JP2011224642A - 保護材およびアブレーション加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基材53aにワーク1と同等の形状および大きさを有するシート状の保護材Pを形成し、この保護材Pを、ワーク1の表面に水を介して貼着させ、基材53aを剥離してワーク1の表面を保護材Pで覆った状態とする。アブレーション加工は該表面側から分割予定ライン2に沿ってレーザビームを照射し、発生するデブリを保護材Pで受け、ワーク1への付着を防ぐ。保護材Pは、厚さが0.1μm以上10μm以下であり、水溶性であり、355nmの波長の光を透過する特性を有する。
【選択図】図6
Description
[1]ワーク
はじめに、図1により一実施形態におけるワークを説明する。このワーク1は、厚さが例えば100〜700μm程度の円板状を呈するシリコンウェーハ等の半導体ウェーハである。ワーク1の表面には、格子状の分割予定ライン(加工予定ライン)2によって多数の矩形状のデバイス領域3が区画されている。これらデバイス領域3には、図示せぬICやLSI等の電子回路が形成されている。ワーク1の外周部の所定箇所には、半導体の結晶方位を示すオリエンテーション・フラットと呼ばれる直線状の切欠き4が形成されている。
(1)アブレーション加工を行うレーザ加工装置の構成および動作
続いて、図2に示すレーザ加工装置10の構成を動作とともに説明する。図2の符号11は基台である。基台11は、ワーク1をレーザ加工する加工ステージ11Aと、加工ステージ11Aの片側(Y1側)に設けられ、加工ステージ11Aに対してワークユニット7を搬入/搬出する搬入/搬出ステージ11Bを有している。加工ステージ11Aの奥側(X2側)には、壁部12が立設されている。
・レーザビームの光源;YVO4レーザまたはYAGレーザ
・波長 ;355nm
・繰り返し周波数 ;50〜100kHz
・出力 ;0.3〜4.0W
・集光スポット径 ;φ9.2μm
・加工送り速度 ;1〜800nm/秒
上記一実施形態においてワーク1の表面にデブリが直接付着することを防ぐ保護材Pは、シート状であって保護材シート53からワーク1の表面に貼着されるものである。このため、保護材Pはワーク1の表面を覆うことのできる必要最低限の大きさ、すなわちワーク1と同等の形状および直径のものでよい。その結果、保護材Pの無駄が少なく、効率よくワーク1の表面を保護することができる。また、保護材Pを貼着してワーク1の表面を覆うので、その表面に凹凸がある場合にも表面の全面を確実に保護することができる。
2…分割予定ライン(加工予定ライン)
50…貼着手段
53a…基材
70…レーザ加工手段
P…保護材
Claims (2)
- レーザビームを用いてワークをアブレーション加工する際に、ワークの被加工面を覆ってアブレーション加工時に発生するデブリからワークの被加工面を保護する保護材であって、
厚さが0.1μm以上10μm以下であり、水溶性であり、355nmの波長の光を透過し、ワークの加工予定ラインを全て覆うことが可能な面積を有することを特徴とするシート状の保護材。 - 請求項1に記載の保護材を用いたアブレーション加工方法であって、
請求項1に記載の保護材をシート状の基材上に形成する工程と、
少なくともワークの被加工面または前記保護材の貼着面に水を供給する工程と、
前記基材上に形成された状態の前記保護材の貼着面とワークの前記被加工面とを水の層を介して貼り合わせる工程と、
前記保護材から前記基材を剥離する工程と、
前記保護材が貼着されたワークの前記被加工面側からレーザビームを照射して加工予定ラインにアブレーション加工を施す工程と、
を含むことを特徴とするアブレーション加工方法。
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