JP2016018881A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
ウエーハの加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016018881A JP2016018881A JP2014140432A JP2014140432A JP2016018881A JP 2016018881 A JP2016018881 A JP 2016018881A JP 2014140432 A JP2014140432 A JP 2014140432A JP 2014140432 A JP2014140432 A JP 2014140432A JP 2016018881 A JP2016018881 A JP 2016018881A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- substrate
- along
- modified layer
- division
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 52
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 44
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 12
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000013316 zoning Methods 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 65
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Abstract
【解決手段】基板の表面に積層された機能層が格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画され、該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、機能層に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を分割予定ラインに幅方向中央の両側に沿って照射し、少なくとも2本のレーザー加工溝を形成することにより機能層を分割予定ラインに沿って分断するレーザー加工溝形成工程と、基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面側から分割予定ラインに沿って照射し、基板の内部に分割予定ラインに沿って破断起点となる改質層を形成する改質層形成工程とを含む。
【選択図】図5
Description
機能層に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を分割予定ラインに幅方向中央の両側に沿って照射し、少なくとも2本のレーザー加工溝を形成することにより機能層を分割予定ラインに沿って分断するレーザー加工溝形成工程と、
基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面側から分割予定ラインに沿って照射し、基板の内部に分割予定ラインに沿って破断起点となる改質層を形成する改質層形成工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
また、上記改質層形成工程を実施する前または実施した後にウエーハの機能層の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、該保護部材貼着工程が実施された後にウエーハの基板の裏面を研削して所定の厚みに形成するとともにウエーハを改質層を破断起点として分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、ウエーハの基板の裏面にダイシングテープを貼着しダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するとともにウエーハの機能層の表面に貼着されている保護部材を剥離するウエーハ支持工程とを実施する。
先ず、上述した図2に示すレーザー加工装置3のチャックテーブル31上に半導体ウエーハ2を構成する基板20の裏面20b側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ2をチャックテーブル31上に保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル31に保持された半導体ウエーハ2は、機能層21の表面21aが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル31は、図示しない加工送り手段によって撮像手段33の直下に位置付けられる。
レーザー光線の波長 :355nm
平均出力 :2W
繰り返し周波数 :200kHz
集光スポット径 :φ6μm
加工送り速度 :500mm/秒
上述した改質層形成工程を半導体ウエーハ2に形成された全ての分割予定ライン23に沿って実施する。
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4スレーザー
波長 :1064nm
出力 :0.5W
繰り返し周波数 :100kHz
集光スポット径 :φ1μm
加工送り速度 :200mm/秒
先ず、上述した改質層形成工程が実施された半導体ウエーハ2を構成する機能層21の表面21aに保護部材を貼着する保護部材貼着工程を実施する。即ち、図10に示すように半導体ウエーハ2を構成する機能層21に形成されたデバイス22を保護するために、半導体ウエーハ2を構成する機能層21の表面21aに保護部材としての保護テープ5を貼着する。この保護テープ5は、図示の実施形態においては厚さが100μmのポリ塩化ビニル(PVC)からなるシート状基材の表面にアクリル樹脂系の糊が厚さ5μm程度塗布されている。なお、保護部材貼着工程は、上述した改質層形成工程を実施する前に実施してもよい。
20:基板
21:機能層
22:デバイス
23:分割予定ライン
3:レーザー加工溝形成工程を実施するレーザー加工装置
30:改質層形成工程を実施するレーザー加工装置
31:チャックテーブル
32:レーザー光線照射手段
322:集光器
4:テープ拡張装置
41:フレーム保持手段
42:テープ拡張手段
43:ピックアップコレット
5:保護テープ
6:研削装置
61:チャックテーブル
62:研削手段
66:研削ホイール
F:環状のフレーム
T:ダイシングテープ
Claims (3)
- 基板の表面に積層された機能層が格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画され、該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
機能層に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を分割予定ラインに幅方向中央の両側に沿って照射し、少なくとも2本のレーザー加工溝を形成することにより機能層を分割予定ラインに沿って分断するレーザー加工溝形成工程と、
基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面側から分割予定ラインに沿って照射し、基板の内部に分割予定ラインに沿って破断起点となる改質層を形成する改質層形成工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。 - 該改質層形成工程を実施した後に、ウエーハの基板の裏面にダイシングテープを貼着しダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程と、ダイシングテープを介してウエーハに外力を付与することによりウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程を実施する、請求項1記載のウエーハの加工方法。
