JP2018113281A - 樹脂パッケージ基板の加工方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】加工後のフィラーの落下を抑制することができる樹脂パッケージ基板の加工方法を提供すること。【解決手段】樹脂パッケージ基板の加工方法は、樹脂パッケージ基板を環状フレームの開口に粘着テープで固定する固定ステップST1と、モールド樹脂に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を樹脂パッケージ基板のモールド樹脂に照射し、分割溝を形成して樹脂パッケージ基板を複数のパッケージデバイスチップに分割する分割ステップST3と、粘着テープを拡張して、隣接するパッケージデバイスチップの間にフィラーが挟まった樹脂パッケージ基板のパッケージデバイスチップ間の距離を広げるチップ間距離拡張ステップST4と、パッケージデバイスチップ間距離が拡張した樹脂パッケージ基板に洗浄液を供給して挟まったフィラーを除去する洗浄ステップST6とを含む。【選択図】図5
Description
本発明は、樹脂パッケージ基板の加工方法に関する。
半導体ウエーハを個々のデバイスチップに分割する加工方法として、切削ブレードによる切削加工やレーザー光線の照射によるアブレーション加工が知られている。個々に分割されたデバイスチップは、マザー基板等に固定され、ワイヤ等で配線され、モールド樹脂でパッケージされるのが一般的である。しかしながら、デバイスチップは、側面の微細なクラックなどにより、長時間稼働すると、クラックが伸展し破損する虞がある。このようなデバイスチップの破損を抑制するために、デバイスチップの側面をモールド樹脂で覆い、外的環境要因をデバイスチップに及ぼされなくするパッケージ手法が、開発された(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1に示されたパッケージ手法は、まず、ウエーハの表面から分割予定ライン(ストリート)に沿って溝を形成し、溝とウエーハ表面にモールド樹脂を充填する。その後、特許文献1に示されたパッケージ手法は、ウエーハを裏面から溝のモールド樹脂が露出するまで薄化してウエーハのデバイスを分割する。特許文献1に示されたパッケージ手法は、最後に、ウエーハの表面から溝内のモールド樹脂を分割し個々のデバイスチップに分割する。前述したパッケージ手法において、デバイスチップに分割するために、切削加工ではなく、レーザー光線の照射によるアブレーション加工を用いることが開発されている。アブレーション加工を用いることは、デバイスチップ同士の分割で用いられる切り代を非常に狭くして、分割予定ラインを非常に細く設計することができ、ウエーハ1枚当たりのデバイスチップの数を増やすことができるために有益である。
特許文献1に示されたパッケージ手法で用いられるモールド樹脂は、モールド樹脂の線膨張係数を調整し反りを抑制するためのフィラー(シリカ等の粒子)を含む。フィラーは、モールド樹脂と吸収するレーザーの波長帯が異なるため、モールド樹脂をアブレーション加工する時に加工されずに分割溝内に残存する。特に、フィラーの直径がレーザー加工で形成する分割溝の幅より大きい場合、分割溝内にフィラーが残存し、洗浄しても除去できず、フィラーがその後の工程中でチップの側面から落下してしまい、他の製品の不良原因になってしまう恐れがある。
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、加工後のフィラーの落下を抑制することができる樹脂パッケージ基板の加工方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の樹脂パッケージ基板の加工方法は、フィラーが混合されたモールド樹脂を含む樹脂パッケージ基板の加工方法であって、該樹脂パッケージ基板を環状フレームの開口にエキスパンド性を有する粘着テープで固定する固定ステップと、該固定ステップを実施した後、該モールド樹脂に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該樹脂パッケージ基板の該モールド樹脂に照射し、該樹脂パッケージ基板を分割する分割溝を形成して該樹脂パッケージ基板を複数のチップに分割する分割ステップと、該分割ステップを実施した後、該粘着テープを拡張して、隣接する該チップの間にフィラーが挟まった該樹脂パッケージ基板の該チップ間の距離を、該フィラーの直径以上に広げるチップ間距離拡張ステップと、該チップ間距離が拡張した樹脂パッケージ基板に洗浄液を供給し、該チップの間に挟まった該フィラーを除去する洗浄ステップと、を含み、該粘着テープからピックアップした該チップから該フィラーが落下するのを抑制することを特徴とする。
