WO2013054576A1 - 加工廃液処理装置及び加工廃液処理方法 - Google Patents

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努 吉田
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株式会社村田製作所
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Definitions

  • the present invention relates to a processing waste liquid processing apparatus and a processing waste liquid processing method for maintaining the conductivity of a processing liquid circulating in the apparatus within a certain range.
  • devices such as ICs and LSIs are formed in a plurality of regions on the surface of a substantially disk-shaped semiconductor wafer divided in a grid pattern on the planned dividing lines.
  • Each semiconductor device is manufactured by cutting the semiconductor wafer with a dicer or the like along the planned dividing line.
  • machining fluid When cutting along the division line, supply the machining fluid to the machining blade.
  • cutting waste may be mixed into the working fluid, and Li and the like of the semiconductor wafer may be eluted as ions, and the electrodes and pattern surface of the semiconductor wafer may be eluted.
  • Patent Document 1 discloses a processing waste liquid treatment apparatus including a waste liquid storage tank, a fresh water storage tank, a precision filter, an ion exchange resin, a pump, and the like.
  • the used processing liquid is passed through an ion exchange resin, so that it can be purified to a pure water level and reused. Therefore, the refined processing liquid in which no impurities are mixed is stored in the fresh water storage tank, and the processing liquid can be maintained at a certain quality or higher.
  • Patent Document 2 discloses a processing water specific resistance value control system capable of maintaining the specific resistance value of processing water at a predetermined value by mixing carbon dioxide into pure water.
  • the processing waste liquid treatment apparatus disclosed in Patent Document 1 always passes a used processing liquid through an ion exchange resin. Therefore, the electrical conductivity of the machining fluid is almost zero. When cutting with the conductivity of the machining fluid being almost zero, there has been a problem that corrosion may occur on the electrode, pattern surface, etc. of the workpiece such as a semiconductor wafer.
  • the machining water resistivity control system disclosed in Patent Document 2 can maintain the machining water resistivity at a predetermined value.
  • the specific resistance value of the processing water can be increased but cannot be decreased. Therefore, it can be controlled only to lower the electrical conductivity, which is the reciprocal of the specific resistance value, and the possibility of corrosion occurring on the electrode, pattern surface, etc. of the workpiece such as a semiconductor wafer cannot be reduced.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a processing waste liquid processing apparatus and a processing waste liquid processing method capable of maintaining the electrical conductivity of a processing liquid within a predetermined range.
  • a processing waste liquid processing apparatus is a processing waste liquid processing apparatus that supplies a processing liquid to a processing apparatus and supplies a used processing liquid to the processing apparatus again.
  • a control unit that determines whether or not the rate is within a predetermined range, and that sends an instruction to open a path to the ion exchange unit when the conductivity is determined to be outside the predetermined range.
  • the ion exchange means for ion exchange of the used machining fluid and the conductivity measurement means for measuring the conductivity of the machining fluid are provided before the ion exchange means in the circulation path of the used machining fluid.
  • an instruction to open a path to the ion exchange means is sent, so that the ion exchange is performed only when it is determined that the measured conductivity is outside the predetermined range. Can do. Therefore, it is possible to prevent the electrical conductivity of the machining fluid from decreasing to 0, and it is possible to prevent the corrosion of the electrode, pattern surface, etc. of the workpiece such as a semiconductor wafer. .
  • the processing apparatus is a dicing apparatus, and a tank for storing a used processing liquid and a processing liquid stored in the tank are sent to the ion exchange means.
  • a pump and a valve provided between the tank and the ion exchange means for opening and closing the path of the processing liquid, and the control means determines that the conductivity is outside a predetermined range. It is preferable to send an instruction to open the valve and drive the pump.
  • the valve when it is determined that the conductivity is outside the predetermined range, the valve is opened and the pump is driven so that the ion exchange can be performed only when the conductivity is determined to be outside the predetermined range. . Therefore, it is possible to prevent the electrical conductivity of the machining fluid from decreasing to 0, and it is possible to prevent the corrosion of the electrode, pattern surface, etc. of the workpiece such as a semiconductor wafer. .