- 該改質層形成工程を実施する前または実施した後にウエーハの機能層の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、該保護部材貼着工程が実施された後にウエーハの基板の裏面を研削して所定の厚みに形成するとともにウエーハを改質層を破断起点として分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、ウエーハの基板の裏面にダイシングテープを貼着しダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するとともにウエーハの機能層の表面に貼着されている保護部材を剥離するウエーハ支持工程とを実施する、請求項1記載のウエーハの加工方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014140432A JP6305853B2 (ja) | 2014-07-08 | 2014-07-08 | ウエーハの加工方法 |
TW104116803A TWI650809B (zh) | 2014-07-08 | 2015-05-26 | 晶圓之加工方法 |
KR1020150088915A KR102272434B1 (ko) | 2014-07-08 | 2015-06-23 | 웨이퍼의 가공 방법 |
CN201510358142.XA CN105261560B (zh) | 2014-07-08 | 2015-06-25 | 晶片的加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014140432A JP6305853B2 (ja) | 2014-07-08 | 2014-07-08 | ウエーハの加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016018881A true JP2016018881A (ja) | 2016-02-01 |
JP6305853B2 JP6305853B2 (ja) | 2018-04-04 |
Family
ID=55101190
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014140432A Active JP6305853B2 (ja) | 2014-07-08 | 2014-07-08 | ウエーハの加工方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6305853B2 (ja) |
KR (1) | KR102272434B1 (ja) |
CN (1) | CN105261560B (ja) |
TW (1) | TWI650809B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108735666A (zh) * | 2017-04-21 | 2018-11-02 | 株式会社迪思科 | 被加工物的加工方法 |
JP7154860B2 (ja) | 2018-07-31 | 2022-10-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
WO2023145116A1 (ja) * | 2022-01-25 | 2023-08-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6608713B2 (ja) * | 2016-01-19 | 2019-11-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6721420B2 (ja) * | 2016-06-02 | 2020-07-15 | 株式会社ディスコ | 漏れ光検出方法 |
JP6731793B2 (ja) * | 2016-06-08 | 2020-07-29 | 株式会社ディスコ | ウェーハ加工システム |
JP6749727B2 (ja) * | 2016-10-14 | 2020-09-02 | 株式会社ディスコ | 検査用ウエーハ及び検査用ウエーハの使用方法 |
JP6760820B2 (ja) * | 2016-11-01 | 2020-09-23 | 株式会社ディスコ | スクラッチ検出方法 |
KR102399356B1 (ko) * | 2017-03-10 | 2022-05-19 | 삼성전자주식회사 | 기판, 기판의 쏘잉 방법, 및 반도체 소자 |
CN108381042A (zh) * | 2018-03-23 | 2018-08-10 | 伊欧激光科技(苏州)有限公司 | 晶片加工系统及晶片加工方法 |
JP7027234B2 (ja) * | 2018-04-16 | 2022-03-01 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP7139037B2 (ja) * | 2018-05-11 | 2022-09-20 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
CN116213967A (zh) * | 2018-12-21 | 2023-06-06 | 东京毅力科创株式会社 | 周缘去除装置和周缘去除方法 |
US20220040799A1 (en) * | 2018-12-21 | 2022-02-10 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
CN111618439A (zh) * | 2019-02-28 | 2020-09-04 | 三星钻石工业株式会社 | 半导体衬底的切割方法及装置和覆膜除去方法及装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011187479A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Disco Corp | ウエーハの加工方法 |
JP2012024784A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Disco Corp | 光学装置およびこれを備えるレーザー加工装置 |
JP2012089709A (ja) * | 2010-10-20 | 2012-05-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ワークの分割方法 |
JP2014099522A (ja) * | 2012-11-15 | 2014-05-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の加工方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3408805B2 (ja) | 2000-09-13 | 2003-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法 |
JP4571850B2 (ja) * | 2004-11-12 | 2010-10-27 | 東京応化工業株式会社 | レーザーダイシング用保護膜剤及び該保護膜剤を用いたウエーハの加工方法 |
JP4750427B2 (ja) * | 2005-01-13 | 2011-08-17 | 株式会社ディスコ | ウエーハのレーザー加工方法 |
US7955955B2 (en) * | 2007-05-10 | 2011-06-07 | International Business Machines Corporation | Using crack arrestor for inhibiting damage from dicing and chip packaging interaction failures in back end of line structures |
JP2009021476A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP5284651B2 (ja) * | 2008-01-29 | 2013-09-11 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP5770446B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2015-08-26 | 株式会社ディスコ | 分割方法 |
