CN108987339B - 芯片的制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 40
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 claims description 22
- 239000007779 soft material Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 27
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
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Abstract
提供芯片的制造方法,不使用扩展片而能够对板状的被加工物进行分割而制造出多个芯片。该芯片的制造方法包含如下的步骤:激光加工步骤,沿着分割预定线仅对芯片区域照射对于硅晶片具有透过性的波长的激光束,沿着芯片区域的分割预定线形成改质层,并且将外周剩余区域作为未形成改质层的加强部;以及分割步骤,对硅晶片赋予力而将硅晶片分割成各个芯片,在分割步骤中,通过一次的冷却或加热来赋予力而将硅晶片分割成各个芯片。
Description
技术领域
本发明涉及芯片的制造方法,对板状的被加工物进行分割而制造出多个芯片。
背景技术
为了将以晶片为代表的板状的被加工物(工件)分割成多个芯片,公知有如下的方法:使具有透过性的激光束会聚在被加工物的内部,形成因多光子吸收而被改质的改质层(改质区域)(例如参照专利文献1)。改质层比其他区域脆,因此通过在沿着分割预定线(间隔道)形成改质层之后对被加工物施加力,从而能够以该改质层为起点将被加工物分割成多个芯片。
在对形成有改质层的被加工物施加力时,例如采用将具有伸展性的扩展片(扩展带)粘贴在被加工物上并进行扩展的方法(例如参照专利文献2)。在该方法中,通常在照射激光束而在被加工物中形成改质层之前,将扩展片粘贴在被加工物上,然后在形成改质层之后对扩展片进行扩展而将被加工物分割成多个芯片。
专利文献1:日本特开2002-192370号公报
专利文献2:日本特开2010-206136号公报
但是,在上述那样的对扩展片进行扩展的方法中,使用后的扩展片无法再次使用,因此制造芯片所需的费用也容易增高。特别是作为粘接材料不容易残留在芯片上的高性能的扩展片,其价格也高,因此当使用这样的扩展片时,制造芯片所需的费用也增高。
发明内容
本发明是鉴于该问题点而完成的,其目的在于提供芯片的制造方法,不使用扩展片而能够对板状的被加工物进行分割而制造出多个芯片。
根据本发明的一个方式,提供芯片的制造方法,从具有芯片区域和围绕该芯片区域的外周剩余区域的硅晶片制造出多个芯片,所述芯片区域由交叉的多条分割预定线划分成将要成为该芯片的多个区域,该芯片的制造方法的特征在于,具有如下的步骤:保持步骤,利用保持工作台直接对硅晶片进行保持;激光加工步骤,在实施了该保持步骤之后,按照将对于硅晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该保持工作台所保持的硅晶片的内部的方式沿着该分割预定线仅对硅晶片的该芯片区域照射该激光束,沿着该芯片区域的该分割预定线形成改质层,并且将该外周剩余区域作为未形成改质层的加强部;搬出步骤,在实施了该激光加工步骤之后,将硅晶片从该保持工作台搬出;以及分割步骤,在实施了该搬出步骤之后,对硅晶片赋予力而将硅晶片分割成各个该芯片,在该分割步骤中,通过一次的冷却或加热来赋予该力而将硅晶片分割成各个该芯片。
在本发明的一个方式中,可以还具有如下的加强部去除步骤:在实施了该激光加工步骤之后并且在实施该分割步骤之前,将该加强部去除。另外,在本发明的一个方式中,也可以是,该保持工作台的上表面由柔软的材料构成,在该保持步骤中,利用该柔软的材料对硅晶片的正面侧进行保持。
在本发明的一个方式的芯片的制造方法中,在利用保持工作台直接对硅晶片进行保持的状态下,仅对硅晶片的芯片区域照射激光束而形成沿着分割预定线的改质层,然后利用一次的冷却或加热来赋予力而将硅晶片分割成各个芯片,因此无需使用扩展片来对硅晶片施加力而将其分割成各个芯片。这样,根据本发明的一个方式的芯片的制造方法,不使用扩展片而能够对作为板状的被加工物的硅晶片进行分割而制造出多个芯片。
另外,在本发明的一个方式的芯片的制造方法中,仅对硅晶片的芯片区域照射激光束而形成沿着分割预定线的改质层,并且将外周剩余区域作为未形成改质层的加强部,因此通过该加强部对芯片区域进行加强。由此,硅晶片不会由于在搬送等时所施加的力而被分割成各个芯片,能够适当地搬送硅晶片。
附图说明
图1是示意性示出被加工物的结构例的立体图。
图2是示意性示出激光加工装置的结构例的立体图。
图3的(A)是用于对保持步骤进行说明的剖视图,图3的(B)是用于对激光加工步骤进行说明的剖视图。
图4的(A)是示意性示出激光加工步骤后的被加工物的状态的俯视图,图4的(B)是示意性示出激光加工步骤后的被加工物的状态的剖视图。
图5的(A)和图5的(B)是用于对加强部去除步骤进行说明的剖视图。
图6是用于对分割步骤进行说明的剖视图。
图7是用于对变形例的保持步骤进行说明的剖视图。
图8的(A)是用于对变形例的分割步骤进行说明的剖视图,图8的(B)是示意性示出通过变形例的分割步骤对芯片区域进行分割之前的被加工物的状态的俯视图。
标号说明
11:被加工物(工件);11a:正面;11b:背面;11c:芯片区域;11d:外周剩余区域;13:分割预定线(间隔道);15:区域;17:激光束;19:改质层(改质区域);19a:第1改质层;19b:第2改质层;19c:第3改质层;21:流体;23:裂纹;25:芯片;2:激光加工装置;4:基台;6:卡盘工作台(保持工作台);6a:保持面;6b:吸引路;8:水平移动机构;10:X轴导轨;12:X轴移动工作台;14:X轴滚珠丝杠;16:X轴脉冲电动机;18:X轴标尺;20:Y轴导轨;22:Y轴移动工作台;24:Y轴滚珠丝杠;26:Y轴脉冲电动机;28:Y轴标尺;30:支承台;32:阀;34:吸引源;36:支承构造;38:支承臂;40:激光照射单元;42:相机;44:片材(多孔片材);44a:上表面;52:分割装置;54:卡盘工作台(保持工作台);54a:保持面;54b:吸引路;54c:吸引路;56:阀;58:吸引源;60:阀;62:切削单元;64:主轴;66:切削刀具;68:喷射喷嘴(温度差形成单元)。
具体实施方式
参照附图,对本发明的一个方式的实施方式进行说明。本实施方式的芯片的制造方法包含:保持步骤(参照图3的(A))、激光加工步骤(参照图3的(B)、图4的(A)和图4的(B))、搬出步骤、加强部去除步骤(参照图5的(A)和图5的(B))以及分割步骤(参照图6)。
在保持步骤中,利用卡盘工作台(保持工作台)直接对具有由分割预定线划分成多个区域的芯片区域和围绕芯片区域的外周剩余区域的被加工物(工件)进行保持。在激光加工步骤中,照射对于被加工物具有透过性的波长的激光束,在芯片区域形成沿着分割预定线的改质层(改质区域),并且将外周剩余区域作为未形成改质层的加强部。
在搬出步骤中,将被加工物从保持工作台搬出。在加强部去除步骤中,将加强部从被加工物去除。在分割步骤中,利用一次的冷却或加热来赋予力而将被加工物分割成多个芯片。以下,对本实施方式的芯片的制造方法进行详细说明。
图1是示意性示出在本实施方式中使用的被加工物(工件)11的结构例的立体图。如图1所示,被加工物11例如是由硅(Si)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等半导体;蓝宝石(Al2O3)、钠钙玻璃、硼硅酸玻璃、石英玻璃等电介质(绝缘体);或者钽酸锂(LiTa3)、铌酸锂(LiNb3)等强电介质(强电介质结晶)形成的圆盘状的晶片(基板)。
被加工物11的正面11a侧由交叉的多条分割预定线(间隔道)13划分成将要成为芯片的多个区域15。另外,以下将包含所有将要成为芯片的多个区域15在内的大致圆形的区域称作芯片区域11c,将围绕芯片区域11c的环状的区域称作外周剩余区域11d。