  • the processing waste liquid processing method is performed by a processing waste liquid processing apparatus that supplies the processing liquid to the processing apparatus and supplies the used processing liquid again to the processing apparatus.
  • a process for measuring the conductivity of a used machining liquid a process for determining whether the measured conductivity is within a predetermined range, and a measured conductivity. Is determined to be outside the predetermined range, the process of starting the ion exchange of the used machining fluid, and the ion of the used machining fluid when the measured conductivity is judged to be within the predetermined range. And a step of canceling the exchange.
  • the conductivity of the used machining fluid is measured, and it is determined whether or not the measured conductivity is within a predetermined range.
  • ion exchange of the used machining fluid is started, and when it is determined that the measured conductivity is within the specified range, the used processing Stop liquid ion exchange.
  • the ion exchanging means for exchanging the used machining fluid and the conductivity measuring means for measuring the conductivity of the machining fluid before the ion exchanging means in the circulation path of the used machining fluid Have. When it is determined that the measured conductivity is outside the predetermined range, an instruction to open a path to the ion exchange means is sent, so that the ion exchange is performed only when it is determined that the measured conductivity is outside the predetermined range. Can do. Therefore, it is possible to prevent the electrical conductivity of the machining fluid from decreasing to 0, and it is possible to prevent the corrosion of the electrode, pattern surface, etc. of the workpiece such as a semiconductor wafer. .
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing a configuration of a conventional processing waste liquid treatment apparatus.
  • the conventional processing waste liquid processing apparatus includes a supply path 11 and a supply pump 12 for supplying a processing liquid to a plurality of dicing apparatuses (processing apparatuses) 1.
  • the working fluid is not particularly limited as long as the amount of heat generated during dicing, friction, and the like can be reduced.
  • a solution obtained by adding an aliphatic polyhydric alcohol as a solvent to pure water may be used.
  • the semiconductor wafer is cut by a dicer or the like.
  • the used machining fluid containing cutting waste and the like is stored in the raw water tank 14 through the discharge path 13.
  • the used machining fluid stored in the raw water tank 14 may be discarded as it is, and the machining fluid may be newly supplied from the supply tank 15 to the dicing device (processing device) 1 or may be reused by the processing waste fluid circulation device. May be.
  • the used machining fluid stored in the raw water tank 14 is pumped up by the raw water pump 16 and sent to the filter device 17.
  • a filter such as a hollow fiber membrane as the filter device 17
  • impurities such as cutting waste contained in the used machining fluid can be eliminated.
  • the conductivity of the machining fluid is lowered by allowing the used machining fluid from which impurities have been removed by the filter device 17 to pass through the ion exchange device 18 (ion exchange).
  • the machining fluid after the ion exchange is temporarily stored in the buffer tank 19 and supplied to the supply tank 15 according to the remaining amount of the machining fluid in the supply tank 15.
  • the conductivity approaches zero as much as possible.
  • corrosion may occur on the electrode, pattern surface, or the like of a workpiece such as a semiconductor wafer.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a processing waste liquid treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • the processing waste liquid treatment apparatus includes a supply path 11 and a supply pump 12 for supplying a processing liquid to a plurality of dicing apparatuses (processing apparatuses) 1.
  • the semiconductor wafer is cut by a dicer or the like.
  • the used machining fluid containing cutting waste and the like is stored in the raw water tank 14 through the discharge path 13.
  • the used processing fluid stored in the raw water tank 14 is pumped up by the raw water pump 16 and sent to the filter device 17.
  • a filter such as a hollow fiber membrane as the filter device 17
  • impurities such as cutting waste contained in the used machining fluid can be eliminated.
  • the used processing liquid from which impurities are removed by the filter device 17 is temporarily stored in a buffer tank (tank) 19.
  • a conductivity meter (conductivity measuring means) 20 for measuring the conductivity of the machining fluid is provided in the buffer tank 19.
  • the control device (control means) 30 acquires the value (conductivity) measured by the conductivity meter 20 as a detection signal, and determines whether or not the conductivity of the used machining fluid is within a predetermined range. When the control device 30 determines that the conductivity of the used machining fluid is out of the predetermined range, an electromagnetic opening / closing provided between the buffer tank 19 and the ion exchange device 18 to adjust the conductivity. The valve (valve) 32 is opened and the pump 31 is driven to supply the used machining fluid to the ion exchange device (ion exchange means) 18. By passing it through the ion exchange device 18, the conductivity of the working fluid can be lowered.
  • FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of the control device 30 of the processing waste liquid treatment apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • the control device 30 is configured by a computer, and includes at least a CPU 301 that performs arithmetic processing according to a control program, a memory 302 that stores a control program, a storage device 303, an input interface 304, and an output interface 305. ing.
  • the detection signal and the input signal from the conductivity meter 20, the input device 306, and the like are input to the input interface 304.
  • a control signal is sent to a pump 31 that supplies used machining fluid to the ion exchange device 18 and an electromagnetic on-off valve 32 that opens and closes the path to the ion exchange device 18.
  • FIG. 3 is a flowchart showing a processing procedure of the CPU 301 of the control device 30 of the processing waste liquid processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • the CPU 301 of the control device 30 acquires the measured conductivity from the conductivity meter 20 as a detection signal (step S301), and determines whether or not the acquired conductivity is within a predetermined range (step S301). Step S302).
  • the predetermined range of the conductivity is not particularly limited, but is preferably in the range of 10 ⁇ S / cm to 500 ⁇ S / cm, for example.
  • step S302 determines that the acquired conductivity is outside the predetermined range
  • step S302 transmits an instruction signal for driving the pump 31 and opening the electromagnetic on-off valve 32 (step S303). Start the exchange.
  • step S302 determines that the acquired conductivity is within the predetermined range
  • step S304 transmits an instruction signal to stop the pump 31 and close the electromagnetic on-off valve 32 (step S304). Cancel the exchange.
  • the CPU 301 determines whether or not processing has been completed in all the dicing apparatuses (processing apparatuses) 1 (step S305), and when the CPU 301 determines that there is a dicing apparatus 1 that has not finished processing (step S305). : NO), CPU301 returns a process to step S301, and repeats the process mentioned above.
  • step S305 YES
  • the CPU 301 ends the processing.
  • the machining fluid passed through the filter device 17 and / or the ion exchange device 18 is temporarily stored in the buffer tank 19 and is supplied to the supply tank 15 according to the remaining amount of the machining fluid in the supply tank 15.
  • the conductivity meter 20 for measuring the conductivity of the machining fluid is provided in front of the ion exchange device 18 in the circulation path of the used machining fluid.
  • the control device 30 sends an instruction to open the path to the ion exchange device 18, so that it is determined that the measured conductivity is out of the predetermined range. Ion exchange can only be done when Therefore, it is possible to prevent the electrical conductivity of the machining fluid from decreasing to 0, and it is possible to prevent the corrosion of the electrode, pattern surface, etc. of the workpiece such as a semiconductor wafer. .
  • the process ends when it is determined in step S305 that all the dicing apparatuses (processing apparatuses) 1 have finished processing, but it is the case where it is determined that processing has ended.
  • the supply pump 12 and the raw water tank 14 are connected by a pipe (not shown), and the machining fluid path is opened and closed between the supply pump 12 and the raw water tank 14 (electromagnetic) on / off valve (not shown). )).
  • the above-described processing is continued while opening the on-off valve and circulating the processing liquid through the supply pump 12, the raw water tank 14, the raw water pump 16, the filter device 17, the buffer tank 19, the ion exchange device 18, and the supply tank 15. Also good.

