TWI760433B - 切削刀、安裝凸緣 - Google Patents

切削刀、安裝凸緣 Download PDF

Info

Publication number
TWI760433B
TWI760433B TW107104956A TW107104956A TWI760433B TW I760433 B TWI760433 B TW I760433B TW 107104956 A TW107104956 A TW 107104956A TW 107104956 A TW107104956 A TW 107104956A TW I760433 B TWI760433 B TW I760433B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
cutting
cutting fluid
flange
cutting blade
workpiece
Prior art date
Application number
TW107104956A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201841713A (zh
Inventor
麥克 加德
美細津祐成
Original Assignee
日商迪思科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商迪思科股份有限公司 filed Critical 日商迪思科股份有限公司
Publication of TW201841713A publication Critical patent/TW201841713A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI760433B publication Critical patent/TWI760433B/zh

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0076—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for removing dust, e.g. by spraying liquids; for lubricating, cooling or cleaning tool or work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • B28D5/0094—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work the supporting or holding device being of the vacuum type
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
    • B28D5/023—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a cutting blade mounted on a carriage
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/10—Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Auxiliary Devices For Machine Tools (AREA)
  • Milling Processes (AREA)

Abstract

可節約洗淨用的洗淨液，提高切削加工的效 率。

本發明係一種切削刀，其係被固定在切削 裝置的心軸的前端，且在被供給切削液的狀態下切削被加工物的切削刀，其由以下構成：在一面側形成有輪轂部的圓形基台；及形成在與該圓形基台的該一面為相反之面側的外周部的切刃，在該圓形基台係遍及周方向形成有切削液切回部。或者，本發明係一種安裝凸緣，其係將在被供給切削液的狀態下切削被加工物的切削刀固定在切削裝置的心軸的前端的安裝凸緣，其具備有：連同安裝凸緣本體的凸緣部一起夾持該切削刀來進行固定的固定螺帽，在該凸緣部係在該支持面的背面側遍及周方向形成有切削液切回部。