在芯片区域11c内的各区域15,根据需要形成有IC(Integrated Circuit:集成电路)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems:微机电系统)、LED(Light EmittingDiode:发光二极管)、LD(Laser Diode:激光二极管)、光电二极管(Photodiode)、SAW(Surface Acoustic Wave:表面弹性波)滤波器、BAW(Bulk Acoustic Wave:体弹性波)滤波器等器件。
沿着分割预定线13对该被加工物11进行分割,从而得到多个芯片。具体而言,在被加工物11为硅晶片的情况下,得到例如作为存储器或传感器等发挥功能的芯片。在被加工物11为砷化镓基板、磷化铟基板、氮化镓基板的情况下,得到例如作为发光元件或受光元件等发挥功能的芯片。
在被加工物11为碳化硅基板的情况下,得到例如作为功率器件等发挥功能的芯片。在被加工物11为蓝宝石基板的情况下,得到例如作为发光元件等发挥功能的芯片。在被加工物11为由钠钙玻璃、硼硅酸玻璃、石英玻璃等形成的玻璃基板的情况下,得到例如作为光学部件或罩部件(玻璃罩)发挥功能的芯片。
在被加工物11为由钽酸锂、铌酸锂等强电介质形成的强电介质基板(强电介质结晶基板)的情况下,得到例如作为滤波器或致动器等发挥功能的芯片。另外,对于被加工物11的材质、形状、构造、大小、厚度等没有限制。同样地,对于形成在将要成为芯片的区域15的器件的种类、数量、形状、构造、大小、配置等也没有限制。也可以不在将要成为芯片的区域15形成器件。
在本实施方式的芯片的制造方法中,使用圆盘状的硅晶片作为被加工物11,制造出多个芯片。具体而言,首先进行保持步骤,利用卡盘工作台直接对该被加工物11进行保持。图2是示意性示出在本实施方式中使用的激光加工装置的结构例的立体图。
如图2所示,激光加工装置2具有搭载各构成要素的基台4。在基台4的上表面上设置有水平移动机构8,该水平移动机构8使用于吸引、保持被加工物11的卡盘工作台(保持工作台)6在X轴方向(加工进给方向)和Y轴方向(分度进给方向)上移动。水平移动机构8具有一对X轴导轨10,它们固定于基台4的上表面,与X轴方向大致平行。
在X轴导轨10上以能够滑动的方式安装有X轴移动工作台12。在X轴移动工作台12的背面侧(下表面侧)设置有螺母部(未图示),在该螺母部螺合有与X轴导轨10大致平行的X轴滚珠丝杠14。
在X轴滚珠丝杠14的一个端部连结有X轴脉冲电动机16。利用X轴脉冲电动机16使X轴滚珠丝杠14旋转,从而X轴移动工作台12沿着X轴导轨10在X轴方向上移动。在与X轴导轨10相邻的位置设置有X轴标尺18,该X轴标尺18用于对X轴移动工作台12在X轴方向上的位置进行检测。
在X轴移动工作台12的正面(上表面)上固定有与Y轴方向大致平行的一对Y轴导轨20。在Y轴导轨20上以能够滑动的方式安装有Y轴移动工作台22。在Y轴移动工作台22的背面侧(下表面侧)设置有螺母部(未图示),在该螺母部螺合有与Y轴导轨20大致平行的Y轴滚珠丝杠24。
在Y轴滚珠丝杠24的一个端部连结有Y轴脉冲电动机26。利用Y轴脉冲电动机26使Y轴滚珠丝杠24旋转,从而Y轴移动工作台22沿着Y轴导轨20在Y轴方向上移动。在与Y轴导轨20相邻的位置设置有Y轴标尺28,该Y轴标尺28用于对Y轴移动工作台22在Y轴方向上的位置进行检测。
在Y轴移动工作台22的正面侧(上表面侧)设置有支承台30,在该支承台30的上部配置有卡盘工作台6。卡盘工作台6的正面(上表面)作为对上述被加工物11的背面11b侧(或正面11a侧)进行吸引、保持的保持面6a。保持面6a例如由氧化铝等硬度高的多孔质材料构成。但是,保持面6a也可以由以聚乙烯或环氧等树脂为代表的柔软的材料构成。
该保持面6a经由形成在卡盘工作台6的内部的吸引路6b(参照图3的(A)等)及阀32(参照图3的(A)等)等而与吸引源34(参照图3的(A)等)连接。在卡盘工作台6的下方设置有旋转驱动源(未图示),卡盘工作台6通过该旋转驱动源而绕与Z轴方向大致平行的旋转轴旋转。