Abstract

　加工液の導電率を所定の範囲内に維持することができる加工廃液処理装置及び加工廃液処理方法を提供する。　加工装置１へ加工液を供給し、使用済みの加工液を加工装置１へ再度供給する。使用済みの加工液をイオン交換するイオン交換手段１８と、使用済みの加工液の循環経路におけるイオン交換手段１８の手前に、前記加工液の導電率を計測する導電率計測手段２０とを有する。制御手段３０は、導電率計測手段２０で計測された導電率が所定範囲内であるか否かを判断し、導電率が所定範囲外であると判断した場合に、イオン交換手段１８への経路を開く指示を送出する。

Description

加工廃液処理装置及び加工廃液処理方法
　本発明は、装置内を循環する加工液の導電率を一定範囲内に維持する加工廃液処理装置及び加工廃液処理方法に関する。
　半導体デバイスを製造する場合、分割予定ラインで格子状に区分けされた、略円盤形状の半導体ウエハの表面の複数の領域に、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、分割予定ラインに沿って、ダイサー等により半導体ウエハを切削加工することにより、個々の半導体デバイスを製造している。
　分割予定ラインに沿って切削加工する場合、加工用のブレードに加工液を供給する。ブレードによる切削加工により、加工液に切削屑が混入するとともに半導体ウエハのＬｉ等がイオンとして溶出し、半導体ウエハの電極、パターン表面等が溶出するおそれがあった。
　そこで、例えば特許文献１には、廃液収容タンク、清水貯水タンク、精密なフィルタ、イオン交換樹脂、ポンプ等で構成される加工廃液処理装置が開示されている。特許文献１に開示されている加工廃液処理装置では、使用済みの加工液をイオン交換樹脂に通過させることにより、純水レベルにまで精製して再利用することができる。したがって、清水貯水タンクには不純物が混入していない精製された加工液が貯留され、加工液を一定以上の品質に維持することができる。
　また、特許文献２では、純水に二酸化炭素を混入することにより、加工水の比抵抗値を所定の値に維持することができる加工水比抵抗値コントロールシステムが開示されている。
特開２００９－２１４１９３号公報 特開２０００－１９８０４４号公報
　特許文献１に開示してある加工廃液処理装置は、使用済みの加工液を常にイオン交換樹脂に通過させている。したがって、加工液の導電率はほぼ０になる。加工液の導電率がほぼ０の状態で切削した場合、半導体ウエハ等の被切削物の電極、パターン表面等に腐食が生じるおそれがあるという問題点があった。
　また、特許文献２に開示してある加工水比抵抗値コントロールシステムは、加工水の比抵抗値を所定の値に維持することはできる。しかし、使用済みの加工水を再利用する場合、加工水の比抵抗値を上げることはできても下げることはできない。したがって、比抵抗値の逆数である導電率を下げるようにしか制御することができず、半導体ウエハ等の被切削物の電極、パターン表面等に腐食が生じる可能性を低減することはできない。
　本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、加工液の導電率を所定の範囲内に維持することができる加工廃液処理装置及び加工廃液処理方法を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために本発明に係る加工廃液処理装置は、加工装置へ加工液を供給し、使用済みの加工液を前記加工装置へ再度供給する加工廃液処理装置であって、使用済みの加工液をイオン交換するイオン交換手段と、使用済みの加工液の循環経路における前記イオン交換手段の手前に、前記加工液の導電率を計測する導電率計測手段とを有し、計測された導電率が所定範囲内であるか否かを判断し、前記導電率が所定範囲外であると判断した場合に、前記イオン交換手段への経路を開く指示を送出する制御手段を備えることを特徴とする。
　上記構成では、使用済みの加工液をイオン交換するイオン交換手段と、使用済みの加工液の循環経路におけるイオン交換手段の手前に、加工液の導電率を計測する導電率計測手段とを有する。計測された導電率が所定範囲外であると判断した場合に、イオン交換手段への経路を開く指示を送出するので、計測された導電率が所定範囲外であると判断した場合にのみイオン交換をすることができる。したがって、加工液の導電率が０にまで下がることを未然に回避することができ、半導体ウエハ等の被切削物の電極、パターン表面等に腐食が生じるのを未然に防止することが可能となる。
