JP6457223B2 - 基板分離方法および半導体製造装置 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、基板分離方法および半導体製造装置に関する。
半導体装置として例えばＴＳＶ（through silicon via）構造を有するものでは、半導体基板を、薄厚加工後にビア形成、配線形成、絶縁層形成、バンプ形成などの加工を行うものがある。このような半導体基板において工程搬送を可能にするための技術として、半導体基板を接着材料で支持基板に貼り合わせた状態とする技術が有る。この技術では加工工程後の半導体基板を支持基板から剥離することが必須である。
この場合、半導体基板を支持基板に貼り付けて保持させる工程では、半導体基板の裏面加工中には支持基板から剥離することがなく、且つ、加工後に支持基板から確実に剥離できる機能を備えた接着材料が使用される。このような接着材料として、例えば、接着機能を有する接着層と剥離機能を有する剥離層を含む２層以上の構造としたものがある。
このような接着材料を用いる場合、貼り合わせ中のデバイス基板の加工時の位置ずれを防ぐため、剥離層は半導体基板の周辺部には形成されておらず、接着層が直接半導体基板と接する部分が存在する。しかし、加工後に半導体基板を支持基板から剥離する工程においては、この接着層が直接半導体基板と接する部分が剥離を妨げる要因となるため、例えば接着層を薬液で溶解する方法やブレードなどで接着層が直接半導体基板と接する部分を直接的に除去する方法などがある。
しかし、前者の方法では、加工工程で用いる薬液により接着層が溶解または膨潤し、加工工程中でデバイス基板が剥がれる問題が有る。また、加工工程で用いる薬液に対して、耐性のある接着層を採用した場合、溶解のための薬液に対しても接着層の溶解速度が低下し生産性が低下するという問題点が有る。また、後者の方法では、加工精度を考慮すると半導体基板の周辺部分の有効エリアが縮小することとなり、生産性が低下するという問題が有る。
米国特許出願公開第２０１３／０２４８０９９号明細書
本実施形態は、第１の基板を第２の基板に接着したものを容易且つ安価な手順で剥離することができる基板分離方法および半導体製造装置を提供する。
本実施形態の基板分離方法は、表面に複数のチップに対応して半導体素子が形成された第１の基板に、前記第１の基板の表面の周縁部を除く領域に配置された剥離層および少なくとも前記剥離層が形成された領域を含む第１領域上に形成された接着層を介して第２の基板を貼り合わせる工程と、前記第１の基板の裏面側に、粘着層を含むテープを貼り付ける工程と、前記テープの裏面の前記第１の基板の外周部に対応する部分に紫外線を照射して接着強度を低下させた硬化部を形成する工程と、前記接着層における前記硬化部と接する部分と前記半導体素子に接する剥離層の部分とを前記第２の基板から剥離をして、前記第１の基板と前記第２の基板とを分離する工程とを有する。
第１実施形態の製造工程の各段階で示す端部の模式的断面図（その１） 製造工程の各段階で示す端部の模式的断面図（その２） 製造工程の各段階で示す（ａ）端部の模式的断面図、（ｂ）全体の模式的断面図（その３） 製造工程の各段階で示す（ａ）端部の模式的断面図、（ｂ）全体の模式的断面図（その４） 製造工程の各段階で示す（ａ）端部の模式的断面図、（ｂ）全体の模式的断面図（その５） 紫外線照射装置の（ａ）模式的な概観斜視図、（ｂ）模式的な側面図 第２実施形態の製造工程の各段階で示す端部の模式的断面図（その１） 製造工程の各段階で示す（ａ）端部の模式的断面図、（ｂ）全体の模式的断面図（その２） 製造工程の各段階で示す（ａ）端部の模式的断面図、（ｂ）全体の模式的断面図（その３） 製造工程の各段階で示す（ａ）端部の模式的断面図、（ｂ）全体の模式的断面図（その４） レーザ光の照射範囲を説明する図（その１） レーザ光の照射範囲を説明する図（その２） 第３実施形態を示す紫外線照射装置の模式的な側面図
以下、複数の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは必ずしも一致しない。また、上下左右の方向についても、後述する半導体基板における回路形成面側を上または下とした場合の相対的な方向を示し、必ずしも重力加速度方向を基準としたものとは一致しない。
（第１実施形態）
図１〜図６は第１実施形態を示すもので、以下、第１の基板として、裏面研削およびＴＳＶ（through silicon via）を形成する工程を実施する半導体基板１を対象とし、その加工工程について説明する。
図１（ａ）は、例えば第１の基板であるシリコン基板などの半導体基板１の外周部の断面を示している。半導体基板１の表面の外周部を除いた部分の素子形成部２には、半導体製造工程を経ることにより、図１（ｂ）に示すように、半導体素子を含む半導体回路を有するチップを多数備えた状態に形成する。半導体基板１の素子形成部２への半導体回路の作り込みの工程が終了すると、続いて、半導体基板１の表面（上面）側の外周部分に研削処理（エッジトリミング処理）を行う。これにより、図１（ｃ）に示すように、半導体基板１の外周部分に段差部１ａを形成し、表面側に素子形成部２を残した状態とする。この場合、半導体基板１の段差部１ａの研削深さは例えば２００〜３００μｍの範囲に設定することができる。
次に、図２（ａ）に示すように、半導体基板１の素子形成部２の表面に接着力の弱い剥離層３を設ける。剥離層３としては、小さい応力でせん断破壊が可能な例えば熱可塑性樹脂などの材料が適用可能である。剥離層３は、半導体基板１の表面のほぼ全面に形成するが、最外周部分には周状に未形成の部分を例えば０．１〜５ｍｍの範囲の幅で設けている。したがって、剥離層３は、半導体基板１の素子形成部２の外周部を除いたほぼ全面に形成されている。
次に、図２（ｂ）に示すように、剥離層３を形成した半導体基板１を支持基板４に貼り付ける。この場合、貼り付けには接着剤を用いて接着層５を介した状態とする。支持基板４は、半導体基板１を貼り合わせたときに位置ずれではみ出す場合を想定して、例えば半導体基板１よりも外径寸法が０．１〜１ｍｍの範囲で大きいものを用いている。これにより、位置ずれに起因した半導体基板１の割れを防止することができる。
また、支持基板４は、例えば厚さが６００〜８００μｍの範囲のものを用いており、加工工程が終了して分離したものは、表面を研削して再利用することが可能である。なお、支持基板４は、この実施形態においては、例えばシリコン基板を用いている。半導体基板１としてシリコン基板を用いている場合に、同じ材質のシリコン基板を用いることで、熱応力などの歪を受けにくい状態で取り扱うことができるようにしている。支持基板４としては、シリコン基板以外にガラス板などの材料のものを用いることもできる。
接着層５の厚さは、例えば１〜１００μｍの範囲で設けられる。剥離層３の厚さは、支持基板４の剥離が実現できるほど厚く、かつ貼り合わせ中の半導体基板１の位置ずれを防げるほど薄い厚さになるように、例えば０．０１〜２０μｍの範囲で設定される。また、接着層５は、半導体基板１の外周部において、段差部１ａの内側の部分を覆うように設けている。なお、前述した剥離層３は、接着層５との密着性もしくは半導体基板１との密着性において、接着層５と支持基板４との密着度より小さくなるように調整されている。なお、剥離層３としては、層間の界面剥離により支持基板４を剥離することができる材料を用いることもできる。
次に、図２（ｃ）に示すように、半導体基板１を支持基板４に貼り付けた状態で、半導体基板１の裏面加工を行う。この場合、まず、裏面研削を実施して半導体基板１の厚さを例えば５０μｍ以下に加工する。これにより、半導体基板１は、外周部に形成されていた段差部１ａ部分が消失し、最外周部分がカットされた状態となり、エッジトリミング処理により残された表面部分の素子形成部２が残った状態となる。また、半導体基板１の素子形成部２には、裏面研削処理の後、その他の裏面加工が実施される。例えば、裏面側から表面側に貫通する貫通電極（ＴＳＶ）や、貫通電極の電極パッドなどを周知の方法により形成する。
上述のようにして半導体基板１の素子形成領域２に対する加工工程が終了すると、続いて、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体基板１の素子形成部２の裏面にテープ６を貼り付ける。ここで、図３（ａ）は、支持基板４と半導体基板１の素子形成部２の周辺部の断面を示している。図３（ｂ）は、リングフレーム７全体を示した断面図である。なお、図３（ｂ）では、剥離層４および接着層５は図示を省略している。
