JP2010022990A - 保護膜形成装置およびレーザー加工機 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被加工物の加工面における所定の被覆領域に液状樹脂を被覆する保護膜形成装置であって、被加工物保持手段と、被加工物保持手段に保持された被加工物に液状樹脂を微細粒子として噴射する噴射手段と、噴射手段と被加工物保持手段を相対的に移動せしめる加工送り手段と、加工送り手段によって相対移動する噴射手段と被加工物保持手段との相対位置関係を検出する加工送り位置検出手段と、加工送り位置検出手段からの検出信号に基いて該噴射手段を制御する制御手段とを具備し、制御手段は被加工物の加工面における被覆領域が設定された座標マップを格納するメモリを具備し、メモリに格納された座標マップに設定された被覆領域と該加工送り位置検出手段からの検出信号に基いて噴射手段を制御する。
【選択図】図2
Description
被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物に液状樹脂を微細粒子として噴射する噴射手段と、該噴射手段と該被加工物保持手段を相対的に移動せしめる加工送り手段と、該加工送り手段によって相対移動する該噴射手段と該被加工物保持手段との相対位置関係を検出する加工送り位置検出手段と、該加工送り位置検出手段からの検出信号に基いて該噴射手段を制御する制御手段と、を具備し、
該制御手段は、被加工物の加工面における被覆領域が設定された座標マップを格納するメモリを具備し、該メモリに格納された該座標マップに設定された被覆領域と該加工送り位置検出手段からの検出信号に基いて該噴射手段を制御する、
ことを特徴とする保護膜形成装置が提供される。
また、被加工物は表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハであり、上記所定の被覆領域はデバイス領域であって、該デバイス領域の設計値が上記メモリに格納される。
該保護膜形成装置は、被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物に液状樹脂を微細粒子として噴射する噴射手段と、該噴射手段と該被加工物保持手段を相対的に移動せしめる加工送り手段と、該加工送り手段によって相対移動する該噴射手段と該被加工物保持手段との相対移動位置を検出する加工送り位置検出手段と、該加工送り位置検出手段からの検出信号に基いて該噴射手段を制御する制御手段と、を具備し、
該制御手段は、被加工物の加工面における被覆領域が設定された座標マップを格納するメモリを具備し、該メモリに格納された該座標マップに設定された被覆領域と該加工送り位置検出手段からの検出信号に基いて該噴射手段を制御する、
ことを特徴とするレーザー加工機が提供される。
図1に示すレーザー加工機は、略直方体状の機体ハウジング2を具備している。この機体ハウジング2内には、被加工物を保持する被加工物保持手段としてのチャックテーブル3が加工送り方向である矢印Xで示す方向に移動可能に配設されている。チャックテーブル3は、吸着チャック支持台31と、該吸着チャック支持台31上に装着された吸着チャック32を具備しており、該吸着チャック32の表面である載置面上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。また、チャックテーブル3は、図示しない回転機構によって回動可能に構成されている。このように構成されたチャックテーブル3の吸着チャック支持台31には、後述する環状のフレームを固定するためのクランプ33が配設されている。
図示の実施形態における保護膜形成装置7は、上方が開放した矩形状の装置ハウジング71を具備している。装置ハウジング71内には被加工物としての上記半導体ウエーハ10を保持する被加工物保持手段72が配設されている。被加工物保持手段72は、図3に示すように被加工物保持テーブル721と、該被加工物保持テーブル721の両側に配設されたクランプ722と、被加工物保持テーブル721を上下方向に移動可能に支持するテーブル支持手段723とを具備している。被加工物保持テーブル721には上面に開口する複数の吸引孔721aが設けられており、この複数の吸引孔721aが図示しない吸引手段に連通されている。従って、被加工物保持テーブル721の上面に上記環状のフレーム11に装着された保護テープ12の表面に貼着されて半導体ウエーハ10を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ10は被加工物保持テーブル721上に吸引保持される。そして、環状のフレーム11は、クランプ722によって被加工物保持テーブル721に固定される。上記テーブル支持手段723は、図示の実施形態においてはエアシリンダ機構からなり、そのピストンロッド723aが被加工物保持テーブル721の下面に連結されている。このテーブル支持手段723は、被加工物保持テーブル721を図3において実線で示す作業位置と、該作業位置より上方の図3において2点鎖線で示す被加工物搬入搬出位置に位置付けるようになっている。
