JP2016086089A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
ウエーハの加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016086089A JP2016086089A JP2014218201A JP2014218201A JP2016086089A JP 2016086089 A JP2016086089 A JP 2016086089A JP 2014218201 A JP2014218201 A JP 2014218201A JP 2014218201 A JP2014218201 A JP 2014218201A JP 2016086089 A JP2016086089 A JP 2016086089A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- protective member
- processing
- semiconductor wafer
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 65
- 238000002679 ablation Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 54
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Abstract
【課題】ウエーハをアブレーション加工する際に、生産性が良好でデバイスの表面を確実に保護することができるとともに経済的であるウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】表面に複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、デバイスを区画する複数の分割予定ラインに沿って加工するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、保護部材に対して透過性を有するとともにウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を保護部材側から照射することにより、ウエーハに分割予定ラインに沿ってアブレーション加工を施してレーザー加工溝を形成するレーザー加工工程とを含み、レーザー加工工程においては、アブレーション加工によって生じるデブリのデバイスへの付着が保護部材によって防止される。
【選択図】図7
【解決手段】表面に複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、デバイスを区画する複数の分割予定ラインに沿って加工するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、保護部材に対して透過性を有するとともにウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を保護部材側から照射することにより、ウエーハに分割予定ラインに沿ってアブレーション加工を施してレーザー加工溝を形成するレーザー加工工程とを含み、レーザー加工工程においては、アブレーション加工によって生じるデブリのデバイスへの付着が保護部材によって防止される。
【選択図】図7
Description
本発明は、表面に複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、デバイスを区画する複数の分割予定ラインに沿って加工するウエーハの加工方法に関する。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。このように形成された半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することにより、デバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。
半導体ウエーハ等のウエーハを分割予定ラインに沿って分割する方法として、ウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射することによりアブレーション加工を施してレーザー加工溝を形成し、この破断起点となるレーザー加工溝が形成された分割予定ラインに沿って外力を付与することにより割断する技術が実用化されている(例えば、特許文献1参照)。
また、近時においては、IC、LSI等の半導体チップの処理能力を向上するために、シリコン等の基板の表面にSiOF、BSG(SiOB)等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜(Low−k膜)が積層された機能層によって半導体デバイスを形成せしめた形態の半導体ウエーハが実用化されている。このような半導体ウエーハにおいては、分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することにより、機能層を除去している(例えば、特許文献2参照)。
しかるに、ウエーハの分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射すると、照射された領域に熱エネルギーが集中してデブリが発生し、このデブリがデバイスの表面に付着してデバイスの品質を低下させるという新たな問題が生じる。このデブリによる問題を解消するために、ウエーハの表面にポリビニルアルコール等の保護膜を被覆し、保護膜を通してウエーハにレーザー光線を照射するようにした技術が提案されている(例えば、特許文献3参照)。
而して、ウエーハの表面にポリビニルアルコール等の保護膜を被覆してレーザー加工を実施した後、ウエーハの表面を洗浄して保護膜を除去するとともに、乾燥する作業が必要となり生産性が悪いという問題がある。
また、デバイスの表面にバンプと呼ばれる50〜100μmの突起からなる電極が形成されているウエーハにおいては、バンプの頭が保護膜から突出しデブリがバンプの頭に付着して電気的導通不良が生じるという問題がある。
更に、保護膜はスピンナーテーブルに保持されたウエーハの中央部にポリビニルアルコール等の液状樹脂を滴下し、スピンナーテーブルを回転することによりウエーハに働く遠心力によって液状樹脂を外周に移動して形成するので、ウエーハの表面に付着して保護膜を形成できる液状樹脂は、供給される液状樹脂の5%前後であり、95%が捨てられることから不経済であるという問題がある。
また、デバイスの表面にバンプと呼ばれる50〜100μmの突起からなる電極が形成されているウエーハにおいては、バンプの頭が保護膜から突出しデブリがバンプの頭に付着して電気的導通不良が生じるという問題がある。
