JP6566703B2 - デバイスチップの製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、複数のデバイスを備えるウェーハを分割して各デバイスに対応するデバイスチップを製造するデバイスチップの製造方法に関する。
表面側に複数のデバイスが形成されたウェーハは、例えば、分割予定ライン(ストリート)に沿って切削ブレードで切削されて、各デバイスに対応する複数のデバイスチップへと分割される。このデバイスチップを別の基板等へと固定するために、デバイスチップの裏面側に固定用の接着層を設けることがある。
裏面側に設けた接着層を固定対象の基板等に密着させて、熱や光等の外的刺激を加えることで、接着層を硬化させてデバイスチップを固定できる。接着層としては、例えば、ダイアタッチフィルム(DAF:Die Attach Film)等と呼ばれるダイボンディング用のフィルム状接着剤が用いられる。
このフィルム状接着剤は、ウェーハの裏面全体を覆う大きさに形成されており、例えば、分割前のウェーハの裏面に貼り付けられる。ウェーハの裏面にフィルム状接着剤を貼り付けてから、このフィルム状接着剤をウェーハと共に分割することで、裏面側に接着層を備えたデバイスチップを製造できる(例えば、特許文献1参照)。
ところで、上述したフィルム状接着剤は柔らかいので、ウェーハの裏面側(フィルム状接着剤側)をチャックテーブル等で保持してウェーハの表面側を切削すると、特に、切削ブレードの切り抜け側となるウェーハの裏面側において、デバイスチップが欠け易くなる。
そこで、ウェーハの表面側をハーフカットしてから裏面側を研削して複数のデバイスチップへと分割するDBG(Dicing Before Grinding)の後に、裏面側にフィルム状接着剤を貼り付けるデバイスチップの製造方法が提案されている(例えば、特許文献2参照)。この製造方法では、ウェーハの裏面側に貼り付けたフィルム状接着剤をレーザー光線によって切断している。
特開2000−182995号公報 特開2005−19525号公報
しかしながら、この方法では、フィルム状接着剤を貼り付ける段階でウェーハが既にデバイスチップへと分割されているので、フィルム状接着剤を貼り付ける工程やウェーハを搬送する工程等においてデバイスチップ同士の間隔は変化し易い。よって、デバイスチップの間隔で規定される分割予定ラインが蛇行し、直線的ではなくなってしまうことがある。
そのため、この方法でフィルム状接着剤を切断する場合には、ウェーハの分割予定ライン毎にレーザー光線の照射位置を調整し直さなくてはならなかった。特に、デバイスチップが小さい場合(例えば、5mm角以下)には、分割予定ラインの数が多くなり加工に長い時間を要してしまう。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、接着層の形成に要する時間を短縮したデバイスチップの製造方法を提供することである。
本発明によれば、複数の分割予定ラインで区画された表面側の各領域にそれぞれデバイスを備えるウェーハから、各デバイスに対応する複数のデバイスチップを製造するデバイスチップの製造方法であって、該デバイスチップの仕上がり厚さに相当する深さの溝を該分割予定ラインに沿ってウェーハの該表面側に形成する溝形成ステップと、ウェーハの該表面に保護部材を貼着し、ウェーハの裏面を研削して該溝を該裏面側に露出させ、ウェーハを個々の該デバイスチップに分割する研削ステップと、該研削ステップを実施した後、分割されたウェーハの該裏面に液状ダイボンディング用接着剤を噴射して該液状ダイボンディング用接着剤を隣接する該デバイスチップ間に充填することなく且つウェーハの該表面まで到達させないようにウェーハの該裏面に塗布する接着剤塗布ステップと、該接着剤塗布ステップを実施した後、該液状ダイボンディング用接着剤を硬化させる硬化ステップと、を備え、該接着剤塗布ステップでは、隣接する該デバイスチップの間隔の半分よりもウェーハの該裏面に塗布される該液状ダイボンディング用接着剤の厚さが小さくなるように該液状ダイボンディング用接着剤の供給量を調整し、隣接する該デバイスチップ間で該液状ダイボンディング用接着剤同士の接触を防止することを特徴とするデバイスチップの製造方法が提供される。
本発明に係るデバイスチップの製造方法では、ウェーハの表面側に溝を形成し、裏面を研削してウェーハをデバイスチップへと分割した後に、ウェーハの裏面に液状ダイボンディング用接着剤を噴射して塗布するので、この液状ダイボンディング用接着剤を硬化させることで、各デバイスチップに接着層を形成できる。すなわち、本発明に係るデバイスチップの製造方法では、接着層をレーザー光線等によって切断する必要がないので、接着層の形成に要する時間を短縮できる。
溝形成ステップを模式的に示す斜視図である。 研削ステップにおいてウェーハに保護部材が貼り付けられる様子を模式的に示す斜視図である。 図3(A)及び図3(B)は、研削ステップにおいてウェーハが研削される様子を模式的に示す側面図である。 図4(A)は、接着剤塗布ステップを模式的に示す一部断面側面図であり、図4(B)は、図4(A)の一部を拡大して示す図である。 硬化ステップを模式的に示す一部断面側面図である。 変形例に係る接着剤塗布ステップを模式的に示す一部断面側面図である。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。本実施形態に係るデバイスチップの製造方法は、溝形成ステップ(図1参照)、研削ステップ(図2、図3(A)及び図3(B)参照)、接着剤塗布ステップ(図4(A)及び図4(B)参照)及び硬化ステップ(図5参照)を含む。
溝形成ステップでは、分割予定ラインに沿う溝をウェーハの表面側に形成する。研削ステップでは、ウェーハの表面に保護部材を貼り付け裏面を研削することで、溝を裏面側に露出させてウェーハをデバイスチップに分割する。接着剤塗布ステップでは、ウェーハの裏面に液状ダイボンディング用接着剤を噴射して塗布する。硬化ステップでは、塗布した液状ダイボンディング用接着剤を硬化させる。以下、本実施形態に係るデバイスチップの製造方法について詳述する。
まず、分割予定ラインに沿う溝をウェーハの表面側に形成する溝形成ステップを実施する。図1は、溝形成ステップを模式的に示す斜視図である。図1に示すように、本実施形態に係るウェーハ11は、例えば、シリコン等の半導体材料でなる円板であり、その表面11a側は、中央のデバイス領域と、デバイス領域を囲む外周余剰領域とに分けられている。
デバイス領域は、格子状に配列された複数の分割予定ライン(ストリート)でさらに複数の領域に区画されており、各領域には、IC、LSI等のデバイス13が形成されている。なお、本実施形態では、シリコン等の半導体材料でなる円板をウェーハ11として用いているが、ウェーハ11の材質、形状等に制限はない。例えば、セラミック、樹脂、金属等の材料でなる板をウェーハ11として用いることもできる。
本実施形態に係る溝形成ステップは、例えば、図1に示す切削装置2で実施される。切削装置2は、ウェーハ11の裏面11b側を吸引、保持するチャックテーブル4を備えている。チャックテーブル4は、モータ等を含む回転機構(不図示)に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル4の下方には、移動機構(不図示)が設けられており、チャックテーブル4は、この移動機構で水平方向に移動する。
チャックテーブル4の上面は、ウェーハ11の裏面11b側を吸引、保持する保持面となっている。この保持面には、チャックテーブル4の内部に形成された流路(不図示)等を通じて吸引源(不図示)の負圧が作用し、ウェーハ11を吸引するための吸引力が発生する。
チャックテーブル4の上方には、切削ユニット6が配置されている。切削ユニット6は、昇降機構(不図示)に支持されたスピンドルハウジング8を備えている。スピンドルハウジング8の内部には、モータ等を含む回転機構(不図示)に連結されたスピンドル(不図示)が収容されている。
スピンドルは、回転機構から伝達される回転力によって水平方向に概ね平行な回転軸の周りに回転し、昇降機構によってスピンドルハウジング8と共に昇降する。また、スピンドルの一端部は、スピンドルハウジング8の外部に露出している。このスピンドルの一端部には、円環状の切削ブレード10が装着されている。
溝形成ステップでは、まず、ウェーハ11の裏面11bをチャックテーブル4の保持面に接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ11は、表面11aが上方に露出した状態でチャックテーブル4に吸引、保持される。
次に、チャックテーブル4と切削ブレード10とを相対的に移動、回転させて、切削ブレード10を加工対象の分割予定ラインに対応する位置に合わせる。その後、回転させた切削ブレード10をデバイスチップの仕上がり厚さに相当する高さまで下降させて、チャックテーブル4を加工対象の分割予定ラインと平行な方向に移動させる。
これにより、ウェーハ11の表面11a側を加工対象の分割予定ラインに沿って切削し、デバイスチップの仕上がり厚さに相当する深さの溝15を形成できる。この手順を繰り返し、全ての分割予定ラインに沿って溝15が形成されると、溝形成ステップは終了する。
なお、本実施形態では、隣接するデバイスチップ間に後述する液状ダイボンディング用接着剤が充填されない程度に幅の狭い溝15を形成する(すなわち、薄い切削ブレード10を使用する)。ただし、溝15の幅(切削ブレード10の厚さ)に制限はなく、任意に設定、変更できる。
溝形成ステップの後には、ウェーハ11の表面11aに保護部材を貼り付けてから裏面11bを研削する研削ステップを実施する。図2は、研削ステップにおいてウェーハ11に保護部材が貼り付けられる様子を模式的に示す斜視図であり、図3(A)及び図3(B)は、研削ステップにおいてウェーハ11が研削される様子を模式的に示す側面図である。
研削ステップでは、まず、図2に示すように、ウェーハ11の表面11aに保護部材21を貼り付ける。保護部材21は、例えば、ウェーハ11と概ね同形の粘着テープ、樹脂基板、ウェーハ11と同種又は異種のウェーハ等である。本実施形態では、この保護部材21の第1面21aをウェーハ11の表面11aに接触させて、ウェーハ11に保護部材21を貼り付ける。これにより、研削時に加わる荷重等によるデバイス13の破損を防止できる。
ウェーハ11の表面11aに保護部材21を貼り付けた後には、ウェーハ11の裏面11bを研削する。ウェーハ11の研削は、例えば、図3(A)及び図3(B)に示す研削装置12で実施される。研削装置12は、ウェーハ11を吸引、保持するチャックテーブル14を備えている。
チャックテーブル14は、モータ等を含む回転機構(不図示)に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル14の下方には、移動機構(不図示)が設けられており、チャックテーブル14は、この移動機構で水平方向に移動する。
チャックテーブル14の上面は、ウェーハ11に貼り付けられた保護部材21の第2面21b側を吸引、保持する保持面14aとなっている。この保持面14aには、チャックテーブル14の内部に形成された流路(不図示)等を通じて吸引源(不図示)の負圧が作用し、ウェーハ11及び保護部材21を吸引するための吸引力が発生する。
チャックテーブル14の上方には、研削ユニット16が配置されている。研削ユニット16は、昇降機構(不図示)に支持されたスピンドルハウジング18を備える。スピンドルハウジング18には、鉛直方向に概ね平行な回転軸を構成するスピンドル20が収容されている。
スピンドル20の下端部には、円盤状のホイールマウント22が固定されている。ホイールマウント22の下面には、ホイールマウント22と概ね同径の研削ホイール24が装着されている。研削ホイール24は、ステンレス、アルミニウム等の金属材料で形成されたホイール基台26を備えている。ホイール基台26の下面には、複数の研削砥石28が環状に配列されている。
スピンドル20の上端側(基端側)には、モータ等を含む回転機構(不図示)が連結されている。研削ホイール24は、この回転機構から伝達される回転力によって、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。
ウェーハ11の裏面11bを研削する際には、まず、ウェーハ11に貼り付けられた保護部材21の第2面21bをチャックテーブル14の保持面14aに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ11は、裏面11b側が上方に露出した状態でチャックテーブル14に吸引、保持される。
次に、チャックテーブル14を研削ホイール24の下方に移動させて、図3(A)に示すように、チャックテーブル14と研削ホイール24とをそれぞれ回転させつつスピンドルハウジング18を下降させる。スピンドルハウジング18の下降速度(下降量)は、ウェーハ11の裏面11bに研削砥石28の下面が押し付けられる程度とする。これにより、ウェーハ11の裏面11bを研削できる。
ウェーハ11の研削は、例えば、ウェーハ11の厚さを測定しながら行われる。図3(B)に示すように、ウェーハ11が仕上がり厚さまで薄くなり、裏面11b側に溝15が露出すると、研削ステップは終了する。この研削ステップによって、ウェーハ11は、各デバイス13に対応する複数のデバイスチップ17に分割される。
研削ステップの後には、ウェーハ11の裏面11bに液状ダイボンディング用接着剤を塗布する接着剤塗布ステップを実施する。図4(A)は、接着剤塗布ステップを模式的に示す一部断面側面図であり、図4(B)は、図4(A)の一部を拡大して示す図である。接着剤塗布ステップは、例えば、図4(A)に示すスプレーコーティング装置32で実施される。
スプレーコーティング装置32は、ウェーハ11を吸引、保持するチャックテーブル34を備えている。チャックテーブル34は、モータ等を含む回転機構(不図示)に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。
チャックテーブル34の上面は、ウェーハ11に貼り付けられた保護部材21の第2面21b側を吸引、保持する保持面34aとなっている。この保持面34aには、チャックテーブル34の内部に形成された流路(不図示)等を通じて吸引源(不図示)の負圧が作用し、ウェーハ11及び保護部材21を吸引するための吸引力が発生する。
チャックテーブル34の上方には、ウェーハ11の裏面11bに向けて液状ダイボンディング用接着剤23を吹き付けるスプレーユニット(スプレー)36が配置されている。スプレーユニット36は、L字状の支持アーム38と、支持アーム38の一端側に固定されたスプレーノズル40とを含む。
支持アーム38の他端側には、回転機構(不図示)が連結されている。この回転機構は、所定の角度範囲でスプレーノズル40が搖動するように支持アーム38を回転させる。また、スプレーノズル40は、配管(不図示)等を通じて液状ダイボンディング用接着剤23の供給源(不図示)に接続されており、液状ダイボンディング用接着剤23を下向きに噴射できる。
本実施形態では、液状ダイボンディング用接着剤23として、紫外線で硬化する紫外線硬化型樹脂を用いる。紫外線硬化型樹脂の具体例としては、Henkel社製の「Wafer Backside Coating」(登録商標)等を挙げることができる。ただし、液状ダイボンディング用接着剤23の種類等に制限はなく、任意の外的刺激(例えば、熱等)で硬化する硬化型の樹脂(熱硬化型樹脂等)を用いることができる。
接着剤塗布ステップでは、まず、ウェーハ11に貼り付けられた保護部材21の第2面21bをチャックテーブル34の保持面34aに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ11は、裏面11b側が上方に露出した状態でチャックテーブル34に吸引、保持される。
次に、チャックテーブル34を回転させると共に、搖動させたスプレーノズル40から液状ダイボンディング用接着剤23を下向きに噴射させる。これにより、図4(A)及び図4(B)に示すように、ウェーハ11(デバイスチップ17)の裏面11bに液状ダイボンディング用接着剤23を吹き付けて塗布できる。
本実施形態では、上述のように、隣接するデバイスチップ17の間隔A(溝15の幅)を狭くしているので、隣接するデバイスチップ17間に液状ダイボンディング用接着剤23が充填されてしまうことはない。
また、液状ダイボンディング用接着剤23の供給量等は、隣接するデバイスチップ17に塗布された液状ダイボンディング用接着剤23同士の接触を抑制できる範囲内で調整することが望ましい。
例えば、隣接するデバイスチップ17の間隔Aよりも塗布される液状ダイボンディング用接着剤23の厚さBが小さく(A>B)なるように液状ダイボンディング用接着剤23の供給量を調整することで、隣接するデバイスチップ17間で液状ダイボンディング用接着剤23同士の接触を抑制できる。
さらに、間隔Aの半分よりも厚さBが小さく(0.5A>B)なるように液状ダイボンディング用接着剤23の供給量を調整することで、隣接するデバイスチップ17間で液状ダイボンディング用接着剤23同士の接触をより確実に防止できる。ただし、液状ダイボンディング用接着剤23の供給量等に制限はなく、液状ダイボンディング用接着剤23の粘度等に応じて任意に変更できる。
ウェーハ11(デバイスチップ17)の裏面11bに液状ダイボンディング用接着剤23が塗布されると、接着剤塗布ステップは終了する。本実施形態では、図4(B)に示すように、裏面11b側においてデバイスチップ17の角を覆うように液状ダイボンディング用接着剤23が塗布されるので、デバイスチップ17の抗折強度を高めることもできる。
接着剤塗布ステップの後には、ウェーハ11の裏面11bに塗布された液状ダイボンディング用接着剤23を硬化させる硬化ステップを実施する。図5は、硬化ステップを模式的に示す一部断面側面図である。硬化ステップは、例えば、図5に示す硬化装置42で実施される。
硬化装置42は、ウェーハ11を保持するテーブル44を備えている。テーブル44の上面は、ウェーハ11に貼り付けられた保護部材21の第2面21b側を保持する保持面44aとなっている。テーブル44の上方には、紫外線(紫外光)を放射する光源46が配置されている。
硬化ステップでは、まず、ウェーハ11に貼り付けられた保護部材21の第2面21bをテーブル44の保持面44aに接触させるように、ウェーハ11及び保護部材21をテーブル44に載せる。これにより、ウェーハ11は、裏面11bに塗布された液状ダイボンディング用接着剤23が上方に露出した状態でテーブル44に保持される。
次に、光源46から裏面11b側の液状ダイボンディング用接着剤23に紫外線を照射する。これにより、液状ダイボンディング用接着剤23を硬化させることができる。なお、紫外線の照射条件は、例えば、液状ダイボンディング用接着剤23が完全に硬化しない範囲で設定される。液状ダイボンディング用接着剤23を硬化(半硬化)させて接着層が完成すると、硬化ステップは終了する。
以上のように、本実施形態に係るデバイスチップの製造方法では、ウェーハ11の表面11a側に溝15を形成し、裏面11bを研削してウェーハ11をデバイスチップ17へと分割した後に、ウェーハ11の裏面11bに液状ダイボンディング用接着剤23を噴射して塗布するので、この液状ダイボンディング用接着剤23を硬化させることで、各デバイスチップ17に接着層を形成できる。すなわち、本実施形態に係るデバイスチップの製造方法では、接着層をレーザー光線等によって切断する必要がないので、接着層の形成に要する時間を短縮できる。
また、本実施形態に係るデバイスチップの製造方法では、裏面11b側においてデバイスチップ17の角を覆うように液状ダイボンディング用接着剤23が塗布されるので、デバイスチップ17の抗折強度を高めることもできる。
次に、隣接するデバイスチップ17の間隔Aと液状ダイボンディング用接着剤23の厚さBとの望ましい関係を確認するために行った実験について説明する。本実験では、デバイスチップ17の間隔A(すなわち、溝15の幅)又は液状ダイボンディング用接着剤23の厚さBが異なる複数のサンプルを用意して、隣接するデバイスチップ17が液状ダイボンディング用接着剤23を介して連結される「ダブルダイ」の発生率を確認した。
本実験の結果を表1に示す。なお、表1の「評価」の欄では、○が良好、△が可、×が不可をそれぞれ表している。
Figure 0006566703
表1から、A>Bを満たす場合に、ダブルダイの発生を抑制できるのが分かる。特に、0.5A>Bを満たす場合には、ダブルダイの発生をより確実に防止できる。
なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、スプレーユニット(スプレー)36による吹き付けで液状ダイボンディング用接着剤23を塗布しているが、他の方法で液状ダイボンディング用接着剤23を塗布しても良い。
図6は、変形例に係る接着剤塗布ステップを模式的に示す一部断面側面図である。変形例に係る接着剤塗布ステップは、例えば、図6に示すインクジェット装置52で実施される。インクジェット装置52は、ウェーハ11を保持するテーブル54を備えている。テーブル54の上面は、ウェーハ11に貼り付けられた保護部材21の第2面21b側を保持する保持面54aとなっている。
テーブル54の上方には、インクジェットノズル56が配置されている。このインクジェットノズル56は、例えば、ウェーハ11を保持するテーブル54に対して移動可能に構成されており、ウェーハ11の裏面11bの任意の領域に液状ダイボンディング用接着剤23を噴射する。
変形例に係る接着剤塗布ステップでは、まず、ウェーハ11に貼り付けられた保護部材21の第2面21bをテーブル54の保持面54aに接触させるように、ウェーハ11及び保護部材21をテーブル54に載せる。これにより、ウェーハ11は、裏面11b側が上方に露出した状態でテーブル54に保持される。
次に、インクジェットノズル56を任意のデバイスチップ17の上方に移動させて、液状ダイボンディング用接着剤23を噴射させる。なお、液状ダイボンディング用接着剤23の噴射領域は、ウェーハ11(デバイスチップ17)の溝15を除く領域に限定しても良い。インクジェットノズル56の移動と液状ダイボンディング用接着剤23の噴射とを繰り返し、全てのデバイスチップ17に液状ダイボンディング用接着剤23が塗布されると、変形例に係る接着剤塗布ステップは終了する。
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
11 ウェーハ
11a 表面
11b 裏面
13 デバイス
15 溝
17 デバイスチップ
21 保護部材
21a 第1面
21b 第2面
23 液状ダイボンディング用接着剤
A 間隔
B 厚さ
2 切削装置
4 チャックテーブル
6 切削ユニット
8 スピンドルハウジング
10 切削ブレード
12 研削装置
14 チャックテーブル
14a 保持面
16 研削ユニット
18 スピンドルハウジング
20 スピンドル
22 ホイールマウント
24 研削ホイール
26 ホイール基台
28 研削砥石
32 スプレーコーティング装置
34 チャックテーブル
34a 保持面
36 スプレーユニット(スプレー)
38 支持アーム
40 スプレーノズル
42 硬化装置
44 テーブル
44a 保持面
46 光源
52 インクジェット装置
54 テーブル
54a 保持面
56 インクジェットノズル

Claims (1)

  1. 複数の分割予定ラインで区画された表面側の各領域にそれぞれデバイスを備えるウェーハから、各デバイスに対応する複数のデバイスチップを製造するデバイスチップの製造方法であって、
    該デバイスチップの仕上がり厚さに相当する深さの溝を該分割予定ラインに沿ってウェーハの該表面側に形成する溝形成ステップと、
    ウェーハの該表面に保護部材を貼着し、ウェーハの裏面を研削して該溝を該裏面側に露出させ、ウェーハを個々の該デバイスチップに分割する研削ステップと、
    該研削ステップを実施した後、分割されたウェーハの該裏面に液状ダイボンディング用接着剤を噴射して該液状ダイボンディング用接着剤を隣接する該デバイスチップ間に充填することなく且つウェーハの該表面まで到達させないようにウェーハの該裏面に塗布する接着剤塗布ステップと、
    該接着剤塗布ステップを実施した後、該液状ダイボンディング用接着剤を硬化させる硬化ステップと、を備え
    該接着剤塗布ステップでは、隣接する該デバイスチップの間隔の半分よりもウェーハの該裏面に塗布される該液状ダイボンディング用接着剤の厚さが小さくなるように該液状ダイボンディング用接着剤の供給量を調整し、隣接する該デバイスチップ間で該液状ダイボンディング用接着剤同士の接触を防止することを特徴とするデバイスチップの製造方法。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018125479A (ja) * 2017-02-03 2018-08-09 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6842311B2 (ja) * 2017-02-07 2021-03-17 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019024038A (ja) 2017-07-24 2019-02-14 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019107750A (ja) * 2017-12-20 2019-07-04 株式会社ディスコ 板状物の加工方法
KR102290199B1 (ko) * 2018-11-13 2021-08-20 (주)다이나테크 테이프를 대신하는 박막필름의 형성 방법
CN110797315B (zh) * 2019-11-06 2021-06-11 烟台睿创微纳技术股份有限公司 一种晶圆级封装分割方法及晶圆级封装器件

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000182995A (ja) 1998-12-14 2000-06-30 Mitsumi Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2002100588A (ja) * 2000-09-22 2002-04-05 Shinkawa Ltd 半導体装置の製造方法
JP3539934B2 (ja) * 2001-02-14 2004-07-07 株式会社東京精密 ウェーハ分割方法およびウェーハ分割装置
JP2005019525A (ja) 2003-06-24 2005-01-20 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体チップの製造方法
JP2005116739A (ja) * 2003-10-07 2005-04-28 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体チップの製造方法
KR20080030267A (ko) * 2006-09-29 2008-04-04 삼성전자주식회사 다이 어태치막 형성방법, 형성장치 및 그 방법을 이용한반도체 패키지
JP4818187B2 (ja) * 2007-04-16 2011-11-16 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
KR20110055977A (ko) * 2009-11-20 2011-05-26 주식회사 하이닉스반도체 반도체 패키지 제조용 장비 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조방법
JP4976522B2 (ja) * 2010-04-16 2012-07-18 日東電工株式会社 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP5993845B2 (ja) * 2010-06-08 2016-09-14 ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 先ダイシング法を行う微細加工されたウェーハへの接着剤の被覆
JP5665511B2 (ja) * 2010-12-10 2015-02-04 株式会社東芝 半導体装置の製造方法、製造プログラム、および製造装置
JP5659033B2 (ja) * 2011-02-04 2015-01-28 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP2011181951A (ja) * 2011-05-02 2011-09-15 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法

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