JP6305853B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Description
機能層に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を分割予定ラインに幅方向中央の両側に沿って照射し、少なくとも2本のレーザー加工溝を形成することにより機能層を分割予定ラインに沿って分断するレーザー加工溝形成工程と、
基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面側から分割予定ラインに沿って照射し、基板の内部に分割予定ラインに沿って破断起点となる改質層を形成する改質層形成工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
また、上記改質層形成工程を実施する前または実施した後にウエーハの機能層の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、該保護部材貼着工程が実施された後にウエーハの基板の裏面を研削して所定の厚みに形成するとともにウエーハを改質層を破断起点として分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、ウエーハの基板の裏面にダイシングテープを貼着しダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するとともにウエーハの機能層の表面に貼着されている保護部材を剥離するウエーハ支持工程とを実施する。
先ず、上述した図2に示すレーザー加工装置3のチャックテーブル31上に半導体ウエーハ2を構成する基板20の裏面20b側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ2をチャックテーブル31上に保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル31に保持された半導体ウエーハ2は、機能層21の表面21aが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル31は、図示しない加工送り手段によって撮像手段33の直下に位置付けられる。
レーザー光線の波長 :355nm
平均出力 :2W
繰り返し周波数 :200kHz
集光スポット径 :φ6μm
加工送り速度 :500mm/秒
上述した改質層形成工程を半導体ウエーハ2に形成された全ての分割予定ライン23に沿って実施する。
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4スレーザー
波長 :1064nm
出力 :0.5W
繰り返し周波数 :100kHz
集光スポット径 :φ1μm
加工送り速度 :200mm/秒
先ず、上述した改質層形成工程が実施された半導体ウエーハ2を構成する機能層21の表面21aに保護部材を貼着する保護部材貼着工程を実施する。即ち、図10に示すように半導体ウエーハ2を構成する機能層21に形成されたデバイス22を保護するために、半導体ウエーハ2を構成する機能層21の表面21aに保護部材としての保護テープ5を貼着する。この保護テープ5は、図示の実施形態においては厚さが100μmのポリ塩化ビニル(PVC)からなるシート状基材の表面にアクリル樹脂系の糊が厚さ5μm程度塗布されている。なお、保護部材貼着工程は、上述した改質層形成工程を実施する前に実施してもよい。
20:基板
21:機能層
22:デバイス
23:分割予定ライン
3:レーザー加工溝形成工程を実施するレーザー加工装置
30:改質層形成工程を実施するレーザー加工装置
31:チャックテーブル
32:レーザー光線照射手段
322:集光器
4:テープ拡張装置
41:フレーム保持手段
42:テープ拡張手段
43:ピックアップコレット
5:保護テープ
6:研削装置
61:チャックテーブル
62:研削手段
66:研削ホイール
F:環状のフレーム
T:ダイシングテープ
Claims (3)
- 基板の表面に積層された機能層が格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画され、該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
機能層に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を分割予定ラインに幅方向中央の両側に沿って照射し、少なくとも2本のレーザー加工溝を形成することにより機能層を分割予定ラインに沿って分断するレーザー加工溝形成工程と、
基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面側から分割予定ラインに沿って照射し、基板の内部に分割予定ラインに沿って破断起点となる改質層を形成する改質層形成工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。 - 該改質層形成工程を実施した後に、ウエーハの基板の裏面にダイシングテープを貼着しダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程と、ダイシングテープを介してウエーハに外力を付与することによりウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程を実施する、請求項1記載のウエーハの加工方法。
- 該改質層形成工程を実施する前または実施した後にウエーハの機能層の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、該保護部材貼着工程が実施された後にウエーハの基板の裏面を研削して所定の厚みに形成するとともにウエーハを改質層を破断起点として分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、ウエーハの基板の裏面にダイシングテープを貼着しダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するとともにウエーハの機能層の表面に貼着されている保護部材を剥離するウエーハ支持工程とを実施する、請求項1記載のウエーハの加工方法。
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