TWI462167B - 半導體裝置及其製造方法 - Google Patents

Description

半導體裝置及其製造方法

一般而言，本實施形態係關於一種半導體裝置及其製造方法。

本申請案享有於2011年2月4日申請之日本專利申請案號2011-022621之優先權之利益，該日本專利申請案之所有內容引用於本申請案中。

半導體裝置(半導體晶片)之製造步驟大致劃分為：於半導體晶圓之表面根據晶片區域而形成包含半導體電路及配線層等之半導體元件部之步驟、及根據晶片區域(晶片形狀)而切斷半導體晶圓之步驟(個片化步驟)。於加工半導體晶圓時，作為兼具晶圓之薄化與晶片之個片化之加工步驟，使用被稱為先切割(Dicing Before Grinding，切割後研磨)之步驟。於先切割步驟中，首先於半導體晶圓上自形成有半導體元件部之表面側形成較晶圓厚度淺、且較晶片完成厚度深的槽。繼而，於半導體晶圓之表面貼附保護膜之後，磨削半導體晶圓之背面而將半導體晶圓個片化為各晶片。

其次，於由表面保護膜維持整體形狀之半導體晶圓之背面上，貼附薄片狀之接著劑膜與支撐膜。接著劑膜係作為各晶片之接著劑層而發揮功能者，故而根據各晶片形狀而被切斷(個片化)。接著劑膜為例如於剝離表面保護膜之後，藉由自半導體晶圓之表面側沿切割槽照射雷射光而被切斷。亦提出如下切斷方法：將貼附有半導體晶圓之支撐膜沿水平方向拉伸，對存在於晶片間之接著劑膜選擇性地進行改質，藉此切斷接著劑膜。

對於以雷射光切斷接著劑膜之方法而言，於反覆進行半導體晶圓之貼附之過程中易降低晶片之排列性，故而易降低接著劑膜之切斷速度而增加切斷工時。進而，以雷射光切斷接著劑膜時產生之碎屑恐有污染半導體晶片之虞。對接著劑膜選擇性地進行改質之方法中，改質所需之成本易使切斷成本增加，從而恐有無法藉由改質方法而充分提高接著劑膜之切斷性之虞。因此，於藉由先切割等而個片化為晶片形狀之半導體晶圓之背面形成接著劑層時，要求提高接著劑層之切斷性，並且抑制於接著劑切斷層時對半導體晶片之污染等。

根據本發明之一實施形態，提供一種半導體裝置之製造方法，該製造方法包括以下步驟：準備半導體晶圓，該半導體晶圓包含藉由切割槽而個片化之複數個晶片區域，且以貼附於第1面上之表面保護膜維持晶圓形狀；將液狀接著劑一面填充至切割槽之至少一部分中，一面塗佈於半導體晶圓之與第1面為相反側之第2面上而形成接著劑層；將包含可使黏著力降低之黏著層之支撐片材經由接著劑層而貼附於半導體晶圓之第2面上；自半導體晶圓剝離表面保護膜；拉伸貼附於半導體晶圓上之上述支撐片材而割斷包含填充至切割槽內之接著劑之接著劑層；及一面維持拉伸支撐片材的狀態，一面清洗半導體晶圓之第1面與切割槽內。實施形態之半導體裝置之製造方法中，於清洗半導體晶圓之前，使黏著層之與切割槽對應之部分之黏著力選擇性地降低。

參照圖式，對實施形態之半導體裝置之製造方法進行說明。圖1A至圖1D係表示實施形態之半導體裝置之製造方法的圖。首先，如圖1A所示，準備包含藉由切割槽1而個片化之複數個晶片區域2、2...之半導體晶圓3。於半導體晶圓3之元件形成面即第1面3a上貼附有表面保護膜4。半導體晶圓3被各晶片區域2個片化，但以貼附於第1面3a上之表面保護膜4維持晶圓形狀。此種半導體晶圓3例如藉由先切割步驟而製作。

參照圖2A至圖2C對半導體晶圓3之先切割步驟進行描述。如圖2A所示，準備形成有包含半導體電路及配線層等之半導體元件部的半導體晶圓3A。半導體晶圓3A包含元件形成面即第1面(表面)3a及與其為相反側之第2面(背面)3b。半導體晶圓3A包含複數個晶片區域2、2...。於各晶片區域2之第1面3a側，形成有包含半導體電路及配線層等之半導體元件部。於複數個晶片區域2之間，設置有切割區域5。沿切割區域5切斷半導體晶圓3A，藉此使複數個晶片區域2、2...分別個片化而製作半導體晶片。

