JP2018198241A - ウェーハの加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】簡易的な工程でチップの裏面及び側面に樹脂封止を行い、パッケージの小型化と強度の向上とを達成する。【解決手段】ウェーハの仕上げ厚みに至る溝を形成するステップと、溝形成後にウェーハ表面に保護部材Ｔ１を配設するステップと、ウェーハの保護部材Ｔ１側をテーブル７０で保持するステップと、ウェーハ裏面を研削してチップＣへと分割するステップと、チップ裏面Ｃｂに硬化樹脂を供給してチップの裏面Ｃｂと側面Ｃｄとを硬化樹脂で被覆するとともに、チップＣ間に隙間Ｖが形成された状態とする塗布ステップと、硬化樹脂を硬化させるステップと、ウェーハ裏面側にエキスパンドシートを貼着するとともに保護部材を除去するステップと、シートを拡張して隙間を起点に硬化樹脂を分断するステップと、チップをシートからピックアップするステップと、を備えることで、裏面及び側面が硬化樹脂で保護されたチップを形成するウェーハの加工方法である。【選択図】図８

Description

本発明は、交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハの加工方法に関する。

近年、半導体パッケージ製造工程においては、パッケージの小型化、薄型化と強度向上とを達成するために、チップの裏面のみならず側面にも樹脂封止を行うパッケージ製造方法が開発されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００１−１２７２０６号公報

しかし、上記特許文献１に記載されているパッケージ製造方法は、製造工程が煩雑化するという問題がある。よって、より簡易的な工程でチップの裏面及び側面に樹脂封止を行い、パッケージの小型化、薄型化と強度の向上とを達成するという課題がある。

上記課題を解決するための本発明は、交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面から該分割予定ラインに沿ってウェーハの仕上げ厚みに至る溝を形成する溝形成ステップと、該溝形成ステップを実施した後、ウェーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、該保護部材配設ステップを実施した後、該保護部材側を保持テーブルで保持してウェーハの裏面を露出させる保持ステップと、該保持ステップを実施した後、ウェーハの裏面を研削して該仕上げ厚みへと薄化するとともにウェーハを複数のチップへと分割する薄化ステップと、該薄化ステップを実施した後、該保護部材に貼着された複数のチップの裏面に外的刺激で硬化する硬化樹脂を供給してチップの裏面と側面とを該硬化樹脂で被覆するとともに、隣接するチップ間に隙間が形成された状態とする塗布ステップと、該塗布ステップを実施した後、該硬化樹脂に該外的刺激を付与して硬化させる硬化ステップと、該硬化ステップを実施した後、ウェーハの裏面側にエキスパンドシートを貼着するとともにウェーハの表面から該保護部材を除去する転写ステップと、該転写ステップを実施した後、該エキスパンドシートを拡張することで、隣接するチップ間に形成された該硬化樹脂の該隙間を起点に該硬化樹脂を分断する拡張ステップと、該拡張ステップを実施した後、チップを該エキスパンドシートからピックアップするピックアップステップと、を備えることで、裏面及び側面が該硬化樹脂で保護されたチップを形成するウェーハの加工方法である。

前記薄化ステップを実施した後、前記塗布ステップを実施する前に、前記保護部材に貼着された複数のチップの裏面と側面とを親水化する親水化ステップを更に備えるものとすると好ましい。

