JP2017011134A

JP2017011134A - デバイスチップの製造方法

Info

Publication number: JP2017011134A
Application number: JP2015125973A
Authority: JP
Inventors: 秀輝小清水; Hideki Koshimizu; 侑里香荒谷; Yurika Araya
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2015-06-23
Filing date: 2015-06-23
Publication date: 2017-01-12

Abstract

【課題】製造されるデバイスチップの反りを抑制した新たなデバイスチップの製造方法を提供する。【解決手段】交差する複数の分割予定ライン（１３）によって区画された表面（１１ａ）側の各領域にデバイス（１５）が形成されたウェーハ（１１）を分割して複数のデバイスチップ（５１）を製造するデバイスチップの製造方法であって、分割予定ラインによって区画された各領域の第１方向（Ｄ１）の長さは、第１方向に垂直な第２方向（Ｄ２）の長さの１０倍以上であり、ウェーハの裏面（１１ｂ）を研削してウェーハを薄化する研削ステップと、研削ステップを実施した後、ウェーハの裏面に補強フィルム（３１）を貼着する補強フィルム貼着ステップと、補強フィルム貼着ステップを実施した後、ウェーハを補強フィルムと共に分割予定ラインに沿って分割する分割ステップと、を備える。【選択図】図４

Description

本発明は、複数のデバイスが形成されたウェーハを分割してデバイスチップを製造するデバイスチップの製造方法に関する。

携帯電話機、パーソナルコンピュータ、液晶ディスプレイ等に代表される各種の電子機器では、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等のデバイスを備えるデバイスチップが必須の構成要素となっている。デバイスチップは、例えば、シリコン、サファイア等の材料でなるウェーハの表面側をストリートと呼ばれる複数の分割予定ラインで区画し、各領域にデバイスを形成した後、このストリートに沿ってウェーハを分割することで製造できる。

上述したストリートは、多くの場合、デバイスチップの縦方向の長さと横方向の長さとが同程度になるように設定される。一方で、ディスプレイ用ドライバやラインセンサ等の用途では、横方向の長さを縦方向の長さの１０倍以上にした長尺チップ等と呼ばれるデバイスチップが製造されることもある（例えば、特許文献１参照）。

近年では、デバイスチップの更なる小型化、軽量化を実現するために、デバイス形成後のウェーハを分割する前に薄く加工する機会が増えている。例えば、研削用の砥石が固定された研削ホイールを回転させてウェーハの裏面に接触させることで、ウェーハを研削して薄いデバイスチップを実現できる。

特開２０１０−７３８２１号公報

しかしながら、ウェーハを研削して薄い長尺チップを製造すると、この長尺チップが反って配線基板等への実装不良が発生し易くなる。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、製造されるデバイスチップの反りを抑制した新たなデバイスチップの製造方法を提供することである。

本発明によれば、交差する複数の分割予定ラインによって区画された表面側の各領域にデバイスが形成されたウェーハを分割して複数のデバイスチップを製造するデバイスチップの製造方法であって、該分割予定ラインによって区画された各領域の第１方向の長さは、該第１方向に垂直な第２方向の長さの１０倍以上であり、ウェーハの裏面を研削してウェーハを薄化する研削ステップと、該研削ステップを実施した後、ウェーハの裏面に補強フィルムを貼着する補強フィルム貼着ステップと、該補強フィルム貼着ステップを実施した後、ウェーハを該補強フィルムと共に該分割予定ラインに沿って分割する分割ステップと、を備えることを特徴とするデバイスチップの製造方法が提供される。

また、本発明によれば、交差する複数の分割予定ラインによって区画された表面側の各領域にデバイスが形成されたウェーハを分割して複数のデバイスチップを製造するデバイスチップの製造方法であって、該分割予定ラインによって区画された各領域の第１方向の長さは、該第１方向に垂直な第２方向の長さの１０倍以上であり、デバイスチップの仕上がり厚さに相当する深さの溝を該分割予定ラインに沿ってウェーハの該表面側に形成し、又は、レーザー光線の照射によって改質された改質層を該分割予定ラインに沿ってウェーハの内部に形成する分割起点形成ステップと、該分割起点形成ステップを実施した後、ウェーハの裏面を研削してウェーハをデバイスチップの仕上がり厚さまで薄化すると共に、ウェーハを該分割予定ラインに沿って分割する研削ステップと、該研削ステップを実施した後、ウェーハの裏面に補強フィルムを貼着する補強フィルム貼着ステップと、該補強フィルム貼着ステップを実施した後、該補強フィルムを該分割予定ラインに沿って分割する補強フィルム分割ステップと、を備えることを特徴とするデバイスチップの製造方法が提供される。

