JP6887722B2 - ウェーハの加工方法及び切削装置 - Google Patents
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Description
T ダイシングテープ
F 環状フレーム
2 切削装置
17 フレームユニット
18 チャックテーブル
24 切削ユニット
28 切削ブレード
32,58 ブレードカバー
34 ブレードクーラーノズル
42 シャワーノズル
44 低比抵抗値切削水供給パイプ
68 切削水供給路
70 高比抵抗値切削水供給源
74 廃水回収手段
76 流入路(筒体)
80 吸引源
Claims (2)
- 交差する複数の切削予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成された表面を有するウェーハの加工方法であって、
ウェーハの表面を露出させた状態でウェーハをチャックテーブルで保持する保持ステップと、
該チャックテーブルに保持されたウェーハの該切削予定ラインを切削ブレードで切削する切削ステップと、を備え、
該切削ステップでは、該切削ブレードが挿入されるブレードカバーから離れて配置された低比抵抗値切削水供給手段からウェーハの表面に低比抵抗値の切削水を供給すると共に、該切削ブレードの一部を該ブレードカバーの底部に設けられた開口から突出させ、且つ、該切削ブレードの該一部を除いて該切削ブレードが該ブレードカバーの空間部に挿入されて覆われた状態で、該ブレードカバーに設けられた噴出口から該空間部に配置された該切削ブレードに高比抵抗値の切削水を供給し、該切削ブレードの回転に伴って飛散する高比抵抗値の切削水を、該ブレードカバーに連結された廃水回収手段で吸引し、且つ、該廃水回収手段が有する筒体の該ブレードカバー側の一端部の底部に形成されている開口から切削屑を含む切削水を取り込みつつ切削を遂行することを特徴とするウェーハの加工方法。 - 複数のデバイスを有するウェーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウェーハを切削する切削ブレードと、を備えた切削装置であって、
該切削ブレードの一部を突出させるために底部に設けられた開口と、該切削ブレードの該一部を除いて該切削ブレードが挿入されて覆われる空間部と、を有するブレードカバーと、
該ブレードカバーから離れて配置され、ウェーハの表面に低比抵抗値の切削水を供給する低比抵抗値切削水供給手段と、
該ブレードカバーに設けられた切削水供給路と、該切削水供給路の一端に接続された高比抵抗値切削水供給源と、該ブレードカバーに設けられ、該切削水供給路から該空間部に高比抵抗値の切削水を供給するための噴出口と、を有し、該切削ブレードに高比抵抗値の切削水を供給する高比抵抗値切削水供給手段と、
該ブレードカバーにおいて、該切削ブレードに供給される高比抵抗値の切削水が該切削ブレードの回転に伴って飛散される側に一端が連結された筒体と、該筒体の他端に接続された吸引源と、を有する廃水回収手段と、
を更に備え、
該廃水回収手段が有する該筒体の該ブレードカバー側の一端部の底部には、切削屑を含む切削水を取り込み可能な開口が形成されていることを特徴とする切削装置。
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---|---|---|---|---|
US4139942A (en) * | 1977-12-16 | 1979-02-20 | The Gillette Company | Process for producing corrosion resistant carbon steel razor blades and products made thereby |
JPS6431604A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-01 | Sony Corp | Method and device for dicing |
JPH03131026A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-04 | Seiko Epson Corp | 洗浄装置 |
JPH0612768B2 (ja) * | 1990-05-18 | 1994-02-16 | 信越半導体株式会社 | 内周刃スライサーによる単結晶インゴットの切断方法及び装置 |
JP2890902B2 (ja) * | 1991-06-20 | 1999-05-17 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
JPH065700A (ja) * | 1992-06-19 | 1994-01-14 | Fujitsu Ltd | ダイシング方法 |
JP3102721B2 (ja) * | 1993-03-23 | 2000-10-23 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体の製造方法 |
US6152803A (en) * | 1995-10-20 | 2000-11-28 | Boucher; John N. | Substrate dicing method |
US6156472A (en) * | 1997-11-06 | 2000-12-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing electrophotographic photosensitive member |
JP2000129044A (ja) | 1998-10-27 | 2000-05-09 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 高純度薬品用ポリエチレン容器 |
JP2000198044A (ja) | 1999-01-07 | 2000-07-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | 加工水比抵抗値コントロ―ルシステム |
JP3291488B2 (ja) * | 1999-05-27 | 2002-06-10 | 三洋電機株式会社 | 流体の被除去物除去方法 |
JP2001259961A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-09-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | 加工装置 |
JP2001308034A (ja) * | 2000-04-19 | 2001-11-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
SG97193A1 (en) * | 2000-08-28 | 2003-07-18 | Disco Corp | Cutting machine |
US6884359B2 (en) * | 2000-09-27 | 2005-04-26 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Apparatus and method for controlling resistivity of ultra pure water |
US6692633B2 (en) * | 2000-12-22 | 2004-02-17 | Texas Instruments Incorporated | Sacrificial anode for corrosion protection of semiconductor metallization during sawing |
KR20040086725A (ko) * | 2002-02-25 | 2004-10-12 | 가부시기가이샤 디스코 | 반도체 웨이퍼의 분할 방법 |
JP4210462B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2009-01-21 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
JP2004214588A (ja) * | 2002-11-15 | 2004-07-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US7855130B2 (en) * | 2003-04-21 | 2010-12-21 | International Business Machines Corporation | Corrosion inhibitor additives to prevent semiconductor device bond-pad corrosion during wafer dicing operations |
US7048863B2 (en) * | 2003-07-08 | 2006-05-23 | Ashland Licensing And Intellectual Property Llc | Device and process for treating cutting fluids using ultrasound |
