JP3310576B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関し、特に太陽電池ウエハ等の半導体装置のダイシ
ング工程にかかわる製造方法に関する。
法に関し、特に太陽電池ウエハ等の半導体装置のダイシ
ング工程にかかわる製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、半導体
ウエハから素子を切り出すために通常、ダイシングを行
う。一般的なダイシング方法について、図５及び図６を
参照して説明する。図５及び図６はそれぞれ、従来例に
よるダイシング時の半導体ウエハの側面図及び上面図で
ある。図５及び図６に示すように、まず、ハンドリング
または装置による搬送のために、ドーナツ形状のフレー
ム１００に貼り付けた固定用テープ（粘着テープ）１０
１の上に半導体ウエハ（ウエハ）１０２を貼り付ける。
その後、ダイシングする場所に位置を合わせた後、図６
に示すように、ダイヤモンドブレードにより半導体ウエ
ハ１０２をダイシングライン１０３に沿って切断する。
ウエハから素子を切り出すために通常、ダイシングを行
う。一般的なダイシング方法について、図５及び図６を
参照して説明する。図５及び図６はそれぞれ、従来例に
よるダイシング時の半導体ウエハの側面図及び上面図で
ある。図５及び図６に示すように、まず、ハンドリング
または装置による搬送のために、ドーナツ形状のフレー
ム１００に貼り付けた固定用テープ（粘着テープ）１０
１の上に半導体ウエハ（ウエハ）１０２を貼り付ける。
その後、ダイシングする場所に位置を合わせた後、図６
に示すように、ダイヤモンドブレードにより半導体ウエ
ハ１０２をダイシングライン１０３に沿って切断する。
【０００３】この時にはブレードを冷却するため、及び
切削時に出る半導体ウエハの屑が半導体ウエハに付着す
ることを防止するために、水を流しながら作業を行う。
切削時に出る半導体ウエハの屑が半導体ウエハに付着す
ることを防止するために、水を流しながら作業を行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体ウエ
ハ１０２の固定用テープ１０１に固定される面が疎水性
の物質（例えばシリコン）であれば、水をはじくため、
切削水等が粘着テープ１０１と半導体ウエハ１０２の間
に侵入することはないが、親水性の物質（例えばシリコ
ンの酸化物）である場合には、固定用テープ１０１と半
導体ウエハ１０２との間に切削水が侵入してしまう。
ハ１０２の固定用テープ１０１に固定される面が疎水性
の物質（例えばシリコン）であれば、水をはじくため、
切削水等が粘着テープ１０１と半導体ウエハ１０２の間
に侵入することはないが、親水性の物質（例えばシリコ
ンの酸化物）である場合には、固定用テープ１０１と半
導体ウエハ１０２との間に切削水が侵入してしまう。
【０００５】この場合、半導体ウエハ１０２は固定用テ
ープ１０１から浮いている状態になり、切削時に半導体
ウエハ１０２が飛散してしまう場合がある。このように
半導体ウエハ１０２が飛散すると、ブレードに当たり、
このブレードを破損してしまうことがある。
ープ１０１から浮いている状態になり、切削時に半導体
ウエハ１０２が飛散してしまう場合がある。このように
半導体ウエハ１０２が飛散すると、ブレードに当たり、
このブレードを破損してしまうことがある。
【０００６】また、切削水には半導体基１０２板の切削
屑が多量に混入しており、半導体ウエハ１０２と固定用
テープ１０１との接着面側に切削屑が付着してしまう。
屑が多量に混入しており、半導体ウエハ１０２と固定用
テープ１０１との接着面側に切削屑が付着してしまう。
【０００７】そこで、本発明の目的は、特に親水性の半
導体ウエハをダイシングする際に、上記のような半導体
ウエハと固定用テープの遊離という問題が発生すること
のない半導体装置の製造方法を提供することにある。
導体ウエハをダイシングする際に、上記のような半導体
ウエハと固定用テープの遊離という問題が発生すること
のない半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、半導体基板を固定用テープに接着した状態
で、前記半導体基板を切削水による流水を行いながらダ
イシングする半導体装置の製造方法において、前記半導
体基板の前記固定用テープへの接着面が親水性を有する
場合に、前記ダイシング工程の前に予め、前記半導体基
板の前記固定用テープへの接着面側に疎水性の膜を形成
することを特徴とする。
に本発明は、半導体基板を固定用テープに接着した状態
