JPH08162429A - 配線基板のパターンエリア保護方法 - Google Patents
配線基板のパターンエリア保護方法Info
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- JPH08162429A JPH08162429A JP32391294A JP32391294A JPH08162429A JP H08162429 A JPH08162429 A JP H08162429A JP 32391294 A JP32391294 A JP 32391294A JP 32391294 A JP32391294 A JP 32391294A JP H08162429 A JPH08162429 A JP H08162429A
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- Japan
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- protective film
- wiring board
- adhesive material
- pattern area
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Weting (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 配線基板表面のパターンエリアを保護テープ
の粘着材による汚染から保護し、且つ配線基板の保護膜
の強度を増加することにある。 【構成】 多層配線基板１の表面にＡｌ配線パターン２
が既に形成されており、裏面には、これから加工すべき
金属膜６が成膜され（ａ）、裏面をパターニングするた
め、ホトレジスト７を形成し（ｂ）、表側のパターンエ
リア４を覆って粘着材の付いていない第１の保護膜３を
形成し、該第１の保護膜３を覆って粘着材付きの第２の
保護膜５を形成する（ｃ）。第１の保護膜３は、耐薬品
性の第２の保護膜５の粘着材の汚染よりパターンエリア
４を保護する。この状態において、裏面の金属膜６をエ
ッチングし（ｄ）、最後に、各保護膜を除去する
（ｅ）。第１の保護膜と第２の保護膜により保護膜を二
重にしているため保護膜強度が増大している。
の粘着材による汚染から保護し、且つ配線基板の保護膜
の強度を増加することにある。 【構成】 多層配線基板１の表面にＡｌ配線パターン２
が既に形成されており、裏面には、これから加工すべき
金属膜６が成膜され（ａ）、裏面をパターニングするた
め、ホトレジスト７を形成し（ｂ）、表側のパターンエ
リア４を覆って粘着材の付いていない第１の保護膜３を
形成し、該第１の保護膜３を覆って粘着材付きの第２の
保護膜５を形成する（ｃ）。第１の保護膜３は、耐薬品
性の第２の保護膜５の粘着材の汚染よりパターンエリア
４を保護する。この状態において、裏面の金属膜６をエ
ッチングし（ｄ）、最後に、各保護膜を除去する
（ｅ）。第１の保護膜と第２の保護膜により保護膜を二
重にしているため保護膜強度が増大している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】両面に配線パターンを形成する配
線基板製造や配線基板の機械加工時おける配線パターン
の保護方法に関する。
線基板製造や配線基板の機械加工時おける配線パターン
の保護方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、特開昭６１−９６７３９号公報
にて公知のように、半導体ウエハの裏面を研磨するラッ
ピング工程においては、半導体ウエハ表面への不純物汚
染あるいはスクラッチ等を防止するために、表面に保護
膜を塗布してラッピング作業が行われる。また、特開昭
６１−９６７４９号公報にて公知のように、半導体ウエ
ハの分割の際、チッピング等防止のため裏面をテープに
て接着している。
にて公知のように、半導体ウエハの裏面を研磨するラッ
ピング工程においては、半導体ウエハ表面への不純物汚
染あるいはスクラッチ等を防止するために、表面に保護
膜を塗布してラッピング作業が行われる。また、特開昭
６１−９６７４９号公報にて公知のように、半導体ウエ
ハの分割の際、チッピング等防止のため裏面をテープに
て接着している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術における保
護膜の塗布では、保護テープを用いる場合、保護テープ
の粘着材が配線基板表面を汚染し、また、機械加工時等
の大きな異物の飛散に対しては強度が弱く、配線基板の
表面に傷をつける場合があるなどして配線基板の信頼性
を低下させる問題が生じる。本発明の目的は、配線基板
表面のパターンエリアを保護テープの粘着材による汚染
から保護し、且つ配線基板の保護膜の強度を増加するこ
とにある。
護膜の塗布では、保護テープを用いる場合、保護テープ
の粘着材が配線基板表面を汚染し、また、機械加工時等
の大きな異物の飛散に対しては強度が弱く、配線基板の
表面に傷をつける場合があるなどして配線基板の信頼性
を低下させる問題が生じる。本発明の目的は、配線基板
表面のパターンエリアを保護テープの粘着材による汚染
から保護し、且つ配線基板の保護膜の強度を増加するこ
とにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、配線基板の製造、加工時における配線基
板のパターンエリア保護方法において、配線基板のパタ
ーンエリアを覆って粘着材の付いていない第１の保護膜
を形成し、該第１の保護膜の上に粘着材の付いた第２の
保護膜を粘着材により粘着して形成するようにしてい
る。
め、本発明は、配線基板の製造、加工時における配線基
板のパターンエリア保護方法において、配線基板のパタ
ーンエリアを覆って粘着材の付いていない第１の保護膜
を形成し、該第１の保護膜の上に粘着材の付いた第２の
保護膜を粘着材により粘着して形成するようにしてい
る。
【０００５】
【作用】上記手段によれば、配線基板の製造又は機械加
工等の処理をする際、粘着材による汚染や配線基板の表
面の傷を防止でき、配線基板の信頼性や歩留りを向上す
ることが可能となる。
工等の処理をする際、粘着材による汚染や配線基板の表
面の傷を防止でき、配線基板の信頼性や歩留りを向上す
ることが可能となる。
【０００６】
〔実施例１〕図１は、本発明を表裏薄膜多層配線基板の
製造に適用した場合の実施例を示す。図１において
（ａ）は、本発明を適用する多層配線基板の初期状態を
示す。１は多層配線基板であり、表面にＡｌ配線パター
ン２が既に形成されており、裏面には、これから加工す
べき金属膜６が成膜されている。この後、（ｂ）に示す
ように、裏面をパターニングするため、ホトレジスト７
を形成し、次に、（ｃ）に示すように、表側のパターン
エリア４を覆って粘着材の付いていない第１の保護膜３
を形成し、該第１の保護膜３を覆って粘着材付きの第２
の保護膜５を形成する。または、第１の保護膜３と第２
の保護膜５を同時に形成する。第１の保護膜３は、耐薬
品性の第２の保護膜５の粘着材の汚染よりパターンエリ
ア４を保護する。第２の保護膜５および第１の保護膜３
としては、例えば、ポリミードシート、エレップシート
等を用い、第２の保護膜５の片面には粘着材を付けてあ
る。この状態において、（ｄ）に示すように、裏面の金
属膜６をエッチングし、最後に、（ｅ）に示すように、
各保護膜を除去する。このようにすることにより、エッ
チングの際、各保護膜はエッチング液から多層配線基板
表面のＡｌ配線パターンを保護し、且つ、第１の保護膜
は、パターンエリア４を第２の保護膜の粘着材の汚染よ
り保護する。保護膜を二重にしているため基板表面の保
護膜による機械的保護強度を増すことができる。
製造に適用した場合の実施例を示す。図１において
（ａ）は、本発明を適用する多層配線基板の初期状態を
示す。１は多層配線基板であり、表面にＡｌ配線パター
ン２が既に形成されており、裏面には、これから加工す
べき金属膜６が成膜されている。この後、（ｂ）に示す
ように、裏面をパターニングするため、ホトレジスト７
を形成し、次に、（ｃ）に示すように、表側のパターン
エリア４を覆って粘着材の付いていない第１の保護膜３
を形成し、該第１の保護膜３を覆って粘着材付きの第２
の保護膜５を形成する。または、第１の保護膜３と第２
の保護膜５を同時に形成する。第１の保護膜３は、耐薬
品性の第２の保護膜５の粘着材の汚染よりパターンエリ
ア４を保護する。第２の保護膜５および第１の保護膜３
としては、例えば、ポリミードシート、エレップシート
等を用い、第２の保護膜５の片面には粘着材を付けてあ
る。この状態において、（ｄ）に示すように、裏面の金
属膜６をエッチングし、最後に、（ｅ）に示すように、
各保護膜を除去する。このようにすることにより、エッ
チングの際、各保護膜はエッチング液から多層配線基板
表面のＡｌ配線パターンを保護し、且つ、第１の保護膜
は、パターンエリア４を第２の保護膜の粘着材の汚染よ
り保護する。保護膜を二重にしているため基板表面の保
護膜による機械的保護強度を増すことができる。
【０００７】〔実施例２〕実施例２として、本発明を配
線基板を切断する場合に適用した例を図２により説明す
る。配線基板１１を切断する際、（ａ）に示すように、
配線基板１１のパターン部１２を覆って第１の保護膜１
３を形成する。第１の保護膜１３としては、例えば、ホ
トレジスト等の後で容易に除去可能なものを用いる。第
１の保護膜は、粘着材の付いた第２の保護膜１４の粘着
材が切断時等にパターン部１２に付かないようにする。
次に、（ｂ）に示すように、切断時に切断片が飛散して
もパターン表面に傷を付けないように粘着材付きの第２
の保護膜１４を形成する。第２の保護膜１４は、例え
ば、粘着材付きの数百μｍ以上の粘着材付きのポリイミ
ドシート等を用いる。配線基板は、この状態で切断ライ
ン１５に沿って切断される。これにより切断時の切断片
の飛散から基板表面の保護が確実になり、また、基板表
面を粘着材による汚染から保護し、また、保護膜を二重
にしているため基板表面の保護膜による機械的保護強度
が増し、これにより歩留まりや信頼性の高い配線基板の
供給が可能となる。
線基板を切断する場合に適用した例を図２により説明す
る。配線基板１１を切断する際、（ａ）に示すように、
配線基板１１のパターン部１２を覆って第１の保護膜１
３を形成する。第１の保護膜１３としては、例えば、ホ
トレジスト等の後で容易に除去可能なものを用いる。第
１の保護膜は、粘着材の付いた第２の保護膜１４の粘着
材が切断時等にパターン部１２に付かないようにする。
次に、（ｂ）に示すように、切断時に切断片が飛散して
もパターン表面に傷を付けないように粘着材付きの第２
の保護膜１４を形成する。第２の保護膜１４は、例え
ば、粘着材付きの数百μｍ以上の粘着材付きのポリイミ
ドシート等を用いる。配線基板は、この状態で切断ライ
ン１５に沿って切断される。これにより切断時の切断片
の飛散から基板表面の保護が確実になり、また、基板表
面を粘着材による汚染から保護し、また、保護膜を二重
にしているため基板表面の保護膜による機械的保護強度
が増し、これにより歩留まりや信頼性の高い配線基板の
供給が可能となる。
【０００８】
【発明の効果】本発明によれば、配線基板の製造、加工
において、パターンエリアにおける保護テープの粘着材
による汚染を防止することができ、更に、基板表面の保
護膜の機械的保護強度を増し傷等の防止が可能となり、
配線基板の歩留りや信頼性の向上が図られる。
において、パターンエリアにおける保護テープの粘着材
による汚染を防止することができ、更に、基板表面の保
護膜の機械的保護強度を増し傷等の防止が可能となり、
配線基板の歩留りや信頼性の向上が図られる。
【図１】本発明の実施例１を説明するための図である。
【図２】本発明の実施例２を説明するための図である。
１ 多層配線基板 ２、１３ Ａｌ配線パターン ３ 第１の保護膜 ４ パターンエリア ５、１４ 第２の保護膜 ６ 金属膜 ７ ホトレジスト １１ 配線基板 １２ パターン部 １５ 切断ライン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/29 23/31 Ｈ０５Ｋ 3/28 Ｆ
Claims (1)
- 【請求項１】 配線基板の製造、加工時における配線基
板のパターンエリア保護方法において、前記配線基板の
パターンエリアを覆って粘着材の付いていない第１の保
護膜を形成し、該第１の保護膜の上に粘着材の付いた第
２の保護膜を粘着材により粘着して形成することを特徴