図示の実施形態における洗浄手段8は、スピンナーテーブル機構81と、該スピンナーテーブル機構81を包囲して配設された洗浄水受け手段82を具備している。スピンナーテーブル機構81は、スピンナーテーブル811と、該スピンナーテーブル811を回転駆動する電動モータ812と、該電動モータ812を上下方向に移動可能に支持する支持機構813を具備している。スピンナーテーブル811は多孔性材料から形成された吸着チャック811aを具備しており、この吸着チャック811aが図示しない吸引手段に連通されている。従って、スピンナーテーブル811は、吸着チャック811aに被加工物であるウエーハを載置し図示しない吸引手段により負圧を作用せしめることにより吸着チャック811上にウエーハを保持する。なお、スピンナーテーブル811には、上記環状のフレーム11を固定するためのクランプ814が配設されている。電動モータ812は、その駆動軸812aの上端に上記スピンナーテーブル811を連結する。上記支持機構813は、複数本(図示の実施形態においては3本)の支持脚813aと、該支持脚813aをそれぞれ連結し電動モータ812に取り付けられた複数本(図示の実施形態においては3本)のエアシリンダ813bとからなっている。このように構成された支持機構813は、エアシリンダ813bを作動することにより、電動モータ812およびスピンナーテーブル811を図5に示す上方位置である被加工物搬入・搬出位置と、図6に示す下方位置である作業位置に位置付ける。
第1の搬送手段16は、仮置きテーブル15と保護膜形成装置7と洗浄手段8に対して等距離の位置に配設されている。この第1の搬送手段16は、一般に使用されている搬送手段と同一の構成でよく、上記環状のフレーム11を吸引保持する保持手段161と、該保持手段161を上下方向に昇降可能で且つ旋回可能に支持する支持手段162とからなっている。このように構成された第1の搬送手段16は、仮置きテーブル15に搬出された加工前の半導体ウエーハ10(環状のフレーム11に装着された保護テープ12の表面に貼着された状態)を保護膜形成装置7に搬送するとともに洗浄手段8によって洗浄された加工後の半導体ウエーハ10(環状のフレーム11に装着された保護テープ12の表面に貼着された状態)を仮置きテーブル15に搬送する。
ここで、上記半導体ウエーハ10について、図7を参照して説明する。
図7に示す半導体ウエーハ10は、シリコンウエーハからなっており、その表面10aに格子状に配列された複数のストリート101によって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイス102がそれぞれ形成されている。この半導体ウエーハ10については、各デバイス102のX,Y座標の設計値のデータが図8に示す座標マップとして上記ランダムアクセスメモリ(RAM)203の第1に記憶領域203aに格納されている。このように形成された半導体ウエーハ10は、図1に示すように環状のフレーム11に装着された保護テープ12の表面に貼着された状態で加工面である表面10aを上側にして上記カセット13に収容されている。カセット13の所定位置に収容された加工前の半導体ウエーハ10は、図示しない昇降手段によってカセットテーブル131が上下動することにより搬出位置に位置付けられる。次に、被加工物搬出搬入手段14が進退作動して搬出位置に位置付けられた半導体ウエーハ10を仮置きテーブル15に搬出する。仮置きテーブル15に搬出された半導体ウエーハ10は、中心位置を合わせる中心位置合せ工程が実施される。次に、仮置きテーブル15によって中心位置合わせされた加工前の半導体ウエーハ10は、第1の搬送手段16の保持手段161によって吸引保持され、支持手段162を中心とする旋回動作によって保護膜形成装置7を構成する被加工物保持テーブル721上に搬送される。そして、図示しない吸引手段を作動することによって、半導体ウエーハ10は保護テープ12を介して被加工物保持テーブル721上に吸引保持される(ウエーハ保持工程)。また、環状のフレーム11がクランプ722によって固定される。このとき、被加工物保持テーブル721は図3において2点鎖線で示す被加工物搬入搬出位置に位置付けられている。このようにして被加工物保持テーブル721上に保持された半導体ウエーハ10は、図8に示す座標位置に位置付けられた状態となる。そして、図8に示す座標位置に位置付けられた半導体ウエーハ10と噴射手段73とは、図示の位置関係となる。