前記親水化ステップでは、ウェーハの裏面に対して紫外線を照射して前記保護部材に貼着された複数のチップの裏面と側面とを親水化するものとすると好ましい。

本発明に係るウェーハの加工方法は、薄化ステップを実施した後、保護部材に貼着された複数のチップの裏面に外的刺激で硬化する硬化樹脂を供給してチップの裏面と側面とを硬化樹脂で被覆するとともに、隣接するチップ間に隙間が形成された状態とする塗布ステップと、塗布ステップを実施した後、硬化樹脂に外的刺激を付与して硬化させる硬化ステップと、硬化ステップを実施した後、ウェーハの裏面側にエキスパンドシートを貼着するとともにウェーハの表面から保護部材を除去する転写ステップと、転写ステップを実施した後エキスパンドシートを拡張することで、隣接するチップ間に形成された硬化樹脂の隙間を起点に硬化樹脂を分断する拡張ステップと、拡張ステップを実施した後、チップをエキスパンドシートからピックアップするピックアップステップと、を備えることで、従来に比べてより簡易的な工程でパッケージの小型化、薄型化と強度の向上とを達成することができる。

また、薄化ステップを実施した後、塗布ステップを実施する前に、保護部材に貼着された複数のチップの裏面と側面とを親水化する親水化ステップを更に備えるものとすることで、塗布ステップにおいて硬化樹脂がチップの側面へより回り込みやすくすることができ、より確実にチップの側面を硬化樹脂で被覆することが可能となる。

さらに、親水化ステップでは、ウェーハの裏面に対して紫外線を照射することで保護部材に貼着された複数のチップの裏面と側面とを容易に親水化することができる。

切削手段によりウェーハに仕上げ厚みに至る溝を形成している状態を示す斜視図である。 ウェーハの表面に保護部材を配設している状態を示す斜視図である。 保護部材側を保持テーブルで保持してウェーハの裏面を露出させた状態を示す側面図である。 ウェーハを裏面を研削して仕上げ厚みへと薄化するとともに複数のチップへと分割している状態を示す斜視図である。 紫外光照射により保護部材に貼着された複数のチップの裏面と側面とを親水化している状態を示す側面図である 隣接するチップ間に隙間を形成しつつ、チップの裏面と側面とを硬化樹脂で被覆している状態を示す側面図である。 硬化樹脂が被覆されたチップの裏面と側面とを拡大して示す側面図である。 紫外光を照射してチップの裏面と側面とに塗布された硬化樹脂を硬化させている状態を示す側面図である。 ウェーハの裏面側にエキスパンドシートを貼着するとともにウェーハの表面から保護部材を除去する状態を示す斜視図である。 エキスパンド装置に、エキスパンドシートに貼着され環状フレームで支持されたウェーハをセットした状態を示す断面図である。 エキスパンド装置によってエキスパンドシートを拡張することで、硬化樹脂の隙間を起点に硬化樹脂を分断している状態を示す断面図である。 硬化樹脂が分断されたチップを拡大して示す断面図である。 チップをエキスパンドシートからピックアップしている状態を示す断面図である。

チップに分割される図１に示すウェーハＷは、例えば、シリコン基板からなる円形状の半導体ウェーハであり、ウェーハＷの表面Ｗａには、直交差する分割予定ラインＳによって区画された格子状の各領域にそれぞれデバイスＤが形成されている。
以下に、本発明に係るウェーハの加工方法を実施して図１に示すウェーハＷからデバイスＤを備えるチップを作製する場合の、加工方法の各ステップについて説明していく。

（１）溝形成ステップ
最初に、図１に示す切削手段１１によって、ウェーハＷの表面Ｗａから分割予定ラインＳに沿ってウェーハＷの仕上げ厚みに至る溝を形成する。切削手段１１は、軸方向がウェーハＷの移動方向（Ｘ軸方向）に対し水平方向に直交する方向（Ｙ軸方向）であるスピンドル１１１を備えており、スピンドル１１１の先端には円環状の切削ブレード１１０が固定されている。

図１において、ウェーハＷは図示しないチャックテーブルによって表面Ｗａが上側を向いた状態で吸引保持されている。ウェーハＷを吸引保持するチャックテーブルは、鉛直方向（Ｚ軸方向）の軸心周りに回転可能であるとともに、Ｘ軸方向に往復移動可能となっている。
まず、ウェーハＷを保持するチャックテーブルが−Ｘ方向側に送り出され、ウェーハＷの切削ブレード１１０を切り込ませるべき分割予定ラインＳのＹ軸方向の座標位置が検出される。分割予定ラインＳが検出されるのに伴って、切削手段１１がＹ軸方向に割り出し送りされ、切削すべき分割予定ラインＳと切削ブレード１１０とのＹ軸方向における位置合わせが行われる。

