JP6887722B2 - ウェーハの加工方法及び切削装置 - Google Patents
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- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims description 248
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 100
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 claims description 15
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 48
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 7
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
T ダイシングテープ
F 環状フレーム
2 切削装置
17 フレームユニット
18 チャックテーブル
24 切削ユニット
28 切削ブレード
32,58 ブレードカバー
34 ブレードクーラーノズル
42 シャワーノズル
44 低比抵抗値切削水供給パイプ
68 切削水供給路
70 高比抵抗値切削水供給源
74 廃水回収手段
76 流入路(筒体)
80 吸引源
Claims (2)
- 交差する複数の切削予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成された表面を有するウェーハの加工方法であって、
ウェーハの表面を露出させた状態でウェーハをチャックテーブルで保持する保持ステップと、
該チャックテーブルに保持されたウェーハの該切削予定ラインを切削ブレードで切削する切削ステップと、を備え、
該切削ステップでは、該切削ブレードが挿入されるブレードカバーから離れて配置された低比抵抗値切削水供給手段からウェーハの表面に低比抵抗値の切削水を供給すると共に、該切削ブレードの一部を該ブレードカバーの底部に設けられた開口から突出させ、且つ、該切削ブレードの該一部を除いて該切削ブレードが該ブレードカバーの空間部に挿入されて覆われた状態で、該ブレードカバーに設けられた噴出口から該空間部に配置された該切削ブレードに高比抵抗値の切削水を供給し、該切削ブレードの回転に伴って飛散する高比抵抗値の切削水を、該ブレードカバーに連結された廃水回収手段で吸引し、且つ、該廃水回収手段が有する筒体の該ブレードカバー側の一端部の底部に形成されている開口から切削屑を含む切削水を取り込みつつ切削を遂行することを特徴とするウェーハの加工方法。 - 複数のデバイスを有するウェーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウェーハを切削する切削ブレードと、を備えた切削装置であって、
該切削ブレードの一部を突出させるために底部に設けられた開口と、該切削ブレードの該一部を除いて該切削ブレードが挿入されて覆われる空間部と、を有するブレードカバーと、
該ブレードカバーから離れて配置され、ウェーハの表面に低比抵抗値の切削水を供給する低比抵抗値切削水供給手段と、
該ブレードカバーに設けられた切削水供給路と、該切削水供給路の一端に接続された高比抵抗値切削水供給源と、該ブレードカバーに設けられ、該切削水供給路から該空間部に高比抵抗値の切削水を供給するための噴出口と、を有し、該切削ブレードに高比抵抗値の切削水を供給する高比抵抗値切削水供給手段と、
該ブレードカバーにおいて、該切削ブレードに供給される高比抵抗値の切削水が該切削ブレードの回転に伴って飛散される側に一端が連結された筒体と、該筒体の他端に接続された吸引源と、を有する廃水回収手段と、
を更に備え、
該廃水回収手段が有する該筒体の該ブレードカバー側の一端部の底部には、切削屑を含む切削水を取り込み可能な開口が形成されていることを特徴とする切削装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016208313A JP6887722B2 (ja) | 2016-10-25 | 2016-10-25 | ウェーハの加工方法及び切削装置 |
TW106131125A TWI730169B (zh) | 2016-10-25 | 2017-09-12 | 晶圓的加工方法及切削裝置 |
US15/790,288 US10446403B2 (en) | 2016-10-25 | 2017-10-23 | Wafer processing method and cutting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016208313A JP6887722B2 (ja) | 2016-10-25 | 2016-10-25 | ウェーハの加工方法及び切削装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018073874A JP2018073874A (ja) | 2018-05-10 |
JP6887722B2 true JP6887722B2 (ja) | 2021-06-16 |
Family
ID=61969762
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016208313A Active JP6887722B2 (ja) | 2016-10-25 | 2016-10-25 | ウェーハの加工方法及び切削装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10446403B2 (ja) |
JP (1) | JP6887722B2 (ja) |
TW (1) | TWI730169B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20210025789A1 (en) * | 2019-07-24 | 2021-01-28 | JelloX Biotech Inc. | Tissue sectioning system |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2016
- 2016-10-25 JP JP2016208313A patent/JP6887722B2/ja active Active
-
2017
- 2017-09-12 TW TW106131125A patent/TWI730169B/zh active
- 2017-10-23 US US15/790,288 patent/US10446403B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI730169B (zh) | 2021-06-11 |
US20180114697A1 (en) | 2018-04-26 |
JP2018073874A (ja) | 2018-05-10 |
US10446403B2 (en) | 2019-10-15 |
TW201815516A (zh) | 2018-05-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190814 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200630 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200714 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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