JP2015170675A - 板状物の加工方法 - Google Patents
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Abstract
Description
このような問題は、基板の上面に金属膜(TEG)やパシベーション膜等の積層体が形成されている板状物から積層体を除去する加工において全般的に起こり得る。
板状物の積層体を除去したい領域に積層体を破壊するが基板を破壊しないエネルギー密度に設定されたレーザー光線を照射し、積層体を除去して基板を露出せしめる基板露出工程を実施する、
ことを特徴とする板状物の加工方法が提供される。
上記板状物は基板の上面に複数のデバイスが複数の分割予定ラインによって区画されて形成された積層体を備えたウエーハであり、上記基板露出工程において分割予定ラインに沿って積層体を除去した後、分割予定ラインに沿って露出した基板を切断する切断工程を実施する。
先ず、半導体ウエーハ2を構成する基板20の裏面にダイシングテープを貼着し該ダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図2に示すように、環状のフレーム3の内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープ4の表面に半導体ウエーハ2を構成する基板20の裏面20bを貼着する。従って、ダイシングテープ4の表面に貼着された半導体ウエーハ2は、積層体である機能層21の表面21aが上側となる。
(加工条件1)
パルスレーザー光線の波長:355nm
繰り返し周波数 :200〜1000kHz
パルス幅 :1〜5ns
エネルギー密度 :0.6〜1.5J/cm2
スポット径 :φ40〜50μm
加工送り速度 :100〜400mm/秒
(加工条件2)
パルスレーザー光線の波長:532nm
繰り返し周波数 :10MHz
パルス幅 :10ps
エネルギー密度 :0.13〜0.2J/cm2
スポット径 :φ40〜50μm
加工送り速度 :500mm/秒
この基板露出工程を半導体ウエーハ2に形成された全ての分割予定ライン23に沿って実施する。
切削ブレード :外径50mm、厚み30μm
切削ブレードの回転速度:20000rpm
切削送り速度 :50mm/秒
20:基板
21:機能層
22:デバイス
23:分割予定ライン
5:機能層除去工程を実施するレーザー加工装置
51:チャックテーブル
52:レーザー光線照射手段
525:集光器
6:切削装置
61:チャックテーブル
62:切削手段
623:切削ブレード
Claims (3)
- 基板と該基板の表面に形成された積層体とからなる板状物を加工する板状物の加工方法であって、
板状物の積層体を除去したい領域に積層体を破壊するが基板を破壊しないエネルギー密度に設定されたレーザー光線を照射し、積層体を除去して基板を露出せしめる基板露出工程を実施する、
ことを特徴とする板状物の加工方法。 - 該基板露出工程において照射するレーザー光線は、集光点を板状物を構成する積層体上面より上側に位置付けた集光スポットで積層体の上面に照射する、請求項1記載の板状物の加工方法。
- 該板状物は基板の上面に複数のデバイスが複数の分割予定ラインによって区画されて形成された積層体を備えたウエーハであり、該基板露出工程において分割予定ラインに沿って積層体を除去した後、分割予定ラインに沿って露出した基板を切断する切断工程を実施する、請求項1又は2記載の板状物の加工方法。
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