本発明において、該補強フィルム分割ステップでは、該補強フィルムにレーザー光線を照射して該補強フィルムを分割しても良い。

本発明に係るデバイスチップの製造方法では、ウェーハを研削して薄くした後に、ウェーハの裏面に補強フィルムを貼り付け、この補強フィルムを分割予定ラインに沿って分割することで、補強フィルムによって補強された状態のデバイスチップを形成する。よって、第１方向の長さが第２方向の長さの１０倍以上となるようなデバイスチップを製造する場合にもデバイスチップの反りを抑制できる。

ウェーハの構成例を模式的に示す斜視図である。ウェーハに保護部材が貼り付けられる様子を模式的に示す斜視図である。実施形態１に係る研削ステップを模式的に示す側面図である。実施形態１に係る補強フィルム貼着ステップを模式的に示す斜視図である。補強フィルムを介してウェーハにダイシングテープが貼り付けられる様子を模式的に示す斜視図である。実施形態１に係る分割ステップを模式的に示す一部断面側面図である。図７（Ａ）は、デバイスチップの構成例を模式的に示す斜視図であり、図７（Ｂ）は、反り量の算定方法を模式的に示す側面図である。実施形態２に係る分割起点形成ステップを模式的に示す側面図である。実施形態２に係る研削ステップを模式的に示す側面図である。実施形態２に係る補強フィルム貼着ステップを模式的に示す斜視図である。補強フィルムを介してウェーハにダイシングテープが貼り付けられる様子を模式的に示す斜視図である。実施形態２に係る補強フィルム分割ステップを模式的に示す一部断面側面図である。変形例に係る分割起点形成ステップを模式的に示す側面図である。

添付図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。なお、以下の実施形態１では、ウェーハと補強フィルムとを同じタイミングで分割するデバイスチップの製造方法について説明し、実施形態２では、ウェーハと補強フィルムとを異なるタイミングで分割するデバイスチップの製造方法について説明する。

（実施形態１）
本実施形態に係るデバイスチップの製造方法は、研削ステップ（図３参照）、補強フィルム貼着ステップ（図４参照）及び分割ステップ（図６参照）を含む。研削ステップでは、ウェーハの裏面を研削してウェーハを薄くする。補強フィルム貼着ステップでは、研削後のウェーハの裏面に補強フィルムを貼り付ける。分割ステップでは、ウェーハ及び補強フィルムをストリート（分割予定ライン）に沿って分割する。

図１は、本実施形態に係るデバイスチップの製造方法に使用されるウェーハの構成例を模式的に示す斜視図である。図１に示すように、本実施形態のウェーハ１１は、例えば、シリコン、サファイア等の材料でなる円板である。このウェーハ１１の表面１１ａ側は、互いに交差する複数のストリート（分割予定ライン）１３によって複数の領域に区画されており、各領域には、ＩＣ、ＬＥＤ等のデバイス１５が形成されている。

ストリート１３によって区画された各領域の横方向（第１方向）Ｄ１の長さは、例えば、横方向Ｄ１に対して垂直な縦方向（第２方向）Ｄ２の長さの１０倍以上になっている。すなわち、ウェーハ１１を分割して製造されるデバイスチップの横方向Ｄ１の長さは、縦方向Ｄ２の長さの１０倍以上になる。

なお、本実施形態では、シリコン、サファイア等の材料でなる円板をウェーハ１１として用いるが、ウェーハ１１の材質、形状等に制限はない。例えば、セラミック、樹脂、金属等の材料でなる基板等をウェーハ１１として用いることもできる。また、ウェーハ１１に形成されるデバイス１５の種類等も任意に変更できる。

本実施形態に係るデバイスチップの製造方法では、上述したウェーハ１１の表面１１ａ側に保護部材を貼り付けてから、ウェーハ１１の裏面１１ｂを研削する研削ステップを実施する。図２は、ウェーハ１１に保護部材が貼り付けられる様子を模式的に示す斜視図である。保護部材２１は、例えば、ウェーハ１１と概ね同形の粘着テープ、樹脂基板、ウェーハ１１と同種又は異種のウェーハ等である。