JP5608521B2 (ja) * | 2010-11-26 | 2014-10-15 | 新光電気工業株式会社 | 半導体ウエハの分割方法と半導体チップ及び半導体装置 |
JP2012199399A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Panasonic Corp | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP5995428B2 (ja) * | 2011-11-11 | 2016-09-21 | 株式会社ディスコ | カバー付きチップの製造方法 |
US8669166B1 (en) * | 2012-08-15 | 2014-03-11 | Globalfoundries Inc. | Methods of thinning and/or dicing semiconducting substrates having integrated circuit products formed thereon |
JP2014069981A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板加工装置及び基板加工方法 |
US9040389B2 (en) * | 2012-10-09 | 2015-05-26 | Infineon Technologies Ag | Singulation processes |
-
2014
- 2014-07-08 JP JP2014140432A patent/JP6305853B2/ja active Active
-
2015
- 2015-05-26 TW TW104116803A patent/TWI650809B/zh active
- 2015-06-23 KR KR1020150088915A patent/KR102272434B1/ko active IP Right Grant
- 2015-06-25 CN CN201510358142.XA patent/CN105261560B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011187479A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Disco Corp | ウエーハの加工方法 |
JP2012024784A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Disco Corp | 光学装置およびこれを備えるレーザー加工装置 |
JP2012089709A (ja) * | 2010-10-20 | 2012-05-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ワークの分割方法 |
JP2014099522A (ja) * | 2012-11-15 | 2014-05-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の加工方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108735666A (zh) * | 2017-04-21 | 2018-11-02 | 株式会社迪思科 | 被加工物的加工方法 |
CN108735666B (zh) * | 2017-04-21 | 2023-10-27 | 株式会社迪思科 | 被加工物的加工方法 |
JP7154860B2 (ja) | 2018-07-31 | 2022-10-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
WO2023145116A1 (ja) * | 2022-01-25 | 2023-08-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI650809B (zh) | 2019-02-11 |
JP6305853B2 (ja) | 2018-04-04 |
KR102272434B1 (ko) | 2021-07-01 |
TW201603130A (zh) | 2016-01-16 |
KR20160006109A (ko) | 2016-01-18 |
CN105261560B (zh) | 2019-09-17 |
CN105261560A (zh) | 2016-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6305853B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6078376B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5307612B2 (ja) | 光デバイスウエーハの加工方法 | |
JP4959422B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP5595716B2 (ja) | 光デバイスウエーハの加工方法 | |
KR101418613B1 (ko) | 웨이퍼 분할 방법 | |
JP6189208B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5992731B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2009182178A (ja) | デバイスの製造方法 | |
JP2008294191A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2011187479A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2009272421A (ja) | デバイスの製造方法 | |
JP2017107921A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2009200140A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
JP2014143285A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2011091293A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
KR20180050225A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP2008042110A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
KR20170049397A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP2006040988A (ja) | ウエーハの分割方法および分割装置 | |
JP2011151070A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6234312B2 (ja) | 積層基板の加工方法 | |
JP2008311404A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2016086089A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2015023135A (ja) | ウエーハの加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170516 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180220 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180307 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6305853 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |