JP2009043992A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ストリートに沿ってデバイス22の仕上がり厚さに相当する深さの分割溝201を形成する分割溝形成工程と、デバイス領域220と外周余剰領域230との境界部に沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの環状溝202を形成する環状溝形成工程と、ウエーハの表面に保護部材4を貼着する保護部材貼着工程と、ウエーハの基板におけるデバイス領域に対応する裏面を研削して、ウエーハの基板の裏面に分割溝および環状溝を露出せしめるとともに、外周余剰領域に対応する領域に環状の補強部230bを形成する裏面研削工程と、ウエーハの基板の裏面をエッチングして、基板の裏面から電極222を突出せしめる裏面エッチング工程とを含む。
【選択図】図11
Description
ウエーハの基板の表面側からストリートに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、
基板の表面側から該デバイス領域と該外周余剰領域との境界部に沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの環状溝を形成する環状溝形成工程と、
該分割溝形成工程および該環状溝形成工程が実施されたウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材貼着工程が実施されたウエーハの基板における該デバイス領域に対応する裏面を研削して、ウエーハの基板の裏面に該分割溝および該環状溝を露出せしめるとともに、該外周余剰領域に対応する領域に環状の補強部を形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されたウエーハの基板の裏面をエッチングして、基板の裏面から該電極を突出せしめる裏面エッチング工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
ウエーハの基板の表面側からストリートに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、
基板の表面側から該デバイス領域と該外周余剰領域との境界部に沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの環状溝を形成する環状溝形成工程と、
該分割溝形成工程および該環状溝形成工程が実施されたウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材貼着工程が実施されたウエーハの基板における該デバイス領域に対応する裏面を研削して、該外周余剰領域に対応する領域に環状の補強部を形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されたウエーハの基板の裏面をエッチングして、基板の裏面に該分割溝および該環状溝を露出せしめるとともに、基板の裏面から該電極を突出せしめる裏面エッチング工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
図1には本発明によるウエーハの加工方法によって加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図1に示す半導体ウエーハ2は、例えば厚さが700μmのシリコン基板20の表面2aに複数のストリート21が格子状に配列されているとともに、該複数のストリート21によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス22が形成されている。この半導体ウエーハ2は、デバイス22の表面に配設された複数のボンディングパッド221を備えているとともに、このボンディングパッド221に接続しシリコン基板20に埋設された電極222を備えている。このように構成された半導体ウエーハ2は、デバイス22が形成されているデバイス領域220と、該デバイス領域220を囲繞する外周余剰領域230を備えている。
先ずゲート作動手段63を作動してゲート62を図9において下方に移動せしめ、ハウジング61の右側側壁614に設けられた開口614aを開ける。次に、図示しない搬出入手段によって裏面研削工程が実施された半導体ウエーハ2(シリコン基板20の表面20aに保護部材が貼着されている)を開口614aからハウジング61によって形成されるエッチング室61aに搬送し、下部電極65を構成する被加工物保持部651の吸着保持部材653上に保護部材4側を載置する。このとき、昇降駆動手段72を作動して上部電極66を上昇せしめておく。そして、吸引手段69を作動して上述したように下部電極65の室651bに負圧を作用することにより、吸着保持部材653上に載置された半導体ウエーハ2は保護部材4を介して吸引保持される(図10参照)。
電源68の出力 :2000W
エッチング室61a内の圧力 :80Pa
プラズマ発生用ガス :六フッ化イオウ(SF6)を76ml/分、ヘリウム(He)を15
ml/分、酸素(O2)を27ml/分
または
:六フッ化イオウ(SF6)を76ml/分、三フッ化メチル(CHF3)
を15ml/分、酸素(O2)を27ml/分
または
:六フッ化イオウ(SF6)を76ml/分、窒素(N2)を15ml/
分、酸素(O2)を27ml/分
エッチング処理時間 :3分
22:シリコン基板
21:ストリート
22:デバイス
220:デバイス領域
230:外周余剰領域
3:切削装置
31:切削装置のチャックテーブル
32:切削手段
321:切削ブレード
4:保護部材
5:研削装置
51:研削装置のチャックテーブル
52:研削手段
526:研削砥石
6:プラズマエッチング装置
65:下部電極
66:上部電極
Claims (2)
- 基板の表面に格子状に配列された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有し、該デバイス領域の基板に電極が埋設されているウエーハを、複数のストリートに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの基板の表面側からストリートに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、
基板の表面側から該デバイス領域と該外周余剰領域との境界部に沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの環状溝を形成する環状溝形成工程と、
該分割溝形成工程および該環状溝形成工程が実施されたウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材貼着工程が実施されたウエーハの基板における該デバイス領域に対応する裏面を研削して、ウエーハの基板の裏面に該分割溝および該環状溝を露出せしめるとともに、該外周余剰領域に対応する領域に環状の補強部を形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されたウエーハの基板の裏面をエッチングして、基板の裏面から該電極を突出せしめる裏面エッチング工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。 - 基板の表面に格子状に配列された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有し、該デバイス領域の基板に電極が埋設されているウエーハを、複数のストリートに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの基板の表面側からストリートに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、
基板の表面側から該デバイス領域と該外周余剰領域との境界部に沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの環状溝を形成する環状溝形成工程と、
該分割溝形成工程および該環状溝形成工程が実施されたウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材貼着工程が実施されたウエーハの基板における該デバイス領域に対応する裏面を研削して、該外周余剰領域に対応する領域に環状の補強部を形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されたウエーハの基板の裏面をエッチングして、基板の裏面に該分割溝および該環状溝を露出せしめるとともに、基板の裏面から該電極を突出せしめる裏面エッチング工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。
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