更に、保護膜はスピンナーテーブルに保持されたウエーハの中央部にポリビニルアルコール等の液状樹脂を滴下し、スピンナーテーブルを回転することによりウエーハに働く遠心力によって液状樹脂を外周に移動して形成するので、ウエーハの表面に付着して保護膜を形成できる液状樹脂は、供給される液状樹脂の5%前後であり、95%が捨てられることから不経済であるという問題がある。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ウエーハをアブレーション加工する際に、生産性が良好でデバイスの表面を確実に保護することができるとともに経済的であるウエーハの加工方法を提供することである。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、該デバイスを区画する複数の分割予定ラインに沿って加工するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
保護部材に対して透過性を有するとともにウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を保護部材側から照射することにより、ウエーハに分割予定ラインに沿ってアブレーション加工を施してレーザー加工溝を形成するレーザー加工工程と、を含み、
該レーザー加工工程においては、アブレーション加工によって生じるデブリのデバイスへの付着が保護部材によって防止される、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
保護部材に対して透過性を有するとともにウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を保護部材側から照射することにより、ウエーハに分割予定ラインに沿ってアブレーション加工を施してレーザー加工溝を形成するレーザー加工工程と、を含み、
該レーザー加工工程においては、アブレーション加工によって生じるデブリのデバイスへの付着が保護部材によって防止される、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
上記保護部材貼着工程を実施した後、上記レーザー加工工程を実施する前に、保護部材側を研削装置の保持手段の保持面に保持し、ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する研削工程を実施する。
上記保護部材はアクリル系樹脂シートにアクリル系樹脂粘着層が敷設して構成され、ウエーハはシリコンウエーハからなり、レーザー光線は波長が355nmに設定されている。
上記保護部材はアクリル系樹脂シートにアクリル系樹脂粘着層が敷設して構成され、ウエーハはシリコンウエーハからなり、レーザー光線は波長が355nmに設定されている。
本発明によるウエーハの加工方法においては、ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、保護部材に対して透過性を有するとともにウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を保護部材側から照射することにより、ウエーハに分割予定ラインに沿ってアブレーション加工を施してレーザー加工溝を形成するレーザー加工工程と、を含み、該レーザー加工工程においては、アブレーション加工によって生じるデブリのデバイスへの付着が保護部材によって防止されるので、保護部材をウエーハの表面から剥離する必要はあるが、レーザー加工工程を実施した後にウエーハの表面を洗浄して保護膜を除去するとともに乾燥する作業が不要となり生産性が向上する。
また、本発明によるウエーハの加工方法においては、ウエーハの表面に保護部材を貼着するので、デバイスの表面にバンプと呼ばれる50〜100μmの突起からなる電極が形成されているウエーハであってもバンプの頭を確実に保護することができ、デブリがバンプの頭に付着して電気的導通不良が生じるという問題が解消する。
更に、本発明によるウエーハの加工方法においては、ウエーハの表面に対応する面積を有する保護部材を貼着すればよいので、液状樹脂によってウエーハの表面に保護膜を形成する状来の方法のようにウエーハに供給された液状樹脂の95%が捨てられることがなく不経済であるという問題が解消する。
また、本発明によるウエーハの加工方法においては、ウエーハの表面に保護部材を貼着するので、デバイスの表面にバンプと呼ばれる50〜100μmの突起からなる電極が形成されているウエーハであってもバンプの頭を確実に保護することができ、デブリがバンプの頭に付着して電気的導通不良が生じるという問題が解消する。
更に、本発明によるウエーハの加工方法においては、ウエーハの表面に対応する面積を有する保護部材を貼着すればよいので、液状樹脂によってウエーハの表面に保護膜を形成する状来の方法のようにウエーハに供給された液状樹脂の95%が捨てられることがなく不経済であるという問題が解消する。
以下、本発明によるウエーハの加工方法について添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
図1には、本発明に従って加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図1に示す半導体ウエーハ2は、厚みが例えば500μmのシリコンウエーハからなっており、表面2aに複数の分割予定ライン21が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン21によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス22が形成されている。以下、この半導体ウエーハ2をデバイスを区画する複数の分割予定ライン21に沿って加工するウエーハの加工方法について説明する。
先ず、半導体ウエーハ2の表面2aに形成されたデバイス22を保護するために、半導体ウエーハ2の表面2aに保護部材を貼着する保護部材貼着工程を実施する。即ち、図2に示すように半導体ウエーハ2の表面2aに保護部材としての保護テープ3を貼着する。なお、保護テープ3は、図示の実施形態においては厚さが100μmのアクリル系樹脂シートの表面にアクリル系樹脂粘着層31が厚さ5μm程度敷設されている。
上述した保護部材貼着工程を実施したならば、保護テープ3側を研削装置の保持手段の保持面に保持し、半導体ウエーハ2の裏面を研削して所定の厚みに形成する研削工程を実施する。この研削工程は、図3に示す研削装置4を用いて実施する。図3に示す研削装置4は、被加工物を保持する被加工物保持手段としてのチャックテーブル41と、該チャックテーブル41に保持された被加工物を研削する研削手段42を具備している。チャックテーブル41は、保持面である上面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない回転駆動機構によって図3において矢印41aで示す方向に回転せしめられる。研削手段42は、スピンドルハウジング421と、該スピンドルハウジング421に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル422と、該回転スピンドル422の下端に装着されたマウンター423と、該マウンター423の下面に取り付けられた研削ホイール424とを具備している。この研削ホイール424は、円環状の基台425と、該基台425の下面に環状に装着された研削砥石426とからなっており、基台425がマウンター423の下面に締結ボルト427によって取り付けられている。
上述した研削装置4を用いて上記研削工程を実施するには、図3に示すようにチャックテーブル41の上面(保持面)に上記半導体ウエーハ2の保護テープ3側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル41上に半導体ウエーハ2を保護テープ3を介して吸着保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル41上に保持された半導体ウエーハ2は、裏面2bが上側となる。このようにチャックテーブル41上に半導体ウエーハ2を保護テープ3を介して吸引保持したならば、チャックテーブル41を図3において矢印41aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削手段42の研削ホイール424を図3において矢印424aで示す方向に例えば6000rpmで回転せしめて、図3に示すように研削砥石426を被加工面である半導体ウエーハ2の裏面2bに接触せしめ、研削ホイール424を図3および図4において矢印424bで示すように例えば1μm/秒の研削送り速度で下方(チャックテーブル41の保持面に対し垂直な方向)に所定量研削送りする。この結果、半導体ウエーハ2の裏面2bが研削されて半導体ウエーハ2は所定の厚み(例えば200μm)に形成される。
上述した研削工程を実施したならば、半導体ウエーハ2の裏面2bにダイシングテープを貼着しダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図5の(a)および(b)に示すように上記研削工程が実施された半導体ウエーハ2の裏面2bを環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着する。従って、ダイシングテープTに貼着された半導体ウエーハ2の表面に貼着されている保護テープ3が上側となる。なお、図5の(a)および(b)に示す実施形態においては、環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに半導体ウエーハ2の裏面2bを貼着する例を示したが、半導体ウエーハ2の裏面2bにダイシングテープTを貼着するとともにダイシングテープTの外周部を環状のフレームFに同時に装着してもよい。
次に、保護部材としての保護テープ3に対して透過性を有するとともに半導体ウエーハ2に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を保護部材側から照射することにより、半導体ウエーハ2に分割予定ラインに沿ってアブレーション加工を施してレーザー加工溝を形成するレーザー加工工程を実施する。このレーザー加工工程は図6に示すレーザー加工装置5を用いて実施する。図6に示すレーザー加工装置5は、被加工物を保持する被加工物保持手段としてのチャックテーブル51と、該チャックテーブル51の上面である保持面上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段52と、チャックテーブル51上に保持された被加工物を撮像する撮像手段53を具備している。チャックテーブル51は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図6において矢印Xで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図6において矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
上記レーザー光線照射手段52は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング521を含んでいる。ケーシング521内には図示しないパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング521の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器522が装着されている。なお、レーザー光線照射手段52は、集光器522によって集光されるパルスレーザー光線の集光点位置を調整するための集光点位置調整手段(図示せず)を備えている。
上記レーザー光線照射手段52を構成するケーシング521の先端部に装着された撮像手段53は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子(CCD)等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
上述したレーザー加工装置5を用いて、保護部材に対して透過性を有するとともに半導体ウエーハ2に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を保護部材側から照射することにより、半導体ウエーハ2に分割予定ラインに沿ってアブレーション加工を施してレーザー加工溝を形成するレーザー加工工程を実施するには、先ず、上述したウエーハ支持工程が実施され半導体ウエーハ2のダイシングテープT側をチャックテーブル51上に載置する。図示しない吸引手段を作動することにより、ダイシングテープTを介して半導体ウエーハ2をチャックテーブル51上に吸引保持する(ウエーハ保持工程)。従って、半導体ウエーハ2の表面に貼着されている保護部材としての保護テープ3が上側となる。なお、図6においてはダイシングテープTが装着された環状のフレームFを省いて示しているが、環状のフレームFはチャックテーブル51に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。このようにして、半導体ウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル51は、図示しない加工送り手段によって撮像手段53の直下に位置付けられる。
