３を貼り付ける。この樹脂が熱硬化性を有する場合は、完全硬化する前に貼り付ける。
【００３３】
なお、この樹脂の代わりに、熱可塑性を有するフィルム状のものを用いて、前記溝を埋めてもよい。
【００３４】
次に、図４に示すように、ウエハ１の裏面を、前記溝に埋められた第１樹脂層２の樹脂が現れる状態まで研磨する。
【００３５】
その後、図５に示すように、その研磨面に、第２樹脂層５になるダイボンド用接着剤からなるフィルムを貼り付ける。ここで、第２樹脂層５は、同接着剤からなるフィルムから形成することに限られるわけではなく、これに代えて、スピンナーを用いて液状樹脂を塗布することにより形成してもよい。
【００３６】
次に、第１樹脂層２を形成する樹脂として、熱により接着性が低下するか発泡する性質を有するもの、または、紫外線により接着性が低下するか発泡する性質を有するものを使用したときには、図６に示すように、そのような性質を利用して、加熱または紫外線照射により硬質板３を取り除いた後、第２樹脂層５、ウエハ１および第１樹脂層２からなる構造体をチップ分割用シート６に貼り付ける。
【００３７】
この工程は、逆に、第２樹脂層５、ウエハ１、第１樹脂層２および硬質板３からなる構造体をチップ分割用シート６に貼り付けた後に硬質板３を取り除くことで行ってもよい。
【００３８】
硬質板３を除去する具体例としては、第１樹脂層２を形成する樹脂が熱により接着性が低下するか発泡する性質を有する樹脂であれば、全体を加熱することにより硬質板３を取り除くことができる。また、硬質板３にガラスを用いているときには、硬質板３を透過したレーザ光の照射による局所的加熱によって、硬質板３を取り除くこともできる。
【００３９】
さらに他の方法としては、第１樹脂層２を形成する樹脂が紫外線により接着性が低下する性質を有する樹脂であれば、硬質板３にガラスを用い、硬質板３を透過した紫外線を照射することで、硬質板３を取り除くことができる。
【００４０】
次に、図７および図８に示すように、第２樹脂層５、ウエハ１および第１樹脂層２からなる構造体をチップ分割用シート６に貼り付けた状態で、第１樹脂層２を接着シート８に転写して取り除く。
【００４１】
その後、図８に示すように前記溝に第１樹脂層２の樹脂が残っていれば、図９に示すように、その樹脂とともに第２樹脂層（ダイボンド用接着剤からなる層）５を、ダイシングブレード９を用いたダイシングにより切断する。これらの樹脂および第２樹脂層５の切断は、このようなダイシングのみに限らず、レーザを用いて行ってもよい。
【００４２】
前記のように、薄型化、個片化され、裏面に第２樹脂層５が配置された半導体装置（ウエハ１）を、図１０に示すように回路基板１０にダイボンドする。
【００４３】
そして、図１１に示すように、この半導体装置の電極パッドと回路基板１０の接続パッドとを金属細線１１で電気的に接続し、その回路面を第３樹脂層１２になるエポキシなどのモールド用樹脂でトランスファーモールドし、薄型の半導体装置パッケージを実現する。
【００４４】
ただし、半導体装置パッケージは、その構造がこれに限定されるものではなく、前記製造方法で、薄型化、個片化され、裏面にダイボンド用接着剤層が配置された半導体装置を用いたパッケージであれば、どのような構造のものでもよい。
【００４５】
実施の形態２
図１２〜図２２はそれぞれ、本発明の実施の形態２に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【００４６】
まず、図１２に示すように、半導体装置が形成されたウエハ１の素子面に、ダイシングによって、後記研磨を行った後の半導体装置の厚さよりも深い溝を複数本形成する。ただし、これらの溝の形成方法は、ダイシングによるものに限らず、レーザなどによるものでもかまわない。
【００４７】
次に、図１３に示すように、溝を形成したウエハ１の素子面に、スピンナーを用いて、第１樹脂層２になる液状樹脂を塗布し、前記溝を埋める。そして、その樹脂を硬化させる。
【００４８】
その後、図１４に示すように、ウエハ１および第１樹脂層２からなる構造体に、剥離シート１３を介して、ダミーのＳｉウエハやガラスなどからなる硬質板３を貼り付ける。
【００４９】
剥離シート１３は、熱により接着性がなくなるか低下するか発泡する樹脂から構成し、その反応面が第１樹脂層２の表側の面に対向するように配置する。
【００５０】
次に、図１５に示すように、ウエハ１の裏面を、前記溝に埋められた第１樹脂層２の樹脂が現れる状態まで研磨する。
【００５１】
その後、図１６に示すように、その研磨面に、第２樹脂層５になるダイボンド用接着剤からなるフィルムを貼り付ける。ここで、第２樹脂層５は、同接着剤からなるフィルムから構成することに限られるわけではなく、これに代えて、スピンナーを用いて液状樹脂を塗布することにより形成してもよい。
【００５２】
次に、図１７に示すように、加熱により剥離シート１３の接着力を減少させることにより、剥離シート１３とともに硬質板３を取り除いた後、第２樹脂層５、ウエハ１および第１樹脂層２からなる構造体をチップ分割用シート６に貼り付ける。
【００５３】
この工程は、逆に、第２樹脂層５、ウエハ１、第１樹脂層２、剥離シート１３および硬質板３からなる構造体をチップ分割用シート６に貼り付けた後に剥離シート１３および硬質板３を取り除くことで行ってもよい。
【００５４】
硬質板３を除去する具体例としては、第１樹脂層２を構成する樹脂が熱により接着性が低下するか発泡する性質を有する樹脂であれば、全体を加熱することにより硬質板３および剥離シート１３を取り除くことができる。また、硬質板３にガラスを用いているときには、硬質板３を透過したレーザ光の照射による局所的加熱によって、硬質板３および剥離シート１３を取り除くこともできる。
【００５５】
さらに他の方法としては、図１４の工程で剥離シート１３の反応面を硬質板３の側にすれば、図１７の工程では硬質板３のみが取り除かれる。このとき、剥離シート１３は、最表層に残るが、図１８に示す工程で取り除かれる。