とする配線基板のパターンエリア保護方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32391294A JP3134214B2 (ja) | 1994-12-01 | 1994-12-01 | 配線基板のパターンエリア保護方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32391294A JP3134214B2 (ja) | 1994-12-01 | 1994-12-01 | 配線基板のパターンエリア保護方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162429A true JPH08162429A (ja) | 1996-06-21 |
| JP3134214B2 JP3134214B2 (ja) | 2001-02-13 |
Family
ID=18160011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32391294A Expired - Fee Related JP3134214B2 (ja) | 1994-12-01 | 1994-12-01 | 配線基板のパターンエリア保護方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3134214B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002134441A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-10 | Fuji Electric Co Ltd | 電力用半導体素子の製造方法 |
| JP2002151692A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-24 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2012079871A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Shibaura Mechatronics Corp | 支持基板、基板積層体、貼り合わせ装置、剥離装置、および基板の製造方法 |
| WO2015132924A1 (ja) * | 2014-03-06 | 2015-09-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| WO2015132926A1 (ja) * | 2014-03-06 | 2015-09-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、及び、その試験方法 |
-
1994
- 1994-12-01 JP JP32391294A patent/JP3134214B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002134441A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-10 | Fuji Electric Co Ltd | 電力用半導体素子の製造方法 |
| JP4617559B2 (ja) * | 2000-10-30 | 2011-01-26 | 富士電機システムズ株式会社 | 電力用半導体素子の製造方法 |
| JP2002151692A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-24 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2012079871A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Shibaura Mechatronics Corp | 支持基板、基板積層体、貼り合わせ装置、剥離装置、および基板の製造方法 |
| WO2015132924A1 (ja) * | 2014-03-06 | 2015-09-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| WO2015132926A1 (ja) * | 2014-03-06 | 2015-09-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、及び、その試験方法 |
| CN106068552A (zh) * | 2014-03-06 | 2016-11-02 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
| JP6099807B2 (ja) * | 2014-03-06 | 2017-03-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、及び、その試験方法 |
| JPWO2015132924A1 (ja) * | 2014-03-06 | 2017-03-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JPWO2015132926A1 (ja) * | 2014-03-06 | 2017-03-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、及び、その試験方法 |
| US10192797B2 (en) | 2014-03-06 | 2019-01-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and electrical contact structure thereof |
| US10228412B2 (en) | 2014-03-06 | 2019-03-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method for testing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3134214B2 (ja) | 2001-02-13 |
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Legal Events
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