チャックテーブル51が撮像手段53の直下に位置付けられると、撮像手段53および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ2のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段53および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ2の所定方向に形成されている分割予定ライン21と、該分割予定ライン21に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段52の集光器522との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する(アライメント工程)。また、半導体ウエーハ2に上記所定方向と直交する方向に形成された分割予定ライン21に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。なお、アライメントにおいては分割予定ライン21が形成されている半導体ウエーハ2の表面には保護テープ3が貼着されているが、撮像手段53は半透明体である保護テープ3を通して分割予定ライン21を撮像することができる。
上述したアライメント工程を実施したならば、図7で示すようにチャックテーブル51をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段52の集光器522が位置するレーザー光線照射領域に移動し、図7の(a)で示すように半導体ウエーハ2に形成された所定の分割予定ライン21の一端(図7の(a)において左端)が集光器522の直下に位置するように位置付ける。次に、レーザー光線照射手段52の集光器522から保護テープ3に対して透過性を有するとともにシリコンウエーハからなる半導体ウエーハ2に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル51を図7の(a)において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる(レーザー加工工程)。そして、図7の(b)で示すように分割予定ライン21の他端(図7の(b)において右端)が集光器522の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル51の移動を停止する。このレーザー加工工程においては、パルスレーザー光線の集光点Pを分割予定ライン21の表面付近に合わせる。
上述したレーザー加工工程を実施することにより、半導体ウエーハ2には図7の(c)に示すように分割予定ライン21に沿ってアブレーション加工が施されレーザー加工溝23が形成される。このレーザー加工工程を実施する際に半導体ウエーハ2の表面には保護テープ3が貼着されているので、アブレーション加工によって生じるデブリ24のデバイスへの付着が保護テープ3によって防止される。そして、上述したレーザー加工工程を半導体ウエーハ2に形成された全ての分割予定ライン21に沿って実施する。
なお、上記レーザー加工工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
レーザー光線の波長 :355nm(YAGレーザー)
平均出力 :3W
繰り返し周波数 :200kHz
集光スポット径 :φ10μm
加工送り速度 :200mm/秒
レーザー光線の波長 :355nm(YAGレーザー)
平均出力 :3W
繰り返し周波数 :200kHz
集光スポット径 :φ10μm
加工送り速度 :200mm/秒
上述したレーザー加工工程を実施したならば、図8(a)に示すように半導体ウエーハ2の表面に貼着されている保護部材としての保護テープ3を剥離する保護部材剥離工程を実施する。このようにして半導体ウエーハ2の表面から剥離された保護テープ3の粘着層31には、図8(b)に示すように上記レーザー加工工程においてパルスレーザー光線を照射することにより発生したデブリ24が付着されている。このように、上記レーザー加工工程においてパルスレーザー光線を照射することにより発生したデブリ24が保護テープ3の粘着層31に付着して除去されるので、半導体ウエーハ2の表面に形成されたデバイス22に付着することはない。
次に、半導体ウエーハ2が貼着されているダイシングテープTを拡張して半導体ウエーハ2を破断起点となるレーザー加工溝23が形成された分割予定ライン21に沿って個々のデバイスに分割するデバイス分離工程を実施する。このデバイス分離工程は、図9に示すデバイス分離装置6を用いて実施する。図9に示すデバイス分離装置6は、上記環状のフレームFを保持するフレーム保持手段61と、該フレーム保持手段61に保持された環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを拡張するテープ拡張手段62と、ピックアップコレット63を具備している。フレーム保持手段61は、環状のフレーム保持部材611と、該フレーム保持部材611の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ612とからなっている。フレーム保持部材611の上面は環状のフレームFを載置する載置面611aを形成しており、この載置面611a上に環状のフレームFが載置される。そして、載置面611a上に載置された環状のフレームFは、クランプ612によってフレーム保持部材611に固定される。このように構成されたフレーム保持手段61は、テープ拡張手段62によって上下方向に進退可能に支持されている。
テープ拡張手段62は、上記環状のフレーム保持部材611の内側に配設される拡張ドラム621を具備している。この拡張ドラム621は、環状のフレームFの内径より小さく該環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着される半導体ウエーハ2の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム621は、下端に支持フランジ622を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段62は、上記環状のフレーム保持部材611を上下方向に進退可能な支持手段623を具備している。この支持手段623は、上記支持フランジ622上に配設された複数のエアシリンダ623aからなっており、そのピストンロッド623bが上記環状のフレーム保持部材611の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ623aからなる支持手段623は、図10の(a)に示すように環状のフレーム保持部材611を載置面611aが拡張ドラム621の上端と略同一高さとなる基準位置と、図10の(b)に示すように拡張ドラム621の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。
以上のように構成されたデバイス分離装置6を用いて実施するデバイス分離工程について図10を参照して説明する。即ち、半導体ウエーハ2が貼着されているダイシングテープTが装着された環状のフレームFを、図10の(a)に示すようにフレーム保持手段61を構成するフレーム保持部材611の載置面611a上に載置し、クランプ612によってフレーム保持部材611に固定する(フレーム保持工程)。このとき、フレーム保持部材611は図10の(a)に示す基準位置に位置付けられている。次に、テープ拡張手段62を構成する支持手段623としての複数のエアシリンダ623aを作動して、環状のフレーム保持部材611を図10の(b)に示す拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材611の載置面611a上に固定されている環状のフレームFも下降するため、図10の(b)に示すように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTは拡張ドラム621の上端縁に接して拡張せしめられる(テープ拡張工程)。この結果、ダイシングテープTに貼着されている半導体ウエーハ2には放射状に引張力が作用するため、半導体ウエーハ2はレーザー加工溝23が破断起点となって分割予定ライン21に沿って個々のデバイス22に分離されるとともに、デバイス間に間隔Sが形成される。
次に、図10の(c)に示すようにピックアップコレット63を作動してデバイス22を吸着し、ダイシングテープTから剥離してピックアップし、図示しないトレーまたはダイボンディング工程に搬送する。なお、ピックアップ工程においては、上述したようにダイシングテープTに貼着されている個々のデバイス22間の隙間Sが広げられているので、隣接するデバイス22と接触することなく容易にピックアップすることができる。
2:半導体ウエーハ
21:分割予定ライン
22:デバイス
3:保護テープ
31:粘着層
4:研削装置
41:研削装置のチャックテーブル
42:研削手段
424:研削ホイール
5:レーザー加工装置
51:レーザー加工装置のチャックテーブル
52:レーザー光線照射手段
522:集光器
6:デバイス分離装置
61:フレーム保持手段
62:テープ拡張手段
63:ピックアップコレット
F:環状のフレーム
T:ダイシングテープ
21:分割予定ライン
22:デバイス
3:保護テープ
31:粘着層
4:研削装置
41:研削装置のチャックテーブル
42:研削手段
424:研削ホイール
5:レーザー加工装置
51:レーザー加工装置のチャックテーブル
52:レーザー光線照射手段
522:集光器
6:デバイス分離装置
61:フレーム保持手段
62:テープ拡張手段
63:ピックアップコレット
F:環状のフレーム
T:ダイシングテープ
Claims (3)
- 表面に複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、該デバイスを区画する複数の分割予定ラインに沿って加工するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
保護部材に対して透過性を有するとともにウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を保護部材側から照射することにより、ウエーハに分割予定ラインに沿ってアブレーション加工を施してレーザー加工溝を形成するレーザー加工工程と、を含み、
該レーザー加工工程においては、アブレーション加工によって生じるデブリのデバイスへの付着が保護部材によって防止される、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。 - 該保護部材貼着工程を実施した後、該レーザー加工工程を実施する前に、保護部材側を研削装置の保持手段の保持面に保持し、ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する研削工程を実施する、請求項1記載のウエーハの加工方法。
- 該保護部材はアクリル系樹脂シートにアクリル系樹脂粘着層が敷設して構成され、ウエーハはシリコンウエーハからなり、レーザー光線は波長が355nmに設定されている、請求項1又は2記載のウエーハの加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014218201A JP2016086089A (ja) | 2014-10-27 | 2014-10-27 | ウエーハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014218201A JP2016086089A (ja) | 2014-10-27 | 2014-10-27 | ウエーハの加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016086089A true JP2016086089A (ja) | 2016-05-19 |
Family
ID=55973834
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014218201A Pending JP2016086089A (ja) | 2014-10-27 | 2014-10-27 | ウエーハの加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016086089A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018014370A (ja) * | 2016-07-19 | 2018-01-25 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2018049978A (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2020138225A (ja) * | 2019-03-01 | 2020-09-03 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法 |