　また、本発明に係る加工廃液処理装置は、前記加工装置は、ダイシング装置であり、使用済みの加工液を貯留するタンクと、該タンク内に貯留された加工液を前記イオン交換手段へ送出するポンプと、前記タンクと前記イオン交換手段との間に設けてある、前記加工液の経路を開閉するバルブとを備え、前記制御手段は、前記導電率が所定範囲外であると判断した場合に、前記バルブを開き、前記ポンプを駆動する指示を送出することが好ましい。
　上記構成では、導電率が所定範囲外であると判断した場合に、バルブを開き、ポンプを駆動させることにより、導電率が所定範囲外であると判断した場合にのみイオン交換をすることができる。したがって、加工液の導電率が０にまで下がることを未然に回避することができ、半導体ウエハ等の被切削物の電極、パターン表面等に腐食が生じるのを未然に防止することが可能となる。
　次に、上記目的を達成するために本発明に係る加工廃液処理方法は、加工装置へ加工液を供給し、使用済みの加工液を前記加工装置へ再度供給する加工廃液処理装置で実行することが可能な加工廃液処理方法であって、使用済みの加工液の導電率を計測する工程と、計測された導電率が所定範囲内であるか否かを判断する工程と、計測された導電率が所定範囲外であると判断した場合に、使用済みの加工液のイオン交換を開始する工程と、計測された導電率が所定範囲内であると判断した場合に、使用済みの加工液のイオン交換を中止する工程とを含むことを特徴とする。
　上記構成では、使用済みの加工液の導電率を計測し、計測された導電率が所定範囲内であるか否かを判断する。計測された導電率が所定範囲外であると判断した場合に、使用済みの加工液のイオン交換を開始し、計測された導電率が所定範囲内であると判断した場合に、使用済みの加工液のイオン交換を中止する。これにより、計測された導電率が所定範囲外であると判断した場合にのみイオン交換をすることができるので、加工液の導電率が０にまで下がることを未然に回避することができ、半導体ウエハ等の被切削物の電極、パターン表面等に腐食が生じるのを未然に防止することが可能となる。
　上記構成によれば、使用済みの加工液をイオン交換するイオン交換手段と、使用済みの加工液の循環経路におけるイオン交換手段の手前に、加工液の導電率を計測する導電率計測手段とを有する。計測された導電率が所定範囲外であると判断した場合に、イオン交換手段への経路を開く指示を送出するので、計測された導電率が所定範囲外であると判断した場合にのみイオン交換をすることができる。したがって、加工液の導電率が０にまで下がることを未然に回避することができ、半導体ウエハ等の被切削物の電極、パターン表面等に腐食が生じるのを未然に防止することが可能となる。
本発明の実施の形態に係る加工廃液処理装置の構成を示す模式図である。 本発明の実施の形態に係る加工廃液処理装置の制御装置の構成を示すブロック図である。 本発明の実施の形態に係る加工廃液処理装置の制御装置のＣＰＵの処理手順を示すフローチャートである。 従来の加工廃液処理装置の構成を示す模式図である。
　以下、本発明の実施の形態における加工廃液処理装置について、図面を用いて具体的に説明する。以下の実施の形態は、請求の範囲に記載された発明を限定するものではなく、実施の形態の中で説明されている特徴的事項の組み合わせの全てが解決手段の必須事項であるとは限らないことは言うまでもない。
　図４は、従来の加工廃液処理装置の構成を示す模式図である。図４に示すように、従来の加工廃液処理装置は、複数のダイシング装置（加工装置）１に加工液を供給する供給経路１１及び供給ポンプ１２を備えている。なお、加工液は、ダイシング時に発生する熱量、摩擦等を低減することができれば特に限定されるものではないが、例えば純水に溶媒として脂肪族多価アルコールを添加したものを用いれば良い。
　ダイシング装置１では、ダイサー等により半導体ウエハを切削加工する。切削屑等が含まれた使用済みの加工液は、排出経路１３を通って原水槽１４に貯留される。原水槽１４に貯留された使用済みの加工液はそのまま廃棄して、供給タンク１５からダイシング装置（加工装置）１へ新たに加工液を供給しても良いし、加工廃液循環装置により再利用しても良い。
