JP5770446B2 - 分割方法 - Google Patents
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Description
また本発明は、上記分割方法において、前記切削ブレードの先端形状は、前記切削溝の底面側方に形成される面を広くとるように、レーザースポット径と略同一の幅の平坦面を有するように形成されている。
(位置情報)
サファイアウェーハの厚みa:100[μm]
サファイアウェーハの裏面からの切り込み量b:10[μm]
切削溝の平坦面から改質層までの間隔c:5〜10[μm]
改質層の寸法d:20〜25[μm]
サファイアウェーハの裏面からの集光位置e:40[μm]
(切削加工条件)
ブレードの種類:ダイヤモンド砥粒を使用したニッケルメッキブレード
砥粒の粒径:2000番
ブレード回転数:20000[rpm]
加工送り速度:100[mm/s]
(レーザー加工条件)
波長:1064波長[nm]
繰り返し周波数:100[kHz]
出力:0.3[W]
加工送り速度:400[mm/s]
103 チャックテーブル
111 切削ブレード
131 環状フレーム
132 ダイシングテープ
201 レーザー加工装置
206 レーザー加工ユニット
208 チャックテーブル
301 テープ拡張装置
311 環状テーブル
321 拡張ドラム
401 切削溝
401a 平坦面
401b 曲面
402 改質層
403 予備溝
411 発光デバイス
412 発光層
413 サファイア層
Wa 表面
Wb 裏面
W サファイアウェーハ
Claims (4)
- 分割予定ラインによって区画された領域の表面側に発光層が形成されたサファイアウェーハを前記分割予定ラインに沿って分割する分割方法であって、
前記サファイアウェーハの裏面側から前記分割予定ラインに沿ってサファイアを透過する波長のレーザービームを照射することによって前記分割予定ラインに沿って厚み方向中央から裏面に近い位置に寸法20μm以上、25μm以下の改質層を形成する改質層形成工程と、
50μm以上、100μm以下のブレード幅の切削ブレードによって前記サファイアウェーハの裏面側から切削することによって前記分割予定ラインに沿って切削溝を形成して面取り加工を施す切削溝形成工程と、
前記改質層形成工程及び前記切削溝形成工程の後に前記改質層及び前記切削溝の頂点を起点として前記分割予定ラインに沿って前記サファイアウェーハを分割する分割工程と、を含み、
前記切削溝形成工程において、前記切削溝の底面側方に形成される面は、曲面または前記サファイアウェーハの裏面に対して平行又は垂直でない平面であることを特徴とする分割方法。 - 前記切削溝形成工程の前に、
レーザービームを照射してアブレーション加工を施すことによって前記サファイアウェーハの裏面側から前記分割予定ラインに沿って予備溝を形成する予備溝形成工程を含み、
前記切削溝形成工程では、前記予備溝を前記切削ブレードで仕上げ加工することで、前記分割予定ラインに沿って前記切削溝を形成して面取り加工を施すことを特徴とする請求項1に記載の分割方法。 - 前記切削溝形成工程によって前記切削溝を形成した後に、
前記改質層形成工程によって前記改質層を形成することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の分割方法。 - 前記切削ブレードの先端形状は、前記切削溝の底面側方に形成される面を広くとるように、レーザースポット径と略同一の幅の平坦面を有するように形成されたことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の分割方法。
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