JPH0442949A - ダイシングスリット付き半導体装置 - Google Patents
ダイシングスリット付き半導体装置Info
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- JPH0442949A JPH0442949A JP14836690A JP14836690A JPH0442949A JP H0442949 A JPH0442949 A JP H0442949A JP 14836690 A JP14836690 A JP 14836690A JP 14836690 A JP14836690 A JP 14836690A JP H0442949 A JPH0442949 A JP H0442949A
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- dicing
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- semiconductor
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- Pending
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Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置の切断（ダイシング）加工技術に関
する。
する。
（従来の技術）
半導体チップを基板から切り出す（ダイシング）には、
あらかじめ基板切り出し部に傷または溝を付けておく必
要がある。この傷つけにはダイヤモンド刃によるスクラ
イバや溝付けには回転砥石が用いられている。ダイシン
グの一般的な方法である折曲切断は、基板切り出し部に
傷や溝を付けられた基板を、ローラによって圧力をかけ
折り曲げ切断するというものである。またダイシングソ
ーによる基板切り出し部の直接切断もある。
あらかじめ基板切り出し部に傷または溝を付けておく必
要がある。この傷つけにはダイヤモンド刃によるスクラ
イバや溝付けには回転砥石が用いられている。ダイシン
グの一般的な方法である折曲切断は、基板切り出し部に
傷や溝を付けられた基板を、ローラによって圧力をかけ
折り曲げ切断するというものである。またダイシングソ
ーによる基板切り出し部の直接切断もある。
（発明が解決しようとする課題）
従来技術において、スクライバや回転砥石によって基板
切り出し部に傷または溝を設ける際、またはダイシング
ソーなどによる基板切り出し部の直接切断の際（その状
態を第３図に示す）、基板（Ｓｉウェハ、ガラス絶縁基
板等）が結晶構造であるため基板のチッピング（欠け）
やクラックが発生しやすい。このチッピングやクラック
は微細なものでも欠陥が発生した個所より水分が浸透し
電蝕を誘発しパターン切れ等を引き起こす原囚となる。
切り出し部に傷または溝を設ける際、またはダイシング
ソーなどによる基板切り出し部の直接切断の際（その状
態を第３図に示す）、基板（Ｓｉウェハ、ガラス絶縁基
板等）が結晶構造であるため基板のチッピング（欠け）
やクラックが発生しやすい。このチッピングやクラック
は微細なものでも欠陥が発生した個所より水分が浸透し
電蝕を誘発しパターン切れ等を引き起こす原囚となる。
またダイシングの際には例えばダイヤモンドダイシング
スクライブでは、基板切り出し部の端面から基板の内部
に５００〜６００μｍの深さまで、結晶の歪みが発生し
ていると報告されている。そのことにより、半導体部分
は直接歪みが出て特性劣化を起こし、または多層膜間の
密着力を劣化させ信頼性が悪くなる８ダイシングは、半
導体製造の最終工程に近く歩留まりに直接影響する。
スクライブでは、基板切り出し部の端面から基板の内部
に５００〜６００μｍの深さまで、結晶の歪みが発生し
ていると報告されている。そのことにより、半導体部分
は直接歪みが出て特性劣化を起こし、または多層膜間の
密着力を劣化させ信頼性が悪くなる８ダイシングは、半
導体製造の最終工程に近く歩留まりに直接影響する。
（課題を解決するための手段）
基板上に半導体素子とその保護膜よりなる半導体部分が
あってその半導体部分が多数個取りのため複数配列され
ており、基板切り出し部にダイシングスリットを設けた
。
あってその半導体部分が多数個取りのため複数配列され
ており、基板切り出し部にダイシングスリットを設けた
。
（作 用）
本発明ではダイシングスリットをエツチングにより形成
するので、その形成による基板本体へのストレスダメー
ジがない。また物理的なダイシング時（ダイシングソー
による基板の直接切断など）は、半導体部分からある深
さ下がったところからそのダイシングを始めるので基板
切り出し端面からストレスダメージが発生しても半導体
部分へは影響が及ばない。
するので、その形成による基板本体へのストレスダメー
ジがない。また物理的なダイシング時（ダイシングソー
による基板の直接切断など）は、半導体部分からある深
さ下がったところからそのダイシングを始めるので基板
切り出し端面からストレスダメージが発生しても半導体
部分へは影響が及ばない。
（実施例）
本発明の実施例におけるダイシングスリット付き半導体
装置を第１図、第２図により説明する。
装置を第１図、第２図により説明する。
上記各図において符号１は基板を示しシリコン、ガラス
、セラミックなどをその材料にしている。
、セラミックなどをその材料にしている。
基板１の表面上には半導体部分２が複数個配列接合され
ている。半導体部分２は薄膜半導体素子２ａ及びその保
護膜２ｂよりなる。３は基板１上の各半導体部分間にエ
ツチングによって保護膜形成後に設けられたダイシング
スリットを示し、その深さＢは半導体部分２の厚さＡの
１０〜５０倍以上であり、そのスリット巾Ｃはダイシン
グの際に用いるダイシングブレードの厚さより大きい。
ている。半導体部分２は薄膜半導体素子２ａ及びその保
護膜２ｂよりなる。３は基板１上の各半導体部分間にエ
ツチングによって保護膜形成後に設けられたダイシング
スリットを示し、その深さＢは半導体部分２の厚さＡの
１０〜５０倍以上であり、そのスリット巾Ｃはダイシン
グの際に用いるダイシングブレードの厚さより大きい。
基板を切り出すためには第２図に示すようにダイシング
ブレード４をダイシングスリット３へ切り入れる。ダイ
シングブレード４の厚さはダイシングスリットの巾Ｃの
３／４以下である。Ｄはその時に基板内の基板切り出し
部の回りに生じるストレスダメージ（ダイシングによる
塑性変形域）の及ぶ長さを示す。例えば、ダイヤモンド
ダイシングスクライブではＤはＸ線分析によると５００
〜６００μｍであるということが認められている。
ブレード４をダイシングスリット３へ切り入れる。ダイ
シングブレード４の厚さはダイシングスリットの巾Ｃの
３／４以下である。Ｄはその時に基板内の基板切り出し
部の回りに生じるストレスダメージ（ダイシングによる
塑性変形域）の及ぶ長さを示す。例えば、ダイヤモンド
ダイシングスクライブではＤはＸ線分析によると５００
〜６００μｍであるということが認められている。
従来技術ではそのストレスダメージが基板表面上に設け
られた半導体部分にまでその影響が及んだ。
られた半導体部分にまでその影響が及んだ。
しかし、本発明にはダイシングスリット３が設けられ、
半導体部分２がダイシングブレードの切り込まれるダイ
シングスリット３の底面３ａよりＢだけその基板厚があ
るため塑性変形域が半導体部分２にまで及ばない。
半導体部分２がダイシングブレードの切り込まれるダイ
シングスリット３の底面３ａよりＢだけその基板厚があ
るため塑性変形域が半導体部分２にまで及ばない。
（発明の効果）
本発明によれば、基板上の各半導体部分にダイシングス
リットを設はスリット巾の３／４以下のダイシングブレ
ードでダイシングを行なうので、基板切りだし時に基板
切りだし端面より生ずるストレスダメージが半導体部分
に−までその影響が及ばなく、その結果半導体部分の特
性変化が生ぜず、かつ半導体素子が多層になっている場
合、多層膜間の密着力劣化も起こさない。
リットを設はスリット巾の３／４以下のダイシングブレ
ードでダイシングを行なうので、基板切りだし時に基板
切りだし端面より生ずるストレスダメージが半導体部分
に−までその影響が及ばなく、その結果半導体部分の特
性変化が生ぜず、かつ半導体素子が多層になっている場
合、多層膜間の密着力劣化も起こさない。
第１図は本発明におけるダイシングスリットつき半導体
装置を示す断面図、第２図は本発明における半導体装置
のダイシングスリットの設けられた切り出し部からの切
断または傷、溝付けを示す断面図・、第３図は従来技術
における半導体装置の切断または傷、溝付けを示す断面
図である。 １・・・基板、２・・・半導体部分、２ａ・・・半導体
素子、２ｂ・・・保護膜、３・・・ダイシングスリット
。
装置を示す断面図、第２図は本発明における半導体装置
のダイシングスリットの設けられた切り出し部からの切
断または傷、溝付けを示す断面図・、第３図は従来技術
における半導体装置の切断または傷、溝付けを示す断面
図である。 １・・・基板、２・・・半導体部分、２ａ・・・半導体
素子、２ｂ・・・保護膜、３・・・ダイシングスリット
。
Claims (1)
- 基板（ウエハ）上に半導体素子とその保護膜よりなる半
導体部分があってその半導体部分が多数個取りのため複
数配列されており、基板切り出し部にダイシングスリッ
トを持つことを特徴とするダイシングスリット付き半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14836690A JPH0442949A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | ダイシングスリット付き半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14836690A JPH0442949A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | ダイシングスリット付き半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442949A true JPH0442949A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15451160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14836690A Pending JPH0442949A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | ダイシングスリット付き半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0442949A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5786266A (en) * | 1994-04-12 | 1998-07-28 | Lsi Logic Corporation | Multi cut wafer saw process |
| JP2001267458A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | New Japan Radio Co Ltd | セラミック集合基板、これを用いた半導体装置及びその製造方法 |
| US6443924B1 (en) | 1994-05-13 | 2002-09-03 | Scimed Life Systems, Inc. | Apparatus for performing diagnostic and therapeutic modalities in the biliary tree |
| US6579300B2 (en) | 2001-01-18 | 2003-06-17 | Scimed Life Systems, Inc. | Steerable sphincterotome and methods for cannulation, papillotomy and sphincterotomy |
| US7645254B2 (en) | 1994-05-13 | 2010-01-12 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Apparatus for performing diagnostic and therapeutic modalities in the biliary tree |
-
1990
- 1990-06-06 JP JP14836690A patent/JPH0442949A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5786266A (en) * | 1994-04-12 | 1998-07-28 | Lsi Logic Corporation | Multi cut wafer saw process |
| US6443924B1 (en) | 1994-05-13 | 2002-09-03 | Scimed Life Systems, Inc. | Apparatus for performing diagnostic and therapeutic modalities in the biliary tree |
| US6547758B1 (en) | 1994-05-13 | 2003-04-15 | Scimed Life Systems, Inc. | Apparatus for performing diagnostic and therapeutic modalities in the biliary tree |
| US7645254B2 (en) | 1994-05-13 | 2010-01-12 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Apparatus for performing diagnostic and therapeutic modalities in the biliary tree |
| JP2001267458A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | New Japan Radio Co Ltd | セラミック集合基板、これを用いた半導体装置及びその製造方法 |
| US6579300B2 (en) | 2001-01-18 | 2003-06-17 | Scimed Life Systems, Inc. | Steerable sphincterotome and methods for cannulation, papillotomy and sphincterotomy |
| US7947056B2 (en) | 2001-01-18 | 2011-05-24 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Steerable sphincterotome and methods for cannulation, papillotomy and sphincterotomy |
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