該チップ間距離拡張ステップでは、該環状フレームと該粘着テープに貼着された該樹脂パッケージ基板とを粘着テープの面方向と直交する方向に離間させて該チップ間距離を拡張し、該チップ間距離拡張ステップと、該洗浄ステップとの間に、拡張によって生じた該粘着テープの弛みを除去する弛み除去ステップを備えても良い。
該樹脂パッケージ基板は、デバイスチップを該モールド樹脂で被覆したモールド基板と、該モールド基板の上に積層するインターポーザー基板とを備え、該分割ステップの前に、該モールド基板の上で露出した該インターポーザー基板の表面に水溶性の液状樹脂を塗布する液状樹脂塗布ステップを、有し、該分割ステップでは、該インターポーザー基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該インターポーザー基板の表面から照射して該インターポーザー基板を分割する第1分割溝を形成した後、該モールド基板の該モールド樹脂の領域に第1分割溝と連続し該モールド樹脂を分割する第2分割溝を形成し、該洗浄ステップでは、該液状樹脂を除去しても良い。
そこで、本願発明の樹脂パッケージ基板の加工方法は、分割ステップにおいて形成した分割溝を拡張した状態で洗浄ステップにおいて洗浄する事で、チップ間に挟まったフィラーを確実に除去でき、加工後のフィラーの落下を抑制することができるという効果を奏する。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
〔実施形態1〕
実施形態1に係る樹脂パッケージ基板の加工方法を説明する。図1は、実施形態1に係る樹脂パッケージ基板の加工方法の加工対象の樹脂パッケージ基板の裏面側を示す斜視図である。図2は、図1に示された樹脂パッケージ基板を表面側からみた斜視図である。図3は、図1に示された樹脂パッケージ基板が分割されて得られるパッケージデバイスチップを示す斜視図である。図4は、図3に示すパッケージデバイスチップの断面図である。
実施形態1に係る樹脂パッケージ基板の加工方法を説明する。図1は、実施形態1に係る樹脂パッケージ基板の加工方法の加工対象の樹脂パッケージ基板の裏面側を示す斜視図である。図2は、図1に示された樹脂パッケージ基板を表面側からみた斜視図である。図3は、図1に示された樹脂パッケージ基板が分割されて得られるパッケージデバイスチップを示す斜視図である。図4は、図3に示すパッケージデバイスチップの断面図である。
実施形態1に係る樹脂パッケージ基板の加工方法は、加工対象である図1及び図2に示す樹脂パッケージ基板PBの加工方法であって、樹脂パッケージ基板PBを図3に示すチップであるパッケージデバイスチップPDTに分割する方法である。
樹脂パッケージ基板の加工方法の加工対象である樹脂パッケージ基板PBは、図1に示すように、複数のデバイスチップDTを被覆したモールド樹脂MRを含むモールド基板MBと、モールド基板MB上に積層するインターポーザー基板IBとを備えている。
デバイスチップDTは、複数の基板が積層されるなどして構成されたIC(Integrated Circuit)、LSI(Large-Scale Integration)、メモリー等の電子部品である。実施形態1において、複数のデバイスチップDTは、互いに交差(実施形態では、直交)する2つの直線方向に沿って間隔をあけて配置され、互いに隣り合うもの同士の間隔が等間隔に配置されている。モールド樹脂MRは、図4に示すように、合成樹脂SRにフィラーFLが混合されている。フィラーFLは、モールド樹脂MRの線膨張係数を抑制して、モールド樹脂MRが反るなどの変形することを抑制するものである。実施形態1において、モールド樹脂MRを構成するフィラーFLは、SiO2(シリカ)又はSiC(炭化ケイ素)により形成された微粒子である。
インターポーザー基板IBは、実施形態1ではシリコンを基板とする円板状の半導体ウエーハである。インターポーザー基板IBは、図2に示すように、互いに交差(実施形態1では、直交)する複数の分割予定ラインLによって区画された複数の領域にそれぞれ配線パターンIPが形成されている。配線パターンIPは、デバイスチップDTと対応しており、実施形態1において、配線パターンIPとデバイスチップDTとは、一対一又は複数対一で対応している。また、実施形態1において、図3及び図4に示すように、対応する配線パターンIPとデバイスチップDTとは互いに重ねられて、互いに電気的に接続されている。即ち、実施形態1において、樹脂パッケージ基板PBは、インターポーザー基板IBの分割予定ラインLとデバイスチップDT間のモールド樹脂MRとが互いに重ねられている。配線パターンIPは、デバイスチップDTをプリント基板等に接続するために用いられる。
実施形態1において、樹脂パッケージ基板PBは、インターポーザー基板IBの分割予定ラインLに沿って分割されて、各々のパッケージデバイスチップPDTに個片化される。パッケージデバイスチップPDTは、図4に示すように、モールド樹脂MRで被覆されたデバイスチップDTが配線パターンIPに積層されている。