Description

切削刀、安裝凸緣
本發明係關於在被供給切削液的狀態下將被加工物進行切削的切削刀、及將切削刀固定在心軸的前端的安裝凸緣。
已知一種將半導體晶圓或封裝體基板、陶瓷基板、玻璃基板等被加工物，以圓環狀的切削刀精密切削加工的切削裝置。在該切削裝置中，該切削刀可旋轉地被支持在心軸。接著，藉由使該心軸旋轉而使切削刀旋轉，使進行旋轉的切削刀切入至被加工物來將被加工物進行切削加工。
在該被加工物的表面，係例如在藉由被設定成格子狀的分割預定線所區劃的複數區域的各個形成IC或LSI等元件。接著，若沿著該分割預定線切削被加工物而分割被加工物時，形成具有元件的複數晶片(以下稱為元件晶片)。
在被使用在被加工物之加工的切削裝置中，當使切削刀切入在被加工物之時，對切削刀供給切削液。切削刀係在被供給切削液的狀態下將被加工物進行切削加工。
在被加工物的切削加工中，會發生切削屑等污染，若其附著在被加工物，會引起各種不良情形。例如，若附著在被加工物的接合墊，有引起接合不良的情形。若被加工物為CMOS感測器或CCD感測器等畫像感測器，若污染附著在感測器，會形成元件不良。
若在切削加工後被加工物進行乾燥，在切削加工中附著在被加工物的污染會固著，之後即使實施洗淨，亦難以將其去除。因此，提出一種對切削加工中的被加工物供給洗淨液的切削裝置。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2006-231474號公報 　　[專利文獻2]日本特開平6-97278號公報
但是，在該等切削裝置中，除了被供給在供被加工物之切削加工用的切削液之外，必須供給洗淨液，俾以供被加工物洗淨之用。因此，被供給至被加工物的液體量增加，發生加工成本增大的新的問題。
本發明係鑑於該問題而完成者，其目的在提供抑制所使用的水量，而且防止污染固著的切削刀、及安裝凸緣。
藉由本發明之一態樣，提供一種切削刀，其係被固定在切削裝置的心軸的前端，且在被供給切削液的狀態下切削被加工物的切削刀，其特徵為由以下構成：在中央形成有嵌合孔，並且在一面側形成有輪轂部的圓形基台；及形成在與該圓形基台的該一面為相反之面側的外周部的切刃，在該圓形基台係遍及周方向形成有切削液切回部。
此外，藉由本發明之其他一態樣，提供一種安裝凸緣，其係將在被供給切削液的狀態下切削被加工物的切削刀固定在切削裝置的心軸的前端的安裝凸緣，其特徵為：具備有：安裝凸緣本體，其係具有：插通在切削刀的嵌合孔，在前端形成有公螺旋部的軸套部；及由該軸套部以徑方向突出，具有支持該切削刀的支持面的凸緣部；及固定螺帽，其係與該軸套部的該公螺旋部相螺合的母螺旋部形成在內周，連同該凸緣部一起夾持該切削刀來進行固定，在該凸緣部係在該支持面的背面側遍及周方向形成有切削液切回部。
其中，在本發明之該其他一態樣中，亦可該切削刀為圓板狀，該安裝凸緣係另外具備有：具有連同該安裝凸緣本體一起支持該切削力的支持面的前凸緣，該固定螺帽係藉由固定該前凸緣，透過該前凸緣，連同該凸緣 部一起夾持該切削刀，在該前凸緣係在該支持面的背面側遍及周方向形成有切削液切回部。
在實施藉由切削刀所為之切削加工的期間，對該切削刀供給切削液，但是所被供給的切削液的大部分係由切削刀的切刃，經由基台或安裝凸緣而飛散至外部。
因此，在本發明之一態樣之切削刀及安裝凸緣，係形成有切削液切回部，俾以將欲飛散至外部的切削液使用在被加工物的洗淨。該切削液切回部係形成在被供給至切削刀的切削液傳至外部為止的路徑，抑制到達至該切削液切回部的切削液傳至外側。
到達至該切削液切回部的切削液係失去勢頭而落下至被加工物上。落下至被加工物上的切削液係沖洗被加工物上的污染，因此可節約為了洗淨而供給至被加工物的洗淨液。可使用在習知構成中原飛散至外部的切削液來實施被加工物的洗淨，切削加工的效率非常好。
因此，藉由本發明，提供抑制所使用的水量，而且防止污染固著的切削刀、及安裝凸緣。
首先，使用圖1，說明使用本實施形態之切削刀及安裝凸緣的切削裝置。圖1係以模式顯示切削裝置之一例的斜視圖。如圖1所示，切削裝置2係具備有：支持各構成要素的基台4。在基台4的上面係設有保持平台(保持手段)6，在該保持平台6的上方係設有切削單元(切削手段)8。
在保持平台6的下方係設有X軸移動機構(移動手段)10。X軸移動機構10係設在基台4的上面，具備有與X軸方向呈平行的一對X軸導軌12。在X軸導軌12係以可滑動的方式配設X軸移動平台14。
在X軸移動平台14的背面側(下面側)係設有螺帽部(未圖示)，在該螺帽部係螺合與X軸導軌12呈平行的X軸滾珠螺桿16。在X軸滾珠螺桿16的一端部係連結X軸脈衝馬達18。若以X軸脈衝馬達18使X軸滾珠螺桿16旋轉，X軸移動平台14係沿著X軸導軌12以X軸方向移動。
在X軸移動平台14的表面側(上面側)係設有支持台20。在支持台20的中央係配置保持平台6。在保持平台6的周圍係設有將保持被加工物的環狀框架(未圖示)由四方夾持固定的4個夾具22。
保持平台6係與設在支持台20的下方的旋轉機構(未圖示)相連結，可繞與Z軸呈平行的旋轉軸旋轉。在保持平台6的表面配設多孔質構件，該多孔質構件係通過形成在保持平台6的內部的吸引路(未圖示)而與吸引源(未圖示)相連接。保持平台的上面係保持面6a，若對被載置於該保持面6a上的被加工物，由該吸引源作用負壓，被加工物係被吸引保持在保持平台6上。
被加工物係例如矽、藍寶石等半導體晶圓，此外，玻璃、石英等基板。在該被加工物的表面，在例如藉由被設定成格子狀的分割預定線所區劃的複數區域的各個形成IC或LSI等元件。接著，若沿著該分割預定線切削被加工物而分割被加工物時，形成元件晶片。
鄰接X軸移動機構10設有使切削單元8以分級進給方向(Y軸方向)移動的Y軸移動機構(分級進給手段)24。Y軸移動機構24係設在基台4的上面，且具備與Y軸方向呈平行的一對Y軸導軌26。
在Y軸導軌26係可滑動地設置Y軸移動平台28。Y軸移動平台28係具備：與Y軸導軌26相接的基部28a、及相對基部28a作立設的壁部28b。在Y軸移動平台28的基部28a的背面側(下面側)係設有螺帽部(未圖示)，在該螺帽部係螺合與Y軸導軌26呈平行的Y軸滾珠螺桿30。
在Y軸滾珠螺桿30的一端部係連結Y軸脈衝馬達32。若以Y軸脈衝馬達32使Y軸滾珠螺桿30旋轉，Y軸移動平台28係沿著Y軸導軌26以Y軸方向移動。
在Y軸移動平台28的壁部28b係設有使刀片單元8以鉛直方向(Z軸方向)移動的Z軸移動機構34。Z軸移動機構34係具備：設在壁部28b的側面且與Z軸方向呈平行的一對Z軸導軌36。
在Z軸導軌36係可滑動地設置Z軸移動平台38。在Z軸移動平台38的背面側(壁部28b側)係設有螺帽部(未圖示)，在該螺帽部係螺合與Z軸導軌36呈平行的Z軸滾珠螺桿(未圖示)。
在Z軸滾珠螺桿的一端部係連結Z軸脈衝馬達40。若以Z軸脈衝馬達40使Z軸滾珠螺桿旋轉，Z軸移動平台38係沿著Z軸導軌36以Z軸方向移動。在該Z軸移動平台38係支持切削被加工物的切削單元8。
切削單元8係具備：可旋轉地予以支持的心軸、及藉由該心軸予以旋轉的切削刀42。該切削刀42的切刃係在金屬或樹脂等接合材(結合劑)混合鑽石等砥粒而形成。若使旋轉的切削刀42切入至被保持在保持平台6的被加工物時，可將該被加工物進行切削加工。
切削單元8係另外具備覆蓋切削刀42的刀蓋44。使用圖6，詳述刀蓋44。在圖6中顯示切削單元8的側面圖。
刀蓋44係具備：鄰接切削刀42的兩側面而形成有朝向切削刀42的噴出口的切削液供給噴嘴44a；及鄰接切削刀42的外周方向的切削液噴出口44b。切削液供給噴嘴44a及切削液噴出口44b的各個係通過切削液送液管44c、44d而與切削液供給源(未圖示)相連接。在進行被加工物的切削加工時，由切削液供給噴嘴44a的該噴出口及切削液噴出口44b對切削刀42供給切削液。切削液係例如純水。
此外，在刀蓋44的下面係設有朝向被加工物的噴霧噴嘴(未圖示)。被加工物切削加工時，洗淨液由該噴霧噴嘴被噴出至被加工物。
如圖1所示，切削單元8係在切削加工進行的切削進行方向(加工進給方向)比該切削刀42更為前方具有攝像裝置46。攝像裝置46係可對被加工物的表面進行攝像，被使用在以切削刀42切削被加工物的切削預定線的方式調整切削刀42的位置之時。
接著，詳述切削單元。圖2係以模式顯示切削單元8a之一例的分解斜視圖。在圖2所示之切削單元8a係裝設有輪轂類型的切削刀42a。切削刀42a係由圓形基台48a、及切刃50所成。在圓形基台48a係在中央形成有嵌合孔48c，並且在一面側形成有輪轂部。切刃50係形成在與該圓形基台48a的該一面為相反的面側的外周部。
切削單元8a係具備心軸殼體52。在心軸殼體52的內部係收容有藉由空氣軸承而可繞Y軸旋轉地予以支持的心軸54。在心軸54的前端部係形成有螺孔，以切削時的心軸54的旋轉方向進行旋轉，藉此以被緊固的方向穿過螺絲。在心軸54的前端安裝有安裝凸緣56a。
安裝凸緣56a係具備：安裝凸緣本體58a；及在與該安裝凸緣本體58a之間夾持切削刀42a來進行固定的固定螺帽60。安裝凸緣本體58a係具備：被插通在切削刀42a的嵌合孔48c的軸套部62a、及由該軸套部62a以徑方向突出且具有支持該切削刀42a的支持面的凸緣部64a。在軸套部62a的前端形成公螺旋部。在固定螺帽60係在內周形成與該軸套部62a的該公螺旋部相螺合的母螺旋部。
該軸套部62a、與該凸緣部64a係以各自的中心軸相重疊的方式作配置。亦即，將圓柱狀的該軸套部62a的2個底面的各自的中心連結的軸、與將圓板狀的凸緣部64a的2個圓形的面的各個的中心連結的軸，重疊在1條直線上。
在安裝凸緣56a的內側係形成有心軸裝設孔70a。該心軸裝設孔70a係當在該心軸裝設孔70a裝設心軸54時，以上述之中心軸、與心軸54的旋轉中心相一致的方式，形成為對應該心軸54的前端的形狀。該心軸裝設孔70a係在該軸套部62a側具有開口，可透過該開口，將螺栓72螺合在被插入在心軸裝設孔70a的心軸54的前端的螺孔。
將使用安裝凸緣56a而被裝設在心軸54的切削刀42a顯示在圖3(A)。圖3(A)係以模式顯示切削刀42a及安裝凸緣56a的側面圖。在本實施形態之安裝凸緣56a中，在該凸緣部64a係在支持切削刀42a的該支持面的背面側遍及周方向形成有切削液切回部66a。此外，在本實施形態之切削刀42a的圓形基台48a係遍及周方向形成有切削液切回部66b。如圖3(A)、圖3(B)所示，該切削液切回部66b與切刃50的距離係與該切削液切回部66a與支持切削刀42a的支持面的距離不同。
使用圖3(B)，說明切削液切回部66a、66b的功能。圖3(B)係將由刀蓋44的切削液噴出口44b被供給至切削刀42a的切削液的流動樣子放大而以模式顯示的上面圖。
如圖3(B)所示，所被供給的切削液68的一部分係在被供給至切削刀42a的切刃50之後，在切削刀42a傳送而到達至安裝凸緣56a的凸緣部64a。在此，在該凸緣部64a係形成有切削液切回部66a。因此，切削液68係在切削液切回部66a被切回，因此不易以其以上傳達至外側，失去勢頭而落下。
此外，如圖3(B)所示，所被供給的切削液68的一部分係在被供給至切削刀42a的切刃50之後，到達切削刀42a的圓形基台48a。在此，在該圓形基台48a係形成有切削液切回部66b。因此，切削液68係在切削液切回部66a被切回，因此不易以其以上傳達至外側，失去勢頭而落下。
失去勢頭而落下的切削液68係到達被保持在 保持平台6的被加工物。如此一來，該切削液68洗淨被加工物而沖洗污染。因此，可節約在洗淨用供給至被加工物的洗淨液。可使用以往飛散的切削液來實施被加工物的洗淨，因此切削加工的效率非常好。
例如，若在安裝凸緣未形成切削液切回部，且在切削刀的圓形基台未形成切削液切回部時，切削液不會失去勢頭而會飛散至切削單元的外部。使用圖7，說明習知之切削刀及安裝凸緣。圖7(A)係以模式顯示切削刀及安裝凸緣的側面圖，圖7(B)係將切削液的流動樣子放大而以模式顯示的上面圖。
在圖7(A)所示之習知之切削刀42b及習知之安裝凸緣56b並未形成切削液切回部。因此，如圖7(B)所示，由切削液噴出口44b被供給至切削刀42b的切削液68的一部分係在被供給至切削刀42b的切刃50之後，在切削刀42b、安裝凸緣56b及心軸54傳送而飛散至外部。此外，切削液68的其他一部分係在切削刀42b、圓形基台48b及固定螺帽60傳送而飛散至外部。
飛散至外部的切削液並未洗淨被加工物，未沖洗污染。因此，若使用習知之切削刀42b及習知之安裝凸緣56b，為了沖洗在切削加工所產生的污染，必須對被加工物供給大量洗淨液。另一方面，在本實施形態之切削刀及本實施形態之安裝凸緣係形成有切削液切回部，可使用以往會飛散的切削液來洗淨被加工物，因此可節約洗淨液，切削加工的效率非常好。
使用圖4及圖5，說明本實施形態之切削刀及安裝凸緣的其他構成例。其中，關於與切削單元8a同樣的構成物，係省略說明。在圖4及圖5所示之切削單元8c係裝設有在中央形成有嵌合孔的圓板狀的切削刀42c。切削刀42c係例如Washer類型或Kimberley類型的切削刀。切削刀42c的外周係成為切刃。
在切削單元8c，在心軸54的前端安裝有安裝凸緣56c。安裝凸緣56c係具備：安裝凸緣本體58c；具有在與該安裝凸緣本體58c之間支持切削刀42c的支持面的前凸緣74；及固定前凸緣74的固定螺帽60。該固定螺帽60係藉由固定該前凸緣74，透過該前凸緣74，連同安裝凸緣本體58c的凸緣部64c一起支持該切削刀42c。
將使用安裝凸緣56c而裝設在心軸54的切削刀42c顯示在圖5(A)。圖5(A)係以模式顯示切削刀42c及安裝凸緣56c的側面圖。在本實施形態之安裝凸緣56c中，在前凸緣74，係在支持切削刀42c的該支持面的背面側，遍及周方向形成有切削液切回部66c。
使用圖5(B)，說明切削液切回部66c的功能。圖5(B)係將由刀蓋44的切削液噴出口44b被供給至切削刀42c的切削液68的流動樣子放大而以模式顯示的上面圖。
如圖5(B)所示，所被供給的切削液68的一部分在被供給至切削刀42c之後，到達安裝凸緣56c的前凸緣74。在此，在前凸緣74係形成有切削液切回部66c。切削 液切回部66c及切削液切回部66a係形成為抑制被供給至外周成為切刃的切削刀42c的該切削液68之朝向遠離該切刃的外方向的傳送的溝狀，且與該切刃不相接。因此，切削液68係在切削液切回部66c被切回，因此不易以其以上傳達至外側，失去勢頭而落下至被加工物，將被加工物洗淨而將污染去除。因此，可節約供給至被加工物的洗淨液。
其中，在本實施形態之切削刀及安裝凸緣中，所形成的切削液切回部66a、66b、66c係例如深度2mm、寬度2mm的圓環狀的溝槽。但是，切削液切回部66a、66b、66c並非侷限於此。
接著，說明使用裝設有本實施形態之切削刀或安裝凸緣的切削單元的被加工物的切削加工。該切削加工係以切削裝置2來實施。使用圖6，說明該切削方法。圖6係以模式說明該切削方法的部分剖面圖。
被加工物1係例如黏貼在被舖張在框架3的帶件5的圓板狀的半導體晶圓。首先，使被加工物1透過該帶件5而載置於保持平台6的保持面6a上，藉由夾具22來固定框架5。接著，使保持平台6的內部的吸引源作動，通過保持平台6的內部的吸引路而使被加工物1吸引，將被加工物1固定在保持平台6上。
接著，以切削刀42被定位在被加工物1的切削預定線的一端的外側上方的方式，使X軸移動機構(移動手段)10、及Y軸移動機構(分級進給手段)24作動而將切削單元8定位在預定位置。接著，開始切削刀42的旋轉，且對切削刀42供給切削液。對切削刀42供給切削液，係由切削液供給噴嘴44a及切削液噴出口44b進行。
之後，使切削單元8下降，將切削刀42定位在預定的高度位置。接著，使切削裝置2的X軸移動機構作動，將被加工物1進行加工進給。接著，若旋轉的切削刀42接觸被加工物1，切削加工即被開始。
此時，由切削液噴出口44b被供給至切削刀42的切削液係在切削刀42或安裝凸緣傳送，但是到達至形成在該切削刀的圓形基台或安裝凸緣的切削液切回部的切削液係被切回而失去勢頭。如此一來，該切削液朝向被加工物1落下，沖洗在被加工物1的切削加工所發生的切削屑等污染。因此，可節約被加工物1的洗淨用洗淨液，提高切削加工的效率。
接著，藉由切削刀42所為之切削加工進行，若被加工物1沿著全部分割預定線被分割，形成例如各個的元件晶片。
其中，在使用本實施形態之切削刀及安裝凸緣的切削裝置中，亦可鄰接刀蓋44的切削液供給口44b設置突出部。該突出部係由該切削液噴出口44b被噴出的切削液相較於到達切削刀42的地點，被配設在更為該切削刀42的旋轉方向跟前。亦即，該突出部係鄰接於切削液噴出口44b的切削刀42的旋轉方向的相反方向。
在正在實施藉由切削刀42所為之切削加工的期間，由切削液噴出口44b係對該切削刀42供給切削液。接著，期待切削液被適當供給至該切削刀42接觸被加工物的加工點。
但是，被供給至切削刀42的切削液的一部分係伴隨切削刀42的旋轉而連帶傳繞至切削刀42的外周。若在切削刀42的外周部存在連帶傳繞至切削刀42的連帶傳繞液，由切削液噴出口44b被新供給的切削液會被該連帶傳繞液阻擋，不會以期待切削液的方式被供給至該加工點。
因此，在刀蓋44，係在比由該切削液噴出口44b被噴出的切削液到達切削刀42的部位更靠近該切削刀42的旋轉方向跟前配設突出部。將如上所示之具有突出部的刀蓋44顯示在圖8。圖8係以模式顯示具有突出部76的刀蓋44的側面圖。例如，如圖8所示，與刀蓋44的切削液供給口44b鄰接設有突出部76。
如此一來，切削刀42的連帶傳繞液的一部分會衝撞該突出部76而遠離切削刀42。亦即，突出部76係阻止連帶傳繞至該切削刀42的切削液的一部分的其以上程度的連帶傳繞。
若可減低切削刀42的連帶傳繞液的量，變得不易妨礙由切削液噴出口44b被新供給的切削液。因此，該切削液被適當供給至加工點，亦變得不需要過度供給切削液。因此，可更加節約在切削裝置2中所使用的液體。 [實施例]
接著說明確認本發明之一態樣之切削刀及安裝凸緣的作用效果的實驗。在本實施例中，藉由具備有該切削刀及該安裝凸緣的切削裝置，將被加工物進行切削加工，觀察切削加工後的被加工物，來計測附著物的數量。
以下說明實驗的概要。本實驗中使用的切削裝置係DISCO股份有限公司製的“DFD6362”，裝設在該切削裝置的切削刀係DISCO股份有限公司製的“ZH05-SD2000-N1-110GF(HEGF1010)”。在使用在該切削刀的裝設的安裝凸緣及切削刀的圓形基台係形成有切削液切回部。
本實驗所使用的被加工物係厚度0.73mm的8吋直徑的Si晶圓。在本實驗中，係在該被加工物的表面側貼附Lintec股份有限公司製的帶件“D-650”，以露出被加工物的背面側的方式，在該切削裝置的保持平台，朝向被加工物的表面側載置被加工物。接著，透過該帶件而使被加工物吸引保持在保持平台。其中，為了輕易計測被加工物上的附著物，在被加工物的背面側形成樹脂膜。
切削加工的條件係將心軸的旋轉數設為40000rpm，將該被加工物的加工進給速度設為30mm/s，將切削刀的最下點與保持平台上面之間的距離(刀片高度)設為0.07mm。切削刀的分級進給量(分級尺寸)係在第1方向形成為5mm，在與該第1方向呈正交的第2方向形成為5mm。
由被設在切削液供給噴嘴44a(參照圖1、6、8等)的噴出口所供給的切削水量係設為1.5L/min，由切削液噴出口44b(參照圖6、8等)所供給的切削水量係設為1.0L/min。此外，由設在刀蓋的下面的噴霧噴嘴(未圖示)，使洗淨液噴出至該被加工物。將該洗淨液量設為1.0L/min。
藉由如上所示之條件，對該被加工物，以5mm×5mm的格子狀實施切削加工。將被藉由切削加工所形成的切削溝所區劃的各區域作為一個晶片，在任意9晶片中計測附著物的數量。在附著物的計測係使用：Mitutoyo股份有限公司製的顯微鏡“MF-UA1020THD”及微粒計數測定用軟體“FV-PIXELLENCE ENG/3310/STD”。
在各晶片中，在四角與中央的5處，計測顯微鏡觀察的倍率200倍的視野內的1μm尺寸以上的附著物的數量。接著，算出以合計45測定所被計測出的附著物的數量的平均值。將該實驗設為“實施例1”。
此外，如圖8所示，藉由裝設有鄰接切削液供給口44b設有突出部76的刀蓋44的切削裝置，同樣地將被加工物進行切削加工，同樣地計測出附著在被加工物的附著物的數量。將該實驗設為“實施例2”。其中，在實驗“實施例2”中，亦使用形成有切削液切回部的安裝凸緣及該切削刀的圓形基台。
此外，藉由裝設有鄰接切削液供給口44b設有突出部76的刀蓋44的切削裝置，將所供給的切削液及洗淨液的量減至上述之70%左右，將被加工物進行切削加工，來計測附著物的數量。將該實驗設為“實施例3”。其中，在實驗“實施例3”中，亦使用形成有切削液切回部的安裝凸緣及該切削刀的圓形基台。
其中，為供比較，針對在安裝凸緣及切削刀的圓形基台未形成切削液切回部，且在刀蓋未設置突出部而實施同樣的切削加工的被加工物，亦同樣地計測出附著物的數量。將該實驗設為“比較例”。
說明附著物的計測結果。在比較例中，平均附著物數為418個，在實施例1中，平均附著物數為295個，在實施例2中，平均附著物數為64個，在實施例3中，平均附著物數為26個。
若比較比較例1的結果、與實施例1的結果，可知在該切削刀之裝設所使用的安裝凸緣及該切削刀的圓形基台，因形成切削液切回部，可大幅減低被加工物的附著物。理解藉由形成切削液切回部，切削液對被加工物之洗淨的貢獻度變大。
若比較實施例1的結果、與實施例2的結果，可知在刀蓋44設置突出部76(參照圖8)，可大幅減低被加工物的附著物。示意藉由該突出部76，阻止切削刀的外周的連帶傳繞液的連帶傳繞，藉此可適當將切削液供給至被加工物，在切削屑等附著在被加工物之前，可排除該切削屑等。
若比較比較例1的結果、與實施例3的結果，可知若在安裝凸緣及該切削刀的圓形基台設有切削液切回部，且在刀蓋44設有突出部76(參照圖8)，即使節約所被供給的切削液等的量，附著物亦不會增加。
藉由以上實驗，確認出若藉由本發明之一態樣而使切削液落下至被加工物上時，由於藉由該切削液來洗淨被加工物，因此可節約供給至被加工物的洗淨液等液體。
其中，本發明並非限定於上述實施形態的記載，可作各種變更來實施。例如，在上述實施形態中，係將切削液切回部形成在切削刀的圓形基台或安裝凸緣，但是亦可沿著固定用螺帽60、或心軸54的外周形成。此外，亦可僅形成在切削刀的圓形基台、與安裝凸緣的其中一方。
此外，上述實施形態之構造、方法等只要未脫離本發明之目的的範圍，可作適當變更來實施。
1‧‧‧被加工物3‧‧‧框架2‧‧‧切削裝置4‧‧‧基台5‧‧‧帶件6‧‧‧保持平台(保持手段)6a‧‧‧保持面8、8a‧‧‧切削單元(切削手段)10‧‧‧X軸移動機構(移動手段)12‧‧‧X軸導軌14‧‧‧X軸移動平台16‧‧‧X軸滾珠螺桿18‧‧‧X軸脈衝馬達20‧‧‧支持台22‧‧‧夾具24‧‧‧Y軸移動機構(分級進給手段)26‧‧‧Y軸導軌28‧‧‧Y軸移動平台28a‧‧‧基部28b‧‧‧壁部30‧‧‧Y軸滾珠螺桿32‧‧‧Y軸脈衝馬達34‧‧‧Z軸移動機構36‧‧‧Z軸導軌38‧‧‧Z軸移動平台40‧‧‧Z軸脈衝馬達42、42a、42b、42c‧‧‧切削刀44‧‧‧刀蓋44a‧‧‧切削液供給噴嘴44b‧‧‧切削液供給口46‧‧‧攝像裝置48a、48b‧‧‧圓形基台48c‧‧‧嵌合孔50‧‧‧切刃52‧‧‧心軸殼體54‧‧‧心軸56a、56b、56c‧‧‧安裝凸緣58a、58b、58c‧‧‧安裝凸緣本體60‧‧‧固定螺帽62a、62c‧‧‧軸套部64a、64b、64c‧‧‧凸緣部66a、66b、66c‧‧‧切削液切回部68‧‧‧切削液70a、70c‧‧‧心軸裝設孔72‧‧‧螺栓74‧‧‧前凸緣76‧‧‧突出部
圖1係以模式顯示切削裝置的斜視圖。
圖2係以模式顯示切削單元的分解斜視圖。
圖3(A)係以模式顯示切削刀及安裝凸緣的側面圖，圖3(B)係將切削液的流動樣子放大而以模式顯示的上面圖。 　　圖4係以模式顯示切削單元的分解斜視圖。 　　圖5(A)係以模式顯示切削刀及安裝凸緣的側面圖，圖5(B)係將切削液的流動樣子放大而以模式顯示的上面圖。 　　圖6係以模式顯示切削加工的側面圖。 　　圖7(A)係以模式顯示切削刀及安裝凸緣的側面圖，圖7(B)係將切削液的流動樣子放大而以模式顯示的上面圖。 　　圖8係以模式顯示刀蓋的側面圖。
42a:切削刀
48a:圓形基台
50:切刃
54:心軸
56a:安裝凸緣
58a:安裝凸緣本體
60:固定螺帽
64a:凸緣部
66a、66b:切削液切回部
68:切削液

Claims (4)

  1. 一種切削刀，其係被固定在切削裝置的心軸的前端，且在被供給切削液的狀態下切削被加工物的切削刀，其特徵為由以下構成：在中央形成有嵌合孔，並且在一面側形成有輪轂部的圓形基台；及形成在與該圓形基台的該一面為相反之面側的外周部，且接受切削液的供給的切刃，在該圓形基台係遍及周方向形成有第1切削液切回部，該第1切削液切回部係形成為抑制該圓形基台的外周部中由該一面側朝向該相反之面側的切削液的傳送的溝狀。
  2. 如申請專利範圍第1項之切削刀，其中，在該心軸的前端係固定有安裝凸緣，該安裝凸緣係具有：被插通在該嵌合孔的軸套部、及由該軸套部以徑方向突出且具有支持該切削刀的支持面的凸緣部，在該安裝凸緣的該凸緣部係在該支持面的背面側遍及周方向形成有溝狀的第2切削液切回部，該第1切削液切回部與該切刃的距離係與該第2切削液切回部與該支持面的距離不同。
  3. 一種安裝凸緣，其係將在切刃被供給切削液的狀態下切削被加工物的切削刀固定在切削裝置的心軸的前端的安裝凸緣，其特徵為：具備有：安裝凸緣本體，其係具有：插通於在中央形成有嵌合孔的圓板狀的切削刀的該嵌合孔，在前端形成有公螺旋部的軸套部；及由該軸套部以徑方向突出，具有支持該切削刀的支持面的凸緣部；及固定螺帽，其係與該軸套部的該公螺旋部相螺合的母螺旋部形成在內周，連同該凸緣部一起夾持該切削刀來進行固定，在該凸緣部係在該支持面的背面側遍及周方向形成有溝狀的第2切削液切回部，該安裝凸緣係另外具備有：具有連同該安裝凸緣本體一起支持該切削刀的支持面的前凸緣，該固定螺帽係藉由固定該前凸緣，透過該前凸緣，連同該凸緣部一起夾持該切削刀，在該前凸緣係在該支持面的背面側遍及周方向形成有溝狀的第3切削液切回部，該第2切削液切回部及該第3切削液切回部係形成為抑制被供給至該切刃的該切削液之朝向遠離該切刃的外方向的傳送的溝狀，且與該切刃不相接。
  4. 一種安裝凸緣，其係將在切刃被供給切削液的狀態下 切削被加工物的切削刀固定在切削裝置的心軸的前端的安裝凸緣，其特徵為：具備有：安裝凸緣本體，其係具有：插通於切削刀的嵌合孔，在前端形成有公螺旋部的軸套部，該切削刀由以下構成：在中央形成有該嵌合孔，並且在一面側形成有輪轂部的圓形基台、及形成在與該圓形基台的該一面為相反之面側的外周部，且接受切削液的供給的切刃；及由該軸套部以徑方向突出，具有支持該切削刀的支持面的凸緣部；及固定螺帽，其係與該軸套部的該公螺旋部相螺合的母螺旋部形成在內周，連同該凸緣部一起夾持該切削刀來進行固定，在該凸緣部係在該支持面的背面側遍及周方向形成有溝狀的第2切削液切回部，在該切削刀的該圓形基台係遍及周方向形成有溝狀的第1切削液切回部，該第2切削液切回部與該支持面的距離係與該第1切削液切回部與該切刃的距離不同。
TW107104956A 2017-03-09 2018-02-12 切削刀、安裝凸緣 TWI760433B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017045019A JP6896327B2 (ja) 2017-03-09 2017-03-09 切削ブレード、マウントフランジ
JP2017-045019 2017-03-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201841713A TW201841713A (zh) 2018-12-01
TWI760433B true TWI760433B (zh) 2022-04-11

Family

ID=63576771

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107104956A TWI760433B (zh) 2017-03-09 2018-02-12 切削刀、安裝凸緣

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6896327B2 (zh)
KR (1) KR102394673B1 (zh)
CN (1) CN108568915B (zh)
TW (1) TWI760433B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022120278A (ja) * 2021-02-05 2022-08-18 株式会社ディスコ ブレード固定具及びブレードマウンタ

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002299285A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Disco Abrasive Syst Ltd ダイシング装置
JP2002313752A (ja) * 2001-04-12 2002-10-25 Disco Abrasive Syst Ltd ダイシング装置
TWM340888U (en) * 2007-09-03 2008-09-21 Shih-Chung Huang Balance flange
JP2011062778A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
TW201341110A (zh) * 2011-11-28 2013-10-16 Shinetsu Chemical Co 用於將稀土磁石複鋸的鋸刃與方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6243142A (ja) * 1985-08-20 1987-02-25 Toshiba Corp 半導体装置及びその使用方法
US5188672A (en) * 1990-06-28 1993-02-23 Applied Materials, Inc. Reduction of particulate contaminants in chemical-vapor-deposition apparatus
JPH0697278A (ja) * 1992-09-09 1994-04-08 Disco Abrasive Syst Ltd コンタミ付着を防止したダイシング装置
JP2792429B2 (ja) * 1994-03-23 1998-09-03 住友金属鉱山株式会社 リードフレームの洗浄設備および洗浄方法
JPH09320994A (ja) * 1996-05-28 1997-12-12 Sony Corp ダイシング装置
US6458141B1 (en) * 2000-03-10 2002-10-01 Gholam A. Peyman Method and apparatus for creating a flap in the cornea and incisions or shrinkage under the flap to correct vision disorders
JP2006231474A (ja) 2005-02-25 2006-09-07 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
CN101621026B (zh) * 2009-08-05 2011-06-08 武汉华工激光工程有限责任公司 玻璃钝化硅晶圆的背面激光切割方法
JP6061720B2 (ja) * 2013-02-18 2017-01-18 株式会社ディスコ 切削装置
CN205799749U (zh) * 2016-06-02 2016-12-14 新昌县羽林街道上大轴承厂 一种机械零件切割专用的节水型水刀
CN105856328A (zh) * 2016-06-02 2016-08-17 新昌县羽林街道上大轴承厂 一种机械零件切割专用的节水型水刀
CN107175774A (zh) * 2017-07-11 2017-09-19 芜湖泰庆电子科技有限公司 一种简单使用的瓷砖切割机

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002299285A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Disco Abrasive Syst Ltd ダイシング装置
JP2002313752A (ja) * 2001-04-12 2002-10-25 Disco Abrasive Syst Ltd ダイシング装置
TWM340888U (en) * 2007-09-03 2008-09-21 Shih-Chung Huang Balance flange
JP2011062778A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
TW201341110A (zh) * 2011-11-28 2013-10-16 Shinetsu Chemical Co 用於將稀土磁石複鋸的鋸刃與方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102394673B1 (ko) 2022-05-09
JP6896327B2 (ja) 2021-06-30
JP2018148177A (ja) 2018-09-20
TW201841713A (zh) 2018-12-01
CN108568915B (zh) 2021-12-21
KR20180103768A (ko) 2018-09-19
CN108568915A (zh) 2018-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5415184B2 (ja) 切削装置
JP5511325B2 (ja) 切削装置
JP5921373B2 (ja) バイト切削装置
KR102223587B1 (ko) 플랜지 기구
TWI823988B (zh) 研磨墊
JP2011031374A (ja) 切削装置
JP2016179505A (ja) 切削ブレードの検査方法
TWI760433B (zh) 切削刀、安裝凸緣
JP6397270B2 (ja) 切削装置
KR20170135686A (ko) 절삭 장치
JP2021126742A (ja) 切削ブレード、フランジ機構、及び切削装置
JP6847525B2 (ja) 切削装置
JP5345457B2 (ja) 研削装置
TW201929134A (zh) 切削裝置
JP7166709B2 (ja) 切削装置
JP7139051B2 (ja) 処理装置
JP6267977B2 (ja) 切削方法
US8206198B2 (en) Wafer grinding machine and wafer grinding method
JP2016127195A (ja) ウエーハの研削方法
JP6887722B2 (ja) ウェーハの加工方法及び切削装置
JP2008258330A (ja) 枚葉式洗浄装置
JP2003243333A (ja) スプレーチップ及び洗浄装置
JP2015138819A (ja) スピンナー装置
JP2021058965A (ja) フランジ機構及び切削装置
TW202040719A (zh) 加工裝置及加工方法