で、前記半導体基板を切削水による流水を行いながらダ
イシングする半導体装置の製造方法において、前記半導
体基板の前記固定用テープへの接着面が親水性を有する
場合に、前記ダイシング工程の前に予め、前記半導体基
板の前記固定用テープへの接着面側に疎水性の膜を形成
することを特徴とする。
【０００９】このように、ダイシング工程の前に、疎水
性の膜を形成しておくことによって、ダイシング時の切
削水が半導体基板と固定用テープとの間に浸み込むこと
がないので、従来のように、両者が遊離してダイシング
時に半導体基板が飛散するといった問題を解消できる。
性の膜を形成しておくことによって、ダイシング時の切
削水が半導体基板と固定用テープとの間に浸み込むこと
がないので、従来のように、両者が遊離してダイシング
時に半導体基板が飛散するといった問題を解消できる。
【００１０】ここで、前記半導体基板は太陽電池用の半
導体ウエハであり、前記固定用テープへの接着面側にシ
リコン酸化膜が形成されてなることを特徴とする。
導体ウエハであり、前記固定用テープへの接着面側にシ
リコン酸化膜が形成されてなることを特徴とする。
【００１１】また、前記疎水性の膜の材料はヘキサメチ
ルジシラザン、またはフォトレジストからなることを特
徴とする。フォトレジストの具体的な材料としては、ノ
ボラック樹脂と有機溶剤の混合物、または環化ゴムと有
機溶剤の混合物であることを特徴とする。
ルジシラザン、またはフォトレジストからなることを特
徴とする。フォトレジストの具体的な材料としては、ノ
ボラック樹脂と有機溶剤の混合物、または環化ゴムと有
機溶剤の混合物であることを特徴とする。
【００１２】疎水性の膜の材料としてフォトレジストを
使用すれば、膜厚を確保できるため、切削水に切削屑が
多量に混入していても、この切削屑が半導体基板の表面
に接触することを回避できる。
使用すれば、膜厚を確保できるため、切削水に切削屑が
多量に混入していても、この切削屑が半導体基板の表面
に接触することを回避できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の一実施例について、図１
を参照して説明する。図１は本実施例による半導体装置
の断面図である。なお、図５及び図６に示す従来構造と
同一機能部分には同一記号を付している。また、この実
施例で、半導体ウエハの固定用テープへの接触面側は親
水性であるとする。
を参照して説明する。図１は本実施例による半導体装置
の断面図である。なお、図５及び図６に示す従来構造と
同一機能部分には同一記号を付している。また、この実
施例で、半導体ウエハの固定用テープへの接触面側は親
水性であるとする。
【００１４】本実施例は、図１に示すように、ダイシン
グを行う半導体ウエハ１０２に疎水性の膜１を形成す
る。この膜１の材料としては、例えばヘキサメチルジシ
ラザンを使用する。この材料であれば、半導体ウエハ１
０２に対して気相塗布により膜を形成することができ、
生産性に優れている。
グを行う半導体ウエハ１０２に疎水性の膜１を形成す
る。この膜１の材料としては、例えばヘキサメチルジシ
ラザンを使用する。この材料であれば、半導体ウエハ１
０２に対して気相塗布により膜を形成することができ、
生産性に優れている。
【００１５】そして、上記のように膜１を形成した半導
体ウエハ１０２をフレーム１００に貼りつけられた固定
用テープ１０１の上に固定する。
体ウエハ１０２をフレーム１００に貼りつけられた固定
用テープ１０１の上に固定する。
【００１６】このようにセットした半導体ウエハであれ
ば、この半導体ウエハが親水性であったとしても、ダイ
ヤモンドブレードによりダイシングする際、切削水が半
導体ウエハ１０２と固定用テープ１０１との間に侵入す
ることがなくなるため、従来のように、両者が遊離して
切削時に半導体ウエハ１０２が飛散してしまうといった
問題が生じない。また、半導体ウエハ１０２の固定用テ
ープ１０１との接着面側に切削屑が付着しにくくなる。
ば、この半導体ウエハが親水性であったとしても、ダイ
ヤモンドブレードによりダイシングする際、切削水が半
導体ウエハ１０２と固定用テープ１０１との間に侵入す
ることがなくなるため、従来のように、両者が遊離して
切削時に半導体ウエハ１０２が飛散してしまうといった
問題が生じない。また、半導体ウエハ１０２の固定用テ
ープ１０１との接着面側に切削屑が付着しにくくなる。
【００１７】また、疎水性の膜１の他の材料として、フ
ォトレジストに代表されるようなノボラック樹脂と有機
溶剤の混合物、あるいは環化ゴムと有機溶剤の混合物を
使用することもできる。この場合、半導体ウエハ１０２
が飛散することが無くなるとともに、切削屑がこれらの
膜１の表面にのみ付着するために、半導体ウエハ１０２
の固定用テープ１０１との接着面側に切削屑が直接付着
することを防止でき、また最終的にこの膜１を除去する
ことで、切削屑も容易に除去できる。
ォトレジストに代表されるようなノボラック樹脂と有機
溶剤の混合物、あるいは環化ゴムと有機溶剤の混合物を
使用することもできる。この場合、半導体ウエハ１０２
が飛散することが無くなるとともに、切削屑がこれらの
膜１の表面にのみ付着するために、半導体ウエハ１０２
の固定用テープ１０１との接着面側に切削屑が直接付着
することを防止でき、また最終的にこの膜１を除去する
ことで、切削屑も容易に除去できる。
【００１８】この材料を使用すれば、上記のヘキサメチ
ルジシラザンよりも確実に切削屑の影響を排除できる。
ルジシラザンよりも確実に切削屑の影響を排除できる。
【００１９】これは、前述のヘキサメチルジシラザンが
気相塗布により形成されるもので非常に薄膜（１分子〜
数分子の膜厚）であり、これらの分子間の隙間に微細な
切削屑が入り込む可能性があるのに対して、このフォト
レジスト系の材料を使用する実施例では、膜厚が数μｍ
程度と厚く形成されているので、微細な切削屑があって
も、半導体ウエハ１０２に接することはないためであ
る。
気相塗布により形成されるもので非常に薄膜（１分子〜
数分子の膜厚）であり、これらの分子間の隙間に微細な
切削屑が入り込む可能性があるのに対して、このフォト
レジスト系の材料を使用する実施例では、膜厚が数μｍ
程度と厚く形成されているので、微細な切削屑があって
も、半導体ウエハ１０２に接することはないためであ
る。
【００２０】次に、図２及び図３の製造工程図に従って
説明する。図２（ａ）乃至（ｅ）、図３（ａ）乃至
（ｄ）は、本発明の一実施例による半導体ウエハの一連
の製造工程を示す断面図、図４（ａ）乃至（ｅ）は、本
発明の一実施例による半導体ウエハの製造工程を示す上
面図であり、各々、図２の（ａ）、（ｄ）、図３の
（ａ）、（ｂ）、（ｄ）の工程に対応する図である。こ
こでは、疎水性の膜の材料としてヘキサメチルジシラザ
ンを使用する。
説明する。図２（ａ）乃至（ｅ）、図３（ａ）乃至
（ｄ）は、本発明の一実施例による半導体ウエハの一連
の製造工程を示す断面図、図４（ａ）乃至（ｅ）は、本
発明の一実施例による半導体ウエハの製造工程を示す上
面図であり、各々、図２の（ａ）、（ｄ）、図３の
（ａ）、（ｂ）、（ｄ）の工程に対応する図である。こ
こでは、疎水性の膜の材料としてヘキサメチルジシラザ
ンを使用する。
【００２１】まず、図２（ａ）のように、半導体ウエハ
１０２の下面にシリコン酸化膜２を形成する。このシリ
コン酸化膜２は太陽光吸収率を低下させるためのもので
あり、この形成により、太陽電池の動作温度が上がるこ
とによる出力の低下を小さくすることができる。
１０２の下面にシリコン酸化膜２を形成する。このシリ
コン酸化膜２は太陽光吸収率を低下させるためのもので
あり、この形成により、太陽電池の動作温度が上がるこ
とによる出力の低下を小さくすることができる。
【００２２】次いで、ウエハ上面から拡散層３の形成
（図２（ｂ））、シリコン酸化膜の窓開け（図２（ｃ）
の４）、表側電極５の形成（図２（ｄ））を行う。
（図２（ｂ））、シリコン酸化膜の窓開け（図２（ｃ）
の４）、表側電極５の形成（図２（ｄ））を行う。
【００２３】この後、図２（ｅ）に示すように、ウエハ
の表裏面にヘキサメチルジシラザン６を気相塗布により
形成する。
の表裏面にヘキサメチルジシラザン６を気相塗布により
形成する。
【００２４】次に、この半導体ウエハをフレームに貼り
付けられた固定用テープの上に固定し、１回目のダイシ
ングを行う。この１回目のダイシングの目的は、後工程
における裏面電極及び反射防止膜の形成時に一度で多量
の処理が行えるように半導体ウエハの形状を小さくする
こと、及び電極や反射防止膜を所定の形状にするために
メタルマスクとの位置合わせを容易にするためである。
付けられた固定用テープの上に固定し、１回目のダイシ
ングを行う。この１回目のダイシングの目的は、後工程
における裏面電極及び反射防止膜の形成時に一度で多量
の処理が行えるように半導体ウエハの形状を小さくする
こと、及び電極や反射防止膜を所定の形状にするために
メタルマスクとの位置合わせを容易にするためである。
【００２５】このダイシング時、従来であれば、図２
（ａ）の工程で形成したシリコン酸化膜２が親水性であ
るために、半導体ウエハ１０２と固定用テープ１０１と
の間にダイシング用の切削水が容易に浸み込み、半導体
ウエハ１０２の固定が不安定になり、ダイシングによっ
て半導体ウエハ１０２が飛散し、ダイシング用ブレード
に当たり、これを破損するという問題があった。
（ａ）の工程で形成したシリコン酸化膜２が親水性であ
るために、半導体ウエハ１０２と固定用テープ１０１と
の間にダイシング用の切削水が容易に浸み込み、半導体
ウエハ１０２の固定が不安定になり、ダイシングによっ
て半導体ウエハ１０２が飛散し、ダイシング用ブレード
に当たり、これを破損するという問題があった。
【００２６】しかし、本実施例では、疎水性のヘキサメ
チルジシラザンからなる膜６を半導体ウエハ１０２の表
面に形成しているので、切削水が半導体ウエハ１０２と
固定用テープ１０１との間に浸みこむことがない。従っ
て、両者の確実な密着性を保証でき、ダイシング時の半
導体ウエハの飛散といった問題を回避できる。
チルジシラザンからなる膜６を半導体ウエハ１０２の表
面に形成しているので、切削水が半導体ウエハ１０２と
固定用テープ１０１との間に浸みこむことがない。従っ
て、両者の確実な密着性を保証でき、ダイシング時の半
導体ウエハの飛散といった問題を回避できる。
【００２７】この後、薬液による洗浄を行うが、この洗
浄によって、ダイシングの際に切削水に混入しヘキサメ
チルジシラザンの膜６に付着した切削屑は、この膜６と
ともに除去される（図３（ａ））。
浄によって、ダイシングの際に切削水に混入しヘキサメ
チルジシラザンの膜６に付着した切削屑は、この膜６と
ともに除去される（図３（ａ））。
【００２８】次に、薬液による洗浄を行った半導体ウエ
ハの裏面に、図３（ｂ）のように裏面電極３を形成し、
図３（ｃ）のように反射防止膜を形成した後に、２回目
のダイシングを行う（図３（ｄ））ことによって、所望
の半導体ウエハを得る。
ハの裏面に、図３（ｂ）のように裏面電極３を形成し、
図３（ｃ）のように反射防止膜を形成した後に、２回目
のダイシングを行う（図３（ｄ））ことによって、所望
の半導体ウエハを得る。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体ウエハのダイシング工程前に予め、半導体ウエハ
のテープ固定側に疎水性の膜を形成しておくので、ダイ
シング時の切削水が半導体ウエハと固定用テープとの間
に浸み込むことがなく、従来のように、ダイシング時に
両者が遊離して半導体ウエハが飛散するといった問題を
解消できる。
半導体ウエハのダイシング工程前に予め、半導体ウエハ
のテープ固定側に疎水性の膜を形成しておくので、ダイ
シング時の切削水が半導体ウエハと固定用テープとの間
に浸み込むことがなく、従来のように、ダイシング時に
両者が遊離して半導体ウエハが飛散するといった問題を
解消できる。
【図１】本発明の一実施例によるダイシング前における
半導体ウエハの固定用テープ固定状態を示す断面図。
半導体ウエハの固定用テープ固定状態を示す断面図。
【図２】（ａ）乃至（ｅ）はそれぞれ、本発明の一実施
例による半導体ウエハの製造工程を示す断面図。
例による半導体ウエハの製造工程を示す断面図。
【図３】（ａ）乃至（ｄ）はそれぞれ、図２（ａ）乃至
（ｅ）の工程に続く半導体ウエハの製造工程を示す断面
図。
（ｅ）の工程に続く半導体ウエハの製造工程を示す断面
図。
【図４】（ａ）乃至（ｅ）はそれぞれ、本発明の一実施
例による半導体ウエハの製造工程を示す上面図。
例による半導体ウエハの製造工程を示す上面図。
【図５】従来例によるダイシング前における半導体ウエ
ハの固定用テープへの固定状態を示す断面図。
ハの固定用テープへの固定状態を示す断面図。
【図６】従来例によるダイシング前における半導体ウエ
ハの固定用テープへの固定状態を示す上面図。
ハの固定用テープへの固定状態を示す上面図。
１ 疎水性の膜 ２ 親水性のシリコン酸化膜 ６ ヘキサメチルジシラザン（疎水性の膜） １０１ 固定用テープ １０２ 半導体ウエハ
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板を固定用テープに接着した状
態で、前記半導体基板を切削水による流水を行いながら
ダイシングする半導体装置の製造方法において、 前記半導体基板の前記固定用テープへの接着面が親水性
を有する場合に、前記ダイシング工程の前に予め、前記
半導体基板の固定用テープへの接着面側に疎水性の膜を
形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記半導体基板は太陽電池用の半導体ウ
エハであり、前記固定用テープへの接着面側に親水性を
有するシリコン酸化膜が形成されてなる請求項１に記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記疎水性の膜の材料はヘキサメチルジ
シラザンであることを特徴とする請求項１に記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記疎水性の膜の材料はフォトレジスト
からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項５】 前記疎水性の膜の材料はノボラック樹脂
と有機溶剤の混合物であることを特徴とする請求項４に
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記疎水性の膜の材料は環化ゴムと有機
溶剤の混合物であることを特徴とする請求項４に記載の
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07252597A JP3310576B2 (ja) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07252597A JP3310576B2 (ja) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270387A JPH10270387A (ja) | 1998-10-09 |
| JP3310576B2 true JP3310576B2 (ja) | 2002-08-05 |
Family
ID=13491847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07252597A Expired - Fee Related JP3310576B2 (ja) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3310576B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102142389A (zh) * | 2009-12-24 | 2011-08-03 | 第一毛织株式会社 | 非uv型芯片模贴装膜和制造该芯片模贴装膜的方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10353530A1 (de) * | 2003-11-14 | 2005-06-23 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Wafer mit Deckschicht und Trennschicht, Verfahren zur Herstellung eines solchen Wafers sowie Verfahren zum Dünnen bzw. Rückseitenmetallisieren eines Wafers |
| JP4621481B2 (ja) * | 2004-11-15 | 2011-01-26 | 積水化学工業株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
| CN100385691C (zh) * | 2004-12-08 | 2008-04-30 | 深圳市方大国科光电技术有限公司 | 倒装发光二极管的划片方法 |
| CN101681823B (zh) * | 2007-06-22 | 2012-05-23 | 电气化学工业株式会社 | 半导体晶片磨削方法和在其中使用的树脂组合物以及保护片 |
| CN101853783B (zh) * | 2010-04-01 | 2015-06-17 | 晶能光电（江西）有限公司 | 厚硅衬底半导体器件的制程 |
-
1997
- 1997-03-26 JP JP07252597A patent/JP3310576B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102142389A (zh) * | 2009-12-24 | 2011-08-03 | 第一毛织株式会社 | 非uv型芯片模贴装膜和制造该芯片模贴装膜的方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10270387A (ja) | 1998-10-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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