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、テープ６は半導体基板１の素子形成部２の外形より大きくカットされ、リングフレーム７により保持されている。テープ６は、基材および接着剤を主体とした粘着層を含む２層以上の積層構造となっている。また、テープ６の粘着層は、紫外線（ＵＶ）照射により架橋・硬化し、紫外線を受けた硬化部の接着力が低下する特性を有している。
次に、図４（ａ）、（ｂ）示すように、テープ６に紫外線照射を行う。この場合、紫外線照射を行う範囲は、接着層５が直接半導体基板１の素子形成部２と接する貼り合わせた部分よりも大きい範囲である。これにより、テープ６に接着強度が低下した硬化部６ａを形成する。硬化部６ａは、円環状に形成されていて、図４（ａ）に示しているように、その内側の径は、素子形成部２の上面に設けている剥離層３の外周の位置あるいはそれよりも内側となるように設定され、外側の径は、素子形成部２の外側に位置している接着層５がシート６と接している部分よりも外側となるように設定される。
また、テープ６への紫外線照射は、図６に示すような構成を用いて行う。図６（ａ）は、紫外線照射を行う場合の、配置関係の概観を示している。また、図６（ｂ）は、半導体製造装置としての紫外線照射装置１０の概略構成を示している。紫外線照射装置１０は、半導体基板１の素子形成部２側を支持基板４に貼り付けた状態でテープ６を素子形成部２の裏面側に貼り付け、これをリングフレーム７により保持した状態のものに、紫外線を照射する装置である。
リングフレーム７およびテープ６を載置するテーブル１１は、透光性を有するガラス板あるいはアクリル板のような材料からなる円盤状のもので、中央部の下部において回転軸１２により支持されている。回転軸１２は、モータなどにより回転駆動可能に設けられ、これによってテーブル１１は回転可能に構成されている。テーブル１１の下面側にレーザ照射部１３が設けられている。レーザ照射部１３は、紫外線レーザ光を出力可能で、上面のテーブル１１に向けて紫外線レーザを照射し、テーブル１１上に載置されているリングフレーム７およびテープ６あるいは半導体基板１の素子形成部２に紫外線レーザ光を照射する。このとき、テーブル１１を回転軸１２により回転させることで紫外線レーザ光は周方向に沿って円環状に照射することができる。また、レーザ照射部１３は、照射する紫外線レーザ光の照射幅を適宜の幅に設定することができるように構成されている。
これにより、図６（ａ）に示すように、テープ６を貼り付けた状態の半導体基板１の素子形成部２の周囲に下方から紫外線レーザ光を照射すると、テーブル１１の回転に伴って、半導体基板１の外周部に沿う部分のテープ６に、紫外線レーザ光が照射されて硬化部６ａが円環状に形成される。なお、硬化部６ａを形成するのに、テーブル１１は、例えば１回転させる。
次に、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、支持基板４を半導体基板１の素子形成部２から分離する。この場合、図４（ａ）に示しているように、支持基板４と半導体基板１の素子形成部２とが剥離するのは、図中太破線で示す部分、すなわち、シート６の硬化部６ａが接着層５および素子形成部２と面する部分、素子形成部２と剥離層３が面する部分である。また、これらの境界部分の素子形成部２の内部が縦方向に割れて分離する。このとき、素子形成部２は、薄く研削処理されているので、縦方向に割れやすい状態となっており、また、これによって、割れたときに素子形成部２の内側部分への割れの伝播を抑制することができる。
これにより、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、テープ６の硬化部６ａの内周部分に貼り付けられた素子形成部２が支持基板４から分離された状態で剥離することができる。テープ６上に貼り付けられた状態の半導体基板１の素子形成部２は、ダイシング処理を行なうことで、使用可能なチップが分離される。
このような第１実施形態によれば、半導体基板１を支持基板４に接着層５により貼り付けた状態で素子形成部２への加工を行い、その後、テープ６を貼り付けてから紫外線レーザ光の照射を行って、テープ６に硬化部６ａを形成するようにしたので、素子形成部２と接着層５とが密着している部分を硬化部６ａを設けることで剥離しやすくすることができるようになる。
また、紫外線レーザ光を照射する際の半導体製造装置１０として、半導体基板１をテープ６に貼り付け、リングフレーム７で保持した状態で、透光性を有する材料からなるテーブル１１に載置し、回転させながら下側からレーザ照射部１３により紫外線レーザ光を照射するので、テープ６に円環状をなす硬化部６ａを効率的に設けることができる。
なお、上記実施形態では、半導体基板１を支持基板４に貼り付ける前に、素子形成部２のスクライブラインに沿った位置に、あらかじめチップに分離しやすい結晶欠陥部などを形成しておくこともできる。
（第２実施形態）
図７〜図１２は第２実施形態を示している。以下、第1実施形態と異なる部分について、説明する。
この実施形態では、第1実施形態と同様にして半導体基板１を支持基板４に貼り付けて、半導体基板１の裏面加工を行う。この後、テープ６を貼り付ける前に、図７に示すように、半導体基板１の素子形成部２の裏面にダイシング加工を行う。ダイシング加工では、素子形成部２を切断して剥離層３に至る深さで加工する。これにより、半導体基板１の素子形成部２は、裏面に所定深さでダイシング溝２ａが格子状に形成され、半導体回路はチップに分離された状態で剥離層３に接着された状態となる。
続いて、図８に示すように、素子形成部２の裏面側にテープ６を貼り付ける。ここで、図８（ａ）は、支持基板４と半導体基板１の素子形成部２の周辺部の断面を示している。図８（ｂ）は、リングフレーム７全体を示した断面図である。なお、図３（ｂ）では、剥離層４および接着層５は図示を省略している。テープ６は、第１実施形態と同様のものを使用することができる。また、テープ６の粘着層は、紫外線照射により架橋・硬化し、接着力が低下する特性を有している。
次に、図９（ａ）、(ｂ)に示すように、接着層５が直接半導体基板１の素子形成部２と接する部分のテープ６に紫外線照射を行う。これにより、テープ６に接着強度が低下した硬化部６ａを形成する。硬化部６ａは、円環状に形成されていて、図９（ａ）に示しているように、その内側の径は、素子形成部２の上面に設けている剥離層３の外周の位置あるいはそれよりも内側となるように設定され、外側の径は、素子形成部２の外側に位置している接着層５がシート６と接している部分よりも外側となるように設定される。
次に、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、支持基板４を半導体基板１の素子形成部２から分離する。この場合、支持基板４と半導体基板１の素子形成領域２とが剥離するのは、図１０（ａ）に示しているように、シート６の硬化部６ａが接着層５および素子形成部２と面する部分、および素子形成部２と剥離層３が面する部分であり、素子形成部２においては、図中ダイシングによりチップに分離したダイシング２ａ部分である。
これにより、テープ６の硬化部６ａの内周部分に貼り付けられた素子形成部２が支持基板４から分離された状態で剥離することができる。テープ６上に貼り付けられた状態の半導体基板１の素子形成部２は、ダイシング処理を行なうことで、使用可能なチップが個別に分離された状態で貼り付けられている。
なお、この実施形態においては、テープ６を貼り付ける前にダイシング工程を実施しているので、テープ６に接着された素子形成部２のチップＰから支持基板４を分離する場合に、ダイシング溝２ａ部分で破断しやすい構造とすることができ、使用可能なチップＰまで破断部分が及ぶのを抑制でき、確実に使用可能なチップＰを確保することができる。
次に、上記のように、ダイシング処理を行う場合のダイシング溝２ａの形成位置と、紫外線照射範囲との関係について、図１１および図１２を参照して説明する。図１１（ａ）は、半導体基板１の素子形成部２について、ダイシング処理を行った場合のダイシング溝２ａの位置を示す。半導体基板１の素子形成部２は、ダイシング溝２ａにより矩形状のチップＰに分離されている。チップＰは、最外周部分で角部が外れて使用可能なチップＰとして取れない部分がある。ダイシング溝２ａを実線で示す部分には、使用可能なチップＰが存在している。
上記のような平面パターンに対して、テープ６に紫外線レーザを照射する位置は、次の範囲になる。すなわち、紫外線レーザを照射する環状の領域の内径をＲｉ、外径をＲｏとすると、内径Ｒｉを設定する位置としては、図１１（ａ）に示したＡの位置つまり剥離層３の外径と同じかそれよりも内側であって、且つダイシングにより区画された使用可能なチップＰのダイシング溝２ａの位置Ｂの範囲である。また、外径Ｒｏを設定する位置としては、図１１（ｂ）に示した位置つまり接着層５がテープ６と接している部分よりも外側であって概ね支持基板４の外径と同じ位置Ｃかそれよりも外側であって、且つ、リングフレーム７の内径に等しい位置Ｄまでの範囲である。
この結果、支持基板４を分離するために必要な最小限の紫外線レーザ照射範囲は、図１２（ａ）に示すように、上記した内径Ａから外径Ｃの範囲６ａである。なお、外径Ｃについては、実際にはテープ６と接着層５とが接着された部分で良いが、接着層５の外周位置は必ずしも図示のような位置とならず、周方向の場所によるはみ出し量のばらつきを考慮すると支持基板４の外径位置Ｃが確実である。逆に、接着層５の位置が確実にわかっていればその位置を基準とすることもできる。
一方、支持基板４を分離するために必要な最大限の紫外線レーザ照射範囲は、図１２（ｂ）に示すように、上記した内径Ｂから外径Ｄの範囲６ｂである。この場合、照射範囲のうち外側の支持基板４の外側から外径Ｄの位置までの範囲は、単にテープ６に紫外線レーザを照射して硬化させることとなる。
なお、このように、支持基板４の外側から外径Ｄの位置までの範囲つまり単にテープ６に紫外線レーザを照射して硬化させる場合には、次のような硬化を得ることができる。すなわち、支持基板４を剥離した後の剥離層の洗浄工程では、テープ６の粘着層が硬化されているから、粘着層の中の未硬化成分が洗浄液へ溶出しチップＰへ再付着することを抑止できる。
この場合、上記の効果を得るためには、テープ６の粘着層の洗浄液への溶出の程度によっては、露出している全てのテープに紫外線レーザを照射する必要は無く、必要な箇所のみを紫外線レーザの照射をすれば足る。また、この実施形態においては、リングフレーム７からテープ６が剥離しないようにリングフレーム７の下のテープ６の一部に対して紫外線レーザの照射をしないようにしている。しかし、紫外線レーザを照射した場合においてもリングフレーム７とテープ６との密着性が強く、テープ６がリングフレーム７から剥離しない場合には、リングフレーム７の下に位置するテープ６まで紫外線レーザを照射しても差し支えない。
このような第２実施形態によれば、第１実施形態と同様の作用効果を得ることができる。また、素子形成部２をあらかじめダイシング処理した後にテープ６を貼り付けるので、
支持基板４の剥離時に有効エリア外のチップＰは割れるが、有効エリアのチップＰに及ぶ割れの進展を確実に防ぐこと出来る。
なお、上記実施形態においては、ダイシング深さを剥離層３の途中まで行う場合を示したが、素子形成部２と剥離層３との境界部分まで切断することもできる。また、剥離層３まで達する深さで切断したり、さらに接着層５に達する深さまで切断することもできる。
（第３実施形態）
図１３は第３実施形態を示すもので、第１実施形態で用いた紫外線照射装置の異なる例を示している。紫外線照射装置２０は、紫外線照射装置１０と同様に、半導体基板１の素子形成部２側を支持基板４に貼り付けた状態でテープ６を素子形成部２の裏面側に貼り付け、これをリングフレーム７により保持した状態のものに、紫外線を照射する装置である。
リングフレーム７およびテープ６を載置するテーブル２１は、透光部２１ａを除いて遮光性を有する材料からなる円盤状のもので、例えば周囲を保持される構成である。テーブル２１の透光部２１ａは、上面に載置したリングフレーム７およびテープ６の紫外線照射を行う部位６ａに対応して円環状に設けられている。テーブル２１の下面側に紫外線ランプ２２が設けられている。紫外線ランプ２２は、テーブル２１のほぼ全面に対応した発光面を有し、紫外線を上方に向けて照射する。
これにより、紫外線ランプ２２から紫外線を上方に向けて照射すると、テーブル２１の透光部２１ａを透過した紫外線がテープ６の一部に照射され、紫外線の照射によってテー部６が円環状に硬化して硬化部６ａを形成する。紫外線の照射が不要な部分は、テーブル２１により遮光されるので、照射が必要な部分だけに選択的に照射することができる。
したがって、このような第３実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用効果を得ることができる。また、透光部２１ａを有するテーブル２１と紫外線ランプ２２を設けて紫外線を一括照射するので、テープ６に円環状の硬化部６ａを短時間に形成することができる。また、テーブル２１を回転する機構を設ける必要がないので、紫外線照射装置２０を簡単な構成とすることができる。
（他の実施形態）
上記実施形態で説明したもの以外に次のような変形形態に適用することができる。
第１の基板および第２の基板は、半導体基板１および支持基板４を用いる場合で説明したが、これに限らず、接着層で貼り合わせた状態の２枚の基板を分離する構成であれば適用できる。
紫外線の照射は、テーブル１１を回転させながらレーザ照射部１３からレーザ光を照射する方式あるいは遮光部２１ａを有するテーブル２１に紫外線ランプ２２から紫外線を照射する方式の例を示したが、これに限らず、種々の方法で照射することができる。たとえば、紫外線レーザをミラーで反射する構成を設け、ミラーの反射角度を変えたり、ミラーを移動させることでテープ６の所定範囲に照射する構成を採用することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
図面中、１は半導体基板（第１の基板）、２は素子形成部、３は剥離層、４は支持基板（第２の基板）、５は接着層、６はテープ、６ａは硬化部、７はリングフレーム、１０、２０は紫外線照射装置（半導体製造装置）、１１、２１はテーブル、１３はレーザ照射部、２２は紫外線ランプを示す。

Claims (8)

  1. 表面に複数のチップに対応して半導体素子が形成された第１の基板に、前記第１の基板の表面の周縁部を除く領域に配置された剥離層および少なくとも前記剥離層が形成された領域を含む第１領域上に形成された接着層を介して第２の基板を貼り合わせる工程と、
    前記第１の基板の裏面側に、粘着層を含むテープを貼り付ける工程と、
    前記テープの裏面の前記第１の基板の外周部に対応する部分に紫外線を照射して接着強度を低下させた硬化部を形成する工程と、
    前記接着層における前記硬化部と接する部分と前記半導体素子に接する剥離層の部分とを前記第２の基板から剥離をして、前記第１の基板と前記第２の基板とを分離する工程とを有することを特徴とする基板分離方法。
  2. 請求項１に記載の基板分離方法において、
    前記テープの裏面から前記紫外線を照射する工程では、前記剥離層の外周部から内側の範囲で且つ前記チップの有効なものの外側に前記紫外線を照射することを特徴とする基板分離方法。
  3. 請求項１または２に記載の基板分離方法において、
    前記第１の基板は、前記テープを貼り付ける前に、前記半導体素子を形成したチップを分離するダイシング工程を実施することを特徴とする基板分離方法。
  4. 請求項１から３のいずれか一項に記載の基板分離方法において、
    前記テープの裏面から前記紫外線を照射する工程では、前記第１の基板の外周部も照射することを特徴とする基板分離方法。
  5. 請求項１から４のいずれか一項に記載の基板分離方法において、
    前記第１の基板は、前記第２の基板に貼り合わせる工程の前に、前記半導体素子を形成した表面部の外周部分を所定深さまで除去する工程を実施することを特徴とする基板分離方法。
  6. 請求項１から５のいずれか一項に記載の基板分離方法において、
    前記第１の基板を回転させながら前記紫外線を照射することを特徴とする基板分離方法。
  7. 請求項１から６のいずれか一項に記載の基板分離方法において、
    前記第１の基板における前記第２の基板と張り合わせた面の反対の裏面を加工する工程をさらに有し、
    前記テープを貼り付ける工程は前記第１の基板の裏面を加工した後に行うことを特徴とする基板分離方法。
  8. 請求項１から７のいずれか一項に記載の基板分離方法において使用する前記紫外線の照射を行う装置であって、
    前記第１の基板を前記第２の基板に貼り合わせた状態のものを、回転可能に支持する回転支持部と、
    前記回転支持部により前記第１の基板および第２の基板を回転させた状態で、前記テープの裏面から前記紫外線をレーザ光により照射する紫外線光源とを備えたことを特徴とする半導体製造装置。
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