CN111531287A - 封装壳体及其处理方法和制造方法、激光器、存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种封装壳体及其处理方法和制造方法、激光器、存储介质。封装壳体的处理方法，应用于激光器，所述方法包括：获取封装壳体的处理指令，所述处理指令中包括所述封装壳体上待去除部位的信息；根据所述待去除部位的信息确定用于去除所述待去除部位的切割策略；按照所述切割策略对所述封装壳体进行激光切割。该处理方法能够实现稳定性好、精度高、产品一致性好且无污染的封装壳体处理。

Description

封装壳体及其处理方法和制造方法、激光器、存储介质

技术领域

本申请涉及机械加工技术领域，具体而言，涉及一种封装壳体及其处理方法和制造方法、激光器、存储介质。

背景技术

封装壳体广泛应用于半导体芯片的封装、航天航空、微波通信、电子元器件等各种场景中。随着器件功能多样化，集成化，封装壳体上的不同部位的功能也不一样，此时就需要对封装壳体上的不同部位进行处理，比如在封装壳体上某个位置打出一个固定形状的孔。

传统工艺通过局部酸蚀或者局部抛光打磨来实现封装壳体上的差异化。但是局部打磨抛光不能较好地实现各种形状，分界线也不够清晰；局部酸蚀需要对待处理部位先用抗腐蚀防电镀保护剂保护、处理完还要去除保护剂、不易实现复杂形状的处理、污染环境、工艺很难控制。

可见，现有的封装壳体的处理方式稳定性差，精度不高，导致产品一致性也较差，并且还有污染。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种封装壳体及处理方法和制造方法、激光器、存储介质，用以实现稳定性好、精度高、产品一致性好且无污染的封装壳体处理。

第一方面，本申请实施例提供一种封装壳体的处理方法，应用于激光器，所述方法包括：获取封装壳体的处理指令，所述处理指令中包括所述封装壳体上待去除部位的信息；根据所述待去除部位的信息确定用于去除所述待去除部位的切割策略；按照所述切割策略对所述封装壳体进行激光切割。

在本申请实施例中，通过激光器来对封装壳体进行处理，当激光器接收到封装壳体的处理指令时，根据待去除部位(比如需要进行打孔的部位)的信息确定对应的切割策略，然后按照切割策略对封装壳体进行切割，实现待去除部位的去除。通过激光切割的方式对封装壳体进行处理，一方面，激光切割是可控的，进而可根据处理指令中的相关信息灵活且稳定地对待去除部位进行处理；另一方面，激光器是一种高精度的仪器，无污染，且能够保证处理结果的精度，最终得到的封装壳体的产品一致性也较好。因此，该处理方法能够实现灵活性高、稳定性好、精度高、产品一致性好且无污染的封装壳体处理。

作为一种可能的实现方式，所述待去除部位的信息包括：所述待去除部位的形状和所述待去除部位在所述封装壳体上的位置。

在本申请实施例中，当待去除部位的信息包括待去除部位的形状和待去除部位在封装壳体上的位置时，激光器可以确定对应的切割策略，以实现去除封装壳体上的特定位置处的部位，并使对应的位置处去除后具有特定的形状，实现灵活地封装壳体处理。

作为一种可能的实现方式，所述根据所述待去除部位的信息确定用于去除所述待去除部位的切割策略，包括：根据所述待去除部位在所述封装壳体上的位置确定多个切割点；根据所述待去除部位的形状确定所述多个切割点的切割顺序。

在本申请实施例中，在确定切割策略时，可以根据待去除部位的位置确定多个切割点，以及根据待去除部位的形状确定多个切割点的切割顺序，进而使激光器能够根据切割策略实现去除封装壳体上的特定位置处的部位，实现高精度且稳定的封装壳体处理。

作为一种可能的实现方式，所述待去除部位的信息还包括所述待去除部位的尺寸，在所述根据所述待去除部位的形状确定所述多个切割点的切割顺序后，所述方法包括：根据所述待去除部位的尺寸确定所述多个切割点的切割速度和/或切割功率。

在本申请实施例中，还可以根据待去除部位的尺寸确定多个切割点的切割速度和/或切割功率，实现稳定且灵活地激光切割。

作为一种可能的实现方式，所述待去除部位的数量为多个，所述根据所述待去除部位的信息确定用于去除所述待去除部位的切割策略，包括：根据每个待去除部位在所述封装壳体上的位置确定每个待去除部位对应的多个切割点；根据每个待去除部位的形状确定每个待去除部位对应的多个切割点的切割顺序；根据每个待去除部位在所述封装壳体上的位置确定多个待去除部位的切割顺序。

在本申请实施例中，当有多个待去除部位时，在确定每个待去除部位的多个切割点和多个切割点的切割顺序后，还可以确定多个待去除部位的切割顺序，以实现稳定且灵活地激光切割。

第二方面，本申请实施例还提供一种封装壳体的制造方法，包括：获取初始的封装壳体；通过第一方面以及第一方面的任意一种可能的实现方式所述的方法对所述初始的封装壳体进行处理，得到处理好的封装壳体。

在本申请实施例中，封装壳体的处理方法可以应用到封装壳体的制造中，使制造得到的封装壳体的应用范围更广，提高适用性和实用性。

作为一种可能的实现方式，所述初始的封装壳体的尺寸在0.1mm-300mm之间。

在本申请实施例中，封装壳体的处理方法可以适用于尺寸在0.1mm-300mm之间的封装壳体的制造，适用性较高。

第三方面，本申请实施例提供一种封装壳体，所述封装壳体为按照第二方面以及第二方面的任意一种可能的实现方式所述的制造方法进行制造得到的封装壳体；所述封装壳体上有多个与所述待去除部位的形状和大小对应的空缺部分。

在本申请实施例中，通过第二方面以及第二方面的任意一种可能的实现方式所述的制造方法进行制造得到的封装壳体的应用范围较广，适用性和实用性都较高。

第四方面，本申请实施例提供一种激光器，包括用于实现第一方面以及第一方面的任意一种可能的实现方式所述的方法的功能模块。

第五方面，本申请实施例提供一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被计算机运行时执行如第一方面以及第一方面的任意一种可能的实现方式中所述的方法。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请实施例提供的封装壳体的处理方法的流程图；

图2为本申请实施例提供的待去除部位的举例示意图；

图3为本申请实施例提供的多个待去除部位的举例示意图；

图4为本申请实施例提供的按照现有技术的封装壳体的处理方法得到的封装壳体外观示意图；

图5为本申请实施例提供的按照本申请实施例的封装壳体的处理方法得到的封装壳体外观示意图；

图6为本申请实施例提供的激光器的功能模块的结构示意图。

图标：200-激光器；201-处理器；202-切割器。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。

本申请实施例提供的封装壳体、封装壳体的处理方法和制造方法可以应用于各种需要应用到封装壳体的场景。比如：对封装壳体进行制造、对封装壳体进行加工的各种应用场景。封装壳体可以由金属、陶瓷或者塑料等材料制成。

在本申请实施例中，可以利用能够发射激光束的激光器来辅助封装壳体的处理。激光器的种类有多种，比如气体激光器、固体激光器、半导体激光器和染料激光器等，不同种类的激光束发射激光的原理通常是不同的。高功率和高密度的激光器发射出的激光束可以实现物体的切割。其原理大概为，当激光束照射到物体表面时，物体表面会蒸发形成空洞，随着光束相对于材料的移动，孔洞连续形成宽度很窄的(如0.1mm左右)切缝，进而可以完成对材料的切割。

基于上述应用场景和对激光器的大概介绍，接下来请参照图1，为本申请实施例提供的封装壳体的处理方法的流程图，该处理方法可应用于激光器，该方法包括：

步骤101：获取封装壳体的处理指令。该处理指令中包括封装壳体上待去除部位的信息。

步骤102：根据待去除部位的信息确定用于去除待去除部位的切割策略。

步骤103：按照切割策略对封装壳体进行激光切割。

在本申请实施例中，通过激光器来对封装壳体进行处理，当激光器接收到封装壳体的处理指令时，根据待去除部位(比如需要进行打孔的部位)的信息确定对应的切割策略，然后按照切割策略对封装壳体进行切割，实现待去除部位的处理。通过激光切割的方式对封装壳体进行处理，一方面，激光切割是可控的，进而可根据处理指令中的相关信息灵活且稳定地对待去除部位进行处理；另一方面，激光器是一种高精度的仪器，无污染，且能够保证处理结果的精度，最终得到的封装壳体的产品一致性也较好。因此，该处理方法能够实现灵活性高、稳定性好、精度高、产品一致性好且无污染的封装壳体处理。

接下来对步骤101-步骤103的详细实施方式进行介绍。

在步骤101中，激光器需要获取封装壳体的处理指令，该处理指令中包括封装壳体上待去除部位的信息。作为一种可选的实施方式，该处理指令可以从激光器对应的上位机处获取。激光器对应的上位机可以用于输入激光器的控制指令或者调试指令等，相当于一个外部的输入设备。在上位机上设置有激光器对应的用户交互界面，在该用户交互界面上，可以输入相应的处理指令或者调试指令，在该处理指令或者调试指令中包括有待去除部位的信息，以使激光器根据待去除部位的信息进行切割。

作为一种可选的实施方式，待去除部位的信息包括：待去除部位的形状和待去除部位在封装壳体上的位置。

可以理解，激光器作为一种处理设备，与封装壳体之间的位置关系可以是固定的。为了实现固定的位置关系，可以设置一个封装壳体的固定装置，用于固定封装壳体，该固定装置的所在的位置是不变的，与激光器之间的位置关系也是固定的。当有封装壳体需要进行处理时，由用户或者自动固定装置将封装壳体固定在该固定装置上。进一步地，为了使用户可以对待去除部位的形状和待去除部位在封装壳体上的位置进行指示，该激光器切割台可以设置图像采集装置(如摄像头或者红外摄像头等)，用于实时采集固定在固定装置上的封装壳体的图像。当图像采集装置采集到图像偶，将图像发送给上位机，上位机根据接收到的封装壳体的图像生成对应的处理指令。在生成处理指令时，可以基于封装壳体的图像构建封装壳体的三维立体模型，然后展示该三维立体模型。进而用户可以在该三维立体模型上指定封装壳体上的待去除部位(可理解为作图或者绘制过程)，在指定封装壳体上的待去除部位后，待去除部位在封装壳体上的位置便可以确定。还可以指定待去除部位的形状，对于形状，以在封装壳体上打个孔为例，若要在封装壳体上形成孔，就需要去掉封装壳体上孔所在的部位(即去除掉待去除部位后可以形成孔)，而孔也分为圆孔、方孔等，为了形成不同形状的孔，在去除待去除部位时，若设定了待去除部位的形状，那么去除掉待去除部位后，形成的孔壁边缘构成的形状就与待去除部位的形状是相同的。

上述实施方式中，对于封装壳体的三维立体模型的生成方式，除了通过摄像头实时采集画面生成，还可以由用户导入，比如：在上位机上已经存储有不同的封装壳体的三维立体模型，当用户将封装壳体放置在对应的位置处后，在上位机上手动的选择与待处理的封装壳体对应的三维立体模型，然后基于该三维立体模型指定待去除部位的信息。

进一步地，当用户完成作图(即完成待去除部位的信息的输入)后，上位机就会根据用户所作的图生成对应的处理指令，即将用户指定的信息转化为激光器能够处理的信息，然后传输给激光器。

此外，可以理解的是，待去除部位的信息并不是单独以待去除部位的位置和待去除部位的形状的形式传输给激光器的，因为不管是位置还是形状，都需要基于封装壳体本身确定，因此，传输给激光器的待去除部位的信息中还需包含封装壳体本身的信息。

在本申请实施例中，当待去除部位的信息包括待去除部位的形状和待去除部位在封装壳体上的位置时，激光器可以确定对应的切割策略，以实现去除封装壳体上的特定位置处的部位，并使对应的位置处去除后具有特定的形状，实现灵活地封装壳体处理。

进一步地，在步骤101后，执行步骤102，激光器根据待去除部位的信息确定用于去除待去除部位的切割策略。作为步骤102的一种可选的实施方式，步骤102包括：根据待去除部位在封装壳体上的位置确定多个切割点；根据待去除部位的形状确定多个切割点的切割顺序。请参照图2，为封装壳体上的待去除部位的举例图，在图2中，待去除部位的形状为圆形，其位置为封装壳体的中心。那么对应的，根据待去除部位整体在封装壳体上的位置，可以确定出多个切割点为构成待去除部位的圆形边缘上的各个点，至于取多少个切割点，可以根据激光器的切割点的切割光束的大小决定，通常来说，一个切割点的大小可以与切割光束的光斑的大小相同，那么若切割光束的光斑越大，切割点就越少；光斑越小，切割点就越多。当确定出多个切割点后，还需要确定多个切割点的切割顺序，一般来说，多个切割点的切割顺序与待去除部位的形状是匹配的，即沿着形状边缘的切割顺序，可以是逆时针，也可以是顺时针。以图2为例，其切割顺序可以是从待去除部位最上方的切割点开始，沿着圆形边缘，以顺时针的方向进行切割，直至完成最后一个切割点的切割。

