JP2016165771A - 加工液循環型加工システム - Google Patents
加工液循環型加工システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016165771A JP2016165771A JP2015046664A JP2015046664A JP2016165771A JP 2016165771 A JP2016165771 A JP 2016165771A JP 2015046664 A JP2015046664 A JP 2015046664A JP 2015046664 A JP2015046664 A JP 2015046664A JP 2016165771 A JP2016165771 A JP 2016165771A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pure water
- surfactant
- processing liquid
- processing
- supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 69
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 114
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000002699 waste material Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 30
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 27
- 150000001447 alkali salts Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000009875 water degumming Methods 0.000 abstract 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 37
- 239000013505 freshwater Substances 0.000 description 23
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 10
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 10
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 7
- 239000002173 cutting fluid Substances 0.000 description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 5
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 2
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- RPACBEVZENYWOL-XFULWGLBSA-M sodium;(2r)-2-[6-(4-chlorophenoxy)hexyl]oxirane-2-carboxylate Chemical compound [Na+].C=1C=C(Cl)C=CC=1OCCCCCC[C@]1(C(=O)[O-])CO1 RPACBEVZENYWOL-XFULWGLBSA-M 0.000 description 1
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 1
- 235000021122 unsaturated fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 150000004670 unsaturated fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/14—Removing waste, e.g. labels, from cleaning liquid; Regenerating cleaning liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/10—Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
- Auxiliary Devices For Machine Tools (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
【課題】 加工装置に供給される純水の流量が変動した場合にも、所定濃度の界面活性剤を純水中に注入可能な加工液循環型加工システムを提供することである。
