CN111540687B - 封装壳体及其处理方法、制造方法、激光器、存储介质 - Google Patents
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- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 161
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims abstract description 133
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 71
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 71
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
- B23K26/702—Auxiliary equipment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4817—Conductive parts for containers, e.g. caps
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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Abstract
本申请提供一种封装壳体及其处理方法、制造方法、激光器、存储介质。封装壳体的处理方法，应用于激光器，所述方法包括：获取封装壳体上的封接孔的处理指令；所述处理指令中包括所述封接孔的信息；所述封接孔的孔壁上覆盖有金属层；根据所述封接孔的信息确定所述封接孔的粗化策略；按照所述粗化策略对所述封接孔进行激光粗化，以使所述封接孔的孔壁上的金属层表面粗化。该处理方法提高了封装壳体的封接强度和封接气密性。
Description
技术领域
本申请涉及机械加工技术领域，具体而言，涉及一种封装壳体及其处理方法、制造方法、激光器、存储介质。
背景技术
封装壳体广泛用于半导体芯片封装、用于航空航天、微波通讯、电子元器件，随着器件功能多样化、集成化、壳体不同部位要求功能不一样。对于封装壳体上的封接孔，其作用是为了实现封装壳体与其他物体的封接。
传统工艺中，封接孔一般通过数控中心进行加工实现，但是加工得到的封接孔的孔内部(孔壁)较光滑，在封装壳体利用封接孔进行封接时，封接效果不佳，导致封装壳体的封接强度和封接气密性都较低。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种封装壳体及其处理方法、制造方法、激光器、存储介质，用以提高封装壳体的封接强度和封接气密性。
第一方面，本申请实施例提供一种封装壳体的处理方法，应用于激光器，所述方法包括：获取封装壳体上的封接孔的处理指令；所述处理指令中包括所述封接孔的信息；所述封接孔的孔壁上覆盖有金属层；根据所述封接孔的信息确定所述封接孔的粗化策略；按照所述粗化策略对所述封接孔进行激光粗化，以使所述封接孔的孔壁上的金属层表面粗化。
在本申请实施例中，利用激光器对封装壳体上的封接孔进行处理，当激光器接收到封接孔的处理指令时，根据封接孔的信息确定对应的粗化策略，然后按照粗化策略对封接孔进行激光粗化，最终使封接孔的孔壁上的金属层表面粗化。与现有技术相比，通过高精度的激光器对封接孔进行激光粗化，可以起到使封接孔的孔壁上的金属层表面粗化的作用，当金属层表面粗化后，其摩擦力增加，因此，在封装壳体利用封接孔进行封接时，封接效果会较好，进而提高封装壳体的封接强度和封接气密性。
