JPH10223571A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH10223571A JPH10223571A JP2233397A JP2233397A JPH10223571A JP H10223571 A JPH10223571 A JP H10223571A JP 2233397 A JP2233397 A JP 2233397A JP 2233397 A JP2233397 A JP 2233397A JP H10223571 A JPH10223571 A JP H10223571A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハを裏面側からダイシングする時
に、割れや欠けが発生してしまう。 【解決手段】 ストリート14も含めた半導体ウエハ1
6の表面全体にコート膜15を付加する工程と、前記半
導体ウエハ16を裏面側からブレードによりダイシング
する工程とにより、半導体ウエハ16をしっかり固定し
てダイシングすることができ、分割後の半導体素子の側
面を割れや欠けの極めて少ないものにすることができ
る。
に、割れや欠けが発生してしまう。 【解決手段】 ストリート14も含めた半導体ウエハ1
6の表面全体にコート膜15を付加する工程と、前記半
導体ウエハ16を裏面側からブレードによりダイシング
する工程とにより、半導体ウエハ16をしっかり固定し
てダイシングすることができ、分割後の半導体素子の側
面を割れや欠けの極めて少ないものにすることができ
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はダイシングされるス
トリートを有する半導体ウエハを製造する方法と、半導
体ウエハを裏面側から個々の半導体チップに分割するた
めのダイシング方法に特徴を有する半導体装置の製造方
法に関するものである。
トリートを有する半導体ウエハを製造する方法と、半導
体ウエハを裏面側から個々の半導体チップに分割するた
めのダイシング方法に特徴を有する半導体装置の製造方
法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】以下、従来の半導体装置の製造方法につ
いて、図7〜図9を用いて説明する。
いて、図7〜図9を用いて説明する。
【0003】まず図7を用いて、従来の半導体ウエハの
製造方法について説明する。図7は、従来の半導体ウエ
ハを示す断面図である。なお図7では半導体ウエハの表
面側を下にして示している。
製造方法について説明する。図7は、従来の半導体ウエ
ハを示す断面図である。なお図7では半導体ウエハの表
面側を下にして示している。
【0004】図示するように、シリコン基板1よりなる
半導体ウエハ2は、その表面には、半導体素子3と、半
導体素子3と半導体素子3との境界であり、ダイシング
によりブレードで切削されるストリート4と、半導体ウ
エハ2の表面を保護するコート膜5より構成されてい
る。
半導体ウエハ2は、その表面には、半導体素子3と、半
導体素子3と半導体素子3との境界であり、ダイシング
によりブレードで切削されるストリート4と、半導体ウ
エハ2の表面を保護するコート膜5より構成されてい
る。
【0005】この半導体ウエハ2を製造するためには、
まず、シリコン基板1に対して不純物の注入や膜形成の
処理を行うことで、回路を作り込んだ半導体素子3を形
成する。次にコート膜5を付加するが、この物質の一例
としてポリイミドがあり、その場合の手順について説明
する。スピナーにより液状のポリイミド前駆体を半導体
ウエハ2の全面で平坦となるように塗布する。このあと
約100[℃]のプリベークによりポリイミド前駆体を
仮硬化させる。この状態でストリート4とそれ以外を区
別してリソグラフィの処理を行う。そして約400
[℃]のポストキュアにより残ったポリイミドを本硬化
させる。このようにして図7に示すようなシリコン基板
1がストリート4で露出した半導体ウエハ2が製造され
る。
まず、シリコン基板1に対して不純物の注入や膜形成の
処理を行うことで、回路を作り込んだ半導体素子3を形
成する。次にコート膜5を付加するが、この物質の一例
としてポリイミドがあり、その場合の手順について説明
する。スピナーにより液状のポリイミド前駆体を半導体
ウエハ2の全面で平坦となるように塗布する。このあと
約100[℃]のプリベークによりポリイミド前駆体を
仮硬化させる。この状態でストリート4とそれ以外を区
別してリソグラフィの処理を行う。そして約400
[℃]のポストキュアにより残ったポリイミドを本硬化
させる。このようにして図7に示すようなシリコン基板
1がストリート4で露出した半導体ウエハ2が製造され
る。
【0006】次に図8を用いて、半導体ウエハの裏面側
からのダイシング方法について説明する。図8は、半導
体ウエハの裏面側からのダイシングを説明する斜視図で
ある。図8において、6は半導体ウエハ2に貼り付ける
シート、7は半導体ウエハ2を保持するためにシート6
の外周を貼り付けるフレーム、8は切削用のブレードで
ある。そして半導体ウエハ2はその表面側をシート6に
貼り付けている。切削する側からは半導体ウエハ2の裏
面しか見えないが、赤外線カメラ(図示せず)等の認識
手段により半導体ウエハ2の素材であるシリコン部分を
透過して半導体ウエハ2の内部の特徴を認識すること
で、切削位置であるストリートを認識可能である。そし
て、ブレード8の切込み厚さを半導体ウエハ2の厚さ以
上になるよう設定して、ブレード8を回転させながら送
っていく。これにより半導体ウエハ2を切削して個々の
半導体チップ9に分割するものである。
からのダイシング方法について説明する。図8は、半導
体ウエハの裏面側からのダイシングを説明する斜視図で
ある。図8において、6は半導体ウエハ2に貼り付ける
シート、7は半導体ウエハ2を保持するためにシート6
の外周を貼り付けるフレーム、8は切削用のブレードで
ある。そして半導体ウエハ2はその表面側をシート6に
貼り付けている。切削する側からは半導体ウエハ2の裏
面しか見えないが、赤外線カメラ(図示せず)等の認識
手段により半導体ウエハ2の素材であるシリコン部分を
透過して半導体ウエハ2の内部の特徴を認識すること
で、切削位置であるストリートを認識可能である。そし
て、ブレード8の切込み厚さを半導体ウエハ2の厚さ以
上になるよう設定して、ブレード8を回転させながら送
っていく。これにより半導体ウエハ2を切削して個々の
半導体チップ9に分割するものである。
【0007】さらに図9を用いて、ダイシング時に半導
体ウエハに作用する力の関係について説明する。図9
は、半導体ウエハに作用する力を説明する図である。な
お図9はブレード8が半導体ウエハ2の厚さの中程まで
切込んだ様子を示している。図中、10はブレード8か
ら半導体ウエハ2に作用する力であり、11,12はそ
の反作用としてストリート4の両端の支持部から半導体
ウエハ2に作用する力、D1,D2は作用する力の間の
距離である。力10の大きさは力11,12を合わせた
ものと同じであり、力10の方向と力11,12の方向
とは逆である。力10と力11,12は同一線上にない
ため、特にブレード8が貫通するときに力の関係が安定
せず、図9の左側のチップ半導体素子3について言え
ば、力11の作用点を中心に時計方向に回転させるモー
メント13が発生して姿勢が変動してしまう。なお、通
常はD1,D2はほぼ等しく、力11,12の大きさが
ほぼ同じになる。
体ウエハに作用する力の関係について説明する。図9
は、半導体ウエハに作用する力を説明する図である。な
お図9はブレード8が半導体ウエハ2の厚さの中程まで
切込んだ様子を示している。図中、10はブレード8か
ら半導体ウエハ2に作用する力であり、11,12はそ
の反作用としてストリート4の両端の支持部から半導体
ウエハ2に作用する力、D1,D2は作用する力の間の
距離である。力10の大きさは力11,12を合わせた
ものと同じであり、力10の方向と力11,12の方向
とは逆である。力10と力11,12は同一線上にない
ため、特にブレード8が貫通するときに力の関係が安定
せず、図9の左側のチップ半導体素子3について言え
ば、力11の作用点を中心に時計方向に回転させるモー
メント13が発生して姿勢が変動してしまう。なお、通
常はD1,D2はほぼ等しく、力11,12の大きさが
ほぼ同じになる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の半導体ウエ
ハの構成では、半導体ウエハを裏面側からダイシングす
る時にその半導体ウエハの支持が安定せず、半導体素子
にはモーメントが働いてその姿勢が変動してしまう。こ
のため分割後の半導体チップの側面には大きな割れや欠
けが発生して形状が不揃いになっていた。また、はなは
だしい場合には割れや欠けが半導体素子部分まで達し、
その機能を破壊して不良品にしてしまったり、信頼性上
で問題を生じさせていた。
ハの構成では、半導体ウエハを裏面側からダイシングす
る時にその半導体ウエハの支持が安定せず、半導体素子
にはモーメントが働いてその姿勢が変動してしまう。こ
のため分割後の半導体チップの側面には大きな割れや欠
けが発生して形状が不揃いになっていた。また、はなは
だしい場合には割れや欠けが半導体素子部分まで達し、
その機能を破壊して不良品にしてしまったり、信頼性上
で問題を生じさせていた。
【0009】本発明は、これらの課題を解決するもの
で、半導体ウエハを裏面側からダイシングする時に割れ
や欠けの生じることの少ない半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
で、半導体ウエハを裏面側からダイシングする時に割れ
や欠けの生じることの少ない半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の第1の半導体装置の製造方法は、ストリート
も含めた半導体ウエハの表面全体にコート膜を付加する
工程と、前記半導体ウエハを裏面側からダイシングする
工程とを有している。
に本発明の第1の半導体装置の製造方法は、ストリート
も含めた半導体ウエハの表面全体にコート膜を付加する
工程と、前記半導体ウエハを裏面側からダイシングする
工程とを有している。
【0011】また、本発明の第2の半導体装置の製造方
法は、ストリートの一部または全部を除いて半導体ウエ
ハの表面にコート膜を付加する工程と、前記半導体ウエ
ハを裏面側からダイシングする工程とを有している。
法は、ストリートの一部または全部を除いて半導体ウエ
ハの表面にコート膜を付加する工程と、前記半導体ウエ
ハを裏面側からダイシングする工程とを有している。
【0012】また、本発明の第3の半導体装置の製造方
法は、ストリートの一部または全部を除いて半導体ウエ
ハの表面にコート膜を付加する工程と、前記ストリート
に前記コート膜とは接触しないように前記コート膜と同
じまたは別の物質で一直線上に連続または断続する凸部
を形成する工程と、前記半導体ウエハを裏面側からダイ
シングする工程とを有している。
法は、ストリートの一部または全部を除いて半導体ウエ
ハの表面にコート膜を付加する工程と、前記ストリート
に前記コート膜とは接触しないように前記コート膜と同
じまたは別の物質で一直線上に連続または断続する凸部
を形成する工程と、前記半導体ウエハを裏面側からダイ
シングする工程とを有している。
【0013】また、本発明の第4の半導体装置の製造方
法は、ストリートの一部または全部を除いて半導体ウエ
ハの表面にコート膜を付加する工程と、前記ストリート
に前記コート膜とは接触しないように前記コート膜と同
じまたは別の物質で二直線上に連続または断続する凸部
を形成する工程と、前記半導体ウエハを裏面側からダイ
シングする工程とを有している。
法は、ストリートの一部または全部を除いて半導体ウエ
ハの表面にコート膜を付加する工程と、前記ストリート
に前記コート膜とは接触しないように前記コート膜と同
じまたは別の物質で二直線上に連続または断続する凸部
を形成する工程と、前記半導体ウエハを裏面側からダイ
シングする工程とを有している。
【0014】さらに、本発明の第5の半導体装置の製造
方法は、ストリートの一部または全部を除いて半導体ウ
エハの表面にコート膜を付加する工程と、前記ストリー
トの前記コート膜を付加しない部分を前記コート膜とは
別の物質で充填する工程と、前記半導体ウエハを裏面側
からダイシングする工程とを有している。
方法は、ストリートの一部または全部を除いて半導体ウ
エハの表面にコート膜を付加する工程と、前記ストリー
トの前記コート膜を付加しない部分を前記コート膜とは
別の物質で充填する工程と、前記半導体ウエハを裏面側
からダイシングする工程とを有している。
【0015】本発明では、半導体ウエハのストリートの
一部または全部の充填を種々の方法で行うことにより、
半導体ウエハを裏面側からダイシングする時に、その半
導体ウエハの支持を安定させることができ、分割後の半
導体チップの側面は割れや欠けの少ないものとなる。
一部または全部の充填を種々の方法で行うことにより、
半導体ウエハを裏面側からダイシングする時に、その半
導体ウエハの支持を安定させることができ、分割後の半
導体チップの側面は割れや欠けの少ないものとなる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図1〜図6を用いて説明する。なお、本実施形態で定
義するストリートとは、半導体ウエハ面上の半導体素子
と半導体素子との境界のシリコン基板が露出した部分で
はなく、半導体と半導体素子との境界でその部分が失わ
れてもなんらチップの機能や信頼性上で問題を生じない
部分であるとする。
て図1〜図6を用いて説明する。なお、本実施形態で定
義するストリートとは、半導体ウエハ面上の半導体素子
と半導体素子との境界のシリコン基板が露出した部分で
はなく、半導体と半導体素子との境界でその部分が失わ
れてもなんらチップの機能や信頼性上で問題を生じない
部分であるとする。
【0017】まず、本発明の第1の実施形態について説
明する。図1は、本発明の第1の実施形態における半導
体ウエハを示す断面図である。なお図1は半導体ウエハ
の表面側を下にして示している。
明する。図1は、本発明の第1の実施形態における半導
体ウエハを示す断面図である。なお図1は半導体ウエハ
の表面側を下にして示している。
【0018】図1ではストリート14のすべてをコート
膜15と同じ物質で充填しているが、この半導体ウエハ
16の製造方法の一例について説明する。図1におい
て、半導体ウエハ16の面上には、半導体素子17がス
トリート14により分割されて形成されているものであ
る。従来例と同様にコート膜15を構成する物質の一例
としてポリイミドの場合について説明する。液状のポリ
イミド前駆体をスピナーにより、半導体ウエハ16の全
面で平坦となるように塗布する所までは従来例と同じで
ある。その後、ポストキュアにより塗布したポリイミド
前駆体を本硬化させる。これにより図1に示すように、
ストリート14を含む全体がポリイミドで覆われた半導
体ウエハ16が製造できる。この半導体ウエハ16の裏
面側からのダイシングは、赤外線カメラ(図示せず)等
の認識手段により半導体ウエハ16の素材であるシリコ
ン部分を透過して、半導体ウエハ16の内部の特徴を認
識して、ブレードを回転させながら送っていくことで行
う。
膜15と同じ物質で充填しているが、この半導体ウエハ
16の製造方法の一例について説明する。図1におい
て、半導体ウエハ16の面上には、半導体素子17がス
トリート14により分割されて形成されているものであ
る。従来例と同様にコート膜15を構成する物質の一例
としてポリイミドの場合について説明する。液状のポリ
イミド前駆体をスピナーにより、半導体ウエハ16の全
面で平坦となるように塗布する所までは従来例と同じで
ある。その後、ポストキュアにより塗布したポリイミド
前駆体を本硬化させる。これにより図1に示すように、
ストリート14を含む全体がポリイミドで覆われた半導
体ウエハ16が製造できる。この半導体ウエハ16の裏
面側からのダイシングは、赤外線カメラ(図示せず)等
の認識手段により半導体ウエハ16の素材であるシリコ
ン部分を透過して、半導体ウエハ16の内部の特徴を認
識して、ブレードを回転させながら送っていくことで行
う。
【0019】次に半導体ウエハ16に作用する力の関係
について説明する。図2は、半導体ウエハに作用する力
を説明する図である。図2は切削を行うブレード18が
表面側にシート19を貼り付けた半導体ウエハ16の厚
さの中程まで切込んだ様子を示している。図2におい
て、20はブレード18から半導体ウエハ16に作用す
る力、21はその反作用としてブレード18の直下の支
持部から半導体ウエハ16に作用する力である。ストリ
ート14の全体をコート膜15で覆っているために、こ
の二つの力は同一線上で働くことになり、大きさも等し
い。これにより、半導体ウエハ16をしっかりと固定し
てダイシングすることができ、分割後の半導体素子17
の側面は割れや欠けの極めて少ないものとなる。
について説明する。図2は、半導体ウエハに作用する力
を説明する図である。図2は切削を行うブレード18が
表面側にシート19を貼り付けた半導体ウエハ16の厚
さの中程まで切込んだ様子を示している。図2におい
て、20はブレード18から半導体ウエハ16に作用す
る力、21はその反作用としてブレード18の直下の支
持部から半導体ウエハ16に作用する力である。ストリ
ート14の全体をコート膜15で覆っているために、こ
の二つの力は同一線上で働くことになり、大きさも等し
い。これにより、半導体ウエハ16をしっかりと固定し
てダイシングすることができ、分割後の半導体素子17
の側面は割れや欠けの極めて少ないものとなる。
【0020】次に、本発明の第2の実施形態について説
明する。図3は、本発明の第2の実施形態における半導
体ウエハを示す断面図である。
明する。図3は、本発明の第2の実施形態における半導
体ウエハを示す断面図である。
【0021】図3では半導体ウエハ16の表面側にシー
ト19を貼り付けており、切削を行うブレード18も合
わせて示している。図3ではストリート14のほぼ中央
にブレード18よりやや広い幅の空間を残して、ストリ
ート14をコート膜15と同じ物質で充填しているが、
この半導体ウエハ16の製造方法の一例について説明す
る。従来例と同じくポリイミド前駆体を半導体ウエハ1
6の全面に塗布したあと一部分を除去する。ただし、除
去する幅が従来例とは異なり、ストリート14のほぼ中
央で、ブレード18よりやや広い幅、例えばブレード1
8の幅より10[μm]だけ広い幅とする。このように
して製造された半導体ウエハ16を裏面側からダイシン
グするが、ブレード18が通るストリート14のほぼ中
央のポリイミドがない部分はブレード18の幅よりやや
広いため、ブレード18はポリイミドに接触することな
く、半導体ウエハ16のみを切削していく。この切削は
半導体ウエハ16のみを対象としているため良好なもの
となる。また、このとき作用する力の関係は図9と同じ
であるが、ストリート14でポリイミドがない部分はブ
レード18の幅よりやや広いだけなので、D1,D2は
小さくなる。これにより、半導体素子17を回転させよ
うとするモーメントを小さくすることができ、分割後の
半導体素子17の側面は割れや欠けの少ないものとな
る。
ト19を貼り付けており、切削を行うブレード18も合
わせて示している。図3ではストリート14のほぼ中央
にブレード18よりやや広い幅の空間を残して、ストリ
ート14をコート膜15と同じ物質で充填しているが、
この半導体ウエハ16の製造方法の一例について説明す
る。従来例と同じくポリイミド前駆体を半導体ウエハ1
6の全面に塗布したあと一部分を除去する。ただし、除
去する幅が従来例とは異なり、ストリート14のほぼ中
央で、ブレード18よりやや広い幅、例えばブレード1
8の幅より10[μm]だけ広い幅とする。このように
して製造された半導体ウエハ16を裏面側からダイシン
グするが、ブレード18が通るストリート14のほぼ中
央のポリイミドがない部分はブレード18の幅よりやや
広いため、ブレード18はポリイミドに接触することな
く、半導体ウエハ16のみを切削していく。この切削は
半導体ウエハ16のみを対象としているため良好なもの
となる。また、このとき作用する力の関係は図9と同じ
であるが、ストリート14でポリイミドがない部分はブ
レード18の幅よりやや広いだけなので、D1,D2は
小さくなる。これにより、半導体素子17を回転させよ
うとするモーメントを小さくすることができ、分割後の
半導体素子17の側面は割れや欠けの少ないものとな
る。
【0022】次に、本発明の第3の実施形態について説
明する。図4は、本発明の第3の実施形態における半導
体ウエハの断面図である。
明する。図4は、本発明の第3の実施形態における半導
体ウエハの断面図である。
【0023】図4においても半導体ウエハ16の表面側
にシート19を貼り付けており、切削を行うブレード1
8も合わせて示している。図4ではストリート14のほ
ぼ中央にコート膜15とは距離をおいて、コート膜15
とほぼ同じ高さの中央支持部22を設けている。この中
央支持部22を構成する物質はポリイミドでもよいしポ
リイミド以外でもよい。この物質がポリイミドのとき
は、第2の実施形態と同じくポリイミド前駆体を半導体
ウエハ16の全面に塗布したあと部分的な除去をする
が、このときストリート14の中央部分は残し、その両
側を除去すればよい。
にシート19を貼り付けており、切削を行うブレード1
8も合わせて示している。図4ではストリート14のほ
ぼ中央にコート膜15とは距離をおいて、コート膜15
とほぼ同じ高さの中央支持部22を設けている。この中
央支持部22を構成する物質はポリイミドでもよいしポ
リイミド以外でもよい。この物質がポリイミドのとき
は、第2の実施形態と同じくポリイミド前駆体を半導体
ウエハ16の全面に塗布したあと部分的な除去をする
が、このときストリート14の中央部分は残し、その両
側を除去すればよい。
【0024】また、中央支持部22を構成する物質がポ
リイミド以外のときは、それが有機系ならポリイミドと
同様の方式で中央支持部22以外を除去すればよいし、
無機系ならPVD等により中央支持部22を含む膜を形
成した後、リソグラフィとエッチングにより中央支持部
22以外を除去すればよい。なお、縦と横のストリート
14が交わる所では除去する部分と残す部分が重なる
が、そこでの除去の実施の有無はどちらでもよい。この
ようにして製造された半導体ウエハ16を裏面側からダ
イシングするが、このときブレード18は中央支持部2
2を切削していく。この中央支持部22は、切削性のよ
い物質で構成するのがダイシングの所要時間やブレード
18の寿命の観点からは望ましい。
リイミド以外のときは、それが有機系ならポリイミドと
同様の方式で中央支持部22以外を除去すればよいし、
無機系ならPVD等により中央支持部22を含む膜を形
成した後、リソグラフィとエッチングにより中央支持部
22以外を除去すればよい。なお、縦と横のストリート
14が交わる所では除去する部分と残す部分が重なる
が、そこでの除去の実施の有無はどちらでもよい。この
ようにして製造された半導体ウエハ16を裏面側からダ
イシングするが、このときブレード18は中央支持部2
2を切削していく。この中央支持部22は、切削性のよ
い物質で構成するのがダイシングの所要時間やブレード
18の寿命の観点からは望ましい。
【0025】また、安定した切削を行うためにはブレー
ド18の全体が中央支持部22に当たるように、中央支
持部22の幅をブレード18よりやや広くするのが望ま
しい。中央支持部22とコート膜15との間に距離をお
いているために、切削する位置で割れや欠けが生じても
その影響は中央支持部22の近傍にとどまり、コート膜
15やその内側の半導体素子17部分まで及ぶことが少
ない。
ド18の全体が中央支持部22に当たるように、中央支
持部22の幅をブレード18よりやや広くするのが望ま
しい。中央支持部22とコート膜15との間に距離をお
いているために、切削する位置で割れや欠けが生じても
その影響は中央支持部22の近傍にとどまり、コート膜
15やその内側の半導体素子17部分まで及ぶことが少
ない。
【0026】さらに、作用する力の関係も前記した図2
と同じであり、半導体ウエハ16に作用する二つの力は
大きさが等しく同一線上で働く。これにより、半導体ウ
エハ16をしっかり固定してダイシングすることがで
き、切削する位置で割れや欠けが生じてもコート膜15
まで及ぶことがなく、分割後の半導体素子17の側面は
きれいなものとなる。
と同じであり、半導体ウエハ16に作用する二つの力は
大きさが等しく同一線上で働く。これにより、半導体ウ
エハ16をしっかり固定してダイシングすることがで
き、切削する位置で割れや欠けが生じてもコート膜15
まで及ぶことがなく、分割後の半導体素子17の側面は
きれいなものとなる。
【0027】次に、本発明の第4の実施形態について説
明する。図5は、本発明の第4の実施形態における半導
体ウエハの断面図である。
明する。図5は、本発明の第4の実施形態における半導
体ウエハの断面図である。
【0028】図5では半導体ウエハ16の表面側にシー
ト19を貼り付けており、切削を行うブレード18も合
わせて示している。図5ではストリート14のほぼ中央
にブレード18よりやや広い幅の空間を設け、その両側
にコート膜15とは距離をおいて、コート膜15とほぼ
同じ高さの支持部23,24を設けている。この支持部
23,24を構成する物質はポリイミドでもよいしポリ
イミド以外でもよい。この物質がポリイミドのときは、
第2の実施形態と同じくポリイミド前駆体を半導体ウエ
ハ16の全面に塗布したあと部分的な除去をするが、こ
のときストリート14の中央部分と両端のコート膜15
と隣接する部分を除去すればよい。
ト19を貼り付けており、切削を行うブレード18も合
わせて示している。図5ではストリート14のほぼ中央
にブレード18よりやや広い幅の空間を設け、その両側
にコート膜15とは距離をおいて、コート膜15とほぼ
同じ高さの支持部23,24を設けている。この支持部
23,24を構成する物質はポリイミドでもよいしポリ
イミド以外でもよい。この物質がポリイミドのときは、
第2の実施形態と同じくポリイミド前駆体を半導体ウエ
ハ16の全面に塗布したあと部分的な除去をするが、こ
のときストリート14の中央部分と両端のコート膜15
と隣接する部分を除去すればよい。
【0029】また、支持部23,24を構成する物質が
ポリイミド以外のときは、それが有機系ならポリイミド
と同様の方式で支持部23,24以外を除去すればよい
し、無機系ならPVD等により支持部23,24を含む
膜を形成した後、リソグラフィとエッチングにより支持
部23,24以外を除去すればよい。なお、縦と横のス
トリート14が交わる所では除去する部分と残す部分が
重なるが、そこでは除去を実施し、ダイシング時にブレ
ード18が半導体ウエハ16のみを切削するようにする
のがよい。このようにして製造された半導体ウエハ16
を裏面側からダイシングするが、ブレード18が通るス
トリート14の中央は半導体ウエハ16のみの部分であ
り、その幅もブレード18の幅よりやや広いため、ブレ
ード18は支持部23,24に接触することなく、半導
体ウエハ16のみを切削していく。この切削は半導体ウ
エハ16、すなわち素材であるシリコン基板のみを対象
としているため良好なものとなる。
ポリイミド以外のときは、それが有機系ならポリイミド
と同様の方式で支持部23,24以外を除去すればよい
し、無機系ならPVD等により支持部23,24を含む
膜を形成した後、リソグラフィとエッチングにより支持
部23,24以外を除去すればよい。なお、縦と横のス
トリート14が交わる所では除去する部分と残す部分が
重なるが、そこでは除去を実施し、ダイシング時にブレ
ード18が半導体ウエハ16のみを切削するようにする
のがよい。このようにして製造された半導体ウエハ16
を裏面側からダイシングするが、ブレード18が通るス
トリート14の中央は半導体ウエハ16のみの部分であ
り、その幅もブレード18の幅よりやや広いため、ブレ
ード18は支持部23,24に接触することなく、半導
体ウエハ16のみを切削していく。この切削は半導体ウ
エハ16、すなわち素材であるシリコン基板のみを対象
としているため良好なものとなる。
【0030】また、切削する位置で割れや欠けが生じて
もその両側の支持部23,24がその伝播を阻止するた
め、コート膜15やその内側の半導体素子17部分まで
及ぶことがなく、その大きさも小さくてすむ。さらに、
作用する力の関係は図9と同じであるが、ストリート1
4にある二つの支持部23,24の間隔はブレード18
の幅よりやや広いだけなので、D1,D2は小さくな
る。これにより、半導体素子17を回転させようとする
モーメントを小さくすることができ、切削する位置で割
れや欠けが生じてもコート膜15まで及ぶことがなく、
その大きさも小さくてすみ、分割後の半導体素子17の
側面はきれいなものとなる。
もその両側の支持部23,24がその伝播を阻止するた
め、コート膜15やその内側の半導体素子17部分まで
及ぶことがなく、その大きさも小さくてすむ。さらに、
作用する力の関係は図9と同じであるが、ストリート1
4にある二つの支持部23,24の間隔はブレード18
の幅よりやや広いだけなので、D1,D2は小さくな
る。これにより、半導体素子17を回転させようとする
モーメントを小さくすることができ、切削する位置で割
れや欠けが生じてもコート膜15まで及ぶことがなく、
その大きさも小さくてすみ、分割後の半導体素子17の
側面はきれいなものとなる。
【0031】次に、本発明の第5の実施形態について説
明する。図6は、本発明の第5の実施形態における半導
体ウエハを示す断面図である。図6では半導体ウエハ1
6の表面側にシート19を貼り付けており、切削を行う
ブレード18も合わせて示している。図6では、ストリ
ート14の中央部25をブレード18よりやや広い幅
で、コート膜15とは別の物質で充填しているが、この
半導体ウエハ16の製造方法の一例について説明する。
まず、第2の実施形態と同じ方法でストリート14のほ
ぼ中央に空間を残して、コート膜15を付加する。その
後、ストリート14の中央部25をコート膜15とは別
の物質で充填する。この充填は、中央部25を構成する
物質が有機系ならポリイミドと同様の方式、無機系なら
PVD等の方式で行えばよい。この半導体ウエハ16の
裏面側からのダイシングでは、ブレード18は中央部2
5を切削していく。この中央部25は、切削性のよい物
質で構成するのがダイシングの所要時間やブレード18
の寿命の観点からは望ましい。
明する。図6は、本発明の第5の実施形態における半導
体ウエハを示す断面図である。図6では半導体ウエハ1
6の表面側にシート19を貼り付けており、切削を行う
ブレード18も合わせて示している。図6では、ストリ
ート14の中央部25をブレード18よりやや広い幅
で、コート膜15とは別の物質で充填しているが、この
半導体ウエハ16の製造方法の一例について説明する。
まず、第2の実施形態と同じ方法でストリート14のほ
ぼ中央に空間を残して、コート膜15を付加する。その
後、ストリート14の中央部25をコート膜15とは別
の物質で充填する。この充填は、中央部25を構成する
物質が有機系ならポリイミドと同様の方式、無機系なら
PVD等の方式で行えばよい。この半導体ウエハ16の
裏面側からのダイシングでは、ブレード18は中央部2
5を切削していく。この中央部25は、切削性のよい物
質で構成するのがダイシングの所要時間やブレード18
の寿命の観点からは望ましい。
【0032】また、作用する力の関係も図2と同じであ
り、半導体ウエハ16に作用する二つの力は大きさが等
しく同一線上で働く。これにより、半導体ウエハ16を
しっかりと固定してダイシングすることができ、分割後
の半導体素子17の側面は割れや欠けの極めて少ないも
のとなる。
り、半導体ウエハ16に作用する二つの力は大きさが等
しく同一線上で働く。これにより、半導体ウエハ16を
しっかりと固定してダイシングすることができ、分割後
の半導体素子17の側面は割れや欠けの極めて少ないも
のとなる。
【0033】なお、本発明の実施形態ではストリートの
中央に関して対称となるよう充填を行ったが、対称でな
くてもそれに応じてダイシング位置を変えることで同じ
効果が得られる。
中央に関して対称となるよう充填を行ったが、対称でな
くてもそれに応じてダイシング位置を変えることで同じ
効果が得られる。
【0034】また、第2、第4の実施形態では、ストリ
ートのほぼ中央にブレードよりやや広い幅でシリコン基
板が露出した部分を設けるとしたが、この幅が変化して
もほぼ同じ効果が得られる。
ートのほぼ中央にブレードよりやや広い幅でシリコン基
板が露出した部分を設けるとしたが、この幅が変化して
もほぼ同じ効果が得られる。
【0035】また、第3、第5の実施形態ではストリー
トのほぼ中央にブレードよりやや広い幅の支持部を設け
るとしたが、この幅が変化してもほぼ同じ効果が得られ
る。
トのほぼ中央にブレードよりやや広い幅の支持部を設け
るとしたが、この幅が変化してもほぼ同じ効果が得られ
る。
【0036】さらに、ストリートにプロセスのチェック
用の回路を設ける場合には、その部分には本実施形態で
説明した充填を行わないとすればよい。
用の回路を設ける場合には、その部分には本実施形態で
説明した充填を行わないとすればよい。
【0037】
【発明の効果】本発明の共通の効果として、ダイシング
により分割された半導体素子には不良品や信頼性上で問
題になるものがなくなることがあげられる。
により分割された半導体素子には不良品や信頼性上で問
題になるものがなくなることがあげられる。
【0038】すなわち、ストリートも含めた半導体ウエ
ハの表面全体にコート膜を付加する工程と、その半導体
ウエハを裏面側からダイシングする工程とを有すること
で、半導体ウエハをしっかりと固定してダイシングする
ことができ、分割後のチップの側面を割れや欠けの極め
て少ないものにすることができる。
ハの表面全体にコート膜を付加する工程と、その半導体
ウエハを裏面側からダイシングする工程とを有すること
で、半導体ウエハをしっかりと固定してダイシングする
ことができ、分割後のチップの側面を割れや欠けの極め
て少ないものにすることができる。
【0039】また、ストリートの一部または全部を除い
て半導体ウエハの表面にコート膜を付加する工程と、そ
の半導体ウエハを裏面側からダイシングする工程とを有
することで、チップを回転させようとするモーメントを
小さくすることができ、分割後のチップの側面を割れや
欠けの少ないものにすることができる。また、シリコン
基板のみを対象として良好な切削ができる。
て半導体ウエハの表面にコート膜を付加する工程と、そ
の半導体ウエハを裏面側からダイシングする工程とを有
することで、チップを回転させようとするモーメントを
小さくすることができ、分割後のチップの側面を割れや
欠けの少ないものにすることができる。また、シリコン
基板のみを対象として良好な切削ができる。
【0040】また、ストリートの一部または全部を除い
て半導体ウエハの表面にコート膜を付加する工程と、そ
のストリートにコート膜とは接触しないように、コート
膜と同じまたは別の物質で一直線上に連続または断続す
る凸部を形成する工程と、その半導体ウエハを裏面側か
らダイシングする工程とを有することで、ウエハをしっ
かり固定してダイシングすることができ、切削する位置
で割れや欠けが生じてもコート膜まで及ぶことがなく、
分割後のチップの側面をきれいなものにすることができ
る。また、中央支持部を切削性のよい物質で構成するこ
とで、良好な切削ができ、ブレード寿命の問題も生じな
い。
て半導体ウエハの表面にコート膜を付加する工程と、そ
のストリートにコート膜とは接触しないように、コート
膜と同じまたは別の物質で一直線上に連続または断続す
る凸部を形成する工程と、その半導体ウエハを裏面側か
らダイシングする工程とを有することで、ウエハをしっ
かり固定してダイシングすることができ、切削する位置
で割れや欠けが生じてもコート膜まで及ぶことがなく、
分割後のチップの側面をきれいなものにすることができ
る。また、中央支持部を切削性のよい物質で構成するこ
とで、良好な切削ができ、ブレード寿命の問題も生じな
い。
【0041】また、ストリートの一部または全部を除い
て半導体ウエハの表面にコート膜を付加する工程と、そ
のストリートに前記コート膜とは接触しないようにコー
ト膜と同じまたは別の物質で二直線上に連続または断続
する凸部を形成する工程と、半導体ウエハを裏面側から
ダイシングする工程とを有することで、チップを回転さ
せようとするモーメントを小さくすることができ、切削
する位置で割れや欠けが生じてもコート膜まで及ぶこと
がなく、その大きさも小さくてすみ、分割後のチップの
側面をきれいなものにすることができる。また、シリコ
ン基板のみを対象として良好な切削ができる。
て半導体ウエハの表面にコート膜を付加する工程と、そ
のストリートに前記コート膜とは接触しないようにコー
ト膜と同じまたは別の物質で二直線上に連続または断続
する凸部を形成する工程と、半導体ウエハを裏面側から
ダイシングする工程とを有することで、チップを回転さ
せようとするモーメントを小さくすることができ、切削
する位置で割れや欠けが生じてもコート膜まで及ぶこと
がなく、その大きさも小さくてすみ、分割後のチップの
側面をきれいなものにすることができる。また、シリコ
ン基板のみを対象として良好な切削ができる。
【0042】さらに、ストリートの一部または全部を除
いて半導体ウエハの表面にコート膜を付加する工程と、
ストリートのコート膜を付加しない部分をコート膜とは
別の物質で充填する工程と、半導体ウエハを裏面側から
ダイシングする工程とを有することで、ウエハをしっか
りと固定してダイシングすることができ、分割後のチッ
プの側面を割れや欠けの極めて少ないものにすることが
できる。また、中央部を切削性のよい物質で構成するこ
とで、良好な切削ができ、ブレード寿命の問題も生じな
い。
いて半導体ウエハの表面にコート膜を付加する工程と、
ストリートのコート膜を付加しない部分をコート膜とは
別の物質で充填する工程と、半導体ウエハを裏面側から
ダイシングする工程とを有することで、ウエハをしっか
りと固定してダイシングすることができ、分割後のチッ
プの側面を割れや欠けの極めて少ないものにすることが
できる。また、中央部を切削性のよい物質で構成するこ
とで、良好な切削ができ、ブレード寿命の問題も生じな
い。
【図1】本発明の第1の実施形態における半導体ウエハ
の断面図
の断面図
【図2】本発明の第1の実施形態における半導体ウエハ
に作用する力を説明する図
に作用する力を説明する図
【図3】本発明の第2の実施形態における半導体ウエハ
の断面図
の断面図
【図4】本発明の第3の実施形態における半導体ウエハ
の断面図
の断面図
【図5】本発明の第4の実施形態における半導体ウエハ
の断面図
の断面図
【図6】本発明の第5の実施形態における半導体ウエハ
の断面図
の断面図
【図7】従来の半導体ウエハの断面図
【図8】従来の半導体ウエハの裏面側からのダイシング