【００５６】
例えば、紫外線により接着性がなくなるか低下するか発泡する性質を有する樹脂からなる剥離シート１３であれば、硬質板３にガラスを用い、硬質板３の側に反応面を対向させ、紫外線を照射することで、硬質板３のみを取り除くことができる。
【００５７】
次に、図１８および図１９に示すように、第２樹脂層５、ウエハ１、第１樹脂層２および剥離シート１３からなる構造体をチップ分割用シート６に貼り付けた状態で、第１樹脂層２を接着シート８に転写して取り除く。
【００５８】
その後、図１９に示すように前記溝に第１樹脂層２の樹脂が残っていれば、図２０に示すように、その樹脂とともに第２樹脂層（ダイボンド用接着剤からなる層）５を、ダイシングブレード９を用いたダイシングにより切断する。これらの樹脂および第２樹脂層５の切断は、このようなダイシングのみに限らず、レーザを用いて行ってもよい。
【００５９】
前記のように、薄型化、個片化され、裏面に第２樹脂層５が配置された半導体装置（ウエハ１）を、図２１に示すように回路基板１０にダイボンドする。
【００６０】
そして、図２２に示すように、この半導体装置の電極パッドと回路基板１０の接続パッドとを金属細線１１で電気的に接続し、その回路面を第３樹脂層１２になるエポキシなどのモールド用樹脂でトランスファーモールドし、薄型の半導体装置パッケージを実現する。
【００６１】
ただし、半導体装置パッケージは、その構造がこれに限定されるものではなく、前記製造方法で、薄型化、個片化され、裏面にダイボンド用接着剤層が配置された半導体装置を用いたパッケージであれば、どのような構造のものでもよい。
【００６２】
実施の形態３
図２３〜図３３はそれぞれ、本発明の実施の形態３に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【００６３】
まず、図２３に示すように、半導体装置が形成されたウエハ１の素子面に、ダイシングによって、後記研磨を行った後の半導体装置の厚さよりも深い溝を複数本形成する。ただし、これらの溝の形成方法は、ダイシングによるものに限らず、レーザなどによるものでもかまわない。
【００６４】
次に、図２４に示すように、溝を形成したウエハ１の素子面に、スピンナーを用いて、第１樹脂層２になる液状の熱硬化性エポキシ樹脂を塗布し、前記溝を埋める。そして、その樹脂を硬化させる。
【００６５】
その後、図２７に示すように、第２樹脂層５、ウエハ１および第１樹脂層２からなる構造体を、ダミーのＳｉウエハやガラスなどからなる硬質板３に、剥離シート１３を介して貼り付ける。
【００６６】
剥離シート１３は、熱により接着性がなくなるか低下するか発泡する樹脂から構成し、その反応面が第１樹脂層２の表側の面に対向するように配置する。
【００６７】
次に、図２６に示すように、ウエハ１の裏面を、前記溝に埋められた第１樹脂層２の樹脂が現れる状態まで研磨する。
【００６８】
その後、図２７に示すように、その研磨面に、第２樹脂層５になるダイボンド用接着剤からなるフィルムを貼り付ける。ここで、第２樹脂層５は、同接着剤からなるフィルムから構成することに限られるわけではなく、これに代えて、スピンナーを用いて液状樹脂を塗布することにより形成してもよい。
【００６９】
次に、図２８に示すように、加熱により剥離シート１３の接着力を減少させることにより、剥離シート１３とともに硬質板３を取り除いた後、第２樹脂層５、ウエハ１および第１樹脂層２からなる構造体をチップ分割用シート６に貼り付ける。
【００７０】
この工程は、逆に、第２樹脂層５、ウエハ１、第１樹脂層２、剥離シート１３および硬質板３からなる構造体をチップ分割用シート６に貼り付けた後に剥離シート１３および硬質板３を取り除くことで行ってもよい。
【００７１】
硬質板３を除去する具体例としては、第１樹脂層２を構成する樹脂が熱により接着性が低下するか発泡する性質を有する樹脂であれば、全体を加熱することにより硬質板３および剥離シート１３を取り除くことができる。また、硬質板３にガラスを用いているときには、硬質板３を透過したレーザ光の照射による局所的加熱によって、硬質板３および剥離シート１３を取り除くこともできる。
【００７２】
その後、図２９に示すように、第２樹脂層５、ウエハ１および第１樹脂層２からなる構造体の、第１樹脂層２で覆われた前記溝に、幅がこれらの溝よりも狭い別の溝を深さがチップ分割用シート６に達するまで形成する。この工程は、前記溝を覆った第２樹脂層（ダイボンド用接着剤からなる層）５を、ダイシングブレード９を用いたダイシングにより切断することで行われる。この第２樹脂層５の切断は、このようなダイシングのみに限らず、レーザを用いて行ってもよい。
【００７３】
次に、図３０に示すように、第１樹脂層２を剥離シート１３に転写して取り除く。
【００７４】
これにより、図３１に示すように、薄型化、個片化され、裏面に第２樹脂層（ダイボンド用接着剤層）５が配置された半導体装置（ウエハ１）を得る。
【００７５】
これらを図３２に示すように回路基板１０にダイボンドする。そして、図３３に示すように、半導体装置の電極パッドと回路基板１０の接続パッドとを金属細線１１で電気的に接続し、その回路面を、第３樹脂層１２になるエポキシなどのモールド用樹脂でトランスファーモールドし、薄型の半導体装置パッケージを実現する。
【００７６】
ただし、半導体装置パッケージは、その構造がこれに限定されるものではなく、前記製造方法で、薄型化、個片化され、裏面にダイボンド用接着剤層が配置された半導体装置を用いたパッケージであれば、どのような構造のものでもよい。
【００７７】