作为一种可能的实现方式，所述封接孔的信息包括所述孔壁的位置信息和所述孔壁上待粗化部位的位置信息。
在本申请实施例中，可以仅针对封接孔的孔壁上的部分位置(即待粗化部位)进行粗化，因此，当封接孔的信息包括所述孔壁的位置信息和所述孔壁上待粗化部位的位置信息时，可以确定对应的待粗化部位的粗化策略，针对性的进行粗化，提高整个处理过程的处理效率。
作为一种可能的实现方式，所述根据所述封接孔的信息确定所述封接孔的粗化策略，包括：根据所述孔壁的位置信息和所述孔壁上待粗化部位的位置信息确定所述孔壁对应的多个粗化点。
在本申请实施例中，通过基于位置信息确定孔壁的多个粗化点，可以使激光器可以根据多个粗化点进行快速且准确地粗化。
作为一种可能的实现方式，所述封接孔的信息还包括所述金属层的厚度，在所述根据所述孔壁的位置信息和所述孔壁上待粗化部位的位置信息确定所述孔壁对应的多个粗化点后，所述方法还包括：根据所述金属层的厚度确定所述多个粗化点的粗化速度和/或粗化功率。
在本申请实施例中，在确定多个粗化点后，还可以根据金属层的厚度确定多个粗化点的粗化速度和/或粗化功率，实现对金属层的粗化程度(强度)的控制，进而能够保证封装壳体的封接强度和封接气密性。
作为一种可能的实现方式，所述处理指令中还包括所述孔壁的处理时间；在所述根据所述金属层的厚度确定所述多个粗化点的粗化速度和/或粗化功率后，所述方法还包括：根据所述处理时间确定所述多个粗化点的激光粗化的脉冲时间，所述脉冲时间用于指示激光粗化的粗化周期。
在本申请实施例中，基于孔壁的处理时间，可以确定多个粗化点的脉冲时间(粗化周期)，即针对每个粗化点粗化多长时间，各个粗化点之间的粗化间隔时间，进而能够保证金属层的均匀粗化，提高封装壳体的封接强度和封接气密性。
作为一种可能的实现方式，在所述根据所述孔壁的位置信息和所述孔壁上待粗化部位的位置信息确定所述孔壁对应的多个粗化点后，所述方法还包括：根据所述孔壁的位置信息和所述孔壁上待粗化部位的位置信息确定所述多个粗化点的粗化角度。
在本申请实施例中，由于孔壁在封装壳体上占据的面积较小，通过确定多个粗化点的粗化角度，实现针对待粗化部位进行激光粗化，进而保证粗化精度。
第二方面，本申请实施例还提供一种封装壳体的制造方法，包括：获取初始的封装壳体，所述初始的封装壳体上设置有多个封接孔，所述多个封接孔的孔壁上覆盖有金属层；通过第一方面以及第一方面的任意一种可能的实现方式所述的方法对所述初始的封装壳体进行处理，得到处理好的封装壳体。
在本申请实施例中，封装壳体的处理方法可以利用到封装壳体的制造中，使制造得到的封装壳体的封接强度和封接气密性较高。
第三方面，本申请实施例提供一种封装壳体，所述封装壳体为按照第二方面所述的制造方法进行制造得到的封装壳体。
在本申请实施例中，通过第二方面所述的制造方法进行制造得到的封装壳体的封接强度和封接气密性较高。
第四方面，本申请实施例提供一种激光器，包括用于实现第一方面以及第一方面的任意一种可能的实现方式所述的方法的功能模块。
第五方面，本申请实施例提供一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被计算机运行时执行如第一方面以及第一方面的任意一种可能的实现方式中所述的方法。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请实施例提供的封装壳体的处理方法的流程图；
图2为本申请实施例提供的封装壳体与封接孔的示意图；
图3为本申请实施例提供的待粗化部位与孔壁的示意图；
图4为本申请实施例提供的激光器的功能模块结构示意图。
图标：200-激光器；201-处理器；202-扫描器。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。
本申请实施例提供的封装壳体、封装壳体的处理方法和制造方法可以应用于各种需要处理封装壳体、制造封装壳体或者需要利用封装壳体的场景。其中，封装壳体的材料可以是金属，也可以是陶瓷或者塑料，但是对于封装壳体上的封接孔来说，如果封接壳体的材料为金属，封接孔的孔壁也固然是金属，那么可以不用单独对封接壳体的封接孔的孔壁进行镀金(金属)处理；如果封接壳体的材料不为金属，封接孔的孔壁也不是金属，可以对封接壳体的封接孔的孔壁进行镀金处理，使孔壁上覆盖有金属层，以保证封接孔能够实现其封接功能。
要实现封装壳体的处理或者制造，需要利用到激光器。激光器是一种能够发射激光的装置，包括气体激光器、固体激光器、半导体激光器和染料激光器等。不管是哪种激光器，都可以利用各自的激励方式和运转方式发射出激光束，当激光束照射到物体表面时，可以将物体进行切割或者去除或者微蚀等。在本申请实施例中，利用激光器进行金属表面粗化，可以看作一种微蚀，并不需要过高的强度，因此，采用能够发射出低功率和低密度的激光器即可，当激光器发射出的低功率和低密度的激光束照射到金属层上时，可以使金属层表面粗化，增强金属层的摩擦力和阻力。
基于上述应用场景和对激光器的基本介绍，接下来请参照图1，为本申请实施例提供的封装壳体的处理方法的流程图，该处理方法应用于激光器，包括：
步骤101：获取封装壳体上的封接孔的处理指令。处理指令中包括所述封接孔的信息；封接孔的孔壁上覆盖有金属层。
步骤102：根据封接孔的信息确定封接孔的粗化策略。
步骤103：按照粗化策略对封接孔进行激光粗化，以使封接孔的孔壁上的金属层表面粗化。
在本申请实施例中，利用激光器对封装壳体上的封接孔进行处理，当激光器接收到封接孔的处理指令时，根据封接孔的信息确定对应的粗化策略，然后按照粗化策略对封接孔进行激光粗化，最终使封接孔的孔壁上的金属层表面粗化。与现有技术相比，通过高精度的激光器对封接孔进行激光粗化，可以起到使封接孔的孔壁上的金属层表面粗化的作用，当金属层表面粗化后，其摩擦力增加，因此，在封装壳体利用封接孔进行封接时，封接效果会较好，进而提高封装壳体的封接强度和封接气密性。
接下来对步骤101-步骤103的详细实施方式进行介绍。
在步骤101中，激光器需要获取封装壳体上的封接孔的处理指令，该处理指令中包括封装壳体上的封接孔的信息。作为一种可选的实施方式，该处理指令可以从激光器对应的上位机处获取。激光器对应的上位机可以用于输入激光器的控制指令或者调试指令等，相当于一个外部的输入设备。在上位机上设置有激光器对应的用户交互界面，在该用户交互界面上，可以输入相应的处理指令或者调试指令，在该处理指令或者调试指令中包括有封接孔的信息，以使激光器根据封接孔的信息进行粗化。
对于封装壳体上的封接孔，可以为一个或者多个，请参照图2，为封装壳体上的封接孔的举例示意图，在图2所示的封装壳体上，一共开设有四个圆形封接孔，分别位于方形封装壳体的四个角上，通过这四个封接孔，可以将封装壳体固定在其他物体上，或者将其他物体固定在封装壳体上。并且，在每个封接孔的孔壁上都覆盖有金属层，对于该金属层，一种情况是：封装壳体本身为金属材料，在开设该封接孔时，在封接孔的孔壁上形成的金属层。另一种情况是：封装壳体本身为金属材料或者不为金属材料，在开设封接孔后，在封接孔的孔壁上通过镀金(金属)或者涂覆等方式覆盖的金属层。
作为一种可选的实施方式，封接孔的信息包括孔壁的位置信息和孔壁上待粗化部位的位置信息。
可以理解，在封装壳体的处理工艺中，应用于处理工艺的激光器可以固定安装在某个位置，当有封装壳体需要进行处理时，由用户或者其他处理设备将封装壳体放置在激光器对应的处理位置处，比如设置有一个激光器扫描台，用于放置待处理的封装壳体，且该激光扫描台放置封装壳体的位置与激光器的位置是固定的。进一步地，为了使激光器准确定位到封接壳体上的封装孔的孔壁的位置，该激光器扫描台可以设置摄像头，用于实时采集激光器扫描台上的封装壳体的立体图像，并将封装壳体的立体图像传输给上位机，上位机根据接收到的封装壳体的图像确定封接孔的孔壁的位置信息。
在确定位置信息时，上位机基于接收到的封装壳体的立体图像，一种可选的实施方式：通过上位机上预设的图像处理算法自动的对封装壳体上的封接孔的孔壁的位置进行定位。该预设的图像处理算法可以通过模型训练实现。比如：预先获取大量的带有封接孔的封装壳体的立体图像样本，由人工进行标注各个样本中的封接孔的孔壁的位置，然后利用标注好的样本进行模型训练，将封装壳体的立体图像输入到训练好的模型中后，训练好的模型便可以直接输出封接孔的孔壁位置信息。另一种可选的实施方式，上位机在获取到封装壳体的立体图像后，进行展示，由用户基于该立体图像直接标注封接孔的孔壁所在的位置，进而上位机可以根据用户的标注确定封接孔的孔壁的位置信息。
除了孔壁的位置信息，对于孔壁上待粗化部位的位置信息，一种可选的实施方式为：当用户完成孔壁的位置的标注后，继续由用户基于该立体图像标注孔壁上的哪些部位需要进行粗化，进而上位机可以根据用户的标注确定待粗化部位的位置信息。另一种可选的实施方式为：在上位机上预先设置有不同的封接孔类型(比如不同的封接孔形状)分别对应的待粗化部位，上位机根据预设的对应关系为当前的封接孔的孔壁确定待粗化部位，进而确定待粗化部位的位置信息。
进一步地，当上位机基于封装壳体的立体图像确定孔壁的位置信息和待粗化部位的位置信息后，上位机根据这些信息生成对应的处理指令，在生成对应的处理指令的过程中，上位机需要将这些信息转化为激光器能够处理和解析的信息，比如：假设位置信息通过坐标进行表示，上位机上预先存储有激光器的位置信息，需要将这些坐标值转化为激光器所在的坐标系下的坐标值。可以理解的是，这些信息并不是单独以孔壁的位置和待粗化部位的位置信息的形式传输给激光器，这些位置也是基于封装壳体本身确定，因此，传输给激光器的信息中还需包含封装壳体本身的信息。
在本申请实施例中，可以仅针对封接孔的孔壁上的部分位置(即待粗化部位)进行粗化，因此，当封接孔的信息包括所述孔壁的位置信息和所述孔壁上待粗化部位的位置信息，可以确定对应的待粗化部位的粗化策略，针对性的进行粗化，提高整个处理过程的处理效率。
当然，在封接孔的信息中，也可以只包括封接孔的孔壁的位置信息，在这种情况下，默认封接孔的孔壁的各个部分都需要进行粗化，此时就不需要确定待粗化部位的位置信息，或者说待粗化部位为封接孔的整个孔壁。
此外，需要理解的是，激光器与设置的摄像头之间也可以进行数据传输，当摄像头采集到实时图像后，会将实时图像传输给激光器，这样激光器可以基于各个位置信息和接收到的图像对各个粗化位置进行定位。
进一步地，在步骤101后，执行步骤102，根据封接孔的信息确定封接孔的粗化策略。作为一种可选的实施方式，步骤102包括：根据孔壁的位置信息和孔壁上待粗化部位的位置信息确定孔壁对应的多个粗化点。
在这种实施方式中，先根据孔壁的位置信息定位到封接孔的孔壁上，然后根据待粗化部位的位置信息确定多个粗化点，为了便于理解，请参照图3，为圆形封接孔的孔壁的横截面示意图，在图3所示的封接孔的孔壁上，只需要对孔壁的上边缘和下边缘进行粗化，中间的部分都不需要进行粗化，那么待粗化部位即为孔壁的上部和下部，即图3中的待粗化部位A和待粗化部位B。进一步地，基于待粗化部位便可以确定多个粗化点，至于取多少个粗化点，可以根据激光器的粗化点的粗化光束的大小决定，通常来说，一个粗化点的大小可以与粗化光束的光斑的大小相同，那么若粗化光束的光斑越大，粗化点就越少；光斑越小，粗化点就越多。
此外，由于仅是进行粗化，多个粗化点可以设置对应的粗化顺序，也可以不设置粗化顺序，只要最终完成各个粗化点的粗化，保证待粗化部位的各个部分都进行了粗化即可。对于粗化顺序，可以采用从左到右，从外到里等各种粗化顺序。
当然，在前述实施例中提到，也可以整个孔壁都进行粗化，那么此时的粗化点即为孔壁上的各个位置点。
在本申请实施例中，通过基于位置信息确定孔壁的多个粗化点，可以使激光器可以根据多个粗化点进行快速且准确地粗化。
除了这种实施方式，由于是进行粗化，定位精度可以不用太高，还可以基于位置信息确定多个粗化区域，即不将粗化定位到具体的点位置上，只需要确定多个粗化区域，然后依次对每个粗化区域进行激光粗化即可。
进一步地，在步骤102后，执行步骤103，按照粗化策略对封接孔进行激光粗化，以使封接孔的孔壁上的金属层表面粗化。可以理解，粗化策略中包括多个粗化点的信息。在进行激光粗化时，激光扫描器根据多个粗化点或者多个粗化区域所在的位置实时定位到孔壁上的各个位置或者区域。具体的，激光器先控制激光发射装置(比如激光发射头)移动到能够粗化到第一个粗化点或者粗化区域的位置，然后发射出激光光束，使发出的激光光束能够对第一个粗化点或者粗化区域进行粗化。当完成第一个粗化点或者粗化区域的粗化后，激光控制器先根据确定第二个粗化点或者粗化区域(若预先确定了粗化顺序，直接根据粗化顺序确定第二个粗化点或者粗化区域；若预先没有对粗化顺序进行规定，可以基于就近原则，即距离第一个粗化点或者粗化区域最近的点或者区域作为第二个粗化点或者粗化区域)，然后控制激光发射装置移动到能够粗化到第二个粗化点或者粗化区域的位置，以使激光光束的位置移动到第二个粗化点或者粗化区域所在的位置，以对第二个粗化点或者粗化区域所在的位置进行粗化。按照相同的方式，紧接着第三个粗化点或者粗化区域，第四个粗化点或者粗化区域以及之后的每一个粗化点或者粗化区域，不断重复控制激光发射装置改变位置，粗化不同的粗化点或者粗化区域的过程，实现对不同的粗化点或者粗化区域的激光粗化，当完成最后一个粗化点或者粗化区域的粗化后，即完成了对孔壁上的金属层的粗化。
需要注意的是，在控制激光发射装置改变位置时，若在改变位置的过程中，激光光束可能会粗化到其他不需要进行粗化的位置，此时，在改变激光发射头的位置的过程中，不发射激光光束，以避免移动过程中粗化到不需要进行粗化的位置(比如非金属部位)，造成不必要的影响(比如腐蚀到非金属部位)。当然，若多个粗化点或者粗化区域是连续的，那么在整个改变位置的过程中，可以持续保持激光光束的发射。
在本申请实施例中，激光器的粗化是可控的，为了提高粗化效果(比如提高粗化精度)或者提高粗化过程的效率，基于不同的信息可以灵活地对激光器的粗化策略进行调整。接下来对几种可选的实施方式进行介绍。
第一种可选的实施方式，在封接孔的信息中，还包括金属层的厚度，在根据孔壁的位置信息和孔壁上待粗化部位的位置信息确定孔壁对应的多个粗化点后，该方法还包括：根据金属层的厚度确定多个粗化点的粗化速度和/或粗化功率。其中，粗化速度可以理解为改变激光光束所在的位置的速度，比如每个粗化点照射1秒的时间，那么粗化速度可以表示为：1个粗化点/秒，即每秒照射一个粗化点。
其中，金属层的厚度可以由用户输入。对于金属层的厚度与激光器的粗化速度和粗化功率的关系，可以理解，粗化速度和粗化功率会影响每个粗化点所在的位置的粗化强度。比如：粗化速度越快，在每个粗化点上停留的照射时间越短，每个粗化点的粗化强度相对的也较小。粗化速度越慢，在每个粗化点上停留的照射时间越长，每个粗化点的粗化强度相对的较高。粗化功率越高，粗化的强度就越强，对应的粗化强度也越高。粗化功率越低，粗化的强度就越低，对应的粗化强度也越低。进一步地，不同的粗化会对金属层本身产生影响，比如假设金属层本身的厚度就不大，但是粗化强度过大，可能会将整个金属层给去掉，这种情况是需要避免的。再比如假设金属层本身的厚度较大，如果粗化强度过小，可能根本起不到粗化的效果，使整个封接孔的孔壁仍然比较光滑。因此，合理的根据金属层的厚度确定合适的粗化速度和/或粗化功率对于粗化效果来说是十分重要的。
进一步地，在根据金属层的厚度确定粗化速度和/或粗化功率时，总体上来说：若金属层的厚度较大，粗化速度相对较小，粗化功率相对较高；若金属层的厚度较小，粗化速度相对较大，粗化功率相对较小，具体的：假设金属层的厚度大于预设值，为了保证能够实现粗化的效果，粗化功率可以设置一个较常规的粗化功率，设置一个较小的粗化速度，增加每个粗化点上的停留时间，来提高粗化强度。或者粗化速度设置为常规值，设置一个较高的粗化功率，来提高粗化强度。假设金属层的厚度小于或者等于预设值，此时较低的粗化强度也能够实现孔壁的粗化，粗化功率可以设置一个较常规的粗化功率，设置一个较大的粗化速度，减少每个粗化点上的停留时间，快速地完成多个粗化点的粗化，实现粗化。或者粗化速度设置为常规值，设置一个较低的粗化功率，以降低激光器的消耗。再或者设置较大的粗化速度的同时，设置较小的粗化功率，在降低激光器的消耗的同时，快速地完成多个粗化点的粗化，实现粗化。
在上述两种情况中，较常规、较大、较小、较高、较低等各个程度的值，可以结合不同的激光器的型号具体决定。还可以预设与不同的金属层的厚度值对应的粗化功率和/或粗化速度的值，进而直接根据具体的厚度值确定对应的粗化功率和/或粗化速度。
在本申请实施例中，在确定多个粗化点后，还可以根据金属层的厚度确定多个粗化点的粗化速度和/或粗化功率，实现对金属层的粗化程度(强度)的控制，进而能够保证封装壳体的封接强度和封接气密性。
第二种可选的实施方式，处理指令中还包括孔壁的处理时间；在根据金属层的厚度确定多个粗化点的粗化速度和/或粗化功率后，该方法还包括：根据处理时间确定多个粗化点的激光粗化的脉冲时间，脉冲时间用于指示激光粗化的粗化周期。
其中，脉冲时间与粗化速度类似，都可以对每个粗化点粗化多长时间产生影响。不同的是，粗化速度是直接决定激光光束在每个粗化点上的停留时间，而粗化脉冲时间决定不同的粗化点之间的粗化时间的间隔，可理解为粗化光束的粗化频率(周期)。
孔壁的处理时间，也可以对金属层的粗化产生影响，合理的分配处理时间，保证金属层的均匀粗化。比如孔壁的处理时间一共为10S，现有5个粗化点，那么假设每个粗化点需要粗化1S，那么粗化需要的总时间为5S，那么剩余的5S即可分配到各个粗化点之间的粗化时间间隔上，即每两个粗化点之间的粗化时间间隔为1S，这1S可作为改变位置的时间，即从前一个粗化点的位置移动到第二个粗化点的位置需要花费的时间。通过确定激光粗化的脉冲时间后，激光器可以调整激光发射装置的移动速度。
在本申请实施例中，基于孔壁的处理时间，可以确定多个粗化点的脉冲时间(粗化周期)，即针对每个粗化点粗化多长时间，各个粗化点之间的粗化间隔时间，进而能够保证金属层的均匀粗化，提高封装壳体的封接强度和封接气密性。
第三种可选的实施方式，在根据孔壁的位置信息和孔壁上待粗化部位的位置信息确定孔壁对应的多个粗化点后，该方法还包括：根据孔壁的位置信息和孔壁上待粗化部位的位置信息确定多个粗化点的粗化角度。
在这种实施方式中，孔壁上的多个粗化点可能有的位于同一条水平线上，有的位于同一条竖直线上。假设粗化角度为基于激光发射装置的中心线的角度，同一条水平线或者同一条竖直线上的各个粗化点之间的粗化角度可能不需要改变，比如只需要将激光发射装置进行上下移动或者左右移动，就能完成同一条水平线或者同一竖直线上的各个粗化点的粗化。因此，为了提高粗化效率，可以预先对多个粗化点的粗化角度进行确定。进而在粗化时，可以基于每个粗化点的粗化角度对激光发射装置进行位置的调整，实现快速且准确地定位到各个粗化点上。
当确定粗化角度后，还可以依据粗化角度确定各个粗化点的粗化顺序，比如粗化角度相同的粗化点的粗化顺序可以是挨着的，这样就不用频繁的对粗化角度进行调整，只需要进行左右移动或者上下移动即可。
在本申请实施例中，由于孔壁在封装壳体上占据的面积较小，通过确定多个粗化点的粗化角度，实现针对待粗化部位进行激光粗化，进而保证粗化精度。
基于同一发明构思，本申请实施例中还提供封装壳体的制造方法，包括：获取初始的封装壳体，初始的封装壳体上设置有多个封接孔，多个封接孔的孔壁上覆盖有金属层；通过前述实施例中的封装壳体的处理方法对初始的封装壳体进行处理，得到处理好的封装壳体。
其中，初始的封装壳体可以理解为初步加工好的封装壳体，比如在封装壳体的基本外形上，已经开设有封接孔的封装壳体。但是如果直接将其进行运用，由于封接孔壁的金属层没有进行粗化处理，光滑的金属层会影响封装壳体的封接气密性和封接强度，因此需要进行处理，处理好的封装壳体的封接气密性和封接强度都较好。
在本申请实施例中，封装壳体的处理方法可以利用到封装壳体的制造中，使制造得到的封装壳体的封接强度和封接气密性较高。
基于同一发明构思，本申请实施例提供一种封装壳体，所述封装壳体为按照前述实施例中所述的封装壳体的制造方法进行制造得到的封装壳体。
在本申请实施例中，通过前述实施例中所述的封装壳体的制造方法进行制造得到的封装壳体的封接强度和封接气密性较高。
基于同一发明构思，接下来请参照图4，为本申请实施例提供的激光器200，包括处理器201和扫描器202。
处理器201可以是一种集成电路芯片，具有信号处理能力。该处理器201可以是通用处理器，包括中央处理器(Central Processing Unit，CPU)、网络处理器(NetworkProcessor，NP)等；还可以是数字信号处理器、专用集成电路、现成可编程门阵列或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。其可以实现或者执行本申请实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
扫描器202可以包括激光发射装置和发射控制装置，激光发射装置用于发射激光光束，发射控制装置用于控制激光发射装置改变粗化角度(粗化位置)来改变发射出的激光光束所粗化到的位置。
处理器201用于：获取封装壳体上的封接孔的处理指令；所述处理指令中包括所述封接孔的信息；所述封接孔的孔壁上覆盖有金属层；根据所述封接孔的信息确定所述封接孔的粗化策略。扫描器202用于：按照所述粗化策略对所述封接孔进行激光粗化，以使所述封接孔的孔壁上的金属层表面粗化。
可选的，处理器201具体用于：根据所述孔壁的位置信息和所述孔壁上待粗化部位的位置信息确定所述孔壁对应的多个粗化点。
可选的，处理器201具体还用于：根据所述金属层的厚度确定所述多个粗化点的粗化速度和/或粗化功率。
可选的，处理器201具体还用于：根据所述处理时间确定所述多个粗化点的激光粗化的脉冲时间，所述脉冲时间用于指示激光粗化的粗化周期。
可选的，处理器201具体还用于：根据所述孔壁的位置信息和所述孔壁上待粗化部位的位置信息确定所述多个粗化点的粗化角度。
前述实施例中的封装壳体的处理方法中的各实施方式和具体实例同样适用于图4的激光器200，通过前述对封装壳体的处理方法的详细描述，本领域技术人员可以清楚的知道图4中的激光器200的实施方法，所以为了说明书的简洁，在此不再详述。
本申请实施例还提供一种可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被计算机运行时执行上述任一实施方式的封装壳体的处理方法。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
再者，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种封装壳体的处理方法，其特征在于，应用于激光器，所述方法包括：
获取封装壳体上的封接孔的处理指令；所述处理指令中包括所述封接孔的信息；所述封接孔的孔壁上覆盖有金属层；所述封接孔的信息包括所述孔壁的位置信息和所述孔壁上待粗化部位的位置信息；
根据所述封接孔的信息确定所述封接孔的粗化策略；
按照所述粗化策略对所述封接孔进行激光粗化，以使所述封接孔的孔壁上的金属层表面粗化；
所述根据所述封接孔的信息确定所述封接孔的粗化策略，包括：
根据所述孔壁的位置信息和所述孔壁上待粗化部位的位置信息确定所述孔壁对应的多个粗化点。
2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述封接孔的信息还包括所述金属层的厚度，在所述根据所述孔壁的位置信息和所述孔壁上待粗化部位的位置信息确定所述孔壁对应的多个粗化点后，所述方法还包括：
根据所述金属层的厚度确定所述多个粗化点的粗化速度和/或粗化功率。
3.根据权利要求2所述的处理方法，其特征在于，所述处理指令中还包括所述孔壁的处理时间；在所述根据所述金属层的厚度确定所述多个粗化点的粗化速度和/或粗化功率后，所述方法还包括：
根据所述处理时间确定所述多个粗化点的激光粗化的脉冲时间，所述脉冲时间用于指示激光粗化的粗化周期。
4.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，在所述根据所述孔壁的位置信息和所述孔壁上待粗化部位的位置信息确定所述孔壁对应的多个粗化点后，所述方法还包括：
根据所述孔壁的位置信息和所述孔壁上待粗化部位的位置信息确定所述多个粗化点的粗化角度。
5.一种封装壳体的制造方法，其特征在于，包括：
获取初始的封装壳体，所述初始的封装壳体上设置有多个封接孔，所述多个封接孔的孔壁上覆盖有金属层；
通过权利要求1-4任一项所述的方法对所述初始的封装壳体进行处理，得到处理好的封装壳体。
6.一种封装壳体，其特征在于，所述封装壳体为按照权利要求5所述的制造方法进行制造得到的封装壳体。
7.一种激光器，其特征在于，包括：
处理器，用于：
获取封装壳体上的封接孔的处理指令；所述处理指令中包括所述封接孔的信息；所述封接孔的孔壁上覆盖有金属层；所述封接孔的信息包括所述孔壁的位置信息和所述孔壁上待粗化部位的位置信息；
根据所述封接孔的信息确定所述封接孔的粗化策略；
扫描器，用于按照所述粗化策略对所述封接孔进行激光粗化，以使所述封接孔的孔壁上的金属层表面粗化；
所述处理器具体用于：根据所述孔壁的位置信息和所述孔壁上待粗化部位的位置信息确定所述孔壁对应的多个粗化点。
8.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被计算机运行时执行如权利要求1-4任一项所述的方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
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Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202010376313.2A Active CN111540687B (zh) | 2020-05-07 | 2020-05-07 | 封装壳体及其处理方法、制造方法、激光器、存储介质 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN111540687B (zh) |
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| PB01 | Publication | ||
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