JP2021015894A (ja) * | 2019-07-12 | 2021-02-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008290102A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Sharp Corp | レーザー加工方法、および、それを用いた半導体装置の製造方法 |
WO2009072538A1 (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-11 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | レーザー加工用の保護膜及びそれを用いた加工方法 |
JP2011224642A (ja) * | 2010-04-22 | 2011-11-10 | Disco Corp | 保護材およびアブレーション加工方法 |
-
2014
- 2014-10-27 JP JP2014218201A patent/JP2016086089A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008290102A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Sharp Corp | レーザー加工方法、および、それを用いた半導体装置の製造方法 |
WO2009072538A1 (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-11 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | レーザー加工用の保護膜及びそれを用いた加工方法 |
JP2011224642A (ja) * | 2010-04-22 | 2011-11-10 | Disco Corp | 保護材およびアブレーション加工方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018014370A (ja) * | 2016-07-19 | 2018-01-25 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2018049978A (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2020138225A (ja) * | 2019-03-01 | 2020-09-03 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法 |
JP2021015894A (ja) * | 2019-07-12 | 2021-02-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7325903B2 (ja) | 2019-07-12 | 2023-08-15 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6078376B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
US9685377B2 (en) | Wafer processing method | |
JP6305853B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6189208B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2009272421A (ja) | デバイスの製造方法 | |
JP2016001677A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2016082162A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5992731B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6034219B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2010027857A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
TW201724243A (zh) | 晶圓的加工方法 | |
JP2011187479A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2013008831A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2011108856A (ja) | 光デバイスウエーハの加工方法 | |
JP2008235398A (ja) | デバイスの製造方法 | |
JP2015230964A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2017084932A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2017103406A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2014183097A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2016086089A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2015015359A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
KR102409135B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP2013235917A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP6235396B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2014013807A (ja) | ウエーハの加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170815 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180528 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180605 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20181127 |