JPH04142760A - 混成集積回路の製造方法 - Google Patents
混成集積回路の製造方法Info
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- JPH04142760A JPH04142760A JP2265763A JP26576390A JPH04142760A JP H04142760 A JPH04142760 A JP H04142760A JP 2265763 A JP2265763 A JP 2265763A JP 26576390 A JP26576390 A JP 26576390A JP H04142760 A JPH04142760 A JP H04142760A
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Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、混成集積回路の製造方法に関し、特に、基板
を分割するためのレーザースクライブ加工工程に関する
。
を分割するためのレーザースクライブ加工工程に関する
。
一般に、混成集積回路は、アルミナなどのセラミック基
板（以後基板と記す）上に、薄膜抵抗体、薄膜容量体、
薄膜導体および薄膜電極体などの薄膜受動部品を含む膜
回路を形成した後、これにトランジスタや集積回路など
の能動部品を取り付けて製造する。
板（以後基板と記す）上に、薄膜抵抗体、薄膜容量体、
薄膜導体および薄膜電極体などの薄膜受動部品を含む膜
回路を形成した後、これにトランジスタや集積回路など
の能動部品を取り付けて製造する。
この場合、前述の膜回路を形成する工程では、生産効率
を高めるため、−枚の基板上に多数の同一の膜回路を形
成する。
を高めるため、−枚の基板上に多数の同一の膜回路を形
成する。
そしてその後、上記の膜回路が形成された基板を個々の
個片に分割する。
個片に分割する。
この場合、基板を割り易くして、基板を分割する時に寸
法精度よくしかも基板や膜回路に損傷を与えずに分割で
きるようにするために、基板の分割位置に予めレーザー
ビームを照射して溝入れを行なっておく。
法精度よくしかも基板や膜回路に損傷を与えずに分割で
きるようにするために、基板の分割位置に予めレーザー
ビームを照射して溝入れを行なっておく。
従来、上記の溝入れは、第３図に示すように、基板１上
に形成された薄膜抵抗体２や薄膜容量体や薄膜電極体３
の表面が、膜回路を形成する時の最終のフォトレジスト
膜４で部分的に覆われ保護された状態で、レーザービー
ムを照射し、基板を一部溶融して溝５を形成することに
よって行なわれている。
に形成された薄膜抵抗体２や薄膜容量体や薄膜電極体３
の表面が、膜回路を形成する時の最終のフォトレジスト
膜４で部分的に覆われ保護された状態で、レーザービー
ムを照射し、基板を一部溶融して溝５を形成することに
よって行なわれている。
なお、第３図においては、説明の簡単のために、膜回路
を構成する薄膜受動部品の内、薄膜抵抗体２及び薄膜電
極体だけを示しである。
を構成する薄膜受動部品の内、薄膜抵抗体２及び薄膜電
極体だけを示しである。
上述した混成集積回路のレーザースクライブ加工工程に
おいて、従来の製造方法では、基板１上の膜回路の保護
状態が不完全であるので、レーザー加工時に発生する熱
によって溶けたセラミ・ツクの切削くずの粒子が周辺に
飛散し、膜回路を形成する薄膜抵抗体２や薄膜電極体３
の、一部保護されていない部分へ付着したり、或は、こ
れらを破壊したりするという問題があった。
おいて、従来の製造方法では、基板１上の膜回路の保護
状態が不完全であるので、レーザー加工時に発生する熱
によって溶けたセラミ・ツクの切削くずの粒子が周辺に
飛散し、膜回路を形成する薄膜抵抗体２や薄膜電極体３
の、一部保護されていない部分へ付着したり、或は、こ
れらを破壊したりするという問題があった。
本発明の混成集積回路の製造方法は、主面上に膜回路部
品が形成された基板にレーザービームを照射して、基板
を分割するための溝入れを行うレーザースクライブ加工
工程を含む混成集積回路の製造方法において、 前記レーザースクライブ加工工程では、前記基板上の、
レーザービームを照射する部分を除く部分に予じめ保護
膜を形成した後レーザービームを照射することを特徴と
する。
品が形成された基板にレーザービームを照射して、基板
を分割するための溝入れを行うレーザースクライブ加工
工程を含む混成集積回路の製造方法において、 前記レーザースクライブ加工工程では、前記基板上の、
レーザービームを照射する部分を除く部分に予じめ保護
膜を形成した後レーザービームを照射することを特徴と
する。
次に、本発明の好適な実施例について、図面を参照して
説明する。
説明する。
第１図は、本発明の実施例におけるレーザービーム照射
前の膜の構成を示す断面図であり、第２図は、その平面
図である。
前の膜の構成を示す断面図であり、第２図は、その平面
図である。
本実施例では、第１図に示すように、基板１上に形成さ
れた薄膜抵抗体２．薄膜容量体、薄膜導体および薄膜電
極体３からなる膜回路の上を、更にフォトレジスト膜４
で覆っている。
れた薄膜抵抗体２．薄膜容量体、薄膜導体および薄膜電
極体３からなる膜回路の上を、更にフォトレジスト膜４
で覆っている。
但し、レーザービームが照射されるレーザースクライブ
ライン６の上はフォトレジスト膜で覆われていない。
ライン６の上はフォトレジスト膜で覆われていない。
このようにすれば、レーザービームを照射してレーザー
スクライブライン６に溝入れを行なう際に、発生する基
板の切削くず粒子が飛散して、膜回路に付着したり或い
はこれを破壊することを防ぐことができる。
スクライブライン６に溝入れを行なう際に、発生する基
板の切削くず粒子が飛散して、膜回路に付着したり或い
はこれを破壊することを防ぐことができる。
なお、上述の実施例におＣ）では、薄膜抵抗体２、薄膜
容量体、薄膜導体および薄膜電極体３からなる膜回路を
保護するための保護膜を形成する方法として、光露光技
術を用いたが、本発明がこれに限られるものでないこと
は明らかである。
容量体、薄膜導体および薄膜電極体３からなる膜回路を
保護するための保護膜を形成する方法として、光露光技
術を用いたが、本発明がこれに限られるものでないこと
は明らかである。
保護膜の寸法精度は、数１００ミクロンオーダーのもの
であるので、スクリーン印刷なとの方法でも十分保護膜
を形成することがてきる。
であるので、スクリーン印刷なとの方法でも十分保護膜
を形成することがてきる。
なおまた、上述の実施例では、膜回路として薄膜回路を
用いたが、スクリーン印刷による厚膜回路にも適用でき
ることも明らかである。
用いたが、スクリーン印刷による厚膜回路にも適用でき
ることも明らかである。
以上説明したように、本発明によれば、基板上の膜回路
部品を保護膜で保護することにより、レーザースクライ
ブ加工時に飛散する基板の切削くず粒子が基板に付着し
たり、或は、膜回路部品を破壊したりすることを防止す
ることができる。
部品を保護膜で保護することにより、レーザースクライ
ブ加工時に飛散する基板の切削くず粒子が基板に付着し
たり、或は、膜回路部品を破壊したりすることを防止す
ることができる。
第１図は、本発明の実施例のレーザービーム照射前の膜
構成を示す断面図、第２図は、第１図の平面図、第３図
は、従来の製造方法におけるレーザービーム照射前の膜
構成を示す断面図である。 １・・・基板、２・・・薄膜抵抗体、３・・・薄膜電極
体、４・・・フォトレジスト膜、５・・・溝、６・・・
レーザースクライブライン。
構成を示す断面図、第２図は、第１図の平面図、第３図
は、従来の製造方法におけるレーザービーム照射前の膜
構成を示す断面図である。 １・・・基板、２・・・薄膜抵抗体、３・・・薄膜電極
体、４・・・フォトレジスト膜、５・・・溝、６・・・
レーザースクライブライン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 主面上に膜回路部品が形成された基板にレーザービー
ムを照射して基板を分割するための溝入れを行うレーザ
ースクライブ加工工程を含む混成集積回路の製造方法に
おいて、 前記レーザースクライブ加工工程では、前記基板上の、
レーザービームが照射される部分を除く部分に予め保護
膜を形成した後レーザービームを照射することを特徴と
する混成集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2265763A JPH04142760A (ja) | 1990-10-03 | 1990-10-03 | 混成集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2265763A JPH04142760A (ja) | 1990-10-03 | 1990-10-03 | 混成集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04142760A true JPH04142760A (ja) | 1992-05-15 |
Family
ID=17421685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2265763A Pending JPH04142760A (ja) | 1990-10-03 | 1990-10-03 | 混成集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04142760A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005504445A (ja) * | 2001-10-01 | 2005-02-10 | エグシル テクノロジー リミテッド | 基板、特に半導体ウェハの加工 |
| KR100574725B1 (ko) * | 2003-12-24 | 2006-04-28 | 산요덴키가부시키가이샤 | 혼성 집적 회로 장치의 제조 방법 |
| US7183136B2 (en) | 2002-06-24 | 2007-02-27 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor element and method for producing the same |
| JP2010022990A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護膜形成装置およびレーザー加工機 |
| JP2018078162A (ja) * | 2016-11-08 | 2018-05-17 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
-
1990
- 1990-10-03 JP JP2265763A patent/JPH04142760A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005504445A (ja) * | 2001-10-01 | 2005-02-10 | エグシル テクノロジー リミテッド | 基板、特に半導体ウェハの加工 |
| US7183136B2 (en) | 2002-06-24 | 2007-02-27 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor element and method for producing the same |
| KR100574725B1 (ko) * | 2003-12-24 | 2006-04-28 | 산요덴키가부시키가이샤 | 혼성 집적 회로 장치의 제조 방법 |
| JP2010022990A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護膜形成装置およびレーザー加工機 |
| JP2018078162A (ja) * | 2016-11-08 | 2018-05-17 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
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