【解決手段】 純水に界面活性剤を添加して所定濃度の加工液を製造して加工装置に供給する加工液供給装置と、チャックテーブルに保持した被加工物に該加工液を供給しつつ該被加工物を加工する加工装置と、該加工装置から排出される該加工液から加工屑及び該界面活性剤を含む不純物を除去して純水を精製し精製した純水を該加工液供給装置に供給する純水精製装置と、を備えた加工液循環型加工システムであって、該加工液供給装置は、純水が流れる純水流路と、該純水流路の流量を測定する流量計と、該流量計より下流側で純水流路に該界面活性剤を供給する界面活性剤供給手段と、を含み、該界面活性剤供給手段は、該純水の流量に対して該界面活性剤が所定の濃度になる所定量の該界面活性剤を供給し、該純水流路を流れる純水と該界面活性剤が乱流で混合されることを特徴とする。
【選択図】図３
【解決手段】 純水に界面活性剤を添加して所定濃度の加工液を製造して加工装置に供給する加工液供給装置と、チャックテーブルに保持した被加工物に該加工液を供給しつつ該被加工物を加工する加工装置と、該加工装置から排出される該加工液から加工屑及び該界面活性剤を含む不純物を除去して純水を精製し精製した純水を該加工液供給装置に供給する純水精製装置と、を備えた加工液循環型加工システムであって、該加工液供給装置は、純水が流れる純水流路と、該純水流路の流量を測定する流量計と、該流量計より下流側で純水流路に該界面活性剤を供給する界面活性剤供給手段と、を含み、該界面活性剤供給手段は、該純水の流量に対して該界面活性剤が所定の濃度になる所定量の該界面活性剤を供給し、該純水流路を流れる純水と該界面活性剤が乱流で混合されることを特徴とする。
【選択図】図３
Description
本発明は加工液循環型加工システムに関する。
半導体製造プロセスでは、加工液を用いる加工装置として、研削液を供給しながらウェーハを研削して薄化する研削装置や、切削液を供給しながら切削ブレードでウェーハを個々のチップに分割する切削装置等が用いられる。
切削装置の場合、切削によって発生する切削屑が被加工物に付着することを防止し、切削加工で発生する熱を冷却するために、被加工物に切削液を供給しつつ切削加工を実施する。特に半導体ウェーハを切削する場合には、不純物の付着を極力抑えるため、切削液には純水を用いる。
しかし、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等のイメージセンサでは、微細な切削屑の付着は大きな問題となったり、特に大口径化したウェーハでは加工時間が長くなるにしたがってデバイスの電極パッドに腐食が発生する等の様々な課題がある。
その対策として、純水に添加剤を所定濃度添加して切削加工を行うことで、切削屑の付着を抑制しつつ腐食の発生を防ぐ切削方法が提案された（例えば、特開２００６−１５０８４４号公報参照）。
また、切削加工では加工条件によっては毎分２〜１５リットルもの大量の純水を使用する。よって、純水の製造コストが多大に発生するという問題がある。そこで、省スペース且つ安価な設備で、切削液として使用した純水から切削屑を除去し、切削液を再利用することができる純水精製装置が特許第５０８６１２３号公報に記載されている。
しかしながら、通常、一定量が流れる純水に一定量の添加剤を添加して添加剤の濃度を管理するため、加工装置で利用する水量が変動した場合、添加剤の濃度が変動し易いという課題があり、特に非常に低い濃度（例えば、１００００倍希釈等）で添加剤を添加する場合は、濃度の変動が特に大きくなり易いため、濃度の低い加工液を安定的に使用するのが困難であるという問題がある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、加工装置に供給される純水の流量が変動した場合にも、所定濃度の界面活性剤を純水中に注入可能な加工液循環型加工システムを提供することである。
本発明によると、純水に界面活性剤を添加して所定濃度の加工液を製造し該加工液を加工装置に供給する加工液供給装置と、チャックテーブルに保持した被加工物に該加工液を供給しつつ該被加工物を加工する加工装置と、該加工装置から排出される該加工液から加工屑及び該界面活性剤を含む不純物を除去して純水を精製し精製した純水を該加工液供給装置に供給する純水精製装置と、を備えた加工液循環型加工システムであって、該加工液供給装置は、純水が流れる純水流路と、該純水流路の流量を測定する流量計と、該流量計より下流側で純水流路に該界面活性剤を供給する界面活性剤供給手段と、を含み、該界面活性剤供給手段は、該純水の流量に対して該界面活性剤が所定の濃度になる所定量の該界面活性剤を供給し、該純水流路を流れる純水と該界面活性剤が乱流で混合されることを特徴とする加工液循環型加工システムが提供される。
好ましくは、界面活性剤供給手段は、所定量の界面活性剤を複数回に分けて供給する。好ましくは、加工液供給装置は、界面活性剤が供給された後の純水の導電率を測定し、閾値を超える導電率が測定されることで界面活性剤が添加されたと判定する判定部を有している。