WO2005031824A1 (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-07 | Nikon Corporation | 投影露光装置、投影露光方法およびデバイス製造方法 |
US20060175208A1 (en) * | 2005-02-09 | 2006-08-10 | Eickhoff Steven J | Water-conductivity CO2 sensor |
JP2007216377A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-30 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ダイシング装置及びダイシング方法 |
JP2007317790A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
US8349167B2 (en) * | 2006-12-14 | 2013-01-08 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for detecting molecular interactions using FET arrays |
JP5142592B2 (ja) * | 2007-06-06 | 2013-02-13 | 関東化学株式会社 | 基板の洗浄またはエッチングに用いられるアルカリ性水溶液組成物 |
JP2009043992A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
KR101413380B1 (ko) * | 2007-08-28 | 2014-06-30 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 | 반도체 다이의 제조방법, 상기 방법으로 제조된 반도체다이를 포함하는 반도체 소자 |
JP5446027B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2014-03-19 | 株式会社東京精密 | ダイシング装置 |
JP2009090429A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | マイクロマシンデバイスの加工方法 |
US20090120457A1 (en) * | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Surface Chemistry Discoveries, Inc. | Compositions and method for removing coatings and preparation of surfaces for use in metal finishing, and manufacturing of electronic and microelectronic devices |
JP5150931B2 (ja) * | 2008-02-05 | 2013-02-27 | 三菱マテリアル株式会社 | 薄刃ブレードおよびその製造方法 |
JP2009194135A (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | ダイボンディング方法及びダイボンダ |
US8580656B2 (en) * | 2008-07-14 | 2013-11-12 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for inhibiting corrosion and removing contaminant from a surface during wafer dicing and composition useful therefor |
US9064936B2 (en) * | 2008-12-12 | 2015-06-23 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming a vertical interconnect structure for 3-D FO-WLCSP |
JP5495911B2 (ja) * | 2009-04-24 | 2014-05-21 | 株式会社東京精密 | ダイシング装置並びに排水排気機構付きダイシング装置及びその環境制御方法 |
JP2010283084A (ja) * | 2009-06-03 | 2010-12-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP5500942B2 (ja) * | 2009-10-28 | 2014-05-21 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2011108979A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | 被加工物の切削方法 |
EP2513955A1 (en) * | 2009-12-15 | 2012-10-24 | Osaka University | Polishing method, polishing apparatus and polishing tool |
JP5465042B2 (ja) * | 2010-03-01 | 2014-04-09 | 株式会社ディスコ | パッケージ基板の加工方法 |
JP2011222623A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウエーハの加工方法 |
JP2011224931A (ja) * | 2010-04-22 | 2011-11-10 | Disco Corp | 光デバイスウエーハの加工方法およびレーザー加工装置 |
JP5589576B2 (ja) * | 2010-06-10 | 2014-09-17 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体基板 |
US8883701B2 (en) * | 2010-07-09 | 2014-11-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for wafer dicing and composition useful thereof |
JP2012043112A (ja) * | 2010-08-18 | 2012-03-01 | Disco Abrasive Syst Ltd | 部品の管理方法 |
US9287175B2 (en) * | 2010-11-05 | 2016-03-15 | Win Semiconductors Corp. | Fabrication method for dicing of semiconductor wafers using laser cutting techniques |
JP5752933B2 (ja) * | 2010-12-17 | 2015-07-22 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウエーハの加工方法 |
JP5875331B2 (ja) * | 2011-11-08 | 2016-03-02 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
JP2013161998A (ja) * | 2012-02-07 | 2013-08-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削方法 |
NL2008624C2 (nl) * | 2012-04-11 | 2013-10-15 | Jacobus Johannes Orij | Watermoleninrichting en werkwijze voor het met een dergelijke inrichting genereren van elektrische energie. |
JP5999972B2 (ja) * | 2012-05-10 | 2016-09-28 | 株式会社ディスコ | 保持テーブル |
JP2013258234A (ja) * | 2012-06-12 | 2013-12-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスの加工方法 |
JP6025410B2 (ja) * | 2012-06-12 | 2016-11-16 | 株式会社ディスコ | 光デバイスの加工方法 |
JP6029338B2 (ja) * | 2012-06-12 | 2016-11-24 | 株式会社ディスコ | 光デバイスの加工方法 |
JP5569562B2 (ja) * | 2012-06-20 | 2014-08-13 | キヤノンマーケティングジャパン株式会社 | ワイヤ放電加工装置、ワイヤ放電加工方法 |
JP2014053510A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | Toshiba Corp | 端面加工方法及び端面加工装置 |
JP6101140B2 (ja) * | 2013-04-18 | 2017-03-22 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
JP2015056510A (ja) * | 2013-09-12 | 2015-03-23 | 株式会社ディスコ | デバイスウェーハの加工方法 |
JP6170404B2 (ja) * | 2013-10-24 | 2017-07-26 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
JP6257291B2 (ja) * | 2013-12-04 | 2018-01-10 | 株式会社ディスコ | パッケージ基板の加工方法 |
JP6253089B2 (ja) * | 2013-12-10 | 2017-12-27 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
JP6418625B2 (ja) * | 2013-12-13 | 2018-11-07 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6278760B2 (ja) * | 2014-03-11 | 2018-02-14 | 株式会社ディスコ | チップ整列方法 |
JP6353684B2 (ja) * | 2014-04-04 | 2018-07-04 | 株式会社ディスコ | 研削ホイール及び研削室の洗浄方法 |
JP6385131B2 (ja) * | 2014-05-13 | 2018-09-05 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6397270B2 (ja) * | 2014-08-26 | 2018-09-26 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
JP5887633B1 (ja) * | 2014-10-02 | 2016-03-16 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体片の製造方法 |
US9627259B2 (en) * | 2014-11-14 | 2017-04-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Device manufacturing method and device |
JP6425505B2 (ja) * | 2014-11-17 | 2018-11-21 | 株式会社ディスコ | 被加工物の研削方法 |
JP6391471B2 (ja) * | 2015-01-06 | 2018-09-19 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6395634B2 (ja) * | 2015-02-09 | 2018-09-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6395632B2 (ja) * | 2015-02-09 | 2018-09-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6395633B2 (ja) * | 2015-02-09 | 2018-09-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP2016165771A (ja) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | 株式会社ディスコ | 加工液循環型加工システム |
JP2016207737A (ja) * | 2015-04-17 | 2016-12-08 | 株式会社ディスコ | 分割方法 |
US20160311127A1 (en) * | 2015-04-24 | 2016-10-27 | Disco Corporation | Cutting apparatus and cutting method |
JP6570910B2 (ja) * | 2015-07-24 | 2019-09-04 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6563728B2 (ja) * | 2015-07-29 | 2019-08-21 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法 |
JP2017056465A (ja) * | 2015-09-14 | 2017-03-23 | 株式会社ディスコ | パッケージ基板の加工方法 |
JP2017073472A (ja) * | 2015-10-07 | 2017-04-13 | 株式会社ディスコ | 半導体装置の製造方法 |
JP6594153B2 (ja) * | 2015-10-13 | 2019-10-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2017098452A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 株式会社ディスコ | 洗浄方法 |
JP6605946B2 (ja) * | 2015-12-24 | 2019-11-13 | 株式会社ディスコ | チップ収容トレイからチップをピックアップする方法 |
JP6762651B2 (ja) * | 2016-02-22 | 2020-09-30 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP6704275B2 (ja) * | 2016-03-28 | 2020-06-03 | 株式会社ディスコ | デバイスウエーハの評価方法 |
JP6671794B2 (ja) * | 2016-05-11 | 2020-03-25 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2017227532A (ja) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | 株式会社ディスコ | 蛍光検出装置 |
JP6688695B2 (ja) * | 2016-06-24 | 2020-04-28 | 株式会社ディスコ | 保護膜被覆装置および保護膜被覆方法 |
JP2018042208A (ja) * | 2016-09-09 | 2018-03-15 | 株式会社ディスコ | 表面弾性波デバイスチップの製造方法 |
JP6791579B2 (ja) * | 2016-09-09 | 2020-11-25 | 株式会社ディスコ | ウェーハ及びウェーハの加工方法 |
JP6730891B2 (ja) * | 2016-09-15 | 2020-07-29 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2018056502A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 株式会社ディスコ | デバイスウエーハの加工方法 |
JP2018055584A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
US10325861B2 (en) * | 2016-09-30 | 2019-06-18 | Intel IP Corporation | Methods and structures for dicing integrated circuits from a wafer |
JP6765926B2 (ja) * | 2016-10-07 | 2020-10-07 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
JP6732382B2 (ja) * | 2016-10-12 | 2020-07-29 | 株式会社ディスコ | 加工装置及び被加工物の加工方法 |
JP6719825B2 (ja) * | 2016-10-12 | 2020-07-08 | 株式会社ディスコ | 研削装置及びウェーハの加工方法 |
JP6837709B2 (ja) * | 2016-10-14 | 2021-03-03 | 株式会社ディスコ | デバイスウェーハのレーザ加工方法 |
JP6791581B2 (ja) * | 2016-11-11 | 2020-11-25 | 株式会社ディスコ | パッケージ基板切断用治具テーブル |
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