於切斷半導體晶圓3A時，首先如圖2A所示，於半導體晶圓3A上自第1面3a側沿切割區域5而形成槽1。半導體晶圓3A之槽1為例如使用具有與切割區域5之寬度對應之刃厚的刀片6而形成。槽1之深度設定為淺於半導體晶圓3A之厚度，且深於半導體晶片完成時之厚度。槽1亦可藉由蝕刻等而形成。將此種深度之槽(切割槽)1形成於半導體晶圓3A上，藉此，複數個晶片區域2、2...被區分為與半導體晶片完成厚度分別對應之狀態。

其次，如圖2B所示，於形成有切割槽1之半導體晶圓3A之第1面3a上貼附表面保護膜4。表面保護膜4係於後續步驟中磨削半導體晶圓3A之第2面(背面)3b時保護設置於晶片區域2上之半導體元件部、並且於第2面3b之磨削步驟中維持晶片區域2個片化後之半導體晶圓3A之形狀者。作為表面保護膜4，使用例如包含黏著層之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜之類的樹脂膜。

其次，如圖2C所示，磨削及研磨貼附有表面保護膜4之半導體晶圓3A之第2面(背面)3b。半導體晶圓3A之第2面3b為例如使用研磨壓盤進行機械地磨削，繼而使用研磨壓盤進行研磨(例如乾式拋光)。半導體晶圓3A之第2面3b之磨削‧研磨步驟係以到達自第1面3a側所形成之切割槽1之方式而實施。如此，藉由磨削半導體晶圓3A之第2面3b而將各晶片區域2分別個片化。

於該步驟，各晶片區域2雖被個片化，但由表面保護膜4保持，故而整體而言晶圓形狀得以維持。即，如圖2C所示，製作包含藉由切割槽1而個片化之複數個晶片區域2、2...、且由貼附於第1面3a上之表面保護膜4而維持晶圓形狀的半導體晶圓3。於個片化後之晶片區域2之間，存在有與切割槽1之寬度相當之間隙。半導體晶圓3之製作步驟並不限於先切割步驟，亦可使用雷射光之切割步驟等。

其次，如圖1B所示，於以表面保護膜4維持整體形狀之半導體晶圓3之第2面3b上，塗佈液狀接著劑而形成接著劑層7。液狀接著劑係一面填充至切割槽1之至少一部分中，一面塗佈於半導體晶圓3之第2面3b上。作為液狀接著劑，可使用例如環氧樹脂或聚醯亞胺樹脂之類的熱硬化型樹脂之液狀組成物。又，亦可使用光及熱硬化型樹脂或藉由水分蒸發與再濕而可逆地硬化(再活性接著)之樹脂之液狀組成物等。

作為於半導體晶圓3之第2面3b上塗佈液狀接著劑之方法，可使用例如噴墨法、噴霧法、輥塗法、網版印刷法等。其中，以使用可在與半導體晶圓3非接觸之狀態下塗佈液狀接著劑之噴墨法或噴霧法為佳。進而，藉由噴墨法而可較均勻地形成膜厚較薄之液狀接著劑之塗佈層，故而噴墨法作為對半導體晶圓3塗佈液狀接著劑之方法為宜。

接著劑層7係將經個片化之半導體晶片(晶片區域2)安裝於配線基板或其他半導體晶片上時作為接著層而發揮功能者，其係根據半導體晶片之外形而被切斷(個片化)者。接著劑層7之厚度較佳為1~20 μm之範圍。接著劑層7較佳為於下一步驟之前形成為於室溫下不顯示黏著力(黏性力)之狀態。例如，於使用熱硬化型樹脂之液狀組成物(A步驟)作為液狀接著劑之情形時，接著劑層7較佳為使液狀接著劑之塗佈層於特定之溫度下乾燥並形成半硬化狀態(B步驟)。於使用熱硬化型以外之樹脂之情形時，亦宜實施與硬化形態對應之處理。

且說，於預先形成有切割槽1之半導體晶圓3之第2面3b上塗佈液狀接著劑而形成接著劑層7時，將液狀接著劑僅塗佈於半導體晶圓3之整個而上會使切割槽1內流入有液狀接著劑，故而難以使各晶片區域2上之接著劑層7之膜厚均勻化。例如，於欲形成膜厚為10 μm之接著劑層7時，若將液狀接著劑僅塗佈於半導體晶圓3之整個面上，則晶片區域(尺寸：11×13 mm)2之中央部之厚度成為20 μm左右，且距端部50 μm之位置處之厚度成為1~2 μm左右。若接著劑層7之膜厚不均勻，則於後續步驟之晶片接合步驟中易產生接著不良。

針對以上情況，較佳為使用包括如下步驟之接著劑層7之形成步驟：向切割槽1內填充液狀接著劑之第1步驟；及對半導體晶圓3之第2面3b塗佈液狀接著劑之第2步驟。參照圖3A至圖3C對接著劑層7之形成步驟進行描述。首先，如圖3A所示，向寬度為30~40 μm左右之切割槽1內填充液狀接著劑7A。此時，各晶片區域2恐有於半導體晶圓3(3A)切割時排列性降低(切割槽1偏移)之虞，故而較佳為藉由塗佈成切割槽1之寬度以上(例如槽寬度之1.5倍以上且3倍以下)而向切割槽1內填充液狀接著劑7A。

其次，如圖3B所示，對切割槽1內填充有液狀接著劑7A之半導體晶圓3之整個第2面3b塗佈液狀接著劑7A。於該步驟，與將液狀接著劑7A僅塗佈於半導體晶圓3之整個面之情形相比，可大幅提高各晶片區域2內之接著劑層7之膜厚的面內均勻性。但是，由於向切割槽1內填充液狀接著劑7A時會向第2面3b上湧起或者於填充時液狀接著劑7A會自切割槽1偏移等，故而有時接著劑層7之膜厚成為局部不均勻。於如此情形時，如圖3C所示，較佳為使塗佈有液狀接著劑7A之半導體晶圓3整體擺動而使液狀接著劑7A之塗佈厚度均勻化。即，較佳為使液狀接著劑7A之塗佈層之凹凸部分平坦化。

作為使半導體晶圓3擺動之方法，可舉出使半導體晶圓3機械地前後左右擺動、對半導體晶圓3施加進動運動、對半導體晶圓3施加超音波等。上述方法中藉由使半導體晶圓3擺動而可使液狀接著劑7A之塗佈層之凹凸部分平坦化，從而可更進一步提高接著劑層7之膜厚之面內均勻性。可使接著劑層7之膜厚之面內不均為例如30%以下。膜厚之面內不均係藉由測定晶片區域2內之接著劑層7之膜厚並求出最大值與最小值，再根據式[{(最大值-最小值)/(最大值+最小值)}×100(%)]而求出。

例如，於尺寸為11×13 mm之晶片區域2上形成膜厚為10 μm之接著劑層7時，首先向寬度為30~40 μm之切割槽1內填充液狀接著劑7A(填充寬度=槽寬度之1.5倍)，其後對半導體晶圓3之第2面3b塗佈液狀接著劑7A。進而，於使半導體晶圓3整體擺動之情形時，可使晶片區域2之中央部之厚度為13 μm左右，進而可使晶片區域2之端部之厚度為7 μm左右。若應用上式來計算該情形時之膜厚之面內不均(膜厚之面內分佈)，則為{(13-7)/(13+7)}×100=30(%)。

藉由提高晶片區域2內之接著劑層7之膜厚的面內均勻性而可抑制半導體晶片之晶片接合步驟中之接著不良。進而，一面向切割槽1內填充接著劑，一面提高接著劑層7之膜厚之面內均勻性，藉此可提高後續步驟之接著劑層7之割斷步驟的成功率。於下述拉伸步驟中，於填充至切割槽1內之接著劑中易產生割斷之起點，故而可提高接著劑層7之割斷性。此外，可使填充至切割槽1內之接著劑作為保護半導體晶片之側面之層而發揮功能。

其次，如圖1C所示，將包含黏著層8之支撐片材9經由接著劑層7而貼附於半導體晶圓3之第2面3b上。支撐片材9係以使黏著層8與接著劑層7接觸之方式而貼附於半導體晶圓3上。黏著層8包含可使黏著力降低之材料。作為此種黏著材料，可舉出藉由紫外線之照射而硬化從而使黏著力降低之紫外線硬化型樹脂；藉由雷射光等之照射而硬化從而使黏著力降低之光及熱硬化型樹脂；根據與構成接著劑層7之樹脂之熱膨脹差而於冷卻時使黏著力降低之樹脂等。作為包含黏著層8之支撐片材9，可使用紫外線硬化型膠帶等。紫外線硬化型膠帶為例如於包含聚乙烯或聚丙烯之類的聚烯烴樹脂、及聚氯乙烯樹脂等之基材薄片上形成有包含紫外線硬化型樹脂之黏著層的膠帶。

如圖1D所示，自半導體晶圓3上剝離表面保護膜4之後，將支撐片材9沿水平方向(與半導體晶圓3之各面3a、3b平行之方向)拉伸(擴展)，割斷包含填充至切割槽1內之接著劑之接著劑層7。結合於晶片區域2之形狀而割斷接著劑層7，藉此於各晶片區域2上形成接著劑層7。即，製作包含個片化後之接著劑層7之晶片區域2，換言之製作包含個片化形狀之接著劑層7之半導體晶片。

於接著劑層7之割斷步驟之前，使黏著層8之與切割槽1對應之部分之黏著力選擇性地降低。例如，於黏著層8包含紫外線硬化型樹脂之情形時，如圖4A所示，自半導體晶圓3之第1面3a側照射紫外線X。對於照射至半導體晶圓3之第1面3a之紫外線X而言，各晶片區域2成為遮罩而遮斷紫外線X，故而僅透過切割槽1內而使黏著層8之與切割槽1對應之部分選擇性性硬化。即，可使黏著層8之與切割槽1對應之部分之黏著力選擇性地降低。

於使用光及熱硬化型樹脂作為黏著層8之情形時，例如將雷射光照射至切割槽1內，藉此使黏著層8之與切割槽1對應之部分之黏著力降低。此時，使雷射光之焦距對準黏著層8，藉此可不使切割槽1內之接著劑層7硬化而僅使黏著層8之與切割槽1對應之部分選擇性性硬化。即，可使黏著層8之與切割槽1對應之部分之黏著力選擇性地降低。於使用其他樹脂之情形時，亦藉由使用與黏著力之降低形態對應之處理而使黏著層8之與切割槽1對應之部分的黏著力選擇性地降低。

於使黏著層8之與切割槽1對應之部分之黏著力選擇性地降低後將支撐片材9沿水平方向拉伸之情形時，如圖4B所示，接著劑層7的被解除與黏著層8之接著狀態之部分易產生割斷之起點A。即，於切割槽1內形成有接著劑層7與黏著層8之界面之部分產生有割斷之起點A。由該狀態而使支撐片材9之拉伸量(擴展量)增加，因此如圖4C所示，可良好地割斷包含切割槽1內之接著劑之接著劑層7。由支撐片材9之拉伸而產生之切割槽1內之接著劑層7的割斷性提高，故而可提高接著劑層7之割斷成功率。

於接著劑層7例如不透過紫外線之情形時，如圖5A所示，將支撐片材9沿水平方向拉伸而割斷接著劑層7之一部分之後，一面維持支撐片材9之拉伸狀態，一面自半導體晶圓3之第1面3a側照射紫外線X。經由接著劑層7之割斷部而對黏著層8照射紫外線X，使黏著層8之與切割槽1對應之部分選擇性硬化從而使黏著力降低。藉此，如圖5B所示，可良好地割斷存在於切割槽1內之接著劑層7之底部(形成與黏著層8之界面之部分)。

圖6中表示支撐片材9之拉伸(擴展)量與切割槽1之擴大量之關係。圖7中表示切割槽1之擴大量與接著劑層7之割斷成功率之關係。由圖6及圖7明確瞭解，使黏著層8之與切割槽1對應之部分之黏著力選擇性地降低，並且使切割槽1之擴大量為30 μm以上，藉此可使接著劑層7之割斷成功率為100%。此不受切割槽1最初之槽寬度之影響。無論切割槽1最初之槽寬度，藉由使切割槽1之擴大量為30 μm以上而可大幅提高接著劑層7之割斷成功率。

如此，藉由使黏著層8之與切割槽1對應之部分之黏著力選擇性地降低而可提高支撐片材9之拉伸步驟中之接著劑層7的割斷成功率。使黏著層8之與切割槽1對應之部分之黏著力選擇性地降低之步驟可於支撐片材9之拉伸步驟前、拉伸步驟時、或拉伸步驟後之任一情形時實施。亦可於黏著片材之階段(對半導體晶圓3貼附之前)使黏著層8之與切割槽1對應之部分之黏著力選擇性地降低。黏著層8之黏著力之選擇性地降低步驟亦可於下述清洗步驟前實施。

進而，藉由使黏著層8之與切割槽1對應之部分之黏著力選擇性地降低而可抑制由接著劑層7之割斷而產生之不良。於不使黏著層8之黏著力選擇性地降低之情形時，於接著劑層7割斷時飛散之樹脂片會增加。此外，切割槽1內易產生割斷不充分之部分，因此即便實施後續步驟之清洗步驟亦恐有無法去除飛散至切割槽1內之樹脂片或樹脂殘渣之虞。切割槽1內之接著劑層7例如自圖5A所示之狀態被強制拉斷，故而於割斷邊緣產生有毛刺(毛邊等)，其於拾取半導體晶片時脫落而污染電極焊墊等從而產生連接不良。飛散之割斷樹脂片或於割斷邊緣產生之毛刺等成為使半導體晶片之不良發生率增加之主要原因。

針對以上情況，藉由使黏著層8之與切割槽1對應之部分之黏著力選擇性地降低而提高切割槽1內之接著劑層7之割斷性，故而可減少割斷時飛散之樹脂片量。進而，可抑制割斷邊緣之毛刺(毛邊等)之產生。飛散至切割槽1內之樹脂片或樹脂殘渣等可於後續步驟之清洗步驟中充分去除。藉此，可降低因飛散之樹脂片、樹脂殘渣、割斷邊緣產生之毛刺等而導致的半導體晶片之不良發生率。

對於清洗步驟前使黏著層8之黏著力選擇性地降低之情形(實施例)、及未使黏著層8之黏著力選擇性地降低之情形(比較例)，比較由飛散之割斷樹脂片或拾取時毛刺之落下等所導致的半導體晶片之不良發生率。均實施後續步驟之清洗步驟。其結果為，於清洗步驟前使黏著層8之黏著力選擇性地降低之情形時，半導體晶片之不良發生率為0%，相對於此，於未使黏著層8之黏著力選擇性地降低之情形時，半導體晶片之不良發生率上升至16%。根據半導體晶片之不良發生率之降低與接著劑層7之割斷成功率之提高，可大幅提高半導體晶片或使用其之半導體裝置之製造良率。

此後，一面維持支撐片材9之拉伸狀態，一面清洗半導體晶圓3之第1面3a與切割槽1內。對於清洗步驟，較佳為使用例如二流體清洗、超音波清洗、使用有高溫水之超音波清洗、噴水之清洗、加熱水蒸氣之清洗等。二流體清洗係使純水等混入至加速之空氣等氣體中所產生之霧(液滴)高速碰撞清洗面而進行清洗之方法。使用該等清洗方法可有效地去除飛散之樹脂片等。進而，於將支撐片材9維持拉伸之狀態下直接實施清洗步驟而可有效地去除切割槽1內之樹脂片或樹脂殘渣等。因此，半導體晶片之不良發生率降低。

清洗步驟亦可以將存在於切割槽1內之接著劑全部去除之方式而實施，但較佳為以使殘存於晶片區域2之側面之接著劑原樣殘存、且僅去除飛散至切割槽1內之樹脂片或樹脂殘渣之方式而實施。接著劑層7割斷後殘存於晶片區域2之側面之接著劑係作為半導體晶片之保護層而發揮功能，故而較佳為使其存在於半導體晶片之側面。藉此，可抑制由對半導體晶片進行樹脂密封時之填料所導致的半導體晶片之損傷等。

經上述各步驟而製作包含個片化形狀之接著劑層7之晶片區域(半導體晶片)2。根據本實施形態之製造步驟，可使接著劑層7之割斷性提高，並且可有效地去除割斷時所產生之樹脂片或樹脂殘渣等。因此，可削減接著劑層7之與晶片區域2之形狀對應之切斷步驟(個片化步驟)所需的成本，並且可抑制因割斷時產生之樹脂片、樹脂殘渣、毛刺等而導致的半導體晶片之製造良率之降低。藉此，可實現使用有先切割之半導體晶片之製造步驟之低成本化及高精度化等。進而，亦可提高後續步驟之半導體晶片之安裝步驟的可靠性等。

清洗步驟結束後之半導體晶圓3與通常之半導體裝置之製造步驟同樣地，被傳送至半導體晶片2之拾取步驟。即，包含個片化形狀之接著劑層7之半導體晶片2自支撐片材9被拾取後，例如圖8所示安裝於配線基板11上。半導體晶片2之安裝係使用接著劑層7實施。於積層多段半導體晶片2之情形時，如圖8所示在安裝於配線基板11上之半導體晶片2上，藉由接著劑層7而依序積層其他半導體晶片2。

圖8中，配線基板11與半導體晶片2係藉由金屬線13而電性連接。半導體晶片2與金屬線13等一同藉由密封樹脂層14而密封。於配線基板11之下表面側設置有外部電極15。圖8表示於配線基板11上階梯狀地積層有複數個半導體晶片2之半導體裝置12。對於半導體裝置12，可使用各種公知之構成。例如，安裝半導體晶片2之電路基材亦可為導線架。對於半導體晶片2之積層構造，可使用使電極焊墊露出之交替積層或於電極焊墊上亦由其他晶片覆蓋之正上方積層等各種積層構造。除該等以外之構成亦為相同。

對本發明之幾個實施形態進行了說明，但該些實施形態係作為示例而提出者，並非意圖限定發明之範圍。該些新穎之實施形態可以其他各種形態進行實施，可於不脫離發明之主旨之範圍內進行各種省略、替換、變更。該些實施形態或其變形包含於發明之範圍或主旨中，並且包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等之範圍內。

1．．．切割槽

2．．．晶片區域

3、3A．．．半導體晶圓

3a．．．第1面

3b．．．第2面

4．．．表面保護膜

5．．．切割區域

6．．．刀片

7．．．接著劑層

7A．．．液狀接著劑

8．．．黏著層

9．．．支撐片材

11．．．配線基板

12．．．半導體裝置

13．．．金屬線

14．．．密封樹脂層

A．．．割斷之起點

X．．．紫外線

圖1A至圖1D係表示實施形態之半導體裝置之製造方法的剖面圖。

圖2A至圖2C係表示實施形態之半導體裝置之製造方法中的半導體晶圓之先切割步驟之剖面圖。

圖3A至圖3C係表示實施形態之半導體裝置之製造方法中的接著劑層之形成步驟之剖面圖。

圖4A至圖4C係表示實施形態之半導體裝置之製造方法中的接著劑層之割斷步驟之第1例的剖面圖。

圖5A及圖5B係表示實施形態之半導體裝置之製造方法中的接著劑層之割斷步驟之第2例的剖面圖。

圖6係表示實施形態之支撐片材之拉伸量與切割槽寬度之擴大量之關係的圖。

圖7係表示實施形態之切割槽寬度之擴大量與接著劑層之割斷成功率之關係的圖。

圖8係表示使用有以實施形態之製造方法製作之半導體晶片的半導體裝置之一例之剖面圖。

1．．．切割槽

2．．．晶片區域

3．．．半導體晶圓

3a．．．第1面

3b．．．第2面

4．．．表面保護膜

7．．．接著劑層

8．．．黏著層

9．．．支撐片材

Claims (19)

1. 一種半導體裝置之製造方法，其包括以下步驟：準備半導體晶圓，該半導體晶圓包含藉由切割槽而個片化之複數個晶片區域，且以貼附於第1面上之表面保護膜維持晶圓形狀；將液狀接著劑一面填充至上述切割槽之至少一部分中，一面塗佈於上述半導體晶圓之與上述第1面為相反側之第2面上而形成接著劑層；將包含可使黏著力降低之黏著層之支撐片材經由上述接著劑層而貼附於上述半導體晶圓之上述第2面上；自上述半導體晶圓剝離上述表面保護膜；拉伸貼附於上述半導體晶圓上之上述支撐片材而割斷包含填充至上述切割槽內之接著劑之上述接著劑層；及一面維持拉伸上述支撐片材之狀態，一面清洗上述半導體晶圓之上述第1面與上述切割槽內；且於清洗上述半導體晶圓之前，使上述黏著層之與上述切割槽對應之部分之黏著力選擇性地降低。
2. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中於拉伸上述支撐片材之前，使上述黏著層之與上述切割槽對應之部分之黏著力選擇性地降低。
3. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中於拉伸上述支撐片材之後，使上述黏著層之與上述切割槽對應之部分之黏著力選擇性地降低。
4. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中上述黏著層 包含藉由紫外線之照射而使黏著力降低之紫外線硬化型樹脂、藉由光之照射而使黏著力降低之光及熱硬化型樹脂、或基於與上述接著劑層之熱膨脹率之差而於冷卻時使黏著力降低之樹脂。
5. 如請求項4之半導體裝置之製造方法，其中上述黏著層包含上述紫外線硬化型樹脂，且對上述黏著層之存在於上述切割槽內之部分選擇性地照射紫外線而使上述黏著層之黏著力選擇性地降低。
6. 如請求項5之半導體裝置之製造方法，其中於拉伸上述支撐片材之前，自上述半導體晶圓之上述第1面側照射上述紫外線，其次拉伸上述支撐片材而割斷上述接著劑層。
7. 如請求項5之半導體裝置之製造方法，其中於拉伸上述支撐片材之後，自上述半導體晶圓之上述第1面側照射上述紫外線，進而拉伸上述支撐片材而割斷上述接著劑層。
8. 如請求項4之半導體裝置之製造方法，其中上述黏著層包含上述光及熱硬化型樹脂，對上述黏著層之存在於上述切割槽內之部分選擇性地照射雷射光，使上述黏著層之黏著力選擇性地降低。
9. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中使上述晶片區域之側面殘存有上述接著劑層。
10. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中向上述切割槽內填充上述液狀接著劑，然後對上述半導體晶圓之上 述第2面塗佈上述液狀接著劑，藉此形成上述接著劑層。
11. 如請求項10之半導體裝置之製造方法，其中於對上述半導體晶圓之上述第2面塗佈上述液狀接著劑之後，擺動上述半導體晶圓。
12. 如請求項10之半導體裝置之製造方法，其中上述接著劑層之膜厚之面內不均為30%以下。
13. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中藉由先切割而準備上述半導體晶圓。
14. 如請求項12之半導體裝置之製造方法，其中於對上述半導體晶圓之上述第2面塗佈上述液狀接著劑之後，擺動上述半導體晶圓。
15. 如請求項14之半導體裝置之製造方法，其中藉由機械性地擺動上述半導體晶圓、對上述半導體晶圓施加進動運動、或對上述半導體晶圓施加超音波而擺動上述半導體晶圓。
16. 如請求項12之半導體裝置之製造方法，其中將上述液狀接著劑塗佈成上述切割槽之寬度之1.5~3倍之寬度，並將上述液狀接著劑填充至上述切割槽內。
17. 如請求項12之半導體裝置之製造方法，其中上述接著劑層之膜厚之面內不均為30%以下。
18. 如請求項12之半導體裝置之製造方法，其中使上述晶片區域之側面殘存有上述接著劑層。
19. 一種半導體裝置之製造方法，其包括以下步驟： 準備半導體晶圓，該半導體晶圓包含藉由切割槽而個片化之複數個晶片區域，且以貼附於第1面上之表面保護膜維持晶圓形狀；自上述半導體晶圓之與上述第1面為相反側之第2面側向上述切割槽內填充液狀接著劑；對上述半導體晶圓之上述第2面塗佈上述液狀接著劑，形成包含填充至上述切割槽內之部分之接著劑層；將包含黏著層之支撐片材經由上述接著劑層而貼附於上述半導體晶圓之上述第2面上；自上述半導體晶圓剝離上述表面保護膜；拉伸貼附於上述半導體晶圓之上述支撐片材而割斷包含填充至上述切割槽內之部分之上述接著劑層；及一面維持拉伸上述支撐片材之狀態，一面清洗上述半導體晶圓之第1面與上述切割槽內。