　使用済みの加工液を再利用する場合、原水槽１４に貯留された使用済みの加工液を原水ポンプ１６で汲み上げてフィルタ装置１７へ送出する。フィルタ装置１７として、例えば中空糸膜等のフィルタを用いることで、使用済みの加工液に含まれる切削屑等の不純物を排除することができる。
　使用済みの加工液は、切削加工時に半導体ウエハ等の被切削物のＬｉ等がＬｉ+ イオンとして溶出しており、導電率が高くなっている。そこで、フィルタ装置１７で不純物を排除した使用済みの加工液を、イオン交換装置１８に通過させること（イオン交換）により、加工液の導電率を下げている。
　イオン交換後の加工液は、バッファタンク１９に一旦貯留され、供給タンク１５内の加工液の残量に応じて供給タンク１５へと供給される。
　しかし、使用済みの加工液は常にイオン交換をすることになるので、導電率は限りなく０に近づく。加工液の導電率が０に近い状態で切削加工した場合、半導体ウエハ等の被切削物の電極、パターン表面等に腐食が生じるおそれがある。
　そこで、本実施の形態に係る加工廃液処理装置では、使用済みの加工液の導電率を計測して、計測した導電率に応じてイオン交換するか否かを制御するようにしてある。図１は、本発明の実施の形態に係る加工廃液処理装置の構成を示す模式図である。
　図１に示すように、本実施の形態に係る加工廃液処理装置は、複数のダイシング装置（加工装置）１に加工液を供給する供給経路１１及び供給ポンプ１２を備えている。
　ダイシング装置１では、ダイサー等により半導体ウエハを切削加工する。切削屑等が含まれた使用済みの加工液は、排出経路１３を通って原水槽１４に貯留される。原水槽１４に貯留された使用済みの加工液は、原水ポンプ１６で汲み上げられ、フィルタ装置１７へ送出される。フィルタ装置１７として、例えば中空糸膜等のフィルタを用いることで、使用済みの加工液に含まれる切削屑等の不純物を排除することができる。
　フィルタ装置１７で不純物を排除した使用済みの加工液は、バッファタンク（タンク）１９に一旦貯留される。バッファタンク１９内には、加工液の導電率を計測する導電率計（導電率計測手段）２０を備えている。
　制御装置（制御手段）３０は、導電率計２０で計測した値（導電率）を検出信号として取得して、使用済みの加工液の導電率が所定範囲内であるか否かを判断する。制御装置３０は、使用済みの加工液の導電率が所定範囲外であると判断した場合には、導電率を調整するべく、バッファタンク１９とイオン交換装置１８との間に設けられた電磁開閉弁（バルブ）３２を開いてポンプ３１を駆動させ、使用済みの加工液をイオン交換装置（イオン交換手段）１８へ供給する。イオン交換装置１８に通過させることにより、加工液の導電率を下げることができる。
　図２は、本発明の実施の形態に係る加工廃液処理装置の制御装置３０の構成を示すブロック図である。図２に示すように、制御装置３０はコンピュータによって構成されており、少なくとも制御プログラムに従って演算処理するＣＰＵ３０１、制御プログラム等を記憶するメモリ３０２、記憶装置３０３、入力インタフェース３０４、及び出力インタフェース３０５を備えている。
　入力インタフェース３０４には、導電率計２０、入力装置３０６等からの検出信号、入力信号が入力される。出力インタフェース３０５からは、供給ポンプ１２、原水ポンプ１６の他、イオン交換装置１８へ使用済みの加工液を供給するポンプ３１、イオン交換装置１８への経路を開閉する電磁開閉弁３２へ制御信号を出力する。
　図３は、本発明の実施の形態に係る加工廃液処理装置の制御装置３０のＣＰＵ３０１の処理手順を示すフローチャートである。図３において、制御装置３０のＣＰＵ３０１は、導電率計２０から、計測された導電率を検出信号として取得し（ステップＳ３０１）、取得した導電率が所定範囲内であるか否かを判断する（ステップＳ３０２）。
　導電率の所定範囲は、特に限定されるものではないが、例えば１０μＳ／ｃｍ～５００μＳ／ｃｍの範囲であることが好ましい。
　ＣＰＵ３０１が、取得した導電率が所定範囲外であると判断した場合（ステップＳ３０２：ＮＯ）、ＣＰＵ３０１は、ポンプ３１を駆動し、電磁開閉弁３２を開く指示信号を送信し（ステップＳ３０３）、イオン交換を開始する。ＣＰＵ３０１が、取得した導電率が所定範囲内であると判断した場合（ステップＳ３０２：ＹＥＳ）、ＣＰＵ３０１は、ポンプ３１を停止し、電磁開閉弁３２を閉じる指示信号を送信し（ステップＳ３０４）、イオン交換を中止する。
　ＣＰＵ３０１は、すべてのダイシング装置（加工装置）１における加工を終了したか否かを判断し（ステップＳ３０５）、ＣＰＵ３０１が、まだ加工を終了していないダイシング装置１が存在すると判断した場合（ステップＳ３０５：ＮＯ）、ＣＰＵ３０１は、処理をステップＳ３０１へ戻して、上述した処理を繰り返す。ＣＰＵ３０１が、すべてのダイシング装置（加工装置）１における加工を終了したと判断した場合（ステップＳ３０５：ＹＥＳ）、ＣＰＵ３０１は、処理を終了する。
　フィルタ装置１７及び／又はイオン交換装置１８に通過させた加工液は、バッファタンク１９に一旦貯留され、供給タンク１５内の加工液の残量に応じて供給タンク１５へと供給される。
　以上のように本実施の形態によれば、使用済みの加工液の循環経路におけるイオン交換装置１８の手前に、加工液の導電率を計測する導電率計２０を有し、導電率計２０で計測された導電率が所定範囲外であると判断した場合に、制御装置３０は、イオン交換装置１８への経路を開く指示を送出するので、計測された導電率が所定範囲外であると判断した場合にのみイオン交換をすることができる。したがって、加工液の導電率が０にまで下がることを未然に回避することができ、半導体ウエハ等の被切削物の電極、パターン表面等に腐食が生じるのを未然に防止することが可能となる。
　なお、上述した実施の形態では、ステップＳ３０５にてすべてのダイシング装置（加工装置）１における加工を終了したと判断した場合に処理を終了しているが、加工を終了したと判断した場合であっても上述した処理を続行することが可能である。例えば、供給ポンプ１２と原水槽１４とを配管（図示せず）で連結しておき、供給ポンプ１２と原水槽１４との間に、加工液の経路を開閉する（電磁）開閉弁（図示せず）を設けておく。該開閉弁を開いて、加工液を供給ポンプ１２、原水槽１４、原水ポンプ１６、フィルタ装置１７、バッファタンク１９、イオン交換装置１８、供給タンク１５と循環させながら、上述した処理を続行しても良い。
　その他、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲内であれば多種の変形、置換等が可能であることは言うまでもない。
　１　ダイシング装置（加工装置）
　１４　原水槽
　１７　フィルタ装置
　１８　イオン交換装置（イオン交換手段）
　１９　バッファタンク（タンク）
　２０　導電率計（導電率計測手段）
　３０　制御装置（制御手段）
　３１　ポンプ
　３２　電磁開閉弁（バルブ）

Claims (3)

  1. 　加工装置へ加工液を供給し、使用済みの加工液を前記加工装置へ再度供給する加工廃液処理装置であって、
    　使用済みの加工液をイオン交換するイオン交換手段と、
    　使用済みの加工液の循環経路における前記イオン交換手段の手前に、前記加工液の導電率を計測する導電率計測手段と
    　を有し、
    　計測された導電率が所定範囲内であるか否かを判断し、前記導電率が所定範囲外であると判断した場合に、前記イオン交換手段への経路を開く指示を送出する制御手段を備えることを特徴とする加工廃液処理装置。
  2. 　前記加工装置は、ダイシング装置であり、
    　使用済みの加工液を貯留するタンクと、
    　該タンク内に貯留された加工液を前記イオン交換手段へ送出するポンプと、
    　前記タンクと前記イオン交換手段との間に設けてある、前記加工液の経路を開閉するバルブと
    　を備え、
    　前記制御手段は、前記導電率が所定範囲外であると判断した場合に、前記バルブを開き、前記ポンプを駆動する指示を送出することを特徴とする請求項１に記載の加工廃液処理装置。
  3. 　加工装置へ加工液を供給し、使用済みの加工液を前記加工装置へ再度供給する加工廃液処理装置で実行することが可能な加工廃液処理方法であって、
    　使用済みの加工液の導電率を計測する工程と、
    　計測された導電率が所定範囲内であるか否かを判断する工程と、
    　計測された導電率が所定範囲外であると判断した場合に、使用済みの加工液のイオン交換を開始する工程と、
    　計測された導電率が所定範囲内であると判断した場合に、使用済みの加工液のイオン交換を中止する工程と
    　を含むことを特徴とする加工廃液処理方法。
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