保護部材２１の第１面２１ａ側には、例えば、接着力を持つ樹脂等でなる糊層が形成されている。よって、保護部材２１の第１面２１ａ側をウェーハ１１の表面１１ａに接触させることで、ウェーハ１１に保護部材２１を貼り付けることができる。保護部材２１をウェーハ１１の表面１１ａ側に貼り付けることで、研削時に加わる荷重等によるデバイス１５の破損を防止できる。

図３は、研削ステップを模式的に示す側面図である。本実施形態の研削ステップは、例えば、図３に示す研削装置２で実施される。研削装置２は、ウェーハ１１を吸引、保持するためのチャックテーブル４を備えている。

チャックテーブル４は、モータ等を含む回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル４は、この移動機構で水平方向に移動する。

チャックテーブル４の上面は、ウェーハ１１に貼り付けられた保護部材２１の第２面２１ｂ側を吸引、保持する保持面４ａとなっている。この保持面４ａには、チャックテーブル４の内部に形成された流路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）の負圧が作用し、ウェーハ１１及び保護部材２１を吸引するための吸引力が発生する。

チャックテーブル４の上方には、ウェーハ１１を研削するための研削ユニット６が配置されている。研削ユニット６は、昇降機構（不図示）に支持されたスピンドルハウジング８を備える。スピンドルハウジング８の内部には、モータ等を含む回転駆動源（不図示）に連結されたスピンドル１０が収容されている。

スピンドル１０は、回転駆動源から伝達される回転力によって鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。スピンドルハウジング８の外部に露出したスピンドル１０の下端部には、円盤状のホイールマウント１２が固定されている。

ホイールマウント１２の下面には、ホイールマウント１２と概ね同径の研削ホイール１４が装着されている。研削ホイール１４は、ステンレス、アルミニウム等の金属材料で形成されたホイール基台１６を備えている。ホイール基台１６の下面には、複数の研削砥石１８が環状に配列されている。

ウェーハ１１の裏面１１ｂを研削する研削ステップでは、まず、ウェーハ１１に貼り付けられた保護部材２１の第２面２１ｂをチャックテーブル４の保持面４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態でチャックテーブル４に吸引、保持される。

次に、チャックテーブル４を研削ホイール１４の下方に移動させる。また、図３に示すように、チャックテーブル４と研削ホイール１４とをそれぞれ回転させながら、スピンドルハウジング８を下降させる。スピンドルハウジング８の下降速さ（下降量）は、ウェーハ１１の裏面１１ｂに研削砥石１８の下面が押し当てられる程度とする。

これにより、裏面１１ｂを研削してウェーハ１１を薄く加工（薄化）できる。この研削ステップは、例えば、ウェーハ１１の厚さを測定しながら実施される。ウェーハ１１が目標の厚さ（例えば、デバイスチップの仕上がり厚さ、代表的には、１００μｍ以下の厚さ）まで薄くなると、研削ステップは終了する。

研削ステップの後には、研削後のウェーハ１１の裏面１１ｂに補強フィルムを貼り付ける補強フィルム貼着ステップを実施する。図４は、補強フィルム貼着ステップを模式的に示す斜視図である。補強フィルム貼着ステップで使用される補強フィルム３１は、例えば、デバイスチップの裏面を保護するためのチップ裏面保護テープであり、ウェーハ１１と概ね同形に形成されている。

具体的には、例えば、特開２００４−２６０１９０号公報に開示された保護膜形成層を備えるチップ裏面保護テープ等を用いると良い。なお、この保護膜形成層は、代表的には、エポキシ樹脂やフェノール樹脂等の熱硬化性成分（又は、紫外線硬化型樹脂等のエネルギー線硬化性成分）と、アクリル系ポリマー等のバインダーポリマー成分とで構成される。

このように構成される補強フィルム３１の第１面３１ａ側をウェーハ１１の裏面１１ｂに貼り付けた後、補強フィルム３１を硬化させる。例えば、ヒータを用いて１３０℃で補強フィルム３１をベークし、熱硬化させる。これにより、ウェーハ１１の裏面１１ｂから補強フィルム３１が剥離しないように固定される。この補強フィルム３１により、研削後の薄いウェーハ１１が補強される。

補強フィルム貼着ステップの後には、保護部材２１をウェーハ１１から剥離し、補強フィルム３１の第２面３１ｂ側にダイシングテープを貼り付けてから、ウェーハ１１及び補強フィルム３１を分割する分割ステップを実施する。図５は、補強フィルム３１を介してウェーハ１１にダイシングテープが貼り付けられる様子を模式的に示す斜視図である。

図５に示すように、ウェーハ１１の表面１１ａから保護部材２１を剥離、除去した後に、ウェーハ１１より径の大きいダイシングテープ４１を補強フィルム３１の第２面３１ｂ側に貼り付ける。また、ダイシングテープ４１の外周部分に環状のフレーム４３を固定する。これにより、分割ステップ後のウェーハ１１を容易にハンドリングできる。なお、補強フィルム３１の第２面３１ｂ側にダイシングテープ４１を貼り付けてから、保護部材２１を剥離、除去しても良い。

図６は、分割ステップを模式的に示す一部断面側面図である。ウェーハ１１及び補強フィルム３１を分割する分割ステップは、例えば、図６に示す切削装置２２で実施される。切削装置２２は、ウェーハ１１及び補強フィルム３１を吸引、保持するためのチャックテーブル２４を備えている。

チャックテーブル２４は、モータ等を含む回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル２４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル２４は、この移動機構で水平方向に移動する。

チャックテーブル２４の上面は、ダイシングテープ４１を介してウェーハ１１及び補強フィルム３１を吸引、保持する保持面２４ａとなっている。この保持面２４ａには、チャックテーブル２４の内部に形成された流路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）の負圧が作用し、ウェーハ１１及び補強フィルム３１を吸引するための吸引力が発生する。チャックテーブル２４の周囲には、環状のフレーム４３を固定するためのクランプ２６が設けられている。

チャックテーブル２４の上方には、ウェーハ１１及び補強フィルム３１を切削するための切削ユニット２８が配置されている。切削ユニット２８は、昇降機構（不図示）に支持されたスピンドルハウジング（不図示）を備えている。スピンドルハウジングの内部には、モータ等を含む回転駆動源（不図示）に連結されたスピンドル３０が収容されている。

スピンドル３０は、回転駆動源から伝達される回転力によって水平方向に概ね平行な回転軸の周りに回転し、昇降機構によってスピンドルハウジングと共に昇降する。スピンドルハウジングの外部に露出したスピンドル３０の一端部には、円環状の切削ブレード３２が装着されている。

分割ステップでは、まず、ウェーハ１１及び補強テープ３１が貼り付けられたダイシングテープ４１をチャックテーブル２４の保持面２４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。併せて、フレーム４３をクランプ２６で固定する。これにより、ウェーハ１１及び補強フィルム３１は、ウェーハ１１の表面１１ａが上方に露出した状態でチャックテーブル２４に吸引、保持される。

次に、チャックテーブル２４と切削ユニット２８とを相対的に移動又は回転させて、切削ブレード３２を加工対象のストリート１３に対応する位置に合わせる。その後、回転させた切削ブレード３２をダイシングテープ４１に接触する高さまで下降させ、チャックテーブル２４を加工対象のストリート１３に平行な方向に移動させる。

これにより、ウェーハ１１及び補強フィルム３１に切削ブレード３２を切り込ませて、ウェーハ１１及び補強フィルム３１をストリート１３に沿って切断できる。上述の手順を繰り返し、全てのストリート１３に沿ってウェーハ１１及び補強フィルム３１が切断されると、分割ステップは終了する。この分割ステップにより、複数のデバイスチップ５１が完成する。

図７（Ａ）は、デバイスチップ５１の構成例を模式的に示す斜視図である。本実施形態に係るデバイスチップの製造方法で製造されるデバイスチップ５１は、図７（Ａ）に示すように、ウェーハ１１から分割されたデバイス部５３と、補強フィルム３１から分割された補強部５５とで構成されている。

この補強部５５によって薄いデバイス部５３を補強することで、横方向Ｄ１の長さが縦方向Ｄ２の長さの１０倍以上となるような反り易いデバイスチップ５１でも反りを抑制できる。

次に、本実施形態で製造されるデバイスチップ５１の反り量を確認するために行った２種類の実験について説明する。第１の実験（以下、実験１）では、デバイスチップ５１の横方向Ｄ１の長さと縦方向Ｄ２の長さとの比（以下、縦横比）に対する反り量の関係を補強部５５の有無でそれぞれ確認した。具体的には、縦横比の異なる６種類の条件（縦横比がそれぞれ、５，８，１０，１３，１５，２０の条件）で製造されたデバイスチップ５１の反り量を測定した。デバイス部５３の厚さは５０μｍで共通とし、補強部５５の厚さは２５μｍとした。

一方、第２の実験（以下、実験２）では、デバイスチップ５１を構成するデバイス部５３の厚さに対する反り量の関係を補強部５５の有無でそれぞれ確認した。具体的には、デバイス部５３の厚さが異なる５種類の条件（厚さがそれぞれ、３００，２００，１００，５０，２０の条件）で製造されたデバイスチップ５１の反り量を測定した。デバイスチップ５１の縦横比は１０で共通とし、補強部５５の厚さは２５μｍとした。

図７（Ｂ）は、反り量の算定方法を模式的に示す側面図である。図７（Ｂ）に示すように、実験１及び実験２では、平坦な基準面Ａに載せたデバイスチップ５１の端部から基準面Ａまでの距離Ｂをデバイスチップ５１の反り量として算定している。実験１の結果を表１に、実験２の結果を表２に示す。なお、各表において、マル印は、反り量が３００μｍ未満であることを示し、三角印は、反り量が３００μｍ以上６００μｍ未満であることを示し、バツ印（十字印）は、反り量が６００μｍ以上であることを示す。

実験１の結果から、縦横比が１０以上のデバイスチップ５１では補強部５５による補強の効果が顕著であり、実験２の結果から、デバイス部５３が１００μｍ以下の薄いデバイスチップ５１では補強部５５による補強の効果が顕著であると言える。

このように、本実施形態に係るデバイスチップの製造方法では、ウェーハ１１を研削して薄くした後に、ウェーハ１１の裏面１１ｂに補強フィルム３１を貼り付け、この補強フィルム３１をストリート（分割予定ライン）１３に沿って分割することで、補強フィルム３１によって補強された状態のデバイスチップ５１を形成する。よって、横方向（第１方向）Ｄ１の長さが縦方向（第２方向）Ｄ２の長さの１０倍以上となるようなデバイスチップ５１を製造する場合にも反りを抑制できる。

（実施形態２）
本実施形態に係るデバイスチップの製造方法は、分割起点形成ステップ（図８参照）、研削ステップ（図９参照）、補強フィルム貼着ステップ（図１０参照）及び補強フィルム分割ステップ（図１２参照）を含む。分割起点形成ステップでは、デバイスチップの仕上がり厚さに相当する深さの溝をストリート（分割予定ライン）１３に沿ってウェーハ１１の表面１１ａ側に形成する。

研削ステップでは、ウェーハ１１の裏面１１ｂを研削してウェーハ１１をデバイスチップの仕上がり厚さまで薄くすると共に、ウェーハ１１をストリート１３に沿って分割する。補強フィルム貼着ステップでは、研削後のウェーハ１１の裏面１１ｂに補強フィルム３１を貼り付ける。補強フィルム分割ステップでは、補強フィルム３１をストリート１３に沿って分割する。

本実施形態に係るデバイスチップの製造方法では、まず、実施形態１と同様のウェーハ１１に分割起点となる溝を形成する分割起点形成ステップを実施する。図８は、分割起点形成ステップを模式的に示す側面図である。この分割起点形成ステップは、例えば、図８に示す切削装置４２で実施される。切削装置４２は、実施形態１で使用される切削装置２２に類似しており、ウェーハ１１を吸引、保持するためのチャックテーブル４４を備えている。

チャックテーブル４４は、モータ等を含む回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル４４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル４４は、この移動機構で水平方向に移動する。

チャックテーブル４４の上面は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を吸引、保持する保持面４４ａとなっている。この保持面４４ａには、チャックテーブル４４の内部に形成された流路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）の負圧が作用し、ウェーハ１１を吸引するための吸引力が発生する。

チャックテーブル４４の上方には、ウェーハ１１を切削するための切削ユニット４６が配置されている。切削ユニット４６は、昇降機構（不図示）に支持されたスピンドルハウジング（不図示）を備えている。スピンドルハウジングの内部には、モータ等を含む回転駆動源（不図示）に連結されたスピンドル４８が収容されている。

スピンドル４８は、回転駆動源から伝達される回転力によって水平方向に概ね平行な回転軸の周りに回転し、昇降機構によってスピンドルハウジングと共に昇降する。スピンドルハウジングの外部に露出したスピンドル４８の一端部には、円環状の切削ブレード５０が装着されている。

分割起点形成ステップでは、まず、ウェーハ１１の裏面１１ｂをチャックテーブル４４の保持面４４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、表面１１ａが上方に露出した状態でチャックテーブル４４に吸引、保持される。

次に、チャックテーブル４４と切削ユニット４６とを相対的に移動又は回転させて、切削ブレード５０を加工対象のストリート１３に対応する位置に合わせる。その後、回転させた切削ブレード５０を、デバイスチップの仕上がり厚さに相当する高さまで下降させ、チャックテーブル４４を加工対象のストリート１３に平行な方向に移動させる。

これにより、ウェーハ１１の表面１１ａ側に切削ブレード５０を切り込ませて、デバイスチップの仕上がり厚さに相当する深さの溝１７をストリート１３に沿って形成できる。上述の手順を繰り返し、全てのストリート１３に沿ってウェーハ１１の表面１１ａ側に溝１７が形成されると、分割起点形成ステップは終了する。

分割起点形成ステップの後には、ウェーハ１１の表面１１ａ側に保護部材２１を貼り付けてから、ウェーハ１１の裏面１１ｂを研削する研削ステップを実施する。図９は、本実施形態に係る研削ステップを模式的に示す側面図である。なお、保護部材２１は、実施形態１と同様の方法でウェーハ１１の裏面１１ｂに貼り付けることができる。

図９に示すように、本実施形態に係る研削ステップは、実施形態１と同様の研削装置２を用いて実施される。具体的には、まず、ウェーハ１１に貼り付けられた保護部材２１の第２面２１ｂをチャックテーブル４の保持面４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態でチャックテーブル４に吸引、保持される。

次に、チャックテーブル４を研削ホイール１４の下方に移動させる。また、図９に示すように、チャックテーブル４と研削ホイール１４とをそれぞれ回転させながら、スピンドルハウジング８を下降させる。スピンドルハウジング８の下降速さ（下降量）は、ウェーハ１１の裏面１１ｂに研削砥石１８の下面が押し当てられる程度とする。

これにより、裏面１１ｂを研削してウェーハ１１を薄く加工（薄化）できる。この研削ステップは、例えば、ウェーハ１１の厚さを測定しながら実施される。ウェーハ１１がデバイスチップの仕上がり厚さ（代表的には、１００μｍ以下の厚さ）まで薄くなり、溝１７が裏面１１ｂ側に露出すると、研削ステップは終了する。なお、この研削ステップにより、ウェーハ１１は、ストリート１３に沿って複数のデバイス部６１（図１０等参照）に分割される。

研削ステップの後には、研削後のウェーハ１１の裏面１１ｂに補強フィルム３１を貼り付ける補強フィルム貼着ステップを実施する。図１０は、本実施形態に係る補強フィルム貼着ステップを模式的に示す斜視図である。補強フィルム３１としては、実施形態１と同様のチップ裏面保護テープを用いることができる。この補強フィルム３１により、研削後の薄いウェーハ１１が補強される。

補強フィルム貼着ステップの後には、保護部材２１をウェーハ１１から剥離し、補強フィルム３１の第２面３１ｂ側にダイシングテープを貼り付けてから、補強フィルム３１を分割する補強フィルム分割ステップを実施する。図１１は、補強フィルム３１を介してウェーハ１１にダイシングテープが貼り付けられる様子を模式的に示す斜視図である。

図１１に示すように、ウェーハ１１の表面１１ａから保護部材２１を剥離、除去した後に、ウェーハ１１より径の大きいダイシングテープ４１を補強フィルム３１の第２面３１ｂ側に貼り付ける。また、ダイシングテープ４１の外周部分に環状のフレーム４３を固定する。これにより、補強フィルム分割ステップ後のウェーハ１１を容易にハンドリングできる。なお、補強フィルム３１の第２面３１ｂ側にダイシングテープ４１を貼り付けてから、保護部材２１を剥離、除去しても良い。

図１２は、補強フィルム分割ステップを模式的に示す一部断面側面図である。補強フィルム３１を分割する補強フィルム分割ステップは、例えば、図１２に示すレーザー加工装置６２で実施される。レーザー加工装置６２は、ウェーハ１１及び補強フィルム３１を吸引、保持するためのチャックテーブル６４を備えている。

チャックテーブル６４は、モータ等を含む回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル６４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル６４は、この移動機構で水平方向に移動する。

チャックテーブル６４の上面は、ダイシングテープ４１を介してウェーハ１１及び補強フィルム３１を吸引、保持する保持面６４ａとなっている。この保持面６４ａには、チャックテーブル６４の内部に形成された流路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）の負圧が作用し、ウェーハ１１及び補強フィルム３１を吸引するための吸引力が発生する。チャックテーブル６４の周囲には、環状のフレーム４３を固定するためのクランプ６６が設けられている。

チャックテーブル６４の上方には、補強フィルム３１をレーザー加工するためのレーザー加工ユニット６８が配置されている。レーザー加工ユニット６８は、レーザー発振器（不図示）でパルス発振されたレーザー光線７０を集光して、補強フィルム３１に照射する。レーザー発振器は、補強フィルム３１をアブレーションによって加工できる波長（吸収性を有する波長）のレーザー光線７０を発振できるように構成されている。

補強フィルム分割ステップでは、まず、ウェーハ１１及び補強テープ３１が貼り付けられたダイシングテープ４１をチャックテーブル６４の保持面６４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。併せて、フレーム４３をクランプ６６で固定する。これにより、ウェーハ１１及び補強フィルム３１は、ウェーハ１１の表面１１ａが上方に露出した状態でチャックテーブル６４に吸引、保持される。

次に、チャックテーブル６４を移動又は回転させて、レーザー加工ユニット６８を加工開始位置（例えば、加工対象となるストリート１３に形成された溝１７の端部）に合わせる。そして、レーザー加工ユニット６８から補強テープ３１に向けてレーザー光線７０を照射させつつ、チャックテーブル６４を加工対象のストリート１３に形成された溝１７に沿って移動させる。

これにより、溝１７に沿って補強フィルム３１をアブレーションさせ、分割できる。上述の手順を繰り返し、全ての溝１７に沿って補強フィルム３１が分割されると、補強フィルム分割ステップは終了する。この補強フィルム分割ステップにより、デバイス部６１が補強部６３で補強された複数のデバイスチップ６５が完成する。

このように、本実施形態に係るデバイスチップの製造方法でも、ウェーハ１１を研削して薄くした後に、ウェーハ１１の裏面１１ｂに補強フィルム３１を貼り付け、この補強フィルム３１を溝１７（ストリート１３）に沿って分割することで、補強フィルム３１によって補強された状態のデバイスチップ６５を形成する。よって、横方向（第１方向）の長さが縦方向（第２方向）の長さの１０倍以上となるようなデバイスチップ６５を製造する場合にも反りを抑制できる。

なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態２の分割起点形成ステップでは、分割起点となる溝１７を形成しているが、レーザー光線によって改質された改質層（改質領域）等を分割起点として形成することもできる。

図１３は、変形例に係る分割起点形成ステップを模式的に示す側面図である。変形例に係る分割起点形成ステップは、例えば、図１３に示すレーザー加工装置８２で実施される。レーザー加工装置８２は、実施形態２で使用されるレーザー加工装置６２に類似しており、ウェーハ１１を吸引、保持するためのチャックテーブル８４を備えている。

チャックテーブル８４は、モータ等を含む回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル８４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル８４は、この移動機構で水平方向に移動する。

チャックテーブル８４の上面は、ウェーハ１１を吸引、保持する保持面８４ａとなっている。この保持面８４ａには、チャックテーブル８４の内部に形成された流路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）の負圧が作用し、ウェーハ１１を吸引するための吸引力が発生する。

チャックテーブル８４の上方には、ウェーハ１１に改質層を形成するためのレーザー加工ユニット８６が配置されている。レーザー加工ユニット８６は、レーザー発振器（不図示）でパルス発振されたレーザー光線８８をウェーハ１１の内部に集光する。レーザー発振器は、ウェーハ１１を多光子吸収によって改質できる波長（透過性を有する波長）のレーザー光線８８を発振できるように構成されている。

変形例に係る分割起点形成ステップでは、予めウェーハ１１の表面１１ａ側に貼り付けておいた保護部材２１の第２面２１ｂをチャックテーブル８４の保持面８４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、裏面１１ｂが上方に露出した状態でチャックテーブル８４に吸引、保持される。

次に、チャックテーブル８４を移動又は回転させて、レーザー加工ユニット８６を加工開始位置（例えば、加工対象となるストリート１３の端部）に合わせる。そして、レーザー加工ユニット８６からウェーハ１１に向けてレーザー光線８８を照射させつつ、チャックテーブル８４を加工対象のストリート１３に平行な方向に移動させる。

これにより、ウェーハ１１の内部をストリート１３に沿って改質した改質層１９を形成できる。上述の手順を繰り返し、全てのストリート１３に沿ってウェーハ１１の内部に改質層１９が形成されると、分割起点形成ステップは終了する。この改質層１９が形成されたウェーハ１１を研削ステップで研削すると、研削の際に加わる外力によってウェーハ１１は改質層１９を起点に分割される。

また、上記実施形態に係る分割ステップや補強フィルム分割ステップでは、ダイシングテープ４１を補強フィルム３１の第２面３１ｂ側に貼り付けて、第１面３１ａ側から補強フィルム３１をレーザー加工しているが、ダイシングテープ４１をウェーハ１１の表面１１ａ側に貼り付けて、第２面３１ｂ側から補強フィルム３１をレーザー加工しても良い。

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

１１ウェーハ
１１ａ表面
１１ｂ裏面
１３ストリート（分割予定ライン）
１５デバイス
１７溝
１９改質層
２１保護部材
２１ａ第１面
２１ｂ第２面
３１補強フィルム
３１ａ第１面
３１ｂ第２面
４１ダイシングテープ
４３フレーム
５１デバイスチップ
５３デバイス部
５５補強部
６１デバイス部
６３補強部
６５デバイスチップ
２研削装置
４チャックテーブル
４ａ保持面
６研削ユニット
８スピンドルハウジング
１０スピンドル
１２ホイールマウント
１４研削ホイール
１６ホイール基台
１８研削砥石
２２切削装置
２４チャックテーブル
２４ａ保持面
２６クランプ
２８切削ユニット
３０スピンドル
３２切削ブレード
４２切削装置
４４チャックテーブル
４４ａ保持面
４６切削ユニット
４８スピンドル
５０切削ブレード
６２レーザー加工装置
６４チャックテーブル
６４ａ保持面
６６クランプ
６８レーザー加工ユニット
７０レーザー光線
８２レーザー加工装置
８４チャックテーブル
８４ａ保持面
８６レーザー加工ユニット
８８レーザー光線
Ｄ１横方向（第１方向）
Ｄ２縦方向（第２方向）

Claims

交差する複数の分割予定ラインによって区画された表面側の各領域にデバイスが形成されたウェーハを分割して複数のデバイスチップを製造するデバイスチップの製造方法であって、
該分割予定ラインによって区画された各領域の第１方向の長さは、該第１方向に垂直な第２方向の長さの１０倍以上であり、
ウェーハの裏面を研削してウェーハを薄化する研削ステップと、
該研削ステップを実施した後、ウェーハの裏面に補強フィルムを貼着する補強フィルム貼着ステップと、
該補強フィルム貼着ステップを実施した後、ウェーハを該補強フィルムと共に該分割予定ラインに沿って分割する分割ステップと、を備えることを特徴とするデバイスチップの製造方法。
交差する複数の分割予定ラインによって区画された表面側の各領域にデバイスが形成されたウェーハを分割して複数のデバイスチップを製造するデバイスチップの製造方法であって、
該分割予定ラインによって区画された各領域の第１方向の長さは、該第１方向に垂直な第２方向の長さの１０倍以上であり、
デバイスチップの仕上がり厚さに相当する深さの溝を該分割予定ラインに沿ってウェーハの該表面側に形成し、又は、レーザー光線の照射によって改質された改質層を該分割予定ラインに沿ってウェーハの内部に形成する分割起点形成ステップと、
該分割起点形成ステップを実施した後、ウェーハの裏面を研削してウェーハをデバイスチップの仕上がり厚さまで薄化すると共に、ウェーハを該分割予定ラインに沿って分割する研削ステップと、
該研削ステップを実施した後、ウェーハの裏面に補強フィルムを貼着する補強フィルム貼着ステップと、
該補強フィルム貼着ステップを実施した後、該補強フィルムを該分割予定ラインに沿って分割する補強フィルム分割ステップと、を備えることを特徴とするデバイスチップの製造方法。
該補強フィルム分割ステップでは、該補強フィルムにレーザー光線を照射して該補強フィルムを分割することを特徴とする請求項２記載のデバイスチップの製造方法。