在本申请实施例中，在确定切割策略时，可以根据待去除部位的位置确定多个切割点，以及根据待去除部位的形状确定多个切割点的切割顺序，进而使激光器能够根据切割策略去除封装壳体上的特定位置处的部位，实现高精度且稳定的封装壳体处理。

进一步地，在步骤102后，执行步骤103，按照切割策略对封装壳体进行激光切割。可以理解，切割策略中包括多个切割点的信息和多个切割点的切割顺序。在进行激光切割时，激光切割器根据多个切割点所在的位置和对应的切割顺序实时定位到封装壳体上的各个位置。具体的，激光器先控制激光发射装置(比如激光发射头)移动到能够切割到第一个切割点的位置，然后发射出激光光束，使发出的激光光束能够照射到第一个切割点上。当完成第一个切割点的切割后，激光控制器先根据切割顺序确定第二个切割点，然后控制激光发射装置移动到能够切割到第二个切割点的位置，以使激光光束的位置移动到第二个切割点所在的位置，以对第二个切割点所在的位置进行照射。按照相同的方式，紧接着第三个切割点，第四个切割点以及之后的每一个切割点，不断重复控制激光发射装置改变位置，切割不同的切割点的过程，实现对不同的切割点的照射，当完成最后一个切割点的照射后，由于封装壳体上待去除部位所在的位置的各个切割点处都产生了缝隙，便能够实现从封装壳体上去除待去除部位。

其中，对于激光发射装置的位置的改变，可以通过改变切割角度实现。比如：第一个切割点对应的切割角度为90度，第二个切割点对应的切割角度为45度，其中，切割角度为激光发射装置相对于激光器本身的中心轴或者中心线的角度。

需要注意的是，在控制激光发射装置改变位置时，若前后两个切割点之间间隔的距离较大或者所处的位置并不是相邻的，在这种情况下，在改变激光发射头的位置的过程中，不发射激光光束，以避免移动过程中切割到不需要进行切割的位置，造成对封装壳体的影响。

在本申请实施例中，激光器的切割是可控的，因此，基于不同的信息可以灵活地对激光器的切割策略进行调整。接下来对几种可选的实施方式进行介绍。

待去除部位的信息中，还可以包括待去除部位的尺寸，基于待去除部位的尺寸，在根据待去除部位的形状确定多个切割点的切割顺序后，该方法包括：根据待去除部位的尺寸确定多个切割点的切割速度和/或切割功率。其中，切割速度可以理解为改变激光光束所在的位置的速度，比如每个切割点照射1秒的时间，那么切割速度可以表示为：1个切割点/秒，即每秒照射一个切割点。

其中，待去除部位的尺寸代表待去除部位的大小，待去除部位的大小可以包括在水平方向上的大小(可以理解为表面积)，还可以包括在竖直方向上的大小(可以理解为待去除部位的厚度)。在这种实施方式中，切割速度和/或切割功率会对每个切割点的照射强度产生影响。比如：切割速度越快，在每个切割点上停留的照射时间越短，每个切割点的照射强度相对的也较小。切割速度越慢，在每个切割点上停留的照射时间越长，每个切割点的照射强度相对的较高。切割功率越高，切割的强度就越强，对应的照射强度也越高。切割功率越低，切割的强度就越低，对应的照射强度也越低。进一步地，不同的照射强度会对去除的深度产生影响，比如照射强度越高，去除的深度越大，反之，照射强度越低，去除的深度越小。如果在待去除部位上的照射强度不够，可能无法产生缝隙，就不能去除掉待去除部位。因此，在确定切割点的切割速度和/或切割功率时，可通过待去除部位的厚度(深度)来进行确定。

进一步地，在根据待去除部位的厚度确定切割点的切割速度和/或切割功率时，分为两种情况。情况一：假设待去除部位的厚度较大(例如大于预设的阈值)，为了保证能够去除待去除部位，可以仅对切割速度或者切割功率进行控制，比如采用一个较慢的切割速度或者采用一个较高的切割功率。也可以对两者都进行控制，比如采用一个较慢的切割速度和一个较高的切割功率。情况二：假设待去除部位厚度较小(例如小于或者等于预设的阈值)，此时待去除部位的去除比较容易，可以仅对切割速度或者切割功率进行控制，比如采用一个较快的切割速度或者采用一个较低的切割功率。也可以对两者都进行控制，比如采用一个较快的切割速度和一个较低的切割功率。