レーザー光線の光源 :YVO4レーザーまたはYAGレーザー
波長 :355nm
繰り返し周波数 :20kHz
出力 :3W
集光スポット径 :φ5μm
加工送り速度 :100mm/秒
3:チャックテーブル
4:レーザー光線照射手段
41: レーザー光線発振手段
42:集光器
5:撮像機構
6:表示手段
7:保護膜形成装置
71:装置ハウジング
72:被加工物保持手段
721:被加工物保持テーブル
723:テーブル支持手段
73:噴射手段
731:噴射ノズル
732:ノズルホルダ
74:液状樹脂供給手段
75:加工送り手段
753:移動手段
76:加工送り位置検出手段
8:洗浄手段
81:スピンナーテーブル機構
811:スピンナーテーブル
812:電動モータ
82:洗浄水受け手段
78:洗浄水供給手段
841:洗浄水ノズル
85:エアー供給手段
851:エアーノズル
10:半導体ウエーハ
101:ストリート
102:デバイス
110:保護膜
11:環状のフレーム
12:保護テープ
13:カセット
14:被加工物搬・搬入手段
15:仮置きテーブル
16:第1の搬送手段
17:第2の搬送手段
20:制御手段
Claims (4)
- 被加工物の加工面における所定の被覆領域に液状樹脂を被覆する保護膜形成装置であって、
被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物に液状樹脂を微細粒子として噴射する噴射手段と、該噴射手段と該被加工物保持手段を相対的に移動せしめる加工送り手段と、該加工送り手段によって相対移動する該噴射手段と該被加工物保持手段との相対位置関係を検出する加工送り位置検出手段と、該加工送り位置検出手段からの検出信号に基いて該噴射手段を制御する制御手段と、を具備し、
該制御手段は、被加工物の加工面における被覆領域が設定された座標マップを格納するメモリを具備し、該メモリに格納された該座標マップに設定された被覆領域と該加工送り位置検出手段からの検出信号に基いて該噴射手段を制御する、
ことを特徴とする保護膜形成装置。 - 該噴射手段は、液状樹脂を電歪素子の振動によって微細粒子を生成し該微細粒子を多数の噴射孔から噴射する複数の噴射ノズルを備え、該複数の噴射ノズルが該加工送り手段による移動方向と直交する方向に直線状に配設されている、請求項1記載の保護膜形成装置。
- 被加工物は表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハであり、該所定の被覆領域はデバイス領域であって、該デバイス領域の設計値が該メモリに格納される、請求項1又は2記載の保護膜形成装置。
- 被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、レーザー加工を施す加工前の被加工物の加工面における所定の被覆領域に液状樹脂を被覆する保護膜形成装置と、を具備するレーザー加工機において、
該保護膜形成装置は、被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物に液状樹脂を微細粒子として噴射する噴射手段と、該噴射手段と該被加工物保持手段を相対的に移動せしめる加工送り手段と、該加工送り手段によって相対移動する該噴射手段と該被加工物保持手段との相対移動位置を検出する加工送り位置検出手段と、該加工送り位置検出手段からの検出信号に基いて該噴射手段を制御する制御手段と、を具備し、
該制御手段は、被加工物の加工面における被覆領域が設定された座標マップを格納するメモリを具備し、該メモリに格納された該座標マップに設定された被覆領域と該加工送り位置検出手段からの検出信号に基いて該噴射手段を制御する、
ことを特徴とするレーザー加工機。
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A521 | Written amendment |
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A02 | Decision of refusal |
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