次に、実施形態1に係る樹脂パッケージ基板の加工方法を図面を参照して説明する。図5は、実施形態1に係る樹脂パッケージ基板の加工方法の流れを示すフローチャートである。
実施形態1に係る樹脂パッケージ基板の加工方法(以下、単に加工方法と記す)は、図5に示すように、固定ステップST1と、液状樹脂塗布ステップST2と、分割ステップST3と、チップ間距離拡張ステップST4と、弛み除去ステップST5と、洗浄ステップST6と、UV照射ステップST7と、ピックアップステップST8とを含む。
(固定ステップST1)
図6は、図5に示された樹脂パッケージ基板の加工方法の固定ステップにおいて、樹脂パッケージ基板と環状フレームと粘着テープとを間隔をあけて配置した状態を示す斜視図である。図7は、図5に示された樹脂パッケージ基板の加工方法の固定ステップ後の樹脂パッケージ基板を示す斜視図である。
図6は、図5に示された樹脂パッケージ基板の加工方法の固定ステップにおいて、樹脂パッケージ基板と環状フレームと粘着テープとを間隔をあけて配置した状態を示す斜視図である。図7は、図5に示された樹脂パッケージ基板の加工方法の固定ステップ後の樹脂パッケージ基板を示す斜視図である。
加工方法は、まず、固定ステップST1を実施する。固定ステップST1は、樹脂パッケージ基板PBを環状フレームFの開口に粘着テープTで固定するステップである。固定ステップST1は、図6に示すように、樹脂パッケージ基板PBと、環状フレームFと、粘着テープTとを順に重ねる。環状フレームFは、内側の開口が円形に形成されたリング状に形成されている。
粘着テープTは、常温ではエキスパンド性(伸縮性)を有し、かつ所定温度(例えば、70℃)以上に加熱されると収縮する性質の基材の片面に粘着層ALが形成されたものが用いられる。基材としては、紫外線を透過し、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリオレフィン等の合成樹脂シートが挙げられる。また、粘着層ALを形成する粘着材は、紫外線の照射を受けることにより硬化する紫外線硬化型の樹脂が用いられる。実施形態1において、粘着テープTは、紫外線硬化型の粘着テープである。
固定ステップST1は、図6に示すように、粘着テープTの粘着層ALを樹脂パッケージ基板PBのモールド樹脂MR及び環状フレームFに対向させる。固定ステップST1は、図7に示すように、粘着テープTの粘着層ALの外縁部を環状フレームFに貼着し、粘着テープTの粘着層ALの中央部を樹脂パッケージ基板PBのモールド樹脂MRに貼着して、樹脂パッケージ基板PBを環状フレームFの開口の内側に固定する。加工方法は、液状樹脂塗布ステップST2に進む。
(液状樹脂塗布ステップST2)
図8は、図5に示された樹脂パッケージ基板の加工方法の液状樹脂塗布ステップを示す図である。図9は、図5に示された樹脂パッケージ基板の加工方法の液状樹脂塗布ステップ後の樹脂パッケージ基板などを示す図である。
図8は、図5に示された樹脂パッケージ基板の加工方法の液状樹脂塗布ステップを示す図である。図9は、図5に示された樹脂パッケージ基板の加工方法の液状樹脂塗布ステップ後の樹脂パッケージ基板などを示す図である。
液状樹脂塗布ステップST2は、分割ステップST3の前にモールド基板MBの上で露出したインターポーザー基板IBの表面に水溶性の液状樹脂LR(図8に示す)を塗布するステップである。液状樹脂塗布ステップST2は、図8に示すように、塗布装置10のチャックテーブル11に粘着テープTを介して樹脂パッケージ基板PBを吸引保持し、チャックテーブル11の外周に設けられたクランプ12で環状フレームFをクランプする。
液状樹脂塗布ステップST2は、塗布ノズル13をチャックテーブル11に保持された樹脂パッケージ基板PBのインターポーザー基板IBの表面の中央に対向させて、図8に示すように、チャックテーブル11を軸心回りに回転させながら液状樹脂LRをインターポーザー基板IBの表面に塗布する。液状樹脂塗布ステップST2は、液状樹脂LRをインターポーザー基板IBの表面全体に被覆した後、図9に示すように、塗布ノズル13からの液状樹脂LRの塗布を終了して、液状樹脂LRを継時的に硬化させて、インターポーザー基板IBの表面に保護膜PFを形成する。保護膜PFは、分割ステップST3において発生するデブリが配線パターンIPに付着することを抑制するものであり、実施形態1において、ポリビニルアルコール(polyvinyl alcohol:PVA)又はポリビニルピロリドン(polyvinyl pyrrolidone:PVP)等を含む水溶性樹脂により構成される。加工方法は、分割ステップST3に進む。
(分割ステップST3)
図10は、図5に示された樹脂パッケージ基板の加工方法の分割ステップの第1分割溝を形成する状態を示す図である。図11は、図10中のXI−XI線に沿う樹脂パッケージ基板の断面図である。図12は、図5に示された樹脂パッケージ基板の加工方法の第2分割溝を形成する状態を示す図である。図13は、図12中のXIII−XIII線に沿う樹脂パッケージ基板の断面図である。
図10は、図5に示された樹脂パッケージ基板の加工方法の分割ステップの第1分割溝を形成する状態を示す図である。図11は、図10中のXI−XI線に沿う樹脂パッケージ基板の断面図である。図12は、図5に示された樹脂パッケージ基板の加工方法の第2分割溝を形成する状態を示す図である。図13は、図12中のXIII−XIII線に沿う樹脂パッケージ基板の断面図である。
分割ステップST3は、液状樹脂塗布ステップST2、即ち固定ステップST1を実施した後、モールド樹脂MRに対して吸収性を有する波長のレーザー光線LR2(図12に示す)を樹脂パッケージ基板PBのモールド樹脂MRに照射し、樹脂パッケージ基板PBを分割する分割溝SG(図13に示す)を形成して、樹脂パッケージ基板PBを複数のパッケージデバイスチップPDTに分割するステップである。
分割ステップST3は、図10に示すように、レーザー加工装置20のチャックテーブル21に粘着テープTを介して樹脂パッケージ基板PBを吸引保持し、チャックテーブル21の外周に設けられたクランプ22で環状フレームFをクランプする。分割ステップST3では、インターポーザー基板IBに対して吸収性を有する波長のレーザー光線LR1を照射する第1のレーザー光線照射手段23をインターポーザー基板IBの分割予定ラインLに対向させる。分割ステップST3では、図10に示すように、第1のレーザー光線照射手段23からレーザー光線LR1をインターポーザー基板IBの分割予定ラインLに照射するとともにチャックテーブル21を分割予定ラインLに沿って移動させる。
分割ステップST3では、インターポーザー基板IBの全ての分割予定ラインLにレーザー光線LR1を照射して、図11に示すように、分割予定ラインLにインターポーザー基板IBを分割する第1分割溝SG1を形成する。なお、実施形態1において、第1のレーザー光線照射手段23が照射するレーザー光線LR1の波長は、355nm又は532nmである。
次に、分割ステップST3では、第1分割溝SG1を形成した後、第1のレーザー光線照射手段23を退避させ、モールド基板MBのモールド樹脂MRに対して吸収性を有する波長のレーザー光線LR2を照射する第2のレーザー光線照射手段24を第1分割溝SG1に対向させる。分割ステップST3では、図12に示すように、第2のレーザー光線照射手段24からレーザー光線LR2を第1分割溝SG1を通してモールド基板MBのモールド樹脂MRの領域に照射するとともにチャックテーブル21を分割予定ラインLに沿って移動させる。
分割ステップST3では、全ての第1分割溝SG1を通してモールド基板MBのモールド樹脂MRの領域にレーザー光線LR2を照射して、図13に示すように、第1分割溝SG1と連続しかつモールド樹脂MRを分割する第2分割溝SG2を形成する。第1分割溝SG1と第2分割溝SG2とは、分割溝SGを構成する。なお、実施形態1において、第2のレーザー光線照射手段24が照射するレーザー光線LR2の波長は、355nm又は532nmであり、フィラーFLを透過する波長である。このために、図13に示すように、分割溝SG内即ち隣接するパッケージデバイスチップPDT間に、フィラーFLが挟まることとなる。隣接するパッケージデバイスチップPDT間に挟まったフィラーFLは、一部がパッケージデバイスチップPDTのモールド樹脂MRに埋設されている。加工方法は、チップ間距離拡張ステップST4に進む。
なお、実施形態1に係る加工方法は、チップ間距離拡張ステップST4と弛み除去ステップST5と洗浄ステップST6とUV照射ステップST7とを特開2010−206136号公報に示されたワーク分割装置により実施する。しかしながら、本発明では、チップ間距離拡張ステップST4と弛み除去ステップST5と洗浄ステップST6とUV照射ステップST7とを実施するのは、前述したワーク分割装置に限定されない。前述したワーク分割装置は、図14に示す拡張加熱ユニット40と、図19に示す洗浄ユニット50と、図示しない紫外線照射ユニットと、拡張加熱ユニット40との間で樹脂パッケージ基板PBを搬送する図示しない搬送ユニットとを備える。
(チップ間距離拡張ステップST4)
図14は、図5に示された樹脂パッケージ基板の加工方法のチップ間距離拡張ステップの環状フレームを保持した状態を示す図である。図15は、図5に示された樹脂パッケージ基板の加工方法のチップ間距離拡張ステップのパッケージデバイスチップ間の距離を広げた状態を示す図である。図16は、図5に示された樹脂パッケージ基板の加工方法のチップ間距離拡張ステップの粘着テープの拡張を終了して弛みを形成した状態を示す図である。
図14は、図5に示された樹脂パッケージ基板の加工方法のチップ間距離拡張ステップの環状フレームを保持した状態を示す図である。図15は、図5に示された樹脂パッケージ基板の加工方法のチップ間距離拡張ステップのパッケージデバイスチップ間の距離を広げた状態を示す図である。図16は、図5に示された樹脂パッケージ基板の加工方法のチップ間距離拡張ステップの粘着テープの拡張を終了して弛みを形成した状態を示す図である。
チップ間距離拡張ステップST4は、分割ステップST3を実施した後、粘着テープTを拡張して、隣接するパッケージデバイスチップPDTの間にフィラーFLが挟まった樹脂パッケージ基板PBのパッケージデバイスチップPDT間の距離を、フィラーFLの直径以上に広げるステップである。チップ間距離拡張ステップST4では、搬送ユニットが環状フレームFに固定された樹脂パッケージ基板PBを拡張加熱ユニット40のハウジング41内に挿入し、拡張加熱ユニット40の拡張ドラム42を下降させた状態で、拡張加熱ユニット40のフレーム保持部44で環状フレームFをクランプするとともに、拡張加熱ユニット40の下降したチャックテーブル43に粘着テープTを介して樹脂パッケージ基板PBを載置する。なお、拡張ドラム42は、円筒状に形成され、フレーム保持部44の内側に配置されている。拡張ドラム42は、環状フレームFの開口の内径よりも小さく、樹脂パッケージ基板PBの外径より大きい内径及び外径を有する。また、拡張ドラム42は、図示しないエアシリンダにより上下方向に移動される。チャックテーブル43は、図示しない真空吸引源の負圧により、粘着テープTを介して樹脂パッケージ基板PBを吸引保持するものであり、図示しないエアシリンダにより上下方向に移動される。
チップ間距離拡張ステップST4は、図15に示すように、エアシリンダにより拡張ドラム42及びチャックテーブル43を上昇させて、拡張ドラム42の先端が粘着テープTを上方に押圧して、粘着テープTとこの粘着テープTに貼着されている樹脂パッケージ基板PBに放射状の外力(引張力)を付与する。樹脂パッケージ基板PBは、分割溝SGによりパッケージデバイスチップPDTに分割されているため、放射状の引張力が付与されると、図15に示すように、粘着テープTが伸展(拡張)して、パッケージデバイスチップPDT間の距離が拡張される。こうして、チップ間距離拡張ステップST4では、環状フレームFと粘着テープTに貼着された樹脂パッケージ基板PBとを粘着テープTの面方向と直交する上下方向(実施形態1では、上方向)に離間させて、パッケージデバイスチップPDT間距離を拡張する。なお、チップ間距離拡張ステップST4において、拡張ドラム42が、粘着テープTを伸展(拡張)させる長さは、パッケージデバイスチップPDT間の距離がフィラーFLの直径以上となり、粘着テープTの基材が破断しない長さである。
チップ間距離拡張ステップST4は、チャックテーブル43に樹脂パッケージ基板PBを吸引保持させた状態で拡張ドラム42を下降させる。チップ間距離拡張ステップST4は、粘着テープTに放射状の外力(引張力)を付与するので、拡張ドラム42が下降すると、チャックテーブル43が樹脂パッケージ基板PBを吸引保持しているために、パッケージデバイスチップPDT間の距離が拡張された際の距離に維持されるとともに、粘着テープTの樹脂パッケージ基板PBと環状フレームFとの間に図16に示す弛みSSを生じる。弛みSSは、粘着テープTが伸展されることで生じる部分であって、樹脂パッケージ基板PB及び環状フレームFに貼着された部分と同一平面上に位置しない部分である。加工方法は、弛み除去ステップST5に進む。
(弛み除去ステップST5)
図17は、図5に示された樹脂パッケージ基板の加工方法の弛み除去ステップの弛みを収縮させた状態を示す図である。図18は、図17に示された状態のパッケージデバイスチップ間を示す断面図である。
図17は、図5に示された樹脂パッケージ基板の加工方法の弛み除去ステップの弛みを収縮させた状態を示す図である。図18は、図17に示された状態のパッケージデバイスチップ間を示す断面図である。
弛み除去ステップST5は、チップ間距離拡張ステップST4と洗浄ステップST6との間に実施され、拡張によって生じた粘着テープTの弛みSSを除去するステップである。
弛み除去ステップST5は、図17に示すように、拡張加熱ユニット40のヒータ45を弛みSSに対向させ、ヒータ45により弛みSSを加熱して収縮させる。なお、ヒータ45は、円環状に形成され、環状フレームFの開口の内径よりも小さく、樹脂パッケージ基板PBの外径より大きい内径及び外径を有する。ヒータ45は、弛みSSに赤外線IRを照射して、弛みSSを加熱し、収縮させる赤外線ヒータである。
弛み除去ステップST5は、所定時間経過後、ヒータ45の加熱を停止するとともに、チャックテーブル43の吸引保持及びフレーム保持部44の環状フレームFのクランプを解除する。弛み除去ステップST5は、パッケージデバイスチップPDT間の距離が拡張された際の距離に維持した状態で、弛みSSを収縮して除去するので、図18に示すように、パッケージデバイスチップPDT間の距離が拡張された際の距離に維持することができる。また、図18に示すように、パッケージデバイスチップPDT間にフィラーFLが露出する。加工方法は、洗浄ステップST5に進む。
(洗浄ステップST6)
図19は、図5に示された樹脂パッケージ基板の加工方法の洗浄ステップを示す図である。図20は、図5に示された樹脂パッケージ基板の加工方法の洗浄ステップ後のパッケージデバイスチップ間を示す断面図である。
図19は、図5に示された樹脂パッケージ基板の加工方法の洗浄ステップを示す図である。図20は、図5に示された樹脂パッケージ基板の加工方法の洗浄ステップ後のパッケージデバイスチップ間を示す断面図である。
洗浄ステップST6は、パッケージデバイスチップPDT間距離が拡張した樹脂パッケージ基板PBに洗浄液CL(図19に示す)を供給し、パッケージデバイスチップPDTの間に挟まったフィラーFLを除去するとともに、液状樹脂LRにより構成された保護膜PFを除去するステップである。
洗浄ステップST6では、搬送ユニットが環状フレームFに固定された樹脂パッケージ基板PBを洗浄ユニット50のハウジング51内に挿入し、洗浄ユニット50のチャックテーブル52に粘着テープTを介して樹脂パッケージ基板PBを載置して吸引保持し、洗浄ユニット50のフレーム保持部53で環状フレームFをクランプする。チャックテーブル52は、図示しない真空吸引源の負圧により、粘着テープTを介して樹脂パッケージ基板PBを吸引保持するものである。
洗浄ステップST6は、洗浄液噴射ノズル54をチャックテーブル52に保持された樹脂パッケージ基板PBの中央に対向させて、図19に示すように、チャックテーブル52を軸心回りに回転させながら洗浄液CLを樹脂パッケージ基板PBの表面に向けて噴射する。すると、洗浄液噴射ノズル54が樹脂パッケージ基板PBの中心上を通過しつつ、面方向に揺動し、チャックテーブル52の回転が発生する遠心力によって外周方向に流れる洗浄液CLによって、図20に示すように、パッケージデバイスチップPDT間に挟まったフィラーFLを除去するとともに、保護膜PFを洗浄液CLに溶解させるなどして除去する。実施形態1において、洗浄液CLは、純水が用いられる。洗浄ステップST6は、洗浄液噴射ノズル54からの洗浄液CLの噴射を終了し、チャックテーブル52の吸引保持及びフレーム保持部53の環状フレームFのクランプを解除する。加工方法は、UV照射ステップST7に進む。
(UV照射ステップST7)
UV照射ステップST7は、パッケージデバイスチップPDTに分割され、パッケージデバイスチップPDT間からフィラーFLが除去された樹脂パッケージ基板PBを貼着した粘着テープTの粘着層ALに紫外線を照射するステップである。
UV照射ステップST7は、パッケージデバイスチップPDTに分割され、パッケージデバイスチップPDT間からフィラーFLが除去された樹脂パッケージ基板PBを貼着した粘着テープTの粘着層ALに紫外線を照射するステップである。
UV照射ステップST7では、搬送ユニットが環状フレームFに固定された樹脂パッケージ基板PBを紫外線照射ユニットのハウジング内に挿入し、紫外線照射ユニットの紫外線照射器が、所定時間、粘着テープTの下方からモールド基板MBに向けて紫外線を照射して、粘着層ALに紫外線を照射し、粘着層ALを構成する粘着材を硬化させる。UV照射ステップST7は、粘着材を硬化させて、粘着層ALの粘着力を低下させる。UV照射ステップST7では、紫外線を照射した環状フレームFに固定された樹脂パッケージ基板PBを搬送ユニットが搬送用の図示しないカセットに収容する。加工方法は、ピックアップステップST8に進む。
(ピックアップステップST8)
図21は、図5に示された樹脂パッケージ基板の加工方法のピックアップステップを示す図である。
図21は、図5に示された樹脂パッケージ基板の加工方法のピックアップステップを示す図である。
ピックアップステップST8は、複数のパッケージデバイスチップPDTを粘着テープTからピックアップする工程である。ピックアップステップST8では、ピックアップユニット60が各パッケージデバイスチップPDTの配線パターンIPを吸着して、パッケージデバイスチップPDTを一つずつ粘着テープTからピックアップする。このとき、洗浄ステップST6において、パッケージデバイスチップPDT間に挟まったフィラーFLが除去されているので、加工方法は、ピックアップステップST8において、粘着テープTからピックアップしたパッケージデバイスチップPDTからフィラーFLが落下するのを抑制する。そして、加工方法を終了する。
実施形態1に係る加工方法は、分割ステップST3により形成した分割溝SGを、チップ間距離拡張ステップST4により拡張した状態で洗浄ステップST6で洗浄する事で、洗浄液CLにより分割溝SG内即ちパッケージデバイスチップPDT間に挟まったフィラーFLを除去し易くなる。その結果、加工方法は、分割溝SG内即ちパッケージデバイスチップPDT間に挟まったフィラーFLを除去することができ、加工後のフィラーFLの落下を抑制することができる。
また、実施形態1に係る加工方法は、チップ間距離拡張ステップST4により生じた粘着テープTの弛みSSを弛み除去ステップST5により収縮させて除去するので、弛み除去ステップST5後も、パッケージデバイスチップPDT間の距離を拡張された距離に維持することができる。このために、加工方法は、洗浄ステップST6において、チップ間距離拡張ステップST4により拡張した状態の樹脂パッケージ基板PBを確実に洗浄でき、パッケージデバイスチップPDT間に挟まったフィラーFLを確実に除去することができる。
また、実施形態1に係る加工方法は、分割ステップST3の前に保護膜PFを形成し、洗浄ステップST6においてフィラーFLとともに保護膜PFを除去するので、分割ステップST3で生じるデブリを保護膜PFとともに除去することができ、デブリが配線パターンIPなどに付着することを抑制することができる。
また、実施形態1に係る加工方法は、分割ステップST3においてレーザー光線LR1を照射して配線パターンIPに第1分割溝SG1を形成し、次に、レーザー光線LR2を第1分割溝SG1内を通してモールド基板MBのモールド樹脂MRに第2分割溝SG2を形成するので、樹脂パッケージ基板PBにパッケージデバイスチップPDT同士を分割する分割溝SGを確実に形成することができる。その結果、実施形態1に係る加工方法は、樹脂パッケージ基板PBをパッケージデバイスチップPDTに確実に分割することができる。
〔実施形態2〕
実施形態2に係る樹脂パッケージ基板の加工方法を説明する。図22は、実施形態2に係る樹脂パッケージ基板の加工方法の固定ステップ後の樹脂パッケージ基板等を示す斜視図である。図23は、図22中のXXIV−XXIV線に沿う断面図である。図24は、実施形態2に係る樹脂パッケージ基板の加工方法の分割ステップ後の樹脂パッケージ基板を示す図である。図25は、実施形態2に係る樹脂パッケージ基板の加工方法の洗浄ステップ前の樹脂パッケージ基板を示す図である。図26は、実施形態2に係る樹脂パッケージ基板の加工方法の洗浄ステップ後の樹脂パッケージ基板を示す図である。図22から図26は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
実施形態2に係る樹脂パッケージ基板の加工方法を説明する。図22は、実施形態2に係る樹脂パッケージ基板の加工方法の固定ステップ後の樹脂パッケージ基板等を示す斜視図である。図23は、図22中のXXIV−XXIV線に沿う断面図である。図24は、実施形態2に係る樹脂パッケージ基板の加工方法の分割ステップ後の樹脂パッケージ基板を示す図である。図25は、実施形態2に係る樹脂パッケージ基板の加工方法の洗浄ステップ前の樹脂パッケージ基板を示す図である。図26は、実施形態2に係る樹脂パッケージ基板の加工方法の洗浄ステップ後の樹脂パッケージ基板を示す図である。図22から図26は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
実施形態2に係る樹脂パッケージ基板の加工方法(以下、単に加工方法と記す)は、加工対象である図22に示す樹脂パッケージ基板PB−2が実施形態1と異なること以外、実施形態1と同じである。実施形態2に係る加工方法の加工対象である樹脂パッケージ基板PB−2は、図23に示すように、シリコン、サファイア、ガリウムヒ素などを基板とする円板状の半導体ウエーハ又は光デバイスウエーハであるウエーハWを含んでいる。ウエーハWは、互いに交差(実施形態2では、直交)する複数の分割予定ラインLによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスDが形成され、デバイスDの表面には、複数の突起電極であるバンプBPが形成されている。
樹脂パッケージ基板PB−2は、デバイスD同士を分割する溝Gが分割予定ラインに形成され、ウエーハWの表面に設けられたデバイスD上とデバイスD間の溝Gとにモールド樹脂MRが充填されている。また、樹脂パッケージ基板PB−2は、アライメントのために、外縁部上のモールド樹脂MRが全周に亘って除去されている。加工方法は、樹脂パッケージ基板PB−2の分割予定ラインLに形成された溝G内のモールド樹脂MRを分割して、図24に示すチップであるパッケージデバイスチップPDT−2に分割する。パッケージデバイスチップPDT−2は、基板の表面上に設けられたデバイスD上と全ての基板の側面とがモールド樹脂MRにより被覆され、バンプBPがモールド樹脂MRから突出して、バンプBPが露出している。
実施形態2に係る加工方法は、実施形態1と同様に、固定ステップST1と、液状樹脂塗布ステップST2と、分割ステップST3と、チップ間距離拡張ステップST4と、弛み除去ステップST5と、洗浄ステップST6と、UV照射ステップST7と、ピックアップステップST8とを含む。
実施形態2に係る加工方法の分割ステップST3では、分割予定ラインLに形成された溝G内に充填されたモールド樹脂MRに、モールド樹脂MRに対して吸収性を有する波長のレーザー光線LR2を照射して、図24に示すように、溝G内に充填されたモールド樹脂MRに分割溝SGを形成する。なお、分割溝SG内には、フィラーFLが露出している。
また、実施形態2に係る加工方法のチップ間距離拡張ステップST4では、パッケージデバイスチップPDT−2間の距離を拡張し、洗浄ステップST6では、図25に示すように、パッケージデバイスチップPDT−2間の距離が拡張された樹脂パッケージ基板PBを洗浄する。実施形態2に係る加工方法の洗浄ステップST6では、図26に示すように、パッケージデバイスチップPDT−2間に挟まったフィラーFLを除去する。
実施形態2に係る加工方法は、実施形態1と同様に、分割ステップST3により形成した分割溝SGを、チップ間距離拡張ステップST4により拡張した状態で洗浄ステップST6で洗浄する事で、分割溝SG内即ちパッケージデバイスチップPDT−2間に挟まったフィラーFLを除去することができ、加工後のフィラーFLの落下を抑制することができる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
PB,PB−2 樹脂パッケージ基板
F 環状フレーム
T 粘着テープ
MB モールド基板
IB インターポーザー基板
DT デバイスチップ
FL フィラー
MR モールド樹脂
SG 分割溝
SG1 第1分割溝
SG2 第2分割溝
CL 洗浄液
LR 液状樹脂
PDT,PDT−2 パッケージデバイスチップ(チップ)
LR1,LR2 レーザー光線
ST1 固定ステップ
ST2 液状樹脂塗布ステップ
ST3 分割ステップ
ST4 チップ間距離拡張ステップ
ST5 弛み除去ステップ
ST6 洗浄ステップ
F 環状フレーム
T 粘着テープ
MB モールド基板
IB インターポーザー基板
DT デバイスチップ
FL フィラー
MR モールド樹脂
SG 分割溝
SG1 第1分割溝
SG2 第2分割溝
CL 洗浄液
LR 液状樹脂
PDT,PDT−2 パッケージデバイスチップ(チップ)
LR1,LR2 レーザー光線
ST1 固定ステップ
ST2 液状樹脂塗布ステップ
ST3 分割ステップ
ST4 チップ間距離拡張ステップ
ST5 弛み除去ステップ
ST6 洗浄ステップ
Claims (3)
- フィラーが混合されたモールド樹脂を含む樹脂パッケージ基板の加工方法であって、
該樹脂パッケージ基板を環状フレームの開口にエキスパンド性を有する粘着テープで固定する固定ステップと、
該固定ステップを実施した後、該モールド樹脂に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該樹脂パッケージ基板の該モールド樹脂に照射し、該樹脂パッケージ基板を分割する分割溝を形成して該樹脂パッケージ基板を複数のチップに分割する分割ステップと、
該分割ステップを実施した後、該粘着テープを拡張して、隣接する該チップの間にフィラーが挟まった該樹脂パッケージ基板の該チップ間の距離を、該フィラーの直径以上に広げるチップ間距離拡張ステップと、
該チップ間距離が拡張した樹脂パッケージ基板に洗浄液を供給し、該チップの間に挟まった該フィラーを除去する洗浄ステップと、を含み、
該粘着テープからピックアップした該チップから該フィラーが落下するのを抑制することを特徴とする樹脂パッケージ基板の加工方法。 - 該チップ間距離拡張ステップでは、該環状フレームと該粘着テープに貼着された該樹脂パッケージ基板とを粘着テープの面方向と直交する方向に離間させて該チップ間距離を拡張し、
該チップ間距離拡張ステップと、該洗浄ステップとの間に、拡張によって生じた該粘着テープの弛みを除去する弛み除去ステップを備えることを特徴とする請求項1に記載の樹脂パッケージ基板の加工方法。 - 該樹脂パッケージ基板は、デバイスチップを該モールド樹脂で被覆したモールド基板と、該モールド基板の上に積層するインターポーザー基板とを備え、
該分割ステップの前に、該モールド基板の上で露出した該インターポーザー基板の表面に水溶性の液状樹脂を塗布する液状樹脂塗布ステップを、有し、
該分割ステップでは、該インターポーザー基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該インターポーザー基板の表面から照射して該インターポーザー基板を分割する第1分割溝を形成した後、該モールド基板の該モールド樹脂の領域に第1分割溝と連続し該モールド樹脂を分割する第2分割溝を形成し、
該洗浄ステップでは、該液状樹脂を除去することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の樹脂パッケージ基板の加工方法。
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