在上述两种情况中，较快、较慢、较高、较低等各个程度的值，会随着应用场景的不同而取不同的值。此外，还可以预设与不同的待去除部位的厚度值对应的切割功率和/或切割速度的值，进而直接根据具体的厚度值确定对应的切割功率和/或切割速度。

在本申请实施例中，还可以根据待去除部位的尺寸确定多个切割点的切割速度和/或切割功率，实现稳定且灵活地激光切割。

在本申请实施例中，对于待去除部位的数量，可以为一个，也可以为多个，当待去除部位的数量为多个时，步骤102包括：根据每个待去除部位在封装壳体上的位置确定每个待去除部位对应的多个切割点；根据每个待去除部位的形状确定每个待去除部位对应的多个切割点的切割顺序；根据每个待去除部位在封装壳体上的位置确定多个待去除部位的切割顺序。

在这种实施方式中，针对每个待去除部位的切割策略的确定方式，与前述实施例中介绍的确定方式相同，不同的是，在确定每个待去除部位的切割策略后，还需要确定多个待去除部位的切割顺序。可以理解，当有多个待去除部位时，多个待去除部位位于不同的位置上，为了使整个切割过程中，激光器控制激光发射装置改变位置的能量消耗较小，或者说在前一个位置的基础上，不用改变太多的位置，可以确定多个待去除部位的合理的切割顺序，来提高整个处理过程的效率。

为了便于理解，请参照图3，为包括多个待去除部位时的举例图，在图3中，待封装壳体上一共有三个待去除部位：待去除部位A、待去除部位B以及待去除部位C，很明显，如果切割顺序为：先待去除部位B、然后待去除部位A，最后待去除部位C，在从待去除部位A切换到待去除部位C的过程中，调整幅度较大，会导致处理的效率较低。因此，这三个待去除部位的切割顺序可以为：先待去除部位A、然后待去除部位B，最后待去除部位C，即沿着一条直线进行切割，那么整个处理过程中激光器的激光发射装置的调整幅度就会较小，进而处理的效率也较高。

在本申请实施例中，当有多个待去除部位时，在确定每个待去除部位的多个切割点和多个切割点的切割顺序后，还可以确定多个待去除部位的切割顺序，以实现稳定且灵活地激光切割。

接下来请参照图4和图5，分别为采用现有技术的处理方式得到的封装壳体的外观示意图，和采用本申请实施例的处理方式得到的封装壳体的外观示意图，通过将图4和图5对比可以看出，采用现有技术的处理方式处理后的封装壳体上，待去除部位去除后，封装壳体上的对应位置处会出现边缘(形状)不规则，去除过多或者没有去除的情况。而采用本申请实施例的处理方式处理后的封装壳体上，边缘(形状)规则，不会有去除过多或者没有去除的情况，精度较高，经过实际测试，最终的精度可达到5um以下。可见，通过本申请实施例所提供的封装壳体的处理方法，能够实现稳定性好、精度高、产品一致性好且无污染的封装壳体处理。

基于同一发明构思，本申请实施例中还提供一种封装壳体的制造方法，该制造方法包括：获取初始的封装壳体；通过前述实施例中所述的封装壳体的处理方法对初始的封装壳体进行处理，得到处理好的封装壳体。

其中，初始的封装壳体可以理解为初步加工好的封装壳体，即只有一个封装壳体的基本外形，但是还不能够应用到具体的封装场景中，需要进行处理后才能进行应用。

作为一种可选的实施方式，初始的封装壳体的尺寸在0.1mm-300mm之间。对于封装壳体的尺寸，包括宽度、长度以及厚度等。

在本申请实施例中，封装壳体的处理方法可以利用到封装壳体的制造中，使制造得到的封装壳体的应用范围更广，提高适用性和实用性。且封装壳体的处理方法可以适用于尺寸在0.1mm-300mm之间的封装壳体的制造，适用性较高。

基于同一发明构思，本申请实施例中还提供一种封装壳体，该封装壳体为按照封装壳体的制造方法进行制造得到的封装壳体，该封装壳体上有多个与待去除部位的形状和大小对应的空缺部分。

在本申请实施例中，通过封装壳体的制造方法进行制造得到的封装壳体的应用范围较广，适用性和实用性都较高。

基于同一发明构思，接下来请参照图6，为本申请实施例提供的激光器200，包括处理器201和切割器202。

处理器201可以是一种集成电路芯片，具有信号处理能力。该处理器201可以是通用处理器，包括中央处理器(Central Processing Unit，CPU)、网络处理器(NetworkProcessor，NP)等；还可以是数字信号处理器、专用集成电路、现成可编程门阵列或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。其可以实现或者执行本申请实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。

切割器202可以包括激光发射装置和发射控制装置，激光发射装置用于发射激光光束，发射控制装置用于控制激光发射装置改变切割角度来改变发射出的激光光束所照射到的位置。

处理器201用于：获取封装壳体的处理指令；所述处理指令中包括所述封装壳体上待去除部位的信息；根据所述待去除部位的信息确定用于去除所述待去除部位的切割策略。切割器202用于：按照所述切割策略对所述封装壳体进行激光切割。

可选的，处理器201具体用于：根据所述待去除部位在所述封装壳体上的位置确定多个切割点；根据所述待去除部位的形状确定所述多个切割点的切割顺序。

可选的，所述待去除部位的信息还包括所述待去除部位的尺寸，处理器201具体还用于：根据所述待去除部位的尺寸确定所述多个切割点的切割速度和/或切割功率。

可选的，所述待去除部位的数量为多个，处理器201具体还用于：根据每个待去除部位在所述封装壳体上的位置确定每个待去除部位对应的多个切割点；根据每个待去除部位的形状确定每个待去除部位对应的多个切割点的切割顺序；根据每个待去除部位在所述封装壳体上的位置确定多个待去除部位的切割顺序。

前述实施例中的封装壳体的处理方法中的各实施方式和具体实例同样适用于图6的激光器200，通过前述对封装壳体的处理方法的详细描述，本领域技术人员可以清楚的知道图6中的激光器200的实施方法，所以为了说明书的简洁，在此不再详述。

本申请实施例还提供一种可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被计算机运行时执行上述任一实施方式的封装壳体的处理方法。

在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

再者，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。

在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。

以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种封装壳体的处理方法，其特征在于，应用于激光器，所述方法包括：

获取封装壳体的处理指令；所述处理指令中包括所述封装壳体上待去除部位的信息；

根据所述待去除部位的信息确定用于去除所述待去除部位的切割策略；

按照所述切割策略对所述封装壳体进行激光切割。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待去除部位的信息包括：所述待去除部位的形状和所述待去除部位在所述封装壳体上的位置。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述待去除部位的信息确定用于去除所述待去除部位的切割策略，包括：

根据所述待去除部位在所述封装壳体上的位置确定多个切割点；

根据所述待去除部位的形状确定所述多个切割点的切割顺序。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述待去除部位的信息还包括所述待去除部位的尺寸，在所述根据所述待去除部位的形状确定所述多个切割点的切割顺序后，所述方法包括：

根据所述待去除部位的尺寸确定所述多个切割点的切割速度和/或切割功率。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述待去除部位的数量为多个，所述根据所述待去除部位的信息确定用于去除所述待去除部位的切割策略，包括：

根据每个待去除部位在所述封装壳体上的位置确定每个待去除部位对应的多个切割点；

根据每个待去除部位的形状确定每个待去除部位对应的多个切割点的切割顺序；

根据每个待去除部位在所述封装壳体上的位置确定多个待去除部位的切割顺序。

6.一种封装壳体的制造方法，其特征在于，包括：

获取初始的封装壳体；

通过权利要求1-5任一项所述的方法对所述初始的封装壳体进行处理，得到处理好的封装壳体。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述初始的封装壳体的尺寸在0.1mm-300mm之间。

8.一种封装壳体，其特征在于，所述封装壳体为按照权利要求6-7任一项所述的制造方法进行制造得到的封装壳体；所述封装壳体上有多个与所述待去除部位的形状和大小对应的空缺部分。

9.一种激光器，其特征在于，包括：

处理器，用于：

获取封装壳体的处理指令；所述处理指令中包括所述封装壳体上待去除部位的信息；

根据所述待去除部位的信息确定用于去除所述待去除部位的切割策略；

切割器，用于按照所述切割策略对所述封装壳体进行激光切割。

10.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被计算机运行时执行如权利要求1-5任一项所述的方法。

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