好ましくは、該界面活性剤供給手段は、界面活性剤供給源と、該純水流路と該界面活性剤供給源とを連通する供給流路と、該界面活性剤を該純水流路に注入する該供給流路に配設されたポンプと、該供給流路に配設された界面活性剤流量計と、を含み、該流量計が計測した該純水流路を流れる純水の流量と該界面活性剤流量計が計測した該供給流路を流れる該界面活性剤の流量から、所定量の該界面活性剤が該純水流路を流れる純水中に添加されるよう該ポンプを制御する。
本発明の加工液循環型加工システムによると、加工液を循環して利用することで純水製造コストを抑えつつ、被加工物の腐食や被加工物への切削屑の付着を防止することができる。
加工液供給装置の界面活性剤供給手段は、純水の流量に対応した界面活性剤を添加するため、純水中の界面活性剤の濃度が安定し易い。更に、純水の流路中に界面活性剤を添加して乱流によって混合するので、別途混合タンク等を設ける必要がなく効率的且つ省スペースである。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、本発明実施形態に係る加工液循環型加工システムの全体構成を示す斜視図が示されている。本実施形態では、加工装置として切削装置２を採用した例について説明する。然し、加工装置は切削装置に限定されるものではなく、研削装置等の他の加工装置も採用可能である。
切削装置２は、ウェーハＷを保持するチャックテーブル４と、チャックテーブル４に保持されたウェーハＷを切削する切削ブレード８を有する切削ユニット６を備えている。ウェーハＷは、粘着シートＳに貼着され、粘着シートＳの外周部が環状フレームＦに貼着されて粘着シートＳを介して環状フレームＦで支持される。この状態でウェーハＷはカセット１０に収容されて切削装置２に投入される。
切削装置２は、カセット１０に対してウェーハＷを搬出及び搬入する搬出入ユニット１２と、搬出入ユニット１２で搬出したウェーハＷをチャックテーブル４へ搬送する第１搬送ユニット１４と、チャックテーブル４で保持したウェーハＷに切削液（加工液）を供給しながら切削ブレード８で切削したウェーハＷをスピンナ洗浄ユニット１８まで搬送する第２搬送ユニット１６を具備している。
スピンナ洗浄ユニット１８でウェーハＷをスピン洗浄及びスピン乾燥した後、第１搬送ユニット１４及び搬出入ユニット１２によりウェーハＷをカセット１０内に搬入する。
切削装置２に隣接して純水精製装置２０が配設されている。純水精製装置２０は、切削装置２から搬出される切削水中に切削屑を含む廃液を純水に精製して再利用するためのものである。
切削装置２及び純水精製装置２０には、加工液供給装置２２が接続されており、加工液供給装置は純水中に界面活性剤を注入して、界面活性剤が所定濃度の加工液（切削液）を精製し、この加工液を切削装置２に供給する。
切削装置２の廃液は純水精製装置２０で純水に精製され、純水精製装置２０からの純水と、電磁弁２０を介して供給される純水供給源２４からの純水とが加工液供給装置２２に導入される。
次に、図２を参照して、純水精製装置２０の構成について説明する。純水精製装置２０は、廃液収容ユニット３０と、廃液濾過ユニット３２と、清水収容ユニット３４と、純水精製ユニット３６と、純水温度調整ユニット３８と、図示しない制御手段を具備している。
廃液収容ユニット３０は、切削装置２０から排出される廃液を収容するものであり、切削装置２からの廃液を収容する廃液タンク４０と、廃液タンク４０内の廃液を送給する廃液送給ポンプ４２を備えている。
廃液濾過ユニット３２は、廃液収容ユニット３０から送給された廃液から切削屑を除去して清水に精製するものである。廃液濾過ユニット３２は、廃液収容ユニット３０から送給された廃液が配管４４を介して導入される第１のフィルター４６と、廃液が配管４４を介して導入される第２のフィルター４８と、第１のフィルター４６と第２のフィルター４８を着脱自在に設けた清水受けパン５０を備えている。廃液送給ポンプ４２と第１のフィルター４６及び第２のフィルター４８とを接続する配管４４には、電磁開閉弁５２ａ，５２ｂが介装されている。
電磁開閉弁５２ａ，５２ｂを開くと、第１のフィルター４６及び第２のフィルター４８に廃液が導入される。また、配管４４には、廃液の圧力を検出する圧力検出手段５３が取り付けられている。
第１のフィルター４６及び第２のフィルター４８は、導入された廃液を濾過し、廃液中の切削屑を捕捉して清水に精製する。第１のフィルター４６及び第２のフィルター４８により濾過されて精製された清水は清水受けパン５０上に流出する。清水受けパン５０は、フレキシブルホース等からなる配管５４を通して清水を清水収容ユニット３４に送る。
清水収容ユニット３４は、廃液濾過ユニット３２から送られる清水を収容する清水貯留タンク５６を備えている。純水精製ユニット３６は、清水貯留タンク５６から送られる清水を純水に精製するものである。
純水精製ユニット３６は、吐出ポンプ５８と、第１のイオン交換手段６０と、第２のイオン交換手段６２と、吸引ポンプ７４と、精密フィルター６４を具備している。吐出ポンプ５８は、清水貯留タンク５６内の清水を配管６６、電磁開閉弁６８ａ，６８ｂを介して第１のイオン交換手段６０及び第２のイオン交換手段６２に送給する。
第１のイオン交換手段６０及び第２のイオン交換手段６２は、イオン交換して清水を純水に精製するものである。第１のイオン交換手段６０及び第２のイオン交換手段６２によって精製された純水は、所定の圧力で配管７０を介して精密フィルター６４に送出される。
精密フィルター６４は、イオン交換樹脂の樹脂屑等の微細な物質を捕捉するものである。純水温度調整ユニット３８は、純水を所定温度に調整して加工液供給装置２２に供給する。
純水精製装置２０の図示しない制御手段は、純水精製装置２０を構成する上述した各構成要素をそれぞれ制御して、切削装置２から排出された廃液を純水に精製する。制御手段は、圧力検出手段５３，７２ａ，７２ｂの検出結果に基づいて、電磁開閉弁５２ａ，５２ｂ，６８ａ，６８ｂ、吐出ポンプ５８及び吸引ポンプ７４を制御して、廃液を廃液収容ユニット３０に収容した後、廃液濾過ユニット３２で濾過して清水に精製し、清水を清水収容ユニット３４に収容した後、純水精製ユニット３６で純水に精製し、精密フィルター６４及び純水温度調整ユニット３８に向けて純水を送出する。
次に、図３を参照して、加工液供給装置２２の構成及び作用について説明する。加工液供給装置２２の純水流路７８には、純水精製装置２０で精製された純水と純水供給源２４から供給された純水が流れる。純水流路７８には流量計８０が介装されており、純水流路７８を流れる純水の流量を計測する。
純水流路７８を流れる純水には界面活性剤供給手段８４により所定量の界面活性剤が供給される。界面活性剤供給手段８４は、界面活性剤を収容したタンク８６と、界面活性剤をタンク８６から送給するポンプ８８を含んでおり、ポンプ８８で汲み上げられた界面活性剤は供給流路９０を介して純水流路７８を流れる純水中に供給される。
好ましくは、界面活性剤はポリカルボン酸のアルカリ塩を含む。ポリカルボン酸のアルカリ塩として、具体的には、アクリル酸又はメタアクリル酸の単独重合体又は共重合体のアルカリ塩、及びマレイン酸の単独重合体又は共重合体のアルカリ塩等の不飽和脂肪酸の重合体又は共重合体のアルカリ塩等が挙げられる。
より具体的には、例えば、ポリアクリル酸のアルカリ塩、ポリメタクリル酸のアルカリ塩、ポリアルケニルコハク酸のアルカリ塩、イソブチレン等のα−オレフィンと無水マレイン酸又はアクリル酸との共重合体のアルカリ塩、アクリル酸若しくはメタクリル酸とマレイン酸との共重合体のアルカリ塩、スチレンスルホン酸とアクリル酸若しくはメタクリル酸との共重合体のアルカリ塩、アクリル酸とアクリルアミドの共重合体のアルカリ塩等が挙げられる。この中で、ポリアクリル酸のアルカリ塩、特にはポリアクリル酸のＮａ塩又はアンモニウム塩が好ましい。
ポンプ８８は、例えばダイヤフラム式ポンプであり、少量の流体の供給に対応し、所定の時間に複数回にわたり微量の界面活性剤を供給する。供給流路９０には界面活性剤流量計９２が介装されている。
界面活性剤供給手段８４は、純水流路７８を流れる純水の流量に対して界面活性剤が所定の濃度になるように所定量の界面活性剤を純水中に供給する。界面活性剤供給手段８４で供給された界面活性剤は純水流路７８で純水と乱流で混合される。
純水流路７８に介装された流量計８０と、供給流路９０に介装された界面活性剤流量計９２とは制御手段９４に接続され、純水中の界面活性剤が所定の濃度になるように、流量計８０で計測した純水の流量に対して界面活性剤流量計９２で計測した界面活性剤の流量が所定量となるように制御手段９４はポンプ８８を駆動する。好ましくは、所定量の界面活性剤を複数回に分けて供給するように制御手段９４はポンプ８８を駆動する。
ここで、界面活性剤の所定の濃度とは、例えば純水流路７８を流れる純水２５Ｌ／ｍｉｎに対して界面活性剤を０．２５ｃｃ／ｍｉｎ添加して界面活性剤を１００００倍に希釈する濃度であり、０．０１％の濃度である。
供給流路９０が純水流路７８に合流する純水流路７８の下流側には、純水流路７８を流れる加工液の導電率（電気伝導率）を計測する導電率計８２が介装されている。導電率計８２は制御手段９４に接続されている。
制御手段９４は、純水中に界面活性剤が供給された後の加工液の導電率を測定し、閾値を超える導電率が計測されることで界面活性剤が純水中に添加されたと判定する判定部を有している。
加工液中の導電率と界面活性剤の濃度とは図４に示すようなリニアな関係があり、導電率を測定することにより純水中に界面活性剤が添加された後の加工液の濃度を知ることができる。
Ｐは純水の導電率を示しており、導電率計８２で加工液中の導電率を計測することにより、加工液中の界面活性剤の濃度を知ることができる。例えば、濃度０％＜所定濃度≦０．１％では、伝導率１〜７０μＳ／ｃｍとなる。従って、導電率計８２で加工液の導電率を測定することにより、加工液中の界面活性剤の濃度を好ましい所定範囲に維持することができる。
上述した実施形態では、界面活性剤を使用したタンク８６を加工液供給装置２２内に設置しているが、タンク８６を加工液供給装置の外部に設置するようにしてもよい。清水タンクからイオン交換手段に送水される前に、紫外線照射手段によって清水の殺菌及び有機物の除去を行っても良い。
２ 切削装置