【発明の効果】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、ウエハ裏面を研磨する際やウエハをチップ分割用シートに貼り付ける際に、個片化のための溝が第１樹脂層で覆われているから、半導体装置のピッチや切断ラインがずれることはない。従って、ウエハ裏面やダイシング断面のチッピングが少なく、後の組み立て工程で半導体装置が割れるおそれが少ない。さらに、半導体装置の薄型化、個片化を実現することができ、かつ、ダイボンド用接着剤の裏面への配置が可能となることから、薄型半導体装置パッケージの実現により高密度実装が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図１４】図１４は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図１５】図１５は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図１６】図１６は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図１７】図１７は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図１８】図１８は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図１９】図１９は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図２０】図２０は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図２１】図２１は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図２２】図２２は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図２３】図２３は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図２４】図２４は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図２５】図２５は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図２６】図２６は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図２７】図２７は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図２８】図２８は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図２９】図２９は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図３０】図３０は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図３１】図３１は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図３２】図３２は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図３３】図３３は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図３４】図３４は、従来の製造方法に係る半導体装置の平面図である。
【符号の説明】
１ ウエハ
２ 第１樹脂層
３ 硬質板
４ 研磨機
５ 第２樹脂層
６ チップ分割用シート
７ リング
８ 接着シート
９ ダイシングブレード
１０ 回路基板
１１ 金属細線
１２ 第３樹脂層
１３ 剥離シート
１４ 個片化された半導体装置
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関するものであり、特に、ウエハを薄型化、個片化して、個片化された半導体装置の裏面にダイボンド用材料を配置する半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯情報機器の小型化、軽量化に伴い、半導体装置の高密度実装が特に必要とされてきている。小型化、軽量化を実現するためには、半導体装置を薄型化することが必須である。
【０００３】
しかし、半導体装置が形成されたウエハの裏面を研磨し薄型化した後にダイシングして半導体装置を個片化すると、ウエハ裏面やダイシング断面にチッピングが生じ、後の組み立て工程で半導体装置が割れる原因になるおそれがある。
【０００４】
これらの割れの確率を下げる方法として、先ダイシング法が考案されている。この先ダイシング法は、ウエハ裏面を研磨する前にダイシングを行うことによって、研磨後の半導体装置の厚さよりも深い溝をウエハに形成しておき、その後の裏面研磨により半導体装置を個片化するものである。
【０００５】
この先ダイシング法では、裏面研磨が完了した時点で半導体装置がすでに個片化されている。このため、これら個片化された半導体装置の裏面にダイボンド用接着フィルムを貼り付け、次いで、半導体装置を接着フィルム面でチップ分割用シートに貼り付け、その後、その接着フィルムを切断する必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような先ダイシング法では、半導体装置が個片化されるまで裏面研磨を行うと、前記のような溝があるため、図３４のように個片化された半導体装置１４のピッチや切断ラインがずれるおそれがある。また、ダイボンド用接着フィルムを貼り付けた後、半導体装置１４をチップ分割用シート６に貼り付ける際に、半導体装置１４が個片化されており、かつ、薄いダイボンド用接着フィルムにより固定されているため、前記のピッチや切断ラインがさらにずれるおそれがある。
【０００７】
このため、従来は、例えば特開２００２−１１８０８１号公報に示されるように、ピッチのずれが影響するおそれのない化学的エッチング除去による方法が半導体装置の製造に広く用いられていた。
【０００８】
しかしながら、化学的エッチング除去による方法では、溶かされたダイボンド用接着フィルム材が、半導体装置の素子面に形成された電極部を汚染するおそれがあり、これを防ぐ施策が必要になる。
【０００９】
本発明はこのような実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体装置のピッチや切断ラインがずれるおそれを防止することができ、さらに、半導体装置の素子面に形成された電極部を汚染するおそれを防止することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、半導体装置が形成されたウエハの素子面におけるチップ分割用ラインに沿って、裏面に到達しない深さの溝を複数本形成する工程と、これらの溝とウエハの素子面とを第１樹脂層で覆い、この第１樹脂層を介してウエハを硬質板に貼り付け、次いで第１樹脂層を硬化させる工程と、硬質板に貼り付けられたウエハの裏面を、第１樹脂層が現れるまで研磨する工程と、研磨されたウエハの裏面にダイボンド用の第２樹脂層を形成する工程と、この第２樹脂層の裏面をチップ分割用シートに貼り付ける工程と、硬質板を取り除く工程と、
第１樹脂層を接着シートに転写して取り除くことで、半導体装置を個片化する工程と、個片化された半導体装置の間に存在する前記第１及び第２の樹脂を取り除く工程と、
チップ分割用シートから第２樹脂層とともに半導体装置をピックアップし、ウエハ素子面が上になるように、第２樹脂層を介して半導体装置を回路基板に搭載する工程と、半導体装置の電極と回路基板の外部接続端子に電気的に接続された接続パッドとを金属細線で電気的に接続し、その回路基板の回路面を第３樹脂層で封止する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１１】
このように構成された半導体装置の製造方法によれば、ウエハ裏面を研磨する際やウエハをチップ分割用シートに貼り付ける際に、個片化のための溝が第１樹脂層で覆われているから、半導体装置のピッチや切断ラインがずれることはない。従って、ウエハ裏面やダイシング断面のチッピングが少なく、後の組み立て工程で半導体装置が割れるおそれが少ない。さらに、半導体装置の薄型化、個片化を実現することができ、かつ、ダイボンド用接着剤の裏面への配置が可能となることから、薄型半導体装置パッケージの実現により高密度実装が可能になる。
【００１２】
本発明に係る半導体装置の製造方法において、第１樹脂層は、熱により接着性がなくなるか低下するか発泡する樹脂から構成することができる。
【００１３】
このように構成すれば、第１樹脂層を接着シートに転写して取り除く工程において、加熱によって第１樹脂層の接着力を減少させて、その取り除きをいっそう容易に行うことができる。
【００１４】
第１樹脂層は、紫外線により接着性がなくなるか低下する樹脂フィルム、もしくは紫外線により発泡する樹脂から構成することもできる。
【００１５】
このように構成すれば、第１樹脂層を接着シートに転写して取り除く工程において、紫外線の照射によって第１樹脂層の接着力を減少させて、その取り除きをいっそう容易に行うことができる。
【００１６】
本発明に係る半導体装置の製造方法において、第１樹脂層が、熱可塑性樹脂フィルムからなり、ウエハの素子面に形成された前記溝が、同樹脂フィルムの樹脂で充填されているように構成することもできる。
【００１７】
このように構成すれば、前記溝とウエハの素子面とを第１樹脂層で覆う際に、スピンナーによる液状樹脂の塗布に代えることができる。
【００１８】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１樹脂層が、熱硬化性樹脂からなり、第１樹脂層と硬質板との間に、熱により接着性がなくなるか低下するか発泡する樹脂からなる剥離シートを、その反応面が第１樹脂層の表側の面に対向するように介在させる工程と、第１樹脂層を接着シートに転写して取り除く前記工程に先立って、加熱により、硬質板および剥離シートを取り除く工程とをさらに備えているのが好ましい。
【００１９】
このように構成された半導体装置の製造方法によれば、加熱によって剥離シートの接着力を減少させることができるので、第１樹脂層を接着シートに転写して取り除く前記工程に先立って、硬質板および剥離シートを容易に取り除くことができる。
【００２０】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１樹脂層が、熱硬化性樹脂からなり、第１樹脂層と硬質板との間に、熱により発泡する樹脂からなる剥離シートを、その発泡面が硬質板に対向するように介在させる工程と、硬質板を取り除く前記工程の後に、加熱により、剥離シートおよび第１樹脂層を接着シートに転写して取り除く工程とをさらに備えているのが好ましい。
【００２１】
このように構成された半導体装置の製造方法によれば、加熱によって剥離シートの接着力を減少させることができるので、硬質板を取り除く前記工程の後に、剥離シートおよび第１樹脂層を接着シートに転写して容易に取り除くことができる。
【００２２】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１樹脂層が、熱硬化性樹脂からなり、硬質板が、レーザ光を透過させる性質を有し、第１樹脂層と硬質板との間に、熱により接着性がなくなるか低下するか発泡する樹脂からなる剥離シートを、その反応面が第１樹脂の表側の面に対向するように介在させる工程をさらに備え、硬質板を取り除く前記工程が、レーザ光による局所的加熱により行われ、第１樹脂層を接着シートに転写して取り除く前記工程が、剥離シートを含めて行われるように構成されているのが好ましい。
【００２３】
このように構成された半導体装置の製造方法によれば、硬質板を透過したレーザ光による局所的加熱によって剥離シートの接着力を減少させることができるので、硬質板および剥離シートを容易に取り除くことができる。
【００２４】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１樹脂層が、熱硬化性樹脂からなり、硬質板が、紫外線を透過させる性質を有し、第１樹脂層と硬質板との間に、紫外線により接着性がなくなるか低下するか発泡する樹脂からなる剥離シートを、その剥離面が硬質板の表側の面に対向するように介在させる工程をさらに備え、硬質板を取り除く前記工程が、紫外線を照射することにより行われ、第１樹脂層を接着シートに転写して取り除く前記工程が、剥離シートを含めて行われるように構成されているのが好ましい。
【００２５】
このように構成された半導体装置の製造方法によれば、硬質板を透過した紫外線の照射によって剥離シートの接着力を減少させることができるので、硬質板および剥離シートを容易に取り除くことができる。
【００２６】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、硬質板、または硬質板および剥離シートを取り除く前記工程の後に、第１樹脂層で充填された溝に、幅がこれらの溝よりも狭い別の溝を深さがチップ分割用シートに達するまで形成する工程をさらに備え、半導体装置を個片化する前記工程が、第１樹脂層を含めて行われ、個片化された半導体装置どうしの間に存在する第１樹脂層を取り除く前記工程が、第２樹脂層または剥離シートを含めて行われるように構成されているのが好ましい。
【００２７】
このように構成された半導体装置の製造方法によれば、前記溝が、前記の別の溝を形成することで第１樹脂層および第２樹脂層を切断して半導体装置を個片化する時まで、第１樹脂層で覆われているから、半導体装置のピッチや切断ラインがずれることはまったくない。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明における３つの実施の形態を添付図面に基づいて説明する。なお、これらによって本発明が限定されるものではない。
【００２９】
実施の形態１
図１〜図１１はそれぞれ、本発明の実施の形態１に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【００３０】
まず、図１に示すように、半導体装置が形成されたウエハ１の素子面に、ダイシングによって、後記研磨を行った後の半導体装置の厚さよりも深い溝を複数本形成する。ただし、これらの溝の形成方法は、ダイシングによるものに限らず、レーザなどによるものでもかまわない。
【００３１】
次に、図２に示すように、溝を形成したウエハ１の素子面に、スピンナーを用いて、第１樹脂層２になる液状樹脂を塗布し、前記溝を埋める。
【００３２】
その後、図３に示すように、第１樹脂層２になる液状樹脂によって、ウエハ１に、ダミーのＳｉウエハやガラスなどからなる硬質板３を貼り付ける。この樹脂が熱硬化性を有する場合は、完全硬化する前に貼り付ける。
【００３３】
なお、この樹脂の代わりに、熱可塑性を有するフィルム状のものを用いて、前記溝を埋めてもよい。
【００３４】
次に、図４に示すように、ウエハ１の裏面を、前記溝に埋められた第１樹脂層２の樹脂が現れる状態まで研磨する。
【００３５】
その後、図５に示すように、その研磨面に、第２樹脂層５になるダイボンド用接着剤からなるフィルムを貼り付ける。ここで、第２樹脂層５は、同接着剤からなるフィルムから形成することに限られるわけではなく、これに代えて、スピンナーを用いて液状樹脂を塗布することにより形成してもよい。
【００３６】
次に、第１樹脂層２を形成する樹脂として、熱により接着性が低下するか発泡する性質を有するもの、または、紫外線により接着性が低下するか発泡する性質を有するものを使用したときには、図６に示すように、そのような性質を利用して、加熱または紫外線照射により硬質板３を取り除いた後、第２樹脂層５、ウエハ１および第１樹脂層２からなる構造体をチップ分割用シート６に貼り付ける。
【００３７】
この工程は、逆に、第２樹脂層５、ウエハ１、第１樹脂層２および硬質板３からなる構造体をチップ分割用シート６に貼り付けた後に硬質板３を取り除くことで行ってもよい。
【００３８】
硬質板３を除去する具体例としては、第１樹脂層２を形成する樹脂が熱により接着性が低下するか発泡する性質を有する樹脂であれば、全体を加熱することにより硬質板３を取り除くことができる。また、硬質板３にガラスを用いているときには、硬質板３を透過したレーザ光の照射による局所的加熱によって、硬質板３を取り除くこともできる。
【００３９】
さらに他の方法としては、第１樹脂層２を形成する樹脂が紫外線により接着性が低下する性質を有する樹脂であれば、硬質板３にガラスを用い、硬質板３を透過した紫外線を照射することで、硬質板３を取り除くことができる。
【００４０】
次に、図７および図８に示すように、第２樹脂層５、ウエハ１および第１樹脂層２からなる構造体をチップ分割用シート６に貼り付けた状態で、第１樹脂層２を接着シート８に転写して取り除く。
【００４１】
その後、図８に示すように前記溝に第１樹脂層２の樹脂が残っていれば、図９に示すように、その樹脂とともに第２樹脂層（ダイボンド用接着剤からなる層）５を、ダイシングブレード９を用いたダイシングにより切断する。これらの樹脂および第２樹脂層５の切断は、このようなダイシングのみに限らず、レーザを用いて行ってもよい。
【００４２】
前記のように、薄型化、個片化され、裏面に第２樹脂層５が配置された半導体装置（ウエハ１）を、図１０に示すように回路基板１０にダイボンドする。
【００４３】
そして、図１１に示すように、この半導体装置の電極パッドと回路基板１０の接続パッドとを金属細線１１で電気的に接続し、その回路面を第３樹脂層１２になるエポキシなどのモールド用樹脂でトランスファーモールドし、薄型の半導体装置パッケージを実現する。
【００４４】
ただし、半導体装置パッケージは、その構造がこれに限定されるものではなく、前記製造方法で、薄型化、個片化され、裏面にダイボンド用接着剤層が配置された半導体装置を用いたパッケージであれば、どのような構造のものでもよい。
【００４５】
実施の形態２
図１２〜図２２はそれぞれ、本発明の実施の形態２に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【００４６】
まず、図１２に示すように、半導体装置が形成されたウエハ１の素子面に、ダイシングによって、後記研磨を行った後の半導体装置の厚さよりも深い溝を複数本形成する。ただし、これらの溝の形成方法は、ダイシングによるものに限らず、レーザなどによるものでもかまわない。
【００４７】
次に、図１３に示すように、溝を形成したウエハ１の素子面に、スピンナーを用いて、第１樹脂層２になる液状樹脂を塗布し、前記溝を埋める。そして、その樹脂を硬化させる。
【００４８】
その後、図１４に示すように、ウエハ１および第１樹脂層２からなる構造体に、剥離シート１３を介して、ダミーのＳｉウエハやガラスなどからなる硬質板３を貼り付ける。
【００４９】
剥離シート１３は、熱により接着性がなくなるか低下するか発泡する樹脂から構成し、その反応面が第１樹脂層２の表側の面に対向するように配置する。
【００５０】
次に、図１５に示すように、ウエハ１の裏面を、前記溝に埋められた第１樹脂層２の樹脂が現れる状態まで研磨する。
【００５１】
その後、図１６に示すように、その研磨面に、第２樹脂層５になるダイボンド用接着剤からなるフィルムを貼り付ける。ここで、第２樹脂層５は、同接着剤からなるフィルムから構成することに限られるわけではなく、これに代えて、スピンナーを用いて液状樹脂を塗布することにより形成してもよい。
【００５２】
次に、図１７に示すように、加熱により剥離シート１３の接着力を減少させることにより、剥離シート１３とともに硬質板３を取り除いた後、第２樹脂層５、ウエハ１および第１樹脂層２からなる構造体をチップ分割用シート６に貼り付ける。
【００５３】
この工程は、逆に、第２樹脂層５、ウエハ１、第１樹脂層２、剥離シート１３および硬質板３からなる構造体をチップ分割用シート６に貼り付けた後に剥離シート１３および硬質板３を取り除くことで行ってもよい。
【００５４】
硬質板３を除去する具体例としては、第１樹脂層２を構成する樹脂が熱により接着性が低下するか発泡する性質を有する樹脂であれば、全体を加熱することにより硬質板３および剥離シート１３を取り除くことができる。また、硬質板３にガラスを用いているときには、硬質板３を透過したレーザ光の照射による局所的加熱によって、硬質板３および剥離シート１３を取り除くこともできる。
【００５５】
さらに他の方法としては、図１４の工程で剥離シート１３の反応面を硬質板３の側にすれば、図１７の工程では硬質板３のみが取り除かれる。このとき、剥離シート１３は、最表層に残るが、図１８に示す工程で取り除かれる。
【００５６】
例えば、紫外線により接着性がなくなるか低下するか発泡する性質を有する樹脂からなる剥離シート１３であれば、硬質板３にガラスを用い、硬質板３の側に反応面を対向させ、紫外線を照射することで、硬質板３のみを取り除くことができる。
【００５７】
次に、図１８および図１９に示すように、第２樹脂層５、ウエハ１、第１樹脂層２および剥離シート１３からなる構造体をチップ分割用シート６に貼り付けた状態で、第１樹脂層２を接着シート８に転写して取り除く。
【００５８】
その後、図１９に示すように前記溝に第１樹脂層２の樹脂が残っていれば、図２０に示すように、その樹脂とともに第２樹脂層（ダイボンド用接着剤からなる層）５を、ダイシングブレード９を用いたダイシングにより切断する。これらの樹脂および第２樹脂層５の切断は、このようなダイシングのみに限らず、レーザを用いて行ってもよい。
【００５９】
前記のように、薄型化、個片化され、裏面に第２樹脂層５が配置された半導体装置（ウエハ１）を、図２１に示すように回路基板１０にダイボンドする。
【００６０】
そして、図２２に示すように、この半導体装置の電極パッドと回路基板１０の接続パッドとを金属細線１１で電気的に接続し、その回路面を第３樹脂層１２になるエポキシなどのモールド用樹脂でトランスファーモールドし、薄型の半導体装置パッケージを実現する。
【００６１】
ただし、半導体装置パッケージは、その構造がこれに限定されるものではなく、前記製造方法で、薄型化、個片化され、裏面にダイボンド用接着剤層が配置された半導体装置を用いたパッケージであれば、どのような構造のものでもよい。
【００６２】
実施の形態３
図２３〜図３３はそれぞれ、本発明の実施の形態３に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【００６３】
まず、図２３に示すように、半導体装置が形成されたウエハ１の素子面に、ダイシングによって、後記研磨を行った後の半導体装置の厚さよりも深い溝を複数本形成する。ただし、これらの溝の形成方法は、ダイシングによるものに限らず、レーザなどによるものでもかまわない。
【００６４】
次に、図２４に示すように、溝を形成したウエハ１の素子面に、スピンナーを用いて、第１樹脂層２になる液状の熱硬化性エポキシ樹脂を塗布し、前記溝を埋める。そして、その樹脂を硬化させる。
【００６５】
その後、図２７に示すように、第２樹脂層５、ウエハ１および第１樹脂層２からなる構造体を、ダミーのＳｉウエハやガラスなどからなる硬質板３に、剥離シート１３を介して貼り付ける。
【００６６】
剥離シート１３は、熱により接着性がなくなるか低下するか発泡する樹脂から構成し、その反応面が第１樹脂層２の表側の面に対向するように配置する。
【００６７】
次に、図２６に示すように、ウエハ１の裏面を、前記溝に埋められた第１樹脂層２の樹脂が現れる状態まで研磨する。
【００６８】
その後、図２７に示すように、その研磨面に、第２樹脂層５になるダイボンド用接着剤からなるフィルムを貼り付ける。ここで、第２樹脂層５は、同接着剤からなるフィルムから構成することに限られるわけではなく、これに代えて、スピンナーを用いて液状樹脂を塗布することにより形成してもよい。
【００６９】
次に、図２８に示すように、加熱により剥離シート１３の接着力を減少させることにより、剥離シート１３とともに硬質板３を取り除いた後、第２樹脂層５、ウエハ１および第１樹脂層２からなる構造体をチップ分割用シート６に貼り付ける。
【００７０】
この工程は、逆に、第２樹脂層５、ウエハ１、第１樹脂層２、剥離シート１３および硬質板３からなる構造体をチップ分割用シート６に貼り付けた後に剥離シート１３および硬質板３を取り除くことで行ってもよい。
【００７１】
硬質板３を除去する具体例としては、第１樹脂層２を構成する樹脂が熱により接着性が低下するか発泡する性質を有する樹脂であれば、全体を加熱することにより硬質板３および剥離シート１３を取り除くことができる。また、硬質板３にガラスを用いているときには、硬質板３を透過したレーザ光の照射による局所的加熱によって、硬質板３および剥離シート１３を取り除くこともできる。
【００７２】
その後、図２９に示すように、第２樹脂層５、ウエハ１および第１樹脂層２からなる構造体の、第１樹脂層２で覆われた前記溝に、幅がこれらの溝よりも狭い別の溝を深さがチップ分割用シート６に達するまで形成する。この工程は、前記溝を覆った第２樹脂層（ダイボンド用接着剤からなる層）５を、ダイシングブレード９を用いたダイシングにより切断することで行われる。この第２樹脂層５の切断は、このようなダイシングのみに限らず、レーザを用いて行ってもよい。
【００７３】
次に、図３０に示すように、第１樹脂層２を剥離シート１３に転写して取り除く。
【００７４】
これにより、図３１に示すように、薄型化、個片化され、裏面に第２樹脂層（ダイボンド用接着剤層）５が配置された半導体装置（ウエハ１）を得る。
【００７５】
これらを図３２に示すように回路基板１０にダイボンドする。そして、図３３に示すように、半導体装置の電極パッドと回路基板１０の接続パッドとを金属細線１１で電気的に接続し、その回路面を、第３樹脂層１２になるエポキシなどのモールド用樹脂でトランスファーモールドし、薄型の半導体装置パッケージを実現する。
【００７６】
ただし、半導体装置パッケージは、その構造がこれに限定されるものではなく、前記製造方法で、薄型化、個片化され、裏面にダイボンド用接着剤層が配置された半導体装置を用いたパッケージであれば、どのような構造のものでもよい。
【００７７】
【発明の効果】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、ウエハ裏面を研磨する際やウエハをチップ分割用シートに貼り付ける際に、個片化のための溝が第１樹脂層で覆われているから、半導体装置のピッチや切断ラインがずれることはない。従って、ウエハ裏面やダイシング断面のチッピングが少なく、後の組み立て工程で半導体装置が割れるおそれが少ない。さらに、半導体装置の薄型化、個片化を実現することができ、かつ、ダイボンド用接着剤の裏面への配置が可能となることから、薄型半導体装置パッケージの実現により高密度実装が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図１４】図１４は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図１５】図１５は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図１６】図１６は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図１７】図１７は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図１８】図１８は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図１９】図１９は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図２０】図２０は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図２１】図２１は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図２２】図２２は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図２３】図２３は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図２４】図２４は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図２５】図２５は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図２６】図２６は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図２７】図２７は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図２８】図２８は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図２９】図２９は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図３０】図３０は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図３１】図３１は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図３２】図３２は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図３３】図３３は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置のある製造工程での構造を示す断面図である。
【図３４】図３４は、従来の製造方法に係る半導体装置の平面図である。
【符号の説明】
１ ウエハ
２ 第１樹脂層
３ 硬質板
４ 研磨機
５ 第２樹脂層
６ チップ分割用シート
７ リング
８ 接着シート
９ ダイシングブレード
１０ 回路基板
１１ 金属細線
１２ 第３樹脂層
１３ 剥離シート
１４ 個片化された半導体装置
Claims (10)
- 半導体装置が形成されたウエハの素子面におけるチップ分割用ラインに沿って、裏面に到達しない深さの溝を複数本形成する工程と、
これらの溝とウエハの素子面とを第１樹脂層で覆い、この第１樹脂層を介してウエハを硬質板に貼り付け、次いで第１樹脂層を硬化させる工程と、
硬質板に貼り付けられたウエハの裏面を、第１樹脂層が現れるまで研磨する工程と、
研磨されたウエハの裏面にダイボンド用の第２樹脂層を形成する工程と、
この第２樹脂層の裏面をチップ分割用シートに貼り付ける工程と、
硬質板を取り除く工程と、
第１樹脂層を接着シートに転写して取り除くことで、半導体装置を個片化する工程と、
個片化された半導体装置の間に存在する前記第１及び第２の樹脂を取り除く工程と、
チップ分割用シートから第２樹脂層とともに半導体装置をピックアップし、ウエハ素子面が上になるように、第２樹脂層を介して半導体装置を回路基板に搭載する工程と、
半導体装置の電極と回路基板の外部接続端子に電気的に接続された接続パッドとを金属細線で電気的に接続し、その回路基板の回路面を第３樹脂層で封止する工程と
を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第１樹脂層が、熱により接着性がなくなるか低下するか発泡する樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
- 第１樹脂層が、紫外線により接着性がなくなるか低下する樹脂フィルム、もしくは紫外線により発泡する樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
- 第１樹脂層が、熱可塑性樹脂フィルムからなり、ウエハの素子面に形成された前記溝が、同樹脂フィルムの樹脂で充填されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
- 第１樹脂層が、熱硬化性樹脂からなり、
第１樹脂層と硬質板との間に、熱により接着性がなくなるか低下するか発泡する樹脂からなる剥離シートを、その反応面が第１樹脂層の表側の面に対向するように介在させる工程と、
第１樹脂層を接着シートに転写して取り除く前記工程に先立って、加熱により、硬質板および剥離シートを取り除く工程と
をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 第１樹脂層が、熱硬化性樹脂からなり、
第１樹脂層と硬質板との間に、熱により発泡する樹脂からなる剥離シートを、その発泡面が硬質板に対向するように介在させる工程と、
硬質板を取り除く前記工程の後に、加熱により、剥離シートおよび第１樹脂層を接着シートに転写して取り除く工程と
をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 第１樹脂層が、熱硬化性樹脂からなり、
硬質板が、レーザ光を透過させる性質を有し、
第１樹脂層と硬質板との間に、熱により接着性がなくなるか低下するか発泡する樹脂からなる剥離シートを、その反応面が第１樹脂の表側の面に対向するように介在させる工程と、
第１樹脂層を接着シートに転写して取り除く前記工程に先立って、レーザ光による局所的加熱により、硬質板および剥離シートを取り除く工程と
をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 第１樹脂層が、熱硬化性樹脂からなり、
硬質板が、レーザ光を透過させる性質を有し、
第１樹脂層と硬質板との間に、熱により接着性がなくなるか低下するか発泡する樹脂からなる剥離シートを、その反応面が硬質板の表側の面に対向するように介在させる工程をさらに備え、
硬質板を取り除く前記工程が、レーザ光による局所的加熱により行われ、
第１樹脂層を接着シートに転写して取り除く前記工程が、剥離シートを含めて行われる
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 第１樹脂層が、熱硬化性樹脂からなり、
硬質板が、紫外線を透過させる性質を有し、
第１樹脂層と硬質板との間に、紫外線により接着性がなくなるか低下するか発泡する樹脂からなる剥離シートを、その剥離面が硬質板の表側の面に対向するように介在させる工程をさらに備え、
硬質板を取り除く前記工程が、紫外線を照射することにより行われ、
第１樹脂層を接着シートに転写して取り除く前記工程が、剥離シートを含めて行われる
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 硬質板、または硬質板および剥離シートを取り除く前記工程の後に、第１樹脂層で充填された溝に、幅がこれらの溝よりも狭い別の溝を深さがチップ分割用シートに達するまで形成する工程をさらに備え、
半導体装置を個片化する前記工程が、第１樹脂層を含めて行われ、
個片化された半導体装置どうしの間に存在する第１樹脂層を取り除く前記工程が、第２樹脂層または剥離シートを含めて行われる
ことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
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