JP2016025282A - パッケージ基板の加工方法 - Google Patents

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力 相川
高橋　邦充
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早希 木村
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Abstract

【課題】パッケージデバイスの品質を低下させることなくパッケージ基板を個々のパッケージデバイスに分割することができるパッケージ基板の加工方法を提供する。
【解決手段】熱拡散基板の表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが配置され、該複数のデバイスを樹脂によって被覆したパッケージ基板を分割予定ラインに沿って個々のパッケージデバイスに分割するパッケージ基板の加工方法であって、パッケージ基板の分割予定ラインに沿ってパルスレーザー光線を照射し、複数のデバイスを被覆した樹脂を分割予定ラインに沿って除去することにより熱拡散基板の表面を分割予定ラインに沿って露出させる樹脂除去工程と、樹脂除去工程が実施されたパッケージ基板を分割予定ラインに沿って分割することにより個々のパッケージデバイスを生成するパッケージデバイス生成工程とを含み、樹脂除去工程において照射するパルスレーザー光線は、CO2レーザーであり、パルス幅が数μｓ以下に設定されている。
【選択図】図３

Description

熱拡散基板の表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが配置され、該複数のデバイスを樹脂層によって被覆したパッケージ基板を分割予定ラインに沿って分割するパッケージ基板の加工方法に関する。
ＩＣ、ＬＳＩ、ＬＥＤ等のデバイスは、発熱により機能の低下を招かないようにヒートシンクと呼ばれる熱拡散基板に配設して用いられる場合がある。このように熱拡散基板にデバイスが配設されたパッケージデバイスは、熱拡散基板の表面に複数のデバイスが配設されたパッケージ基板を分割することによって製造される。なお、熱拡散基板は、ステンレス鋼や銅等の金属の他、窒化アルミニウムなどの熱伝導率の高いセラミックスによって形成される（例えば特許文献１参照）。
パッケージ基板は、熱拡散基板の表面に分割予定ラインとなる所定の間隔を持って複数のデバイスがボンド剤を介して配設されるとともに、光デバイスが発する光を和らげるために光デバイスの上面にシリコーン樹脂が被覆されて構成される。
上記パッケージ基板を分割予定ラインに沿って切断し個々のパッケージデバイスに分割するには、ダイサーと呼ばれる切削ブレードを備えた切削装置が用いられている。
また、パッケージ基板を分割予定ラインに沿って切断する方法として、分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射する方法も用いられている。
特開２００９−２２４６８３号公報
而して、切削ブレードを備えた切削装置によってパッケージ基板を分割予定ラインに沿って切断すると、熱拡散基板の表面に被覆されたシリコーン樹脂にムシレが発生することから加工送り速度を５mm／秒程度の低速に設定しなければならず、生産性が悪いという問題がある。
一方、パッケージ基板の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することによりパッケージ基板を分割予定ラインに沿って切断する方法においては、合成樹脂が溶融してレーザー加工溝の両側がテーパ状に加工されるとともに焦げが生じてパッケージデバイスの品質を著しく低下させるという問題がある。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、パッケージデバイスの品質を低下させることなくパッケージ基板を個々のパッケージデバイスに分割することができるパッケージ基板の加工方法を提供することにある。
上記主たる技術的課題を解決するため、本発明によれば、熱拡散基板の表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが配置され、該複数のデバイスを樹脂によって被覆したパッケージ基板を分割予定ラインに沿って個々のパッケージデバイスに分割するパッケージ基板の加工方法であって、
パッケージ基板の分割予定ラインに沿ってパルスレーザー光線を照射し、該複数のデバイスを被覆した樹脂を分割予定ラインに沿って除去することにより熱拡散基板の表面を分割予定ラインに沿って露出させる樹脂除去工程と、
該樹脂除去工程が実施されたパッケージ基板を分割予定ラインに沿って分割することにより個々のパッケージデバイスを生成するパッケージデバイス生成工程と、を含み、
該樹脂除去工程において照射するパルスレーザー光線は、CO2レーザーであり、パルス幅が数μｓ以下に設定されている、
ことを特徴とするパッケージ基板の加工方法が提供される。
上記熱拡散基板は窒化アルミのセラミックスで形成され、樹脂はシリコーン樹脂である。
上記パッケージデバイス生成工程は、熱拡散基板を切削ブレードによって分割予定ラインに沿って切断することにより個々のパッケージデバイスに分割する。
また、上記パッケージデバイス生成工程は、熱拡散基板の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することにより個々のパッケージデバイスに分割する。
本発明によるパッケージ基板の加工方法は、パッケージ基板の分割予定ラインに沿ってパルスレーザー光線を照射し、複数のデバイスを被覆した樹脂を分割予定ラインに沿って除去することにより熱拡散基板の表面を分割予定ラインに沿って露出させる樹脂除去工程において照射するパルスレーザー光線は、CO2レーザーであり、パルス幅が数μｓ以下に設定されているので、切削ブレードによる切削加工とは異なり非接触による加工であるため、シリコーン樹脂にムシレが生ずることなく効率よく樹脂除去工程を実施することができる。
また、樹脂除去工程において照射するCO2レーザーの波長は、シリコーン樹脂に対して吸収性は良好であるとともにパルス幅が数μｓ以下と短いことから、焦げが生じないとともにシリコーン樹脂が除去されたレーザー加工溝の両側にテーパが生じ難くパッケージ基板の品質を低下させることはない。
本発明によるパッケージ基板の加工方法によって加工されるパッケージ基板の斜視図および断面図。 本発明によるパッケージ基板の加工方法における樹脂除去工程を実施するためのレーザー装置の要部を示す斜視図。 本発明によるパッケージ基板の加工方法における樹脂除去工程の説明図。 本発明によるパッケージ基板の加工方法におけるパッケージデバイス生成工程としての熱拡散基板切断工程を実施するための切削装置の要部を示す斜視図。 図４に示す切削削装置の保持テーブルに樹脂除去工程が実施されたパッケージ基板が保持された状態を示す斜視図。 本発明によるパッケージ基板の加工方法におけるパッケージデバイス生成工程としての熱拡散基板切断工程の説明図。 本発明によるパッケージ基板の加工方法におけるパッケージデバイス生成工程としての熱拡散基板レーザー切断工程を実施するためのレーザー加工装置の要部を示す斜視図。 図７に示すレーザー加工装置の保持テーブルに樹脂除去工程が実施されたパッケージ基板が保持された状態を示す斜視図。 本発明によるパッケージ基板の加工方法におけるパッケージデバイス生成工程としての熱拡散基板レーザー切断工程の説明図。
以下、本発明によるパッケージ基板の加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
図１の(a)および(b)には、被加工物としてのパッケージ基板の斜視図および断面図が示されている。図１の(a)および(b)に示すパッケージ基板２は、厚みが４００μmの窒化アルミのセラミックスからなる熱拡散基板２１の表面２１aに格子状の分割予定ライン２２となる所定の間隔を持って複数のLED等のデバイス２３がボンド剤を介して配設されるとともに、分割予定ライン２２となる所定の間隔を埋めるとともにデバイス２３を覆うようにシリコーン樹脂２４が被覆されて構成される。なお、シリコーン樹脂２４は、熱拡散基板２１の表面２１aから例えば３００μmの厚みで形成されている。
上記パッケージ基板２を複数の分割予定ライン２２に沿って分割するには、先ずパッケージ基板２の分割予定ライン２２に沿ってパルスレーザー光線を照射し、複数のデバイスを被覆した樹脂を分割予定ライン２２に沿って除去することにより熱拡散基板２１の表面を分割予定ライン２２に沿って露出させる樹脂除去工程を実施する。この樹脂除去工程は、図２に示すレーザー加工装置を用いて実施する。図２に示すレーザー加工装置３は、被加工物を保持する保持手段としての保持テーブル３１と、該保持テーブル３１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段３２と、保持テーブル３１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段３３を具備している。保持テーブル３１は、矩形状に形成されており、吸着チャック支持台３１１と、該吸着チャック支持台３１１上に装着された吸着チャック３１２を具備しており、該吸着チャック３１２の表面である載置面上に上記パッケージ基板２を図示しない吸引手段によって保持するようになっている。また、保持テーブル３１は、図示しない回転機構によって回動可能に構成されている。このように構成された保持テーブル３１は、図示しない加工送り手段によって図２において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
上記レーザー光線照射手段３２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング３２１を含んでいる。ケーシング３２１内には図示しないCO2レーザー発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング３２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器３２２が装着されている。なお、レーザー光線照射手段３２は、集光器３２２によって集光されるパルスレーザー光線の集光点位置を調整するための集光点位置調整手段（図示せず）を備えている。
上記レーザー光線照射手段３２を構成するケーシング３２１の先端部に装着された撮像手段３３は、顕微鏡やＣＣＤカメラ等の光学手段からなっており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
上記レーザー加工装置３を用いて樹脂除去工程を実施するには、先ず上記パッケージ基板２の熱拡散基板２１側を保持テーブル３１の吸着チャック３１２の表面である載置面上に載置し、図示しない吸引手段を作動することにより保持テーブル３１にパッケージ基板２を吸引保持する(パッケージ基板保持工程)。従って、保持テーブル３１上に保持されたパッケージ基板２は、デバイス２３およびシリコーン樹脂２４側が上側となる。このようにして、パッケージ基板２を保持した保持テーブル３１は、図示しない加工送り手段によって撮像手段３３の直下に位置付けられる。
保持テーブル３１が撮像手段３３の直下に位置付けられると、撮像手段３３および図示しない制御手段によってパッケージ基板２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、パッケージ基板２に所定方向に形成されている分割予定ライン２２と、レーザー光線照射手段３２の集光器３２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、加工領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、パッケージ基板２に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びる分割予定ライン２２に対しても、同様に加工領域のアライメントを遂行する。
上述したようにアライメント工程を実施したならば、図３の（ａ）で示すように保持テーブル３１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段３２の集光器３２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン２２を集光器３２２の直下に位置付ける。このとき、図３の（ａ）で示すようにパッケージ基板２は、分割予定ライン２２の一端(図３の（ａ）において左端)が集光器３２２の直下に位置するように位置付けられる。そして、図３の（a）に示すように集光器３２２から照射されるパルスレーザー光線LBの集光点Ｐをシリコーン樹脂２４の表面（上面）付近に合わせる。次に、レーザー光線照射手段３２の集光器３２２からCO2レーザーであってパルス幅が数μｓ以下に設定されたパルスレーザー光線を照射しつつ保持テーブル３１を図３の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図３の（ｂ）で示すように分割予定ライン２２の他端（図３の（ｂ）において右端）が集光器３２２の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともに保持テーブル３１の移動を停止する（樹脂除去工程）。このように樹脂除去工程を実施することにより、図３の（c）に示すように複数のデバイス２３を被覆したシリコーン樹脂２４は分割予定ライン２２に沿って形成されたレーザー加工溝２４１によって除去され、熱拡散基板２１の表面（上面）が分割予定ライン２２に沿って露出される。
上述した樹脂除去工程において照射するパルスレーザー光線は、CO2レーザーであり、パルス幅が数μｓ以下に設定されているので、切削ブレードによる切削加工とは異なり非接触による加工であるため、シリコーン樹脂２４にムシレが生ずることなく効率よく樹脂除去加工を実施することができる。
また、樹脂除去工程において照射するCO2レーザーの波長は、シリコーン樹脂に対して吸収性は良好であるとともにパルス幅が数μｓ以下と短いことから、焦げが生じないとともにシリコーン樹脂が除去されたレーザー加工溝２４１の両側にテーパが生じ難くパッケージ基板の品質を低下させることはない。
なお、上記樹脂除去工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
レーザー光線の波長 ：CO2レーザー(９．２〜１０．６μm)
繰り返し周波数 ：１００ｋＨｚ
パルス幅 ：１０ns〜５μs
平均出力 ：４０W
集光スポット径 ：φ１００μｍ
加工送り速度 ：１８０ｍｍ／秒
上述した樹脂除去工程をパッケージ基板２に所定の方向に形成された全ての分割予定ライン２２に沿って実施したならば、保持テーブル３１を９０度回動し、保持テーブル３１に保持されたパッケージ基板２に上記所定方向に対して直交する方向に形成された分割予定ライン２２に沿って樹脂除去工程を実施する。
以上のようにして樹脂除去工程を実施したならば、パッケージ基板２を分割予定ライン２２に沿って分割することにより個々のパッケージデバイスを生成するパッケージデバイス生成工程を実施する。このパッケージデバイス生成工程の第１の実施形態について図４乃至図６を参照して説明する。
パッケージデバイス生成工程の第1の実施形態は、図４に示す切削装置４を用いて実施する。図４に示す切削装置４は、被加工物を保持する保持手段としての保持テーブル４１と、該保持テーブル４１上に保持された被加工物を切削する切削手段４２と、保持テーブル４１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段４３を具備している。保持テーブル４１は、矩形状に形成され表面中央部に上記パッケージ基板２を吸引保持する吸引保持部４１０が突出して設けられている。吸引保持部４１０の上面（保持面）にはパッケージ基板２に形成された分割予定ライン２２と対応する領域に逃げ溝４１１が格子状に形成されている。なお、逃げ溝４１１の幅は１mm以上に形成されており、パッケージ基板２に形成されたレーザー加工溝２４１が所定範囲内に位置付けられるようになっている。また、吸引保持部４１０には、分割予定ライン２２によって区画された複数の領域にそれぞれ吸引孔４１２が形成されており、この吸引孔４１２が図示しない吸引手段に連通されている。なお、保持テーブル４１は、図示しない回転機構によって回転可能に構成されている。このように構成された保持テーブル４１は、図示しない切削送り手段によって図４において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
上記切削手段４２は、実質上水平に配置されたスピンドルハウジング４２１と、該スピンドルハウジング４２１に回転自在に支持された回転スピンドル４２２と、該回転スピンドル４２２の先端部に装着された厚みが８０μｍの切削ブレード４２３を含んでおり、回転スピンドル４２２がスピンドルハウジング４２１内に配設された図示しないサーボモータによって矢印４２３aで示す方向に回転せしめられるようになっている。
上記撮像手段４３は、顕微鏡やＣＣＤカメラ等の光学手段からなっており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
以下、上記切削装置４を用いて実施するパッケージデバイス生成工程について説明する。
図５に示すように保持テーブル４１の吸引保持部４１０の上面である保持面上に上記樹脂除去工程が実施されたパッケージ基板２の熱拡散基板２１側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、パッケージ基板２を保持テーブル４１上に吸引保持する（パッケージ基板保持工程）。このとき、保持テーブル４１の吸引保持部４１０に設けられた複数の吸引孔４１２に作用する負圧によって個々のパッケージデバイス２３０が確実に吸引保持される。このようにして、保持テーブル４１上に吸引保持されたパッケージ基板２は、分割予定ライン２２に沿ってシリコーン樹脂２４が除去されたレーザー加工溝２４１が上側となる。
上述したようにパッケージ基板保持工程を実施したならば、パッケージ基板２を吸引保持した保持テーブル４１は、図示しない切削送り手段によって撮像手段４３の直下に位置付けられる。保持テーブル４１が撮像手段４３の直下に位置付けられると、撮像手段４３および図示しない制御手段によってパッケージ基板２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。
以上のようにして保持テーブル４１上に保持されているパッケージ基板２の切削領域を検出するアライメントが行われたならば、パッケージ基板２を保持した保持テーブル４１を切削作業領域に移動し、図６の(a)に示すように所定の分割予定ライン２２に沿って形成されたレーザー加工溝２４１の一端（図６の(a)において左端）を切削ブレード４２３の直下より僅かに右側に位置付ける。そして、切削ブレード４２３を矢印４２３aで示す方向に回転しつつ更に切削ブレード４２３を２点鎖線で示す退避位置から矢印Ｚ１で示す方向に所定量切り込み送りする。この切り込み送り位置は、切削ブレード４２３の外周縁が熱拡散基板２１の裏面（下面）に達する深さに設定されている。このようにして、切削ブレード４２３の切り込み送りを実施したならば、保持テーブル４１を図６の(a)において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動し、図６の(b)に示すように保持テーブル４１に保持されたパッケージ基板２に形成された分割予定ライン２２に沿って形成されたレーザー加工溝２４１の他端（図６の(a)において右端）が切削ブレード４２３の直下より僅かに左側に達したら、保持テーブル４１の移動を停止するとともに、切削ブレード４２３を矢印Ｚ２で示す方向に実線で示す退避位置まで上昇せしめる。この結果、図６の（c）に示すようにパッケージ基板２の熱拡散基板２１は、分割予定ライン２２に沿って形成されたレーザー加工溝２４１に沿って形成される切削溝２１１によって切断される（熱拡散基板切断工程）。
なお、上記熱拡散基板切断工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
切削ブレードの厚み ：８０μｍ
切削ブレードの直径 ：５２mm
切削ブレードの回転速度 ：２００００rpm
切削送り速度 ：１０ｍｍ／秒
上述した熱拡散基板切断工程をパッケージ基板２に所定の方向に形成された全てのレーザー加工溝２４１に沿って実施したならば、保持テーブル４１を９０度回動し、保持テーブル４１に保持されたパッケージ基板２に上記所定方向に対して直交する方向に形成されたレーザー加工溝２４１に沿って熱拡散基板切断工程を実施する。この結果、図６の（d）に示すようにパッケージ基板２は個々のパッケージデバイス２３０に分割される。なお、個々に分割されたパッケージデバイス２３０は、保持テーブル４１の吸引保持部４１０に吸引保持されパッケージ基板の状態で維持される。但し、パッケージ基板２のパッケージデバイスを構成しない外周部は保持テーブル４１に吸引保持されていないので、保持テーブル４１から端材として脱落する。
次に、パッケージデバイス生成工程の第２の実施形態について図７乃至図９を参照して説明する。パッケージデバイス生成工程の第２の実施形態は、図７に示すレーザー装置５を用いて実施する。図７に示すレーザー加工装置５は、被加工物を保持する保持手段としての保持テーブル５１と、該保持テーブル５１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２と、保持テーブル５１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段５３を具備している。保持テーブル５１は、上記図4に示す切削装置４の保持テーブル４１と同様に構成されている。即ち保持テーブル５１は、矩形状に形成され表面中央部に上記パッケージ基板２を吸引保持する吸引保持部５１０が突出して設けられている。吸引保持部５１０の上面（保持面）にはパッケージ基板２に形成された分割予定ライン２２と対応する領域に逃げ溝５１１が格子状に形成されている。なお、逃げ溝５１１の幅は１mm以上に形成されており、パッケージ基板２に形成されたレーザー加工溝２４１が所定範囲内に位置付けられるようになっている。また、吸引保持部５１０には、分割予定ライン２２によって区画された複数の領域にそれぞれ吸引孔５１２が形成されており、この吸引孔５１２が図示しない吸引手段に連通されている。なお、保持テーブル５１は、図示しない回転機構によって回転可能に構成されている。このように構成された保持テーブル５１は、図示しない加工送り手段によって図７において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
上記レーザー光線照射手段５２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング５２１を含んでいる。ケーシング５２１内には図示しないパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング５２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器５２２が装着されている。また、図示の実施形態におけるレーザー光線照射手段５２は、集光器５２２から照射されるパルスレーザー光線によって加工する際に発生するデブリを吹き飛ばすアシストガス噴射手段５２４を具備している。なお、レーザー光線照射手段５２は、集光器５２２によって集光されるパルスレーザー光線の集光点位置を調整するための集光点位置調整手段（図示せず）を備えている。
上記レーザー光線照射手段５２を構成するケーシング５２１の先端部に装着された撮像手段５３は、顕微鏡やＣＣＤカメラ等の光学手段からなっており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
上記レーザー加工装置５を用いてパッケージデバイス生成工程を実施するには、図８に示すように保持テーブル５１の吸引保持部５１０の上面である保持面上に上記樹脂除去工程が実施されたパッケージ基板２の熱拡散基板２１側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、パッケージ基板２を保持テーブル５１上に吸引保持する（パッケージ基板保持工程）。このとき、保持テーブル５１の吸引保持部５１０に設けられた複数の吸引孔５１２に作用する負圧によって個々のパッケージデバイス２３０が確実に吸引保持される。このようにして、保持テーブル５１上に吸引保持されたパッケージ基板２は、分割予定ライン２２に沿ってシリコーン樹脂２４が除去されたレーザー加工溝２４１が上側となる。
上述したようにパッケージ基板保持工程を実施したならば、パッケージ基板２を吸引保持した保持テーブル５１は、図示しない切削送り手段によって撮像手段５３の直下に位置付けられる。保持テーブル５１が撮像手段５３の直下に位置付けられると、撮像手段５３および図示しない制御手段によってパッケージ基板２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。
上述したようにアライメント工程を実施したならば、図９の（ａ）で示すように保持テーブル５１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のレーザー加工溝２４１を集光器５２２の直下に位置付ける。このとき、図９の（ａ）で示すようにパッケージ基板２は、レーザー加工溝２４１の一端(図９の（ａ）において左端)が集光器５２２の直下に位置するように位置付けられる。そして、図９の（a）に示すように集光器５２２から照射されるパルスレーザー光線LBの集光点Ｐをレーザー加工溝２４１の底面（熱拡散基板２１の表面）付近に合わせる。次に、レーザー光線照射手段５２の集光器５２２からパッケージ基板２の熱拡散基板２１に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつ保持テーブル５１を図９の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図９の（ｂ）で示すようにレーザー加工溝２４１の他端（図９の（ｂ）において右端）が集光器５２２の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともに保持テーブル５１の移動を停止する（熱拡散基板レーザー切断工程）。このように熱拡散基板レーザー切断工程を実施することにより、図９の（c）に示すようにパッケージ基板２の熱拡散基板２１は、レーザー加工溝２４１に沿って形成されるレーザー加工溝２１２によって切断される。この熱拡散基板レーザー切断工程においては、アシストガス噴射手段５２４が作動して集光器５２２から照射されるパルスレーザー光線による加工部に例えば圧力が１MPaのエアーが噴射される。この結果、パルスレーザー光線によって加工する際に発生するデブリが吹き飛ばされ保持テーブル５１に形成された逃げ溝５１１に押し込まれる。従って、パルスレーザー光線によって加工する際に発生するデブリがパッケージデバイスの表面に付着することはない。
なお、上記熱拡散基板レーザー切断工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
レーザー光線の波長 ：YAGレーザー（１．０６μｍ）
繰り返し周波数 ：１８ｋＨｚ
平均出力 ：１５０W
集光スポット径 ：φ５０μｍ
加工送り速度 ：１６０ｍｍ／秒
上述した熱拡散基板レーザー切断工程をパッケージ基板２に所定の方向に形成された全てのレーザー加工溝２４１に沿って実施したならば、保持テーブル５１を９０度回動し、保持テーブル５１に保持されたパッケージ基板２に上記所定方向に対して直交する方向に形成されたレーザー加工溝２４１に沿って熱拡散基板切断工程を実施する。この結果、図９の（d）に示すようにパッケージ基板２は個々のパッケージデバイス２３０に分割される。なお、個々に分割されたパッケージデバイス２３０は、保持テーブル５１の吸引保持部５１０に吸引保持されパッケージ基板の状態で維持される。但し、パッケージ基板２のパッケージデバイスを構成しない外周部は保持テーブル５１に吸引保持されていないので、保持テーブル５１から端材として脱落する。
上述した熱拡散基板レーザー切断工程は、切削ブレードによる切断ではなくレーザー加工による切断であるため、熱拡散基板２１が金属で形成されていてもバリが発生することはなく、パッケージデバイスの品質を低下させるという問題が解消する。
また、熱拡散基板レーザー切断工程は切削ブレードによる切断ではなくレーザー加工による切断であるため、熱拡散基板２１がセラミックスで形成されていても円滑に切断でき、生産性が良好となる。
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく本発明の趣旨の範囲で種々の変更は可能である。例えば、上述した実施形態においてはレーザー加工装置３の保持テーブル３１と、切削装置４の保持テーブル４１およびレーザー加工装置５の保持テーブル５１とを異なる構造にした例を示したが、レーザー加工装置３の保持テーブル３１を切削装置４の保持テーブル４１またはレーザー加工装置５の保持テーブル５１と同じ構造にしてもよい。
２：パッケージ基板
２１：熱拡散基板
２２：分割予定ライン
２３：デバイス
２４：シリコーン樹脂
３：レーザー加工装置
３１：レーザー加工装置の保持テーブル
３２：レーザー光線照射手段
３２２：集光器
３３：撮像手段
４：切削装置
４１：切削装置の保持テーブル
４１１：逃げ溝
４１２：吸引孔
４２：切削手段
４２３：切削ブレード
４３：撮像手段
５：レーザー加工装置
５１：レーザー加工装置の保持テーブル
５１１：逃げ溝
５１２：吸引孔
５２：レーザー光線照射手段
５２２：集光器
５２４：アシストガス噴射手段
５３：撮像手段

Claims (4)

  1. 熱拡散基板の表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが配置され、該複数のデバイスを樹脂によって被覆したパッケージ基板を分割予定ラインに沿って個々のパッケージデバイスに分割するパッケージ基板の加工方法であって、
    パッケージ基板の分割予定ラインに沿ってパルスレーザー光線を照射し、該複数のデバイスを被覆した樹脂を分割予定ラインに沿って除去することにより熱拡散基板の表面を分割予定ラインに沿って露出させる樹脂除去工程と、
    該樹脂除去工程が実施されたパッケージ基板を分割予定ラインに沿って分割することにより個々のパッケージデバイスを生成するパッケージデバイス生成工程と、を含み、
    該樹脂除去工程において照射するパルスレーザー光線は、CO2レーザーであり、パルス幅が数μｓ以下に設定されている、
    ことを特徴とするパッケージ基板の加工方法。
  2. 該熱拡散基板は窒化アルミのセラミックスで形成され、樹脂はシリコーン樹脂である、請求項１記載のパッケージ基板の加工方法。
  3. 該パッケージデバイス生成工程は、熱拡散基板を切削ブレードによって分割予定ラインに沿って切断することにより個々のパッケージデバイスに分割する、請求項１又は２記載のパッケージ基板の加工方法。
  4. 該パッケージデバイス生成工程は、熱拡散基板の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することにより個々のパッケージデバイスに分割する、請求項１又は２記載のパッケージ基板の加工方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017199834A (ja) * 2016-04-28 2017-11-02 株式会社ジェイデバイス 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
KR20180118527A (ko) * 2017-04-21 2018-10-31 가부시기가이샤 디스코 피가공물의 가공 방법
JP2019179814A (ja) * 2018-03-30 2019-10-17 三星ダイヤモンド工業株式会社 無機膜積層樹脂基板の分断方法および分断装置
JP7422526B2 (ja) 2019-12-03 2024-01-26 ダウ・東レ株式会社 シリコーン層を含む積層体の切断方法
JP7489473B2 (ja) 2020-02-27 2024-05-23 アプライド マテリアルズ イタリア エス． アール． エル． 基板を支持するための支持デバイス、基板を処理する方法、及び半導体基板

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018113281A (ja) * 2017-01-06 2018-07-19 株式会社ディスコ 樹脂パッケージ基板の加工方法
CN109920732B (zh) * 2017-12-12 2021-02-12 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体封装器件的切割方法及半导体器件的封装方法
CN111531287A (zh) * 2020-05-07 2020-08-14 苏州融睿电子科技有限公司 封装壳体及其处理方法和制造方法、激光器、存储介质

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013191712A (ja) * 2012-03-13 2013-09-26 Towa Corp 積層基板の切断方法および電子部品の製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009021476A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2013232604A (ja) * 2012-05-01 2013-11-14 Towa Corp 積層体の切断方法および樹脂封止電子部品の製造方法
KR20140009890A (ko) * 2012-07-13 2014-01-23 삼성전자주식회사 실리콘 기판을 채용한 발광소자 패키지의 절단 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013191712A (ja) * 2012-03-13 2013-09-26 Towa Corp 積層基板の切断方法および電子部品の製造方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017199834A (ja) * 2016-04-28 2017-11-02 株式会社ジェイデバイス 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
US10529635B2 (en) 2016-04-28 2020-01-07 J-Devices Corporation Manufacturing method of semiconductor package including laser processing
KR20180118527A (ko) * 2017-04-21 2018-10-31 가부시기가이샤 디스코 피가공물의 가공 방법
KR102400418B1 (ko) 2017-04-21 2022-05-19 가부시기가이샤 디스코 피가공물의 가공 방법
JP2019179814A (ja) * 2018-03-30 2019-10-17 三星ダイヤモンド工業株式会社 無機膜積層樹脂基板の分断方法および分断装置
JP7076776B2 (ja) 2018-03-30 2022-05-30 三星ダイヤモンド工業株式会社 無機膜積層樹脂基板の分断方法および分断装置
JP7422526B2 (ja) 2019-12-03 2024-01-26 ダウ・東レ株式会社 シリコーン層を含む積層体の切断方法
JP7489473B2 (ja) 2020-02-27 2024-05-23 アプライド マテリアルズ イタリア エス． アール． エル． 基板を支持するための支持デバイス、基板を処理する方法、及び半導体基板

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