スピンドル１１１が回転することに伴い、切削ブレード１１０が−Ｙ方向側から見て時計回り方向に回転する。さらに、切削手段１１が−Ｚ方向に向かって切り込み送りされ、切削ブレード１１０の最下端がウェーハＷを完全に切断しない所定の高さ位置に切削手段１１が位置付けられる。この所定の高さ位置は、ウェーハＷの表面Ｗａから形成される溝の底面までの距離がウェーハＷの仕上げ厚み（例えば、５０μｍ）となる位置である。

ウェーハＷを保持するチャックテーブルが所定の切削送り速度で−Ｘ方向側にさらに送り出されることで、回転する切削ブレード１１０が分割予定ラインＳに沿ってウェーハＷの表面Ｗａ側から切り込んでいき、ウェーハＷの仕上げ厚みに至る溝Ｍが形成されていく。切削ブレード１１０が一本の分割予定ラインＳを切削し終えるＸ軸方向の所定の位置までウェーハＷが送られると、ウェーハＷの切削送りが一度停止され、切削ブレード１１０がウェーハＷから離間し、次いで、ウェーハＷが＋Ｘ方向に移動し原点位置に戻る。そして、隣り合う分割予定ラインＳの間隔ずつ切削ブレード１１０を＋Ｙ方向に割り出し送りしながら順次同様の切削を行うことにより、Ｘ軸方向の全ての分割予定ラインＳに沿って溝ＭをウェーハＷに形成する。さらに、ウェーハＷを９０度回転させてから同様の切削加工を行うことで、全ての分割予定ラインＳに沿って溝Ｍを形成することができる。

（２）保護部材配設ステップ
次いで、図２に示すように、ウェーハＷの表面Ｗａに保護部材Ｔ１を配設する。保護部材Ｔ１は、ウェーハＷと同程度の直径を備える円盤状のシートである。例えば、図示しない貼り付けテーブル上に載置されたウェーハＷの中心と保護部材Ｔ１の中心とが略合致するように、ウェーハＷの表面Ｗａに対して保護部材Ｔ１が位置付けられる。貼り付けテーブル上でプレスローラー等によりウェーハＷの表面Ｗａに保護部材Ｔ１が押し付けられて貼着されることで、ウェーハＷの表面Ｗａが保護部材Ｔ１によって保護された状態になる。

（３）保持ステップ
保護部材Ｔ１が貼着されたウェーハＷは、図３、４に示す研削装置７に搬送される。研削装置７は、保持テーブル７０を備えている。保持テーブル７０は、例えば、その外形が円形状であり、ポーラス部材等からなる保持面７００でウェーハＷを吸引保持する。保持テーブル７０は、Ｚ軸方向の軸心回りに回転可能であるとともに、Ｙ軸方向に移動可能となっている。
図３に示すように、保護部材Ｔ１側を下側に向けて保持面７００上にウェーハＷが載置される。そして、保持面７００に連通する図示しない吸引源により生み出された吸引力が保持面７００に伝達されることで、保持テーブル７０は保持面７００上で裏面Ｗｂを露出させた状態のウェーハＷを吸引保持する。

（４）薄化ステップ
保持テーブル７０に保持されたウェーハＷの裏面Ｗｂを図４に示す研削手段７１によって研削して仕上げ厚みへと薄化するとともにウェーハＷを複数のチップへと分割する。研削手段７１は、例えば、Ｚ軸方向の軸心周りに回転可能な回転軸７１０と、回転軸７１０の下端に接続された円板状のマウント７１３と、マウント７１３の下面に着脱可能に接続された研削ホイール７１４とを備える。

研削ホイール７１４は、ホイール基台７１４ｂと、ホイール基台７１４ｂの底面に環状に配設された略直方体形状の複数の研削砥石７１４ａとを備える。研削砥石７１４ａは、例えば、レジンボンドやメタルボンド等でダイヤモンド砥粒等が固着されて成形されている。なお、研削砥石７１４ａの形状は、環状に一体に形成されているものでもよい。

まず、保持テーブル７０が＋Ｙ方向へ移動して、研削ホイール７１４と保持テーブル７０に保持されたウェーハＷとの位置合わせがなされる。位置合わせは、例えば、研削ホイール７１４の回転中心がウェーハＷの回転中心に対して所定の距離だけ＋Ｙ方向にずれ、研削砥石７１４ａの回転軌跡がウェーハＷの回転中心を通るように行われる。

研削ホイール７１４とウェーハＷとの位置合わせが行われた後、回転軸７１０が回転するのに伴って、図４に示すように、研削ホイール７１４が、＋Ｚ方向側からみて反時計周り方向に回転する。また、研削手段７１が−Ｚ方向へと送られ、研削砥石７１４ａがウェーハＷの裏面Ｗｂに当接することで研削加工が行われる。さらに、研削中は、保持テーブル７０が＋Ｚ方向側からみて反時計周り方向に回転するのに伴ってウェーハＷも回転するので、研削砥石７１４ａがウェーハＷの裏面Ｗｂの全面の研削加工を行う。研削加工中においては、研削砥石７１４ａとウェーハＷの裏面Ｗｂとの接触箇所に対して研削水が供給され、この研削水によって接触箇所の冷却及び発生した研削屑の洗浄除去が行われる。

研削ホイール７１４を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りして、溝Ｍの底がウェーハＷの裏面Ｗｂ側に露出するまでウェーハＷの裏面Ｗｂを研削する。溝Ｍの底がウェーハＷの裏面Ｗｂに露出することで、図５に示すように、仕上げ厚みへと薄化されたウェーハＷはデバイスＤを備える複数のチップＣに分割される。各チップＣ間には、溝Ｍの幅と同程度の間隔が設けられた状態になっている。そして、研削手段７１がウェーハＷから離間する。

（５）親水化ステップ
本実施形態においては、薄化ステップを実施した後、例えば、図５に示す保護部材Ｔ１に貼着された複数のチップＣの裏面Ｃｂと側面Ｃｄとを親水化する。チップＣの裏面Ｃｂと側面Ｃｄとの親水化は、例えば、図５に示す発光部８からウェーハＷの裏面Ｗｂに対して所定波長の紫外光を照射することで容易に行うことができる。なお、チップＣの裏面Ｃｂ及び側面Ｃｄの親水化は紫外光照射によって成される形態に限定されず、例えば、大気圧プラズマ処理装置を用いたプラズマ照射によって成されるものとしてもよい。

保持テーブル７０の上方に配設された発光部８は、例えば２波長ＬＥＤであり、波長１８５ｎｍの紫外光と波長２５４ｎｍの紫外光とを同時に発光することができる。発光部８から波長１８５ｎｍの紫外光が下方に向かって照射されることで、チップＣの裏面Ｃｂ及び側面Ｃｄと発光部８との間に存在する空気中の酸素分子が紫外光を吸収し、基底状態の酸素原子を生成する。生成された酸素原子は周囲の酸素分子と結合してオゾンを生成する。また、波長１８５ｎｍの紫外光は、チップＣの裏面Ｃｂや側面Ｃｄに付着した研削屑による有機汚濁等の分子間結合及び原子間結合を切断して励起状態にすることで、有機汚濁を分解していく。さらに、発生したオゾンが波長２５４ｎｍの紫外光を吸収することで、励起状態の活性酸素が生成される。活性酸素やオゾンは高い酸化力を有するため、チップＣの裏面Ｃｂや側面Ｃｄに生じた炭素や水素等と結合して、ヒドロキシル基、アルデヒド基、及びカルボキシル基等の極性の大きな親水基をチップＣの裏面Ｃｂや側面Ｃｄに形成していく。その結果、チップＣの裏面Ｃｂや側面Ｃｄが親水化する。

（６）塗布ステップ
チップＣの裏面Ｃｂや側面Ｃｄを親水化させた後、保護部材Ｔ１に貼着されたチップＣの裏面Ｃｂに外的刺激で硬化する硬化樹脂を供給してチップＣの裏面Ｃｂと側面Ｃｄとを硬化樹脂で被覆するとともに、隣接するチップＣ間に隙間が形成された状態とする。なお、本ステップにおいて使用する液状の硬化樹脂の粘度等によっては、上記親水化ステップを実施せずに、（４）薄化ステップを実施した後に本ステップを実施するものとしてもよい。

保護部材Ｔ１に貼着された複数のチップＣは、保護部材Ｔ１と共に図６に示す硬化樹脂被覆手段４に搬送される。硬化樹脂被覆手段４は、例えば、スピンコータ（回転式塗布装置）であり、Ｚ軸方向の軸心回りに回転可能であり保持面４０ａで保護部材Ｔ１を吸引保持することができるチャックテーブル４０と、チャックテーブル４０に保持された保護部材Ｔ１上のチップＣの裏面Ｃｂに液状の硬化樹脂を供給するノズル４１と、ノズル４１に連通し液状の硬化樹脂を蓄えている供給手段４２とを備えている。なお、チャックテーブル４０は、図示しないケースによって周囲を囲まれており、チップＣを硬化樹脂で被覆している最中に液状の硬化樹脂が周囲に飛散しない構成になっている。
供給手段４２に蓄えられている液状の硬化樹脂は、例えば、外的刺激である紫外光照射によって硬化する性質を備えるアンダーフィルである。なお、液状の硬化樹脂は加熱によって硬化する熱硬化型の樹脂を用いてもよい。

チャックテーブル４０に、ウェーハＷの裏面Ｗｂが上になるように保護部材Ｔ１を載置し、チャックテーブル４０に接続された図示しない吸引手段を作動することにより保持面４０ａ上でチップＣに分割されたウェーハＷを吸引保持する。次に、チャックテーブル４０上で吸引保持されたウェーハＷの裏面Ｗｂの中心部にノズル４１から硬化樹脂を滴下しつつ、チャックテーブル４０を回転させる。滴下された液状の硬化樹脂が遠心力によりウェーハＷの裏面Ｗｂの中心側から外周側に向けて広がっていき、保護部材Ｔ１上の各チップＣの裏面Ｃｂ全面にいきわたり、図７に示すほぼ一様な厚さの硬化樹脂の膜Ｊが各チップＣの裏面Ｃｂ上に形成される。

また、ノズル４１からの硬化樹脂の滴下量及びチャックテーブル４０の回転速度が、隣接するチップＣ間に所定の幅の隙間が形成されるような所定の値に調整される。そのため、液状の硬化樹脂がチップＣの裏面Ｃｂから側面Ｃｄへと伝っていき、側面Ｃｄにも硬化樹脂膜Ｊが形成される。本実施形態においては、薄化ステップを実施した後、本塗布ステップを実施する前に、チップＣの裏面Ｃｂと側面Ｃｄとを親水化する親水化ステップを行っているため、チップＣの裏面Ｃｂ及び側面Ｃｄにおいて硬化樹脂が球状になりにくくなっており、チップＣの裏面Ｃｂ及び側面Ｃｄに硬化樹脂が膜状に広がりやすくなっている。そのため、液状の硬化樹脂がチップＣの側面Ｃｄへ回り込みやすくなっているため、より確実にチップＣの側面Ｃｄを硬化樹脂膜Ｊで被覆することが可能となる。

チップＣの側面Ｃｄが硬化樹脂膜Ｊで被覆されるのに伴い、各チップＣ間の保護部材Ｔ１の粘着面上にも液状の硬化樹脂が溜まり極細厚の硬化樹脂の膜（以下、連続部Ｊ１とする）が形成され、その結果、各チップＣ間に所定の幅の隙間Ｖが形成される。なお、隙間Ｖの幅は極僅かな大きさであってもよく、少なくとも隙間Ｖが各チップＣの側面Ｃｄの硬化樹脂膜Ｊによって完全に埋められていなければよい。

なお、本塗布ステップは、本実施形態のようなスピンコート形式で実施されるものに限定されず、例えば、ウェーハＷの裏面Ｗｂに液状の硬化樹脂をスプレーコートすることで成されるものとしてもよい。

（７）硬化ステップ
塗布ステップを終えた後、チャックテーブル４０に吸引保持されたウェーハＷに対して、図８に示すように、外的刺激として所定波長の紫外光をＵＶランプ４４から照射することで、各チップＣの裏面Ｃｂと側面Ｃｄとを被覆する硬化樹脂膜Ｊ及び連続部Ｊ１を硬化させる。
なお、上記塗布ステップから硬化ステップまでを複数回繰り返すものとしてもよい。チップＣの裏面Ｃｂから側面Ｃｄに至る角部分は滴下された液状の硬化樹脂が留まりにくく被覆されにくいが、上記一連のステップを複数回繰り返すことによって、該角部分についてもより確実に硬化樹脂膜Ｊで被覆することができるようになる。

（８）転写ステップ
紫外光の照射によって硬化した硬化樹脂膜Ｊが形成されたウェーハＷは、図４に示すように、エキスパンドシートＴ２が貼着される。エキスパンドシートＴ２は、例えば、ウェーハＷの外径よりも大きい外径を有する円盤状のシートであり、機械的外力に対する適度な伸縮性を備えている。例えば、図示しない貼り付けテーブル上に載置されたウェーハＷの中心と環状フレームＦの開口の中心とが略合致するように、ウェーハＷに対して環状フレームＦが位置付けられる。そして、貼り付けテーブル上でプレスローラー等によりウェーハＷの裏面Ｗｂ側の硬化樹脂膜Ｊ（図９においては不図示）にエキスパンドシートＴ２が押し付けられて貼着される。同時に、エキスパンドシートＴ２の粘着面Ｔ２ａの外周部を環状フレームＦにも貼着することで、ウェーハＷは、エキスパンドシートＴ２を介して環状フレームＦに支持された状態となり、環状フレームＦを介したハンドリングが可能な状態になる。また、ウェーハＷの表面Ｗａから保護部材Ｔ１が剥離される。

（９）拡張ステップ
図１０に示すように、エキスパンドシートＴ２を介して環状フレームＦによって支持された状態のウェーハＷをエキスパンド装置５に搬送する。エキスパンド装置５は、例えば、エキスパンドシートＴ２の外径よりも大きな外径を備える環状テーブル５０を具備しており、環状テーブル５０の開口５０ｃの直径はエキスパンドシートＴ２の外径よりも小さく形成されている。環状テーブル５０の外周部には、４つ（図示の例においては、２つのみ図示している）の固定クランプ５２が均等に配設されている。固定クランプ５２は、バネ等によって回転軸５２ｃを軸に回動可能となっており、環状テーブル５０の保持面５０ａと固定クランプ５２の下面との間に環状フレームＦを挟み込むことができる。

環状テーブル５０の開口５０ｃ内には、円筒状の拡張ドラム５３が高さ位置を固定して配設されており、環状テーブル５０の中心と拡張ドラム５３の中心とは略合致している。この拡張ドラム５３の外径は、エキスパンドシートＴ２の外径より小さく、かつ、ウェーハＷの外径よりも大きく形成されている。

環状テーブル５０は、例えば、環状テーブル昇降手段５５によって上下動可能となっている。環状テーブル昇降手段５５は、例えばエアシリンダであり、内部に図示しないピストンを備える筒状のシリンダチューブ５５０と、シリンダチューブ５５０に挿入され下端がピストンに取り付けられたピストンロッド５５１とを備える。ピストンロッド５５１の上端は、環状テーブル５０の下面に固定されている。シリンダチューブ５５０にエアが供給（または、排出）されシリンダチューブ５５０内の圧力が変化することで、ピストンロッド５５１が上下動し、環状テーブル５０も上下動する。

基準高さ位置に位置付けられた環状テーブル５０の保持面５０ａに、エキスパンドシートＴ２を介して環状フレームＦが載置される。次いで、固定クランプ５２を回動させ、環状フレームＦが固定クランプ５２と環状テーブル５０の保持面５０ａとの間に挟持固定された状態にする。この状態においては、環状テーブル５０の保持面５０ａと拡張ドラム５３の環状の上端面とは同一の高さ位置にあり、拡張ドラム５３の上端面が、エキスパンドシートＴ２の環状フレームＦの内周縁とウェーハＷの外周縁との間の領域に、エキスパンドシートＴ２の基材面側（図１０における下面側）から当接する。

図１１に示すように、環状テーブル昇降手段５５が、固定クランプ５２との間に環状フレームＦを挟み込んだ状態の環状テーブル５０を−Ｚ方向に下降させることで、環状テーブル５０の保持面５０ａを拡張ドラム５３の上端面より下方のエキスパンドシート拡張位置に位置付ける。その結果、拡張ドラム５３は固定クランプ５２に対して相対的に上昇し、エキスパンドシートＴ２は、拡張ドラム５３の上端面で押し上げられて径方向外側に向かって拡張される。その結果、図１１、１２に示すようにエキスパンドシートＴ２が貼着されている隣接するチップＣ間に形成された硬化樹脂膜Ｊの隙間Ｖを起点に硬化樹脂膜Ｊの連続部Ｊ１が分断される。即ち、外力（拡張力）がエキスパンドシートＴ２を介して連続部Ｊ１に集中的に付与されることで、連続部Ｊ１が隙間Ｖに沿って引きちぎられる。

（１０）ピックアップステップ
上記のように拡張ステップを実施した後、エキスパンドシートＴ２からチップＣをピックアップする。例えば、エキスパンドシートＴ２が紫外線照射によって粘着力が低下するタイプの場合には、図１２に示すエキスパンドシートＴ２に紫外線を照射して粘着面Ｔ２ａの粘着力を低下させた後、チップＣに分割されたウェーハＷを、図１３に示すピックアップ装置９に搬送する。ピックアップ装置９は、図示しない挟持クランプ等で環状フレームＦ（図１３においては不図示）を固定し、Ｚ軸方向に昇降可能なニードル９０で、チップＣを下側からエキスパンドシートＴ２を介して突き上げる。そして、チップＣがエキスパンドシートＴ２から浮き上がったところを吸引パッド９１で吸引保持することで、裏面Ｃｂ及び側面Ｃｄに硬化樹脂膜Ｊが被覆されたチップＣのパッケージをピックアップして得ることができる。

本発明に係るウェーハの加工方法は、薄化ステップを実施した後、保護部材Ｔ１に貼着された複数のチップＣの裏面Ｃｂに外的刺激で硬化する硬化樹脂を供給してチップＣの裏面Ｃｂと側面Ｃｄとを硬化樹脂膜Ｊで被覆するとともに、隣接するチップＣ間に隙間Ｖが形成された状態とする塗布ステップと、塗布ステップを実施した後、硬化樹脂に外的刺激を付与して硬化させる硬化ステップと、硬化ステップを実施した後、ウェーハＷの裏面Ｗｂ側にエキスパンドシートＴ２を貼着するとともにウェーハＷの表面Ｗａから保護部材Ｔ１を除去する転写ステップと、転写ステップを実施した後エキスパンドシートＴ２を拡張することで、隣接するチップＣ間に形成された硬化樹脂の隙間Ｖを起点に硬化樹脂を分断する拡張ステップと、拡張ステップを実施した後、チップＣをエキスパンドシートＴ２からピックアップするピックアップステップと、を備えることで、従来に比べてより簡易的な工程でパッケージの小型化、薄型化と強度の向上とを達成することができる。

Ｗ：ウェーハ Ｗａ：ウェーハの表面 Ｗｂ：ウェーハの裏面 Ｄ：デバイス： Ｓ：分割予定ライン Ｍ：溝 Ｔ１：保護部材 Ｃ：チップ Ｃｂ：チップの裏面 Ｃｄ：チップの側面
１１：切削手段 １１０：切削ブレード １１１：スピンドル
７：研削装置 ７０：保持テーブル ７００：保持面
７１：研削手段 ７１０：回転軸 ７１３：マウント ７１４：研削ホイール ７１４ａ：研削砥石 ７１４ｂ：ホイール基台
８：発光部
４：硬化樹脂被覆手段 ４０：チャックテーブル ４１：ノズル ４２：供給手段 Ｊ：硬化樹脂膜 Ｊ１：連続部 Ｖ：隙間 ４４：ＵＶランプ
５：エキスパンド装置 ５０：環状テーブル ５０ａ：環状テーブルの保持面 ５０ｃ：環状テーブルの開口 ５２：固定クランプ ５３：拡張ドラム
Ｔ２：エキスパンドシート Ｆ：環状フレーム
５５：環状テーブル昇降手段 ５５０：シリンダチューブ ５５１：ピストンロッド
９：ピックアップ装置 ９０：ニードル ９１：吸引パッド

Claims (3)

1. 交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、
   ウェーハの表面から該分割予定ラインに沿ってウェーハの仕上げ厚みに至る溝を形成する溝形成ステップと、
   該溝形成ステップを実施した後、ウェーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、
   該保護部材配設ステップを実施した後、該保護部材側を保持テーブルで保持してウェーハの裏面を露出させる保持ステップと、
   該保持ステップを実施した後、ウェーハの裏面を研削して該仕上げ厚みへと薄化するとともにウェーハを複数のチップへと分割する薄化ステップと、
   該薄化ステップを実施した後、該保護部材に貼着された複数のチップの裏面に外的刺激で硬化する硬化樹脂を供給してチップの裏面と側面とを該硬化樹脂で被覆するとともに、隣接するチップ間に隙間が形成された状態とする塗布ステップと、
   該塗布ステップを実施した後、該硬化樹脂に該外的刺激を付与して硬化させる硬化ステップと、
   該硬化ステップを実施した後、ウェーハの裏面側にエキスパンドシートを貼着するとともにウェーハの表面から該保護部材を除去する転写ステップと、
   該転写ステップを実施した後、該エキスパンドシートを拡張することで、隣接するチップ間に形成された該硬化樹脂の該隙間を起点に該硬化樹脂を分断する拡張ステップと、
   該拡張ステップを実施した後、チップを該エキスパンドシートからピックアップするピックアップステップと、を備えることで、裏面及び側面が該硬化樹脂で保護されたチップを形成する、ウェーハの加工方法。
2. 前記薄化ステップを実施した後、前記塗布ステップを実施する前に、前記保護部材に貼着された複数のチップの裏面と側面とを親水化する親水化ステップを更に備えた、請求項１に記載のウェーハの加工方法。
3. 前記親水化ステップでは、ウェーハの裏面に対して紫外線を照射して前記保護部材に貼着された複数のチップの裏面と側面とを親水化する、請求項２に記載のウェーハの加工方法。

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