在水平移动机构8的后方设置有柱状的支承构造36。在支承构造36的上部固定有在Y轴方向上延伸的支承臂38,在该支承臂38的前端部设置有激光照射单元40,该激光照射单元40脉冲振荡出对于被加工物11具有透过性的波长(不容易被吸收的波长)的激光束17(参照图3的(B))而照射至卡盘工作台6上的被加工物11。
在与激光照射单元40相邻的位置设置有相机42,该相机42对被加工物11的正面11a侧或背面11b侧进行拍摄。例如在调整被加工物11与激光照射单元40的位置等时,使用利用相机42对被加工物11等进行拍摄而形成的图像。
卡盘工作台6、水平移动机构8、激光照射单元40、相机42等构成要素与控制单元(未图示)连接。控制单元对各构成要素进行控制,以便适当地对被加工物11进行加工。
图3的(A)是用于对保持步骤进行说明的剖视图。另外,在图3的(A)中,将一部分的构成要素用功能块表示。在保持步骤中,如图3的(A)所示,例如使被加工物11的背面11b与卡盘工作台6的保持面6a接触。然后,将阀32打开,使吸引源34的负压作用于保持面6a。
由此,被加工物11在正面11a侧向上方露出的状态下被吸引、保持于保持工作台6。另外,在本实施方式中,如图3的(A)所示,利用卡盘工作台6直接对被加工物11的背面11b侧进行保持。即,在本实施方式中,无需对被加工物11粘贴扩展片。
在保持步骤之后,进行激光加工步骤,照射对于被加工物11具有透过性的波长的激光束17,形成沿着分割预定线13的改质层。图3的(B)是用于对激光加工步骤进行说明的剖视图,图4的(A)是示意性示出激光加工步骤后的被加工物11的状态的俯视图,图4的(B)是示意性示出激光加工步骤后的被加工物11的状态的剖视图。另外,在图3的(B)中,将一部分的构成要素用功能块表示。
在激光加工步骤中,首先使卡盘工作台6旋转,例如使作为对象的分割预定线13的延伸方向相对于X轴方向平行。接着,使卡盘工作台6移动而使激光照射单元40的位置对齐在作为对象的分割预定线13的延长线上。然后,如图3的(B)所示,使卡盘工作台6在X轴方向(即,对象的分割预定线13延伸的方向)上移动。
然后,按照激光照射单元40到达了存在于作为对象的分割预定线13上的两个部位的芯片区域11c与外周剩余区域11d的边界中的一方的正上方的时机,从该激光照射单元40开始照射激光束17。在本实施方式中,如图3的(B)所示,从配置在被加工物11的上方的激光照射单元40朝向被加工物11的正面11a照射激光束17。
持续该激光束17的照射至激光照射单元40到达了存在于作为对象的分割预定线13上的两个部位的芯片区域11c与外周剩余区域11d的边界中的另一方的正上方为止。即,这里,沿着对象的分割预定线13仅对芯片区域11c内照射激光束17。
另外,该激光束17按照将聚光点定位于被加工物11的内部的距离正面11a(或背面11b)规定深度的位置的方式进行照射。这样,使对于被加工物11具有透过性的波长的激光束17会聚在被加工物11的内部,从而能够在聚光点及其附近通过多光子吸收对被加工物11的一部分进行改质,形成作为分割的起点的改质层(改质区域)19。在本实施方式中,沿着对象的分割预定线13仅对芯片区域11c内照射激光束17,因此沿着对象的分割预定线13仅在芯片区域11c内形成改质层19。
在沿着对象的分割预定线13在规定的深度的位置形成了改质层19之后,按照同样的步骤,沿着对象的分割预定线13在其他的深度的位置形成改质层19。具体而言,例如如图4的(B)所示,在距离被加工物11的正面11a(或背面11b)的深度不同的三个位置形成改质层19(第1改质层19a、第2改质层19b、第3改质层19c)。
不过,对于沿着一条分割预定线13形成的改质层19的数量、位置没有特别制限。例如沿着一条分割预定线13形成的改质层19的数量可以为一个。另外,期望按照裂纹到达正面11a(或背面11b)的条件形成改质层19。当然,也可以按照裂纹到达正面11a和背面11b这双方的条件形成改质层19。由此,能够更适当地对被加工物11进行分割。