を説明する斜視図
を説明する斜視図
【図9】従来の半導体ウエハに作用する力を説明する図
1 シリコン基板 2 半導体ウエハ 3 半導体素子 4 ストリート 5 コート膜 6 シート 7 フレーム 8 ブレード 9 半導体チップ 10,11,12 力 13 モーメント 14 ストリート 15 コート膜 16 半導体ウエハ 17 半導体素子 18 ブレード 19 シート 20,21 力 22 中央支持部 23,24 支持部 25 中央部
Claims (5)
- 【請求項1】 ストリートも含めた半導体ウエハの表面
全体にコート膜を付加する工程と、前記半導体ウエハを
裏面側からストリートに沿ってダイシングする工程とを
有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】 ストリートの一部または全部を除いて半
導体ウエハの表面にコート膜を付加する工程と、前記半
導体ウエハを裏面側からストリートに沿ってダイシング
する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項3】 ストリートの一部または全部を除いて半
導体ウエハの表面にコート膜を付加する工程と、前記ス
トリートに前記コート膜とは接触しないように前記コー
ト膜と同じまたは別の物質で一直線上に連続または断続
する凸部を形成する工程と、前記半導体ウエハを裏面側
からストリートに沿ってダイシングする工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項4】 ストリートの一部または全部を除いて半
導体ウエハの表面にコート膜を付加する工程と、前記ス
トリートに前記コート膜とは接触しないように前記コー
ト膜と同じまたは別の物質で二直線上に連続または断続
する凸部を形成する工程と、前記半導体ウエハを裏面側
からストリートに沿ってダイシングする工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項5】 ストリートの一部または全部を除いて半
導体ウエハの表面にコート膜を付加する工程と、前記ス
トリートの前記コート膜を付加しない部分を前記コート
膜とは別の物質で充填する工程と、前記半導体ウエハを
裏面側からストリートに沿ってダイシングする工程とを
有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2233397A JPH10223571A (ja) | 1997-02-05 | 1997-02-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2233397A JPH10223571A (ja) | 1997-02-05 | 1997-02-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10223571A true JPH10223571A (ja) | 1998-08-21 |
Family
ID=12079793
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2233397A Pending JPH10223571A (ja) | 1997-02-05 | 1997-02-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10223571A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10332332A (ja) * | 1997-05-28 | 1998-12-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | 領域の検出方法 |
US6107164A (en) * | 1998-08-18 | 2000-08-22 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Using grooves as alignment marks when dicing an encapsulated semiconductor wafer |
CN112379551A (zh) * | 2020-11-13 | 2021-02-19 | 广州易博士管理咨询有限公司 | 一种lcos低成本的封装方法及其封装的lcos |
-
1997
- 1997-02-05 JP JP2233397A patent/JPH10223571A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10332332A (ja) * | 1997-05-28 | 1998-12-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | 領域の検出方法 |
US6107164A (en) * | 1998-08-18 | 2000-08-22 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Using grooves as alignment marks when dicing an encapsulated semiconductor wafer |
CN112379551A (zh) * | 2020-11-13 | 2021-02-19 | 广州易博士管理咨询有限公司 | 一种lcos低成本的封装方法及其封装的lcos |
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