２０ 純水精製装置
２２ 加工液供給装置
２６ 純水供給源
３０ 廃液収容ユニット
３２ 濾過ユニット
３４ 清水収容ユニット
３６ 純水精製ユニット
３８ 温度調整ユニット
７８ 純水流路
８０ 流量計
８２ 導電率計
８４ 界面活性剤供給手段
８６ タンク
８８ ポンプ
９０ 供給流路
９２ 界面活性剤流量計
９４ 制御手段
２０ 純水精製装置
２２ 加工液供給装置
２６ 純水供給源
３０ 廃液収容ユニット
３２ 濾過ユニット
３４ 清水収容ユニット
３６ 純水精製ユニット
３８ 温度調整ユニット
７８ 純水流路
８０ 流量計
８２ 導電率計
８４ 界面活性剤供給手段
８６ タンク
８８ ポンプ
９０ 供給流路
９２ 界面活性剤流量計
９４ 制御手段
Claims (5)
- 純水に界面活性剤を添加して所定濃度の加工液を製造し該加工液を加工装置に供給する加工液供給装置と、チャックテーブルに保持した被加工物に該加工液を供給しつつ該被加工物を加工する加工装置と、該加工装置から排出される該加工液から加工屑及び該界面活性剤を含む不純物を除去して純水を精製し精製した純水を該加工液供給装置に供給する純水精製装置と、を備えた加工液循環型加工システムであって、
該加工液供給装置は、純水が流れる純水流路と、該純水流路の流量を測定する流量計と、該流量計より下流側で純水流路に該界面活性剤を供給する界面活性剤供給手段と、を含み、
該界面活性剤供給手段は、該純水の流量に対して該界面活性剤が所定の濃度になる所定量の該界面活性剤を供給し、
該純水流路を流れる純水と該界面活性剤が乱流で混合されることを特徴とする加工液循環型加工システム。 - 該界面活性剤供給手段は、該所定量の該界面活性剤を複数回に分けて供給することを特徴とする請求項１記載の加工液循環型加工システム。
- 該加工液供給装置は、該界面活性剤が供給された後の該純水流路を流れる純水の導電率を測定し、閾値を超える導電率が測定されることで該界面活性剤が添加されたと判定する判定部を有していることを特徴とする請求項１又は２記載の加工液循環型加工システム。
- 該界面活性剤供給手段は、界面活性剤供給源と、該純水流路と該界面活性剤供給源とを連通する供給流路と、該界面活性剤を該純水流路に注入する該供給流路に配設されたポンプと、該供給流路に配設された界面活性剤流量計と、を含み、
該流量計が計測した該純水流路を流れる純水の流量と該界面活性剤流量計が計測した該供給流路を流れる該界面活性剤の流量から、所定量の該界面活性剤が該純水流路を流れる純水中に添加されるよう該ポンプを制御することを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の加工液循環型加工システム。 - 該界面活性剤はポリカルボン酸のアルカリ塩を含むことを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の加工液循環型加工システム。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015046664A JP2016165771A (ja) | 2015-03-10 | 2015-03-10 | 加工液循環型加工システム |
| TW105103307A TW201641441A (zh) | 2015-03-10 | 2016-02-02 | 加工液循環型加工系統 |
| SG10201601073TA SG10201601073TA (en) | 2015-03-10 | 2016-02-15 | Process fluid circulation type processing system |
| US15/063,820 US20160263627A1 (en) | 2015-03-10 | 2016-03-08 | Process fluid circulation type processing system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015046664A JP2016165771A (ja) | 2015-03-10 | 2015-03-10 | 加工液循環型加工システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016165771A true JP2016165771A (ja) | 2016-09-15 |
Family
ID=56886385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015046664A Pending JP2016165771A (ja) | 2015-03-10 | 2015-03-10 | 加工液循環型加工システム |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20160263627A1 (ja) |
| JP (1) | JP2016165771A (ja) |
| SG (1) | SG10201601073TA (ja) |
| TW (1) | TW201641441A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018134714A (ja) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | 株式会社ディスコ | 加工液供給装置 |
| JP2020131354A (ja) * | 2019-02-19 | 2020-08-31 | 株式会社ディスコ | 加工液の循環システム |
| CN112318196A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-02-05 | 郑斋彬 | 一种数控机床用基于冷却液循环使用的辅助机构 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6887722B2 (ja) * | 2016-10-25 | 2021-06-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法及び切削装置 |
| JP7034543B2 (ja) * | 2017-10-13 | 2022-03-14 | 株式会社ディスコ | バイト切削装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008030153A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
| JP2008543577A (ja) * | 2005-06-13 | 2008-12-04 | バスフ エスイー | カラーフィルタ研磨用のスラリー組成物 |
| JP2009260020A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Kurita Water Ind Ltd | 電子材料用洗浄水、電子材料の洗浄方法及びガス溶解水の供給システム |
| JP5086123B2 (ja) * | 2008-02-15 | 2012-11-28 | 株式会社ディスコ | 加工廃液処理装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5722442A (en) * | 1994-01-07 | 1998-03-03 | Startec Ventures, Inc. | On-site generation of ultra-high-purity buffered-HF for semiconductor processing |
| JP2900788B2 (ja) * | 1994-03-22 | 1999-06-02 | 信越半導体株式会社 | 枚葉式ウェーハ処理装置 |
| JP5461918B2 (ja) * | 2009-08-19 | 2014-04-02 | 株式会社ディスコ | 加工廃液処理装置 |
| US8883701B2 (en) * | 2010-07-09 | 2014-11-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for wafer dicing and composition useful thereof |
| JP6227895B2 (ja) * | 2013-05-24 | 2017-11-08 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
-
2015
- 2015-03-10 JP JP2015046664A patent/JP2016165771A/ja active Pending
-
2016
- 2016-02-02 TW TW105103307A patent/TW201641441A/zh unknown
- 2016-02-15 SG SG10201601073TA patent/SG10201601073TA/en unknown
- 2016-03-08 US US15/063,820 patent/US20160263627A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008543577A (ja) * | 2005-06-13 | 2008-12-04 | バスフ エスイー | カラーフィルタ研磨用のスラリー組成物 |
| JP2008030153A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
| JP5086123B2 (ja) * | 2008-02-15 | 2012-11-28 | 株式会社ディスコ | 加工廃液処理装置 |
| JP2009260020A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Kurita Water Ind Ltd | 電子材料用洗浄水、電子材料の洗浄方法及びガス溶解水の供給システム |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018134714A (ja) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | 株式会社ディスコ | 加工液供給装置 |
| KR20180097452A (ko) * | 2017-02-23 | 2018-08-31 | 가부시기가이샤 디스코 | 가공액 공급 장치 |
| KR102342128B1 (ko) | 2017-02-23 | 2021-12-21 | 가부시기가이샤 디스코 | 가공액 공급 장치 |
| JP7015638B2 (ja) | 2017-02-23 | 2022-02-03 | 株式会社ディスコ | 加工液供給装置 |
| JP2020131354A (ja) * | 2019-02-19 | 2020-08-31 | 株式会社ディスコ | 加工液の循環システム |
| JP7337442B2 (ja) | 2019-02-19 | 2023-09-04 | 株式会社ディスコ | 加工液の循環システム |
| CN112318196A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-02-05 | 郑斋彬 | 一种数控机床用基于冷却液循环使用的辅助机构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20160263627A1 (en) | 2016-09-15 |
| SG10201601073TA (en) | 2016-10-28 |
| TW201641441A (zh) | 2016-12-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2016165771A (ja) | 加工液循環型加工システム | |
| JP4944558B2 (ja) | エッチング液の再生方法、エッチング方法およびエッチング装置 | |
| KR20160117292A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| JP5461918B2 (ja) | 加工廃液処理装置 | |
| JP2009214193A (ja) | 加工廃液処理装置 | |
| JP5563765B2 (ja) | 排水処理システム及び排水処理方法 | |
| KR20020031043A (ko) | 물체의 도금방법 및 시스템 | |
| CN107086188B (zh) | 一种晶元清洗装置 | |
| WO2013054576A1 (ja) | 加工廃液処理装置及び加工廃液処理方法 | |
| JP2015029951A (ja) | 洗浄システム及び洗浄液の浄化装置 | |
| EP1932601A1 (en) | System and method for scrubbing CMP slurry systems | |
| JP7343325B2 (ja) | 廃液処理装置 | |
| JP2019209417A (ja) | 純水リサイクルシステム | |
| US20140183132A1 (en) | Separation membrane cleaning system and separation membrane cleaning method using the same | |
| JP5770004B2 (ja) | 加工廃液処理装置 | |
| CN211688637U (zh) | 划片刀清洗冷却液回用装置 | |
| JP6408316B2 (ja) | 加工装置 | |
| JP2018153789A (ja) | 水処理システム | |
| JP2012223846A (ja) | 加工廃液処理装置 | |
| JP7339049B2 (ja) | 廃液処理装置 | |
| KR20190089731A (ko) | 가공 장치 | |
| JP2000117636A (ja) | 研磨方法及び研磨システム | |
| JP5356768B2 (ja) | 廃液処理装置 | |
| WO2013054577A1 (ja) | 加工廃液循環装置及び加工廃液循環方法 | |
| TW202227225A (zh) | 液體循環系統及研磨設備 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180129 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190221 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190305 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190422 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190903 |