在被加工物11为硅晶片的情况下,例如在下述那样的条件下形成改质层19。
被加工物:硅晶片
激光束的波长:1340nm
激光束的重复频率:90kHz
激光束的输出:0.1W~2W
卡盘工作台的移动速度(加工进给速度):180mm/s~1000mm/s、典型地为500mm/s
在被加工物11为砷化镓基板或磷化铟基板的情况下,例如在下述那样的条件下形成改质层19。
被加工物:砷化镓基板、磷化铟基板
激光束的波长:1064nm
激光束的重复频率:20kHz
激光束的输出:0.1W~2W
卡盘工作台的移动速度(加工进给速度):100mm/s~400mm/s、典型地为200mm/s
在被加工物11为蓝宝石基板的情况下,例如在下述那样的条件下形成改质层19。
被加工物:蓝宝石基板
激光束的波长:1045nm
激光束的重复频率:100kHz
激光束的输出:0.1W~2W
卡盘工作台的移动速度(加工进给速度):400mm/s~800mm/s、典型地为500mm/s
在被加工物11为由钽酸锂或铌酸锂等强电介质形成的强电介质基板的情况下,例如在下述那样的条件下形成改质层19。
被加工物:钽酸锂基板、铌酸锂基板
激光束的波长:532nm
激光束的重复频率:15kHz
激光束的输出:0.02W~0.2W
卡盘工作台的移动速度(加工进给速度):270mm/s~420mm/s、典型地为300mm/s
在被加工物11为由钠钙玻璃、硼硅酸玻璃、石英玻璃等形成的玻璃基板的情况下,例如在下述那样的条件下形成改质层19。
被加工物:钠钙玻璃基板、硼硅酸玻璃基板、石英玻璃基板
激光束的波长:532nm
激光束的重复频率:50kHz
激光束的输出:0.1W~2W
卡盘工作台的移动速度(加工进给速度):300mm/s~600mm/s、典型地为400mm/s
在被加工物11为氮化镓基板的情况下,例如在下述那样的条件下形成改质层19。
被加工物:氮化镓基板
激光束的波长:532nm
激光束的重复频率:25kHz
激光束的输出:0.02W~0.2W
卡盘工作台的移动速度(加工进给速度):90mm/s~600mm/s、典型地为150mm/s
在被加工物11为碳化硅基板的情况下,例如在下述那样的条件下形成改质层19。
被加工物:碳化硅基板
激光束的波长:532nm
激光束的重复频率:25kHz
激光束的输出:0.02W~0.2W、典型地为0.1W
卡盘工作台的移动速度(加工进给速度):90mm/s~600mm/s、典型地为:在碳化硅基板的解理方向上为90mm/s、在非解理方向上为400mm/s
在沿着对象的分割预定线13形成了所需数量的改质层19之后,重复上述的动作,沿着其他所有分割预定线13形成改质层19。当如图4的(A)所示沿着所有的分割预定线13形成改质层19时,激光加工步骤结束。
在本实施方式中,沿着分割预定线13仅在芯片区域11c内形成改质层19,不在外周剩余区域11d形成改质层19,因此通过该外周剩余区域11d确保被加工物11的强度。由此,被加工物11不会由于在搬送等时所施加的力而被分割成各个芯片。这样,激光加工步骤后的外周剩余区域11d作为用于对形成有改质层19的芯片区域11进行加强的加强部发挥功能。
另外,在本实施方式中,不在外周剩余区域11d形成改质层19,因此例如即使在从改质层19延伸的裂纹到达正面11a和背面11b这两方而被加工物11被完全分割的状况下,各芯片也不会脱落、离散。通常,当在被加工物11中形成改质层19时,在该改质层19的附近被加工物11会发生膨胀。在本实施方式中,利用作为加强部发挥功能的环状的外周剩余区域11d使由于形成改质层19而产生的膨胀的力向内作用,从而挤住各芯片而防止脱落、离散。
在激光加工步骤之后,进行搬出步骤,将被加工物11从卡盘工作台6搬出。具体而言,例如利用能够对被加工物11的整个正面11a(或背面11b)进行吸附、保持的搬送单元(未图示)对被加工物11的整个正面11a进行吸附之后,将阀32打开,切断吸引源34的负压,将被加工物11搬出。另外,在本实施方式中,如上所述,外周剩余区域11d作为加强部发挥功能,因此被加工物11不会由于在搬送等时所施加的力而被分割成各个芯片,能够适当地搬送被加工物11。
在搬出步骤之后,进行加强部去除步骤,将加强部从被加工物11去除。图5的(A)和图5的(B)是用于对加强部去除步骤进行说明的剖视图。另外,在图5的(A)和图5的(B)中,将一部分的构成要素用功能块表示。加强部去除步骤例如使用图5的(A)和图5的(B)所示的分割装置52来进行。
分割装置52具有用于对被加工物11进行吸引、保持的卡盘工作台54。该卡盘工作台54的上表面的一部分作为对被加工物11的芯片区域11c进行吸引、保持的保持面54a。保持面54a经由形成在卡盘工作台54的内部的吸引路54b及阀56等而与吸引源58连接。
另外,用于对被加工物11的外周剩余区域11d(即加强部)进行吸引、保持的吸引路54c的一端在卡盘工作台54的上表面的另一部分开口。吸引路54c的另一端侧经由阀60等而与吸引源58连接。该卡盘工作台54与电动机等旋转驱动源(未图示)连结,绕与铅垂方向大致平行的旋转轴旋转。
在卡盘工作台54的上方配置有切削单元62。切削单元62具有相对于保持面54a大致平行的作为旋转轴的主轴64。在主轴64的一端侧安装有使磨粒分散在结合材料中而成的环状的切削刀具66。
在主轴64的另一端侧连结有电动机等旋转驱动源(未图示),安装在主轴64的一端侧的切削刀具66通过从该旋转驱动源传递的力进行旋转。切削单元62例如被升降机构(未图示)支承,切削刀具66通过该升降机构在铅垂方向上移动。
另外,在卡盘工作台54的上表面上,在被加工物11的芯片区域11c与外周剩余区域11d的边界所对应的位置,形成有用于防止与切削刀具66的接触的切削刀具用退刀槽(未图示)。
在加强部去除步骤中,首先使被加工物11的背面11b与卡盘工作台54的保持面54a接触。然后,将阀56、60打开,使吸引源58的负压作用于保持面54a等。由此,被加工物11在正面11a侧向上方露出的状态下被吸引、保持于卡盘工作台54。另外,在本实施方式中,如图5的(A)所示,利用卡盘工作台54直接对被加工物11的背面11b侧进行保持。即,这里也无需对被加工物11粘贴扩展片。
接着,使切削刀具66旋转而切入至被加工物11的芯片区域11c与外周剩余区域11d的边界。另外,如图5的(A)所示,使卡盘工作台54绕与铅垂方向大致平行的旋转轴旋转。由此,能够沿着芯片区域11c与外周剩余区域11d的边界将被加工物11切断。
然后,将阀60关闭,切断吸引源58对被加工物11的外周剩余区域11d作用的负压。然后,如图5的(B)所示,将外周剩余区域11d从卡盘工作台54去除。由此,在卡盘工作台54上仅残留被加工物11的芯片区域11c。
在加强部去除步骤之后,进行分割步骤,将被加工物11分割成各个芯片。具体而言,例如在被加工物11的内部(正面11a与背面11b之间)形成较大的温度差,通过热冲击(thermal shock)赋予力而将被加工物11分割。图6是用于对分割步骤进行说明的剖视图。另外,在图6中,将一部分的构成要素用功能块表示。
分割步骤继续使用分割装置52来进行。如图6所示,分割装置52还具有配置在卡盘工作台54的上方的喷射喷嘴(温度差形成单元)68。在本实施方式的分割步骤中,从该喷射喷嘴68向被加工物11的正面11a吹送冷却用的流体21,从而形成产生热冲击所需的温度差。但是,也可以通过吹送加热用的流体21来形成产生热冲击所需的温度差。
作为冷却用的流体21,例如可以使用通过气化而能够进一步吸热的液氮等低温的液体。由此,对被加工物11的正面11a侧进行快速地冷却而容易形成所需的温度差。这里,所需的温度差是指能够得到热冲击的温度差,该热冲击超过使被加工物11沿着改质层19断裂所需的应力。该温度差例如根据被加工物11的材质、厚度、改质层19的状态等确定。
但是,对于流体21的种类、流量等没有特别限制。例如也可以使用充分冷却的空气等气体或水等液体。另外,在使用液体作为流体21的情况下,也可以按照不使该液体冻结的程度预先冷却至较低的温度(例如,比凝固点高0.1℃~10℃左右的温度)。
当对被加工物11进行冷却以便形成充分的温度差时,由于热冲击,裂纹23从改质层19延伸,从而被加工物11沿着分割预定线13被分割成多个芯片25。这样,在本实施方式中,通过一次的冷却赋予所需的力,能够将被加工物11分割成各个芯片25。另外,在本实施方式中,通过对被加工物11进行急速冷却从而产生热冲击,但也可以通过对被加工物11进行急速加热从而产生热冲击。
如上所述,在本实施方式的芯片的制造方法中,在利用卡盘工作台(保持工作台)6直接对被加工物(工件)11进行保持的状态下,仅对被加工物11的芯片区域11c照射激光束17而形成沿着分割预定线13的改质层19,然后通过一次的冷却来赋予力而将被加工物11分割成各个芯片25,因此为了对被加工物11施加力而分割成各个芯片25无需使用扩展片。这样,根据本实施方式的芯片的制造方法,不使用扩展片而能够对作为板状的被加工物11的硅晶片进行分割而制造出多个芯片25。
另外,在本实施方式的芯片的制造方法中,仅对被加工物11的芯片区域11c照射激光束17而形成沿着分割预定线13的改质层19,并且将外周剩余区域11d作为未形成改质层19的加强部,因此通过该加强部对芯片区域11c进行加强。由此,被加工物11不会由于在搬送等时所施加的力而被分割成各个芯片25,能够适当地搬送被加工物11。
另外,本发明不限于上述实施方式等的记载,可以进行各种变更并实施。例如在上述实施方式的保持步骤中,利用卡盘工作台6直接对被加工物11的背面11b侧进行保持,从正面11a侧照射激光束17,但也可以利用卡盘工作台6直接对被加工物11的正面11a侧进行保持,从背面11b侧照射激光束17。
图7是用于对变形例的保持步骤进行说明的剖视图。在该变形例的保持步骤中,如图7所示,例如可以使用由多孔质状的片材(多孔片材)44构成上表面的卡盘工作台(保持工作台)6,该多孔质状的片材由以聚乙烯或环氧等树脂为代表的柔软的材料形成。
在该卡盘工作台6中,利用片材44的上表面44a对被加工物11的正面11a侧进行吸引、保持。由此,能够防止形成在正面11a侧的器件等发生破损。该片材44是卡盘工作台6的一部分,与卡盘工作台6的主体等一起进行重复使用。
但是,卡盘工作台6的上表面无需由上述的多孔质状的片材44构成,只要至少按照不损伤被加工物11的正面11a侧所形成的器件等的程度由柔软的材料构成即可。另外,期望片材44构成为能够相对于卡盘工作台6的主体进行装卸,在发生破损的情况等能够进行更换。
另外,在上述实施方式中,在搬出步骤之后且在分割步骤之前进行加强部去除步骤,但例如也可以在激光加工步骤之后在搬出步骤之前进行加强部去除步骤。另外,当在搬出步骤之后且在分割步骤之前进行加强部去除步骤的情况下,无需在加强部去除步骤之后对被加工物11进行搬送,因此容易避免无法适当地搬送被加工物11等的不良情况。
另外,也可以省略加强部去除步骤。在该情况下,例如可以调整通过激光加工步骤形成改质层19的范围,以便使加强部的宽度成为距离被加工物11的外周缘2mm~3mm左右。另外,例如也可以在通过分割步骤对芯片区域11c进行分割之前,对加强部形成作为分割的起点的槽。图8的(A)是用于对变形例的分割步骤进行说明的剖视图,图8的(B)是示意性示出通过变形例的分割步骤对芯片区域11c进行分割之前的被加工物11的状态的俯视图。
在变形例的分割步骤中,如图8的(A)和图8的(B)所示,使切削刀具66切入至外周剩余区域11d(即加强部),形成作为分割的起点的槽11e。期望该槽11e例如沿着分割预定线13形成。通过形成这样的槽11e,能够利用热冲击对被加工物11按照每个外周剩余区域11d进行分割。另外,在变形例的分割步骤中,可以省略卡盘工作台54的吸引路54c及阀60等。
除此之外,上述实施方式和变形例的构造、方法等只要不脱离本发明的目的的范围,则可以适当变更并实施。
Claims (2)
1.一种芯片的制造方法,从具有芯片区域和围绕该芯片区域的外周剩余区域的硅晶片制造出多个芯片,所述芯片区域由交叉的多条分割预定线划分成将要成为该芯片的多个区域,该芯片的制造方法的特征在于,具有如下的步骤:
保持步骤,利用保持工作台直接对硅晶片进行保持;
激光加工步骤,在实施了该保持步骤之后,按照将对于硅晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该保持工作台所保持的硅晶片的内部的方式沿着该分割预定线仅对硅晶片的该芯片区域照射该激光束,沿着该芯片区域的该分割预定线形成改质层,并且将该外周剩余区域作为未形成改质层的加强部;
搬出步骤,在实施了该激光加工步骤之后,将硅晶片从该保持工作台搬出;
加强部去除步骤,在实施了该搬出步骤之后,利用卡盘工作台对硅晶片进行保持而将该加强部去除;以及
分割步骤,在实施了该加强部去除步骤之后,对该卡盘工作台所保持的硅晶片赋予力而将硅晶片分割成各个该芯片,
在该分割步骤中,通过一次的冷却或加热来赋予该力而将硅晶片分割成各个该芯片。
2.根据权利要求1所述的芯片的制造方法,其特征在于,
该保持工作台的上表面由柔软的材料构成,
在该保持步骤中,利用该柔软的材料对硅晶片的正面侧进行保持。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017-110732 | 2017-06-05 | ||
JP2017110732A JP6925717B2 (ja) | 2017-06-05 | 2017-06-05 | チップの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108987339A CN108987339A (zh) | 2018-12-11 |
CN108987339B true CN108987339B (zh) | 2023-12-15 |
Family
ID=64542716
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810527430.7A Active CN108987339B (zh) | 2017-06-05 | 2018-05-29 | 芯片的制造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6925717B2 (zh) |
KR (1) | KR102554147B1 (zh) |
CN (1) | CN108987339B (zh) |
TW (1) | TWI765027B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN107863293A (zh) * | 2016-09-21 | 2018-03-30 | 株式会社迪思科 | 晶片的加工方法 |
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-
2017
- 2017-06-05 JP JP2017110732A patent/JP6925717B2/ja active Active
-
2018
- 2018-04-26 TW TW107114205A patent/TWI765027B/zh active
- 2018-05-29 CN CN201810527430.7A patent/CN108987339B/zh active Active
- 2018-05-31 KR KR1020180062576A patent/KR102554147B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180133215A (ko) | 2018-12-13 |
KR102554147B1 (ko) | 2023-07-10 |
CN108987339A (zh) | 2018-12-11 |
JP6925717B2 (ja) | 2021-08-25 |
JP2018206941A (ja) | 2018-12-27 |
TWI765027B (zh) | 2022-05-21 |
TW201903875A (zh) | 2019-01-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |