JP7126927B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、プラズマディスプレイ用基板、有機ＥＬ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板および太陽電池用基板などの基板に対して処理液によってエッチング処理を施す技術に関する。

処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬させることで基板にエッチング処理を施す基板処理装置がある（例えば、特許文献１など）。ここでは、例えば、基板の表面に形成された窒化珪素の膜を、燐酸（Ｈ_３ＰＯ_４）の水溶液（燐酸水溶液）などの処理液で溶出させる処理（エッチング処理）が行われる。この装置では、例えば、処理槽に対してポンプとヒータとフィルタとを有する処理液を循環させる循環ラインが設けられる。また、処理槽において処理液による基板のエッチング処理が行われると、処理槽に貯留された処理液において基板から溶出した溶出成分の濃度が上昇し得る。そして、例えば、溶出成分の濃度が高い処理液については、廃棄ラインによって基板処理装置の外に排出される。

特開２０１８－６６２３号公報

ところで、特許文献１などに記載された基板処理装置では、例えば、エッチング処理に使用された処理液は、処理槽から冷却タンクに送られ、この冷却タンクで冷却された後に、廃棄ラインによって基板処理装置の外に排出される。この場合には、例えば、廃棄ラインにおいて、処理液における基板の溶出成分が結晶化して、廃棄ラインが詰まるなどの不具合が生じる場合がある。

例えば、基板の表面に形成された窒化珪素の膜に燐酸水溶液などの処理液によってエッチング処理を施す場合には、処理対象となる基板の枚数およびエッチング処理の時間などに応じて、基板から溶出したシリコンが燐酸水溶液中に蓄積していく。そして、燐酸水溶液中におけるシリコンの濃度（シロキサン（ＳｉＯ_２成分）濃度ともいう）が高くなる。ここで、例えば、燐酸水溶液が、処理槽から冷却タンクに送られ、この冷却タンクで冷却された後に、廃棄ラインによって基板処理装置の外に排出する場合には、廃棄ラインにおいて、燐酸水溶液におけるシロキサンが結晶化して、廃棄ラインが詰まる不具合が生じるおそれがある。

このような廃棄ラインが詰まる不具合が生じると、例えば、廃棄ラインの詰まりを解消するまで、基板処理装置を使用することができなくなる。

このような問題は、処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬させることで基板にエッチング処理を施す、いわゆるバッチ式の基板処理装置に限られず、ノズルから基板に処理液を吐出して処理液を用いたエッチング処理を基板に施す、いわゆる枚葉式の基板処理装置など、基板処理装置一般にも共通する。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、処理部から基板処理装置外へ処理液を排出する経路において処理液における基板からの溶出成分の結晶化が生じにくい基板処理技術を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、第１の態様に係る基板処理装置は、処理部、液供給部、液排出部、液補充部および制御部を備える。前記処理部は、処理液によって基板に対するエッチング処理を行う。前記液供給部は、前記処理部に前記処理液を供給する液供給管部を有する。前記液排出部は、前記処理部において前記基板に対する前記エッチング処理に使用された後の第１処理液を前記処理部から前記基板処理装置の外まで排出するための液排出管部を有する。前記液補充部は、前記基板を構成する成分の溶解濃度が前記第１処理液よりも低い第２処理液を前記液排出部に補充することで前記第１処理液と前記第２処理液とを混ぜて混合溶液を生成するために、前記液排出部に接続された液補充管部を有する。前記制御部は、前記液供給部による前記処理部への前記処理液の供給と、前記液補充部による前記液排出部への前記第２処理液の補充と、を制御する。前記液供給部は、前記処理部に前記第２処理液を供給する。
第２の態様に係る基板処理装置は、処理部、液供給部、液排出部、液補充部および制御部を備える。前記処理部は、処理液によって基板に対するエッチング処理を行う。前記液供給部は、前記処理部に前記処理液を供給する液供給管部を有する。前記液排出部は、前記処理部において前記基板に対する前記エッチング処理に使用された後の第１処理液を前記処理部から前記基板処理装置の外まで排出するための液排出管部を有する。前記液補充部は、前記基板を構成する成分の溶解濃度が前記第１処理液よりも低い第２処理液を前記液排出部に補充することで前記第１処理液と前記第２処理液とを混ぜて混合溶液を生成するために、前記液排出部に接続された液補充管部を有する。前記制御部は、前記液供給部による前記処理部への前記処理液の供給と、前記液補充部による前記液排出部への前記第２処理液の補充と、を制御する。前記処理部は、前記液供給部からの前記処理液の供給に応じて前記第１処理液を前記液排出部に排出し、前記制御部は、前記処理部によって前記基板に対する前記エッチング処理を行う際に、前記液供給部による前記処理部への前記処理液の２回以上の供給と、前記液補充部による前記液排出部への前記第２処理液の２回以上の補充と、を同期させて実行させる。
第３の態様に係る基板処理装置は、処理部、液供給部、液排出部、液補充部および制御部を備える。前記処理部は、処理液によって基板に対するエッチング処理を行う。前記液供給部は、前記処理部に前記処理液を供給する液供給管部を有する。前記液排出部は、前記処理部において前記基板に対する前記エッチング処理に使用された後の第１処理液を前記処理部から前記基板処理装置の外まで排出するための液排出管部を有する。前記液補充部は、前記基板を構成する成分の溶解濃度が前記第１処理液よりも低い第２処理液を前記液排出部に補充することで前記第１処理液と前記第２処理液とを混ぜて混合溶液を生成するために、前記液排出部に接続された液補充管部を有する。前記制御部は、前記液供給部による前記処理部への前記処理液の供給と、前記液補充部による前記液排出部への前記第２処理液の補充と、を制御する。前記処理部は、前記液供給部からの前記処理液の供給に応じて前記第１処理液を前記液排出部に排出し、前記制御部は、前記処理部によって前記基板に対する前記エッチング処理を行う前に、前記液補充部による前記液排出部への前記第２処理液の少なくとも１回補充、を実行させ、前記処理部によって前記基板に対する前記エッチング処理を行う際に、前記液供給部による前記処理部への前記処理液の供給と、前記液補充部による前記液排出部への前記第２処理液の補充と、を実行させる。
第４の態様に係る基板処理装置は、処理部、液供給部、液排出部、液補充部および制御部を備える。前記処理部は、処理液によって基板に対するエッチング処理を行う。前記液供給部は、前記処理部に前記処理液を供給する液供給管部を有する。前記液排出部は、前記処理部において前記基板に対する前記エッチング処理に使用された後の第１処理液を前記処理部から前記基板処理装置の外まで排出するための液排出管部を有する。前記液補充部は、前記基板を構成する成分の溶解濃度が前記第１処理液よりも低い第２処理液を前記液排出部に補充することで前記第１処理液と前記第２処理液とを混ぜて混合溶液を生成するために、前記液排出部に接続された液補充管部を有する。前記制御部は、前記液供給部による前記処理部への前記処理液の供給と、前記液補充部による前記液排出部への前記第２処理液の補充と、を制御する。前記液排出部は、さらに前記第１処理液を冷却する冷却タンクを含み、前記液排出管部は、前記処理部と前記冷却タンクとを接続している第１部分と、前記冷却タンクに接続されており、前記基板処理装置の外まで液を排出するための第２部分と、を含む。
第５の態様に係る基板処理装置は、第４の態様に係る基板処理装置であって、前記制御部は、前記処理部による前記基板に対する前記エッチング処理が実行された後であって、次の前記処理部による前記基板に対する前記エッチング処理が実行されるまでの期間に、所定のタイミングで前記液補充部によって前記液排出部への前記第２処理液の補充を実行させ、前記液排出部は、前記冷却タンクに貯留されている液の貯留量を検出する検出部、をさらに含み、前記制御部は、前記検出部によって前記貯留量が第２閾値に到達していることが検出されれば、前記所定のタイミングでの前記液補充部による前記液排出部への前記第２処理液の補充の実行を禁止する。
第６の態様に係る基板処理装置は、第４の態様に係る基板処理装置であって、前記液排出部は、前記冷却タンクに貯留されている液の貯留量を検出する検出部、をさらに含み、前記処理部は、前記液供給部からの前記処理液の供給に応じて前記第１処理液を前記液排出部に排出し、前記制御部は、前記検出部によって前記貯留量が第１閾値に到達していることが検出されれば、前記処理部による前記基板に対する前記エッチング処理の実行を禁止する。

第７の態様に係る基板処理装置は、第１から第６の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記液補充部は、前記第２処理液を前記第１処理液に混ぜることで、前記混合溶液における前記基板を構成する成分の溶解濃度を溶解度未満とする。

第８の態様に係る基板処理装置は、第１から第７の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記処理液は、燐酸水溶液を含み、前記基板は、窒化珪素の膜を有し、前記エッチング処理は、前記燐酸水溶液によって前記窒化珪素の膜を溶解させる処理を含む。

第９の態様に係る基板処理装置は、第２から第６の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記液供給部は、前記処理部に前記第２処理液を供給する。

第１０の態様に係る基板処理装置は、第３から第６の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記処理部は、前記液供給部からの前記処理液の供給に応じて前記第１処理液を前記液排出部に排出し、前記制御部は、前記処理部によって前記基板に対する前記エッチング処理を行う際に、前記液供給部による前記処理部への前記処理液の２回以上の供給と、前記液補充部による前記液排出部への前記第２処理液の２回以上の補充と、を同期させて実行させる。

第１１の態様に係る基板処理装置は、第４から第６の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記処理部は、前記液供給部からの前記処理液の供給に応じて前記第１処理液を前記液排出部に排出し、前記制御部は、前記処理部によって前記基板に対する前記エッチング処理を行う前に、前記液補充部による前記液排出部への前記第２処理液の少なくとも１回補充、を実行させ、前記処理部によって前記基板に対する前記エッチング処理を行う際に、前記液供給部による前記処理部への前記処理液の供給と、前記液補充部による前記液排出部への前記第２処理液の補充と、を実行させる。

第１２の態様に係る基板処理装置は、第１から第４および第６の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記制御部は、前記処理部による前記基板に対する前記エッチング処理が実行された後であって、次の前記処理部による前記基板に対する前記エッチング処理が実行されるまでの期間に、所定のタイミングで前記液補充部によって前記液排出部への前記第２処理液の補充を実行させる。

第１３の態様に係る基板処理方法は、基板処理装置の基板処理方法であって、エッチング工程、液供給工程、液排出工程および液補充工程を有する。前記エッチング工程では、処理部において処理液によって基板に対するエッチング処理を行う。前記液供給工程では、液供給管部を介して前記処理部に前記処理液を供給する。前記液排出工程では、前記エッチング工程において使用された後の第１処理液を前記処理部から前記基板処理装置の外まで液排出管部を含む液排出部を介して排出する。前記液補充工程では、前記基板を構成する成分の溶解濃度が前記第１処理液よりも低い第２処理液を、液補充管部を介して前記液排出部に補充することで、前記第１処理液と前記第２処理液とを混ぜて混合溶液を生成する。前記液供給工程において、前記液供給管部を介して前記処理部に前記第２処理液を供給する。
第１４の態様に係る基板処理方法は、基板処理装置の基板処理方法であって、エッチング工程、液供給工程、液排出工程および液補充工程を有する。前記エッチング工程では、処理部において処理液によって基板に対するエッチング処理を行う。前記液供給工程では、液供給管部を介して前記処理部に前記処理液を供給する。前記液排出工程では、前記エッチング工程において使用された後の第１処理液を前記処理部から前記基板処理装置の外まで液排出管部を含む液排出部を介して排出する。前記液補充工程では、前記基板を構成する成分の溶解濃度が前記第１処理液よりも低い第２処理液を、液補充管部を介して前記液排出部に補充することで、前記第１処理液と前記第２処理液とを混ぜて混合溶液を生成する。前記液排出工程において、前記処理部は、前記液供給工程における前記処理液の供給に応じて前記第１処理液を前記液排出部に排出し、前記エッチング工程において前記エッチング処理を行う際に、前記液供給工程における前記液供給管部を介した前記処理部への前記処理液の２回以上の供給と、前記液補充工程における前記液補充管部を介した前記液排出部への前記第２処理液の２回以上の補充と、を同期させて実行する。
第１５の態様に係る基板処理方法は、基板処理装置の基板処理方法であって、エッチング工程、液供給工程、液排出工程および液補充工程を有する。前記エッチング工程では、処理部において処理液によって基板に対するエッチング処理を行う。前記液供給工程では、液供給管部を介して前記処理部に前記処理液を供給する。前記液排出工程では、前記エッチング工程において使用された後の第１処理液を前記処理部から前記基板処理装置の外まで液排出管部を含む液排出部を介して排出する。前記液補充工程では、前記基板を構成する成分の溶解濃度が前記第１処理液よりも低い第２処理液を、液補充管部を介して前記液排出部に補充することで、前記第１処理液と前記第２処理液とを混ぜて混合溶液を生成する。前記液排出工程において、前記液供給工程における前記液供給管部を介した前記処理部への前記処理液の供給に応じて、前記第１処理液を前記処理部から前記液排出部に排出し、前記エッチング工程における前記エッチング処理の前に、前記液補充工程における前記液補充管部を介した前記液排出部への前記第２処理液の補充を少なくとも１回実行し、前記エッチング工程において前記エッチング処理を行う際に、前記液供給工程における前記液供給管部を介した前記処理部への前記処理液の供給を実行するとともに、前記液補充工程における前記液補充管部を介した前記液排出部への前記第２処理液の補充を実行する。
第１６の態様に係る基板処理方法は、基板処理装置の基板処理方法であって、エッチング工程、液供給工程、液排出工程および液補充工程を有する。前記エッチング工程では、処理部において処理液によって基板に対するエッチング処理を行う。前記液供給工程では、液供給管部を介して前記処理部に前記処理液を供給する。前記液排出工程では、前記エッチング工程において使用された後の第１処理液を前記処理部から前記基板処理装置の外まで液排出管部を含む液排出部を介して排出する。前記液補充工程では、前記基板を構成する成分の溶解濃度が前記第１処理液よりも低い第２処理液を、液補充管部を介して前記液排出部に補充することで、前記第１処理液と前記第２処理液とを混ぜて混合溶液を生成する。前記液排出工程は、前記第１処理液を前記処理部から前記液排出管部に含まれた第１部分に排出する第１液排出工程と、前記液排出部に含まれ且つ前記第１部分に接続された冷却タンクにおいて前記第１処理液もしくは前記混合溶液を冷却する液冷却工程と、前記冷却タンクから前記液排出管部に含まれており且つ前記冷却タンクに接続された第２部分を介して前記混合溶液を前記基板処理装置の外まで排出する第２液排出工程と、を含む。
第１７の態様に係る基板処理方法は、第１６の態様に係る基板処理方法であって、前記エッチング工程における前記エッチング処理が実行された後であって、次の前記エッチング工程における前記エッチング処理が実行されるまでの期間に、所定のタイミングで前記液補充工程における前記液補充管部を介した前記液排出部への前記第２処理液の補充を実行し、前記基板処理方法は、前記冷却タンクに貯留されている液の貯留量を検出する検出工程、をさらに有し、前記検出工程において前記貯留量が第２閾値に到達していることが検出されれば、前記液補充工程における前記所定のタイミングにおける前記液補充管部を介した前記液排出部への前記第２処理液の補充を禁止する。
第１８の態様に係る基板処理方法は、第１６の態様に係る基板処理方法であって、前記冷却タンクに貯留されている液の貯留量を検出する検出工程、をさらに有し、前記液排出工程において、前記液供給工程における前記液供給管部を介した前記処理部への前記処理液の供給に応じて、前記第１処理液を前記処理部から前記液排出部に排出し、前記検出工程において前記貯留量が第１閾値に到達していることが検出されれば、前記エッチング工程における前記エッチング処理の実行を禁止する。

第１９の態様に係る基板処理方法は、第１３から第１８の何れか１つの態様に係る基板処理方法であって、前記液補充工程において、前記第２処理液を前記第１処理液に混ぜることで、前記混合溶液における前記基板を構成する成分の溶解濃度を溶解度未満とする。

第２０の態様に係る基板処理方法は、第１３から第１９の何れか１つの態様に係る基板処理方法であって、前記処理液は、燐酸水溶液を含み、前記基板は、窒化珪素の膜を有し、前記エッチング工程において、前記燐酸水溶液によって前記窒化珪素の膜を溶解させる。

第２１の態様に係る基板処理方法は、第１４から第１８の何れか１つの態様に係る基板処理方法であって、前記液供給工程において、前記液供給管部を介して前記処理部に前記第２処理液を供給する。

第２２の態様に係る基板処理方法は、第１５から第１８の何れか１つの態様に係る基板処理方法であって、前記液排出工程において、前記処理部は、前記液供給工程における前記処理液の供給に応じて前記第１処理液を前記液排出部に排出し、前記エッチング工程において前記エッチング処理を行う際に、前記液供給工程における前記液供給管部を介した前記処理部への前記処理液の２回以上の供給と、前記液補充工程における前記液補充管部を介した前記液排出部への前記第２処理液の２回以上の補充と、を同期させて実行する。

第２３の態様に係る基板処理方法は、第１６から第１８の何れか１つの態様に係る基板処理方法であって、前記液排出工程において、前記液供給工程における前記液供給管部を介した前記処理部への前記処理液の供給に応じて、前記第１処理液を前記処理部から前記液排出部に排出し、前記エッチング工程における前記エッチング処理の前に、前記液補充工程における前記液補充管部を介した前記液排出部への前記第２処理液の補充を少なくとも１回実行し、前記エッチング工程において前記エッチング処理を行う際に、前記液供給工程における前記液供給管部を介した前記処理部への前記処理液の供給を実行するとともに、前記液補充工程における前記液補充管部を介した前記液排出部への前記第２処理液の補充を実行する。

第２４の態様に係る基板処理方法は、第１３から第１６および第１８の何れか１つの態様に係る基板処理方法であって、前記エッチング工程における前記エッチング処理が実行された後であって、次の前記エッチング工程における前記エッチング処理が実行されるまでの期間に、所定のタイミングで前記液補充工程における前記液補充管部を介した前記液排出部への前記第２処理液の補充を実行する。

第１から第４の態様に係る基板処理装置および第１３から第１６の態様に係る基板処理方法の何れによっても、例えば、処理部から基板処理装置外に第１処理液を排出する際に、この第１処理液に、基板を構成する成分の溶解濃度が相対的に低い第２処理液を混ぜて排出することができる。これにより、例えば、処理部から基板処理装置外へ処理液を排出する経路において処理液における基板からの溶出成分の結晶化が生じにくい。

第７の態様に係る基板処理装置および第１９の態様に係る基板処理方法の何れによっても、例えば、第１処理液に第２処理液を混ぜて生成した混合溶液における基板を構成する成分の溶解濃度を溶解度未満とすることで、処理部から基板処理装置外へ処理液を排出する経路において処理液における基板からの溶出成分の結晶化が生じにくい。

第８の態様に係る基板処理装置および第２０の態様に係る基板処理方法の何れによっても、例えば、処理部から基板処理装置外に第１の燐酸水溶液を排出する際に、この第１の燐酸水溶液に、シリコンの溶解濃度が相対的に低い第２の燐酸水溶液を混ぜて排出することができる。これにより、例えば、処理部から基板処理装置外へ燐酸水溶液を排出する経路においてシロキサンの結晶化が生じにくい。

第１および第９の態様に係る基板処理装置および第１３および第２１の態様に係る基板処理方法の何れによっても、例えば、処理部に供給するための第２処理液を、液排出部において第１処理液に混合させる用途にも用いることができる。これにより、例えば、処理部に第２処理液を供給する液供給部と、液排出部で第１処理液に混ぜる第２処理液を補充するための液補充部と、の間で構成の少なくとも一部の共用化を図ることができる。その結果、例えば、基板処理装置の構成の簡略化を図ることができる。

第２および第１０の態様に係る基板処理装置および第１４および第２２の態様に係る基板処理方法の何れによっても、例えば、処理部によって基板にエッチング処理を施す際に、処理部への処理液の２回以上の供給に同期して、処理部から液排出部への第１処理液の２回以上の排出と、液排出部への第２処理液の２回以上の補充と、を行うことができる。これにより、例えば、液排出部で生成される混合溶液における基板を構成する成分の溶解濃度が均一化されやすい。その結果、例えば、処理部から基板処理装置外へ処理液を排出する経路において処理液における基板からの溶出成分の結晶化が生じにくい。

第３および第１１の態様に係る基板処理装置および第１５および第２３の態様に係る基板処理方法の何れによっても、例えば、エッチング処理を行う前に、液排出部への第２処理液の少なくとも１回の供給を行うことで、エッチング処理を行う際に、処理部から排出される第１処理液と、液補充部からの第２処理液と、が混合されやすくなる。これにより、例えば、処理部から基板処理装置外へ処理液を排出する経路において処理液における基板からの溶出成分の結晶化が生じにくい。

第５および第１２の態様に係る基板処理装置および第１７および第２４の態様に係る基板処理方法の何れによっても、例えば、処理部による基板に対する２回以上のエッチング処理の間のエッチング処理が行われていないインターバルの期間において、所定のタイミングで液排出部に第２処理液が補充される。これにより、例えば、処理部から基板処理装置外へ処理液を排出する経路において処理液における基板からの溶出成分の結晶化が生じにくい。

第４の態様に係る基板処理装置および第１６の態様に係る基板処理方法の何れによっても、例えば、第１処理液が冷却タンクで冷却されても、処理部から基板処理装置外へ処理液を排出する経路において処理液における基板からの溶出成分の結晶化が生じにくい。

第６の態様に係る基板処理装置および第１８の態様に係る基板処理方法の何れによっても、例えば、冷却タンクに第１閾値以上の液が貯留されていれば、処理部において処理液を供給しつつ第１処理液を排出する基板のエッチング処理を実行しない。これにより、例えば、基板にエッチング処理を施す際に処理部から液排出部に第１処理液を排出することができずにエッチング処理で生じる不具合の発生を抑制することができる。

第５の態様に係る基板処理装置および第１７の態様に係る基板処理方法の何れによっても、例えば、冷却タンクに第２閾値以上の液が貯留されていれば、処理部によるエッチング処理が行われていないインターバルの期間において、所定のタイミングでの液排出部への第２処理液の補充を実行しない。これにより、例えば、インターバル期間の後において基板にエッチング処理を施す際に処理部から液排出部に第１処理液を排出することができずにエッチング処理で生じる不具合の発生を抑制することができる。

第１実施形態に係る基板処理装置の概略的な構成を示す平面図である。 第１実施形態に係る基板処理装置の機能的な構成を示すブロック図である。 薬液処理部の概略的な構成を示す図である。 エッチング処理に係る動作フローの一例を示すフローチャートである。 前処理の動作の一例に係るタイミングチャートである。 本処理の動作の一例に係るタイミングチャートである。 本処理に係る動作フローの一例を示すフローチャートである。 インターバル液補充処理に係る動作を説明するための図である。 冷却タンクにおける監視の対象となる貯留量を説明するための図である。 冷却タンクの貯留量の監視結果に応じたインターバル液補充処理に係る動作を説明するための図である。 インターバル液補充処理の不実行期間の監視に係る動作を説明するための図である。 インターバル液補充処理の実行時間の監視に係る動作を説明するための図である。 冷却タンクの貯留量の監視結果に応じたサイクル処理の禁止に係る動作を説明するための図である。 サイクル処理および液補充処理の実行タイミングのバリエーションに係るタイミングチャートである。 サイクル処理および液補充処理の実行タイミングの第１変形例に係る動作フローの一例を示す図である。 一変形例に係る薬液処理部の概略的な構成を示す図である。 一変形例に係る枚葉式の基板処理装置における薬液処理部の構成の一例を示す図である。

以下、本発明の実施形態および変形例を図面に基づいて説明する。図面においては同様な構成および機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係などは正確に図示されたものではない。

＜１．第１実施形態＞
＜１－１．基板処理装置の構成＞
図１は、第１実施形態に係る基板処理装置１００の概略的な構成の一例を示す平面図である。図２は、第１実施形態に係る基板処理装置１００の機能的な構成の一例を示すブロック図である。基板処理装置１００は、例えば、基板Ｗに対して薬液処理、洗浄処理および乾燥処理を施すことができる。

図１で示されるように、基板処理装置１００は、例えば、投入部１、第１搬送部２、第２搬送部３、乾燥処理部４、第１液処理部５、第２液処理部６、払出部７、入力部８、出力部９および制御部１０を備えている。

投入部１は、例えば、基板処理装置１００外から基板処理装置１００内に複数枚の処理前の基板Ｗを投入するための部分である。この投入部１は、例えば、複数枚（例えば２５枚）の処理前の基板Ｗが収納されたカセットＣ１をそれぞれ載置することが可能な２つの載置台１１を有する。

払出部７は、例えば、基板処理装置１００内から基板処理装置１００外に複数枚の処理後の基板Ｗを払い出すための部分である。この払出部７は、例えば、投入部１に隣接するように位置している。この払出部７は、例えば、カセットＣ１をそれぞれ載置することが可能な２つの載置台７１を有する。払出部７では、複数枚（例えば２５枚）の処理後の基板ＷをカセットＣ１に収納した状態で、カセットＣ１ごと基板処理装置１００の外に複数枚の処理後の基板Ｗを払い出すことができる。

第１搬送部２は、例えば、投入部１と払出部７とに沿う位置に存在している。この第１搬送部２は、例えば、投入部１に載置されたカセットＣ１に収納されている全ての基板Ｗを取り出して、第２搬送部３に対して搬送することができる。また、第１搬送部２は、例えば、第２搬送部３から処理後の基板Ｗを受け取り、この処理後の基板Ｗを、払出部７の載置台７１上に載置されたカセットＣ１に対して搬送して、このカセットＣ１内に収納することができる。ここで、第１搬送部２は、例えば、カセットＣ１ごとに、基板Ｗのロットを認識するとともに、カセットＣ１に収納されている基板Ｗの枚数を計測することができてもよい。

第２搬送部３は、例えば、基板処理装置１００の長手方向に沿って移動することができる。第２搬送部３の移動方向に沿って、第１搬送部２に近い側から順に、乾燥処理部４、第１液処理部５および第２液処理部６が位置している。換言すれば、例えば、乾燥処理部４に隣接する位置に第１液処理部５が存在し、この第１液処理部５に隣接する位置に第２液処理部６が存在している。

乾燥処理部４は、例えば、複数枚の基板Ｗを低圧のチャンバ内に収納して乾燥させることができる。

第１液処理部５は、例えば、洗浄処理部５１と、薬液処理部５２と、副搬送部５３と、を有する。洗浄処理部５１は、例えば、複数枚の基板Ｗに対して純水で洗浄する処理（純水洗浄処理ともいう）を施すことができる。薬液処理部５２は、例えば、複数枚の基板Ｗに対して薬液を含む処理液によって処理（薬液処理ともいう）を施すことができる。副搬送部５３は、例えば、第２搬送部３との間で基板Ｗの受け渡しを行うことが可能であるとともに、洗浄処理部５１および薬液処理部５２のそれぞれにおいて昇降可能である。

第２液処理部６は、例えば、第１液処理部５と同様に、洗浄処理部５１と、薬液処理部５２と、副搬送部５３と、を有する。

入力部８は、例えば、載置台１１の近くに位置している。この入力部８は、例えば、オペレータが各種の情報を選択あるいは入力を行うことができる部分である。この入力部８は、例えば、タッチパネルなどで構成される。なお、入力部８は、押下などの各種の操作が可能なボタンなどを含む操作部を有していてもよいし、音声による入力を可能とするマイクなどを有していてもよい。オペレータは、例えば、入力部８を操作することで、制御部１０の記憶部などに予め記憶されている、基板を処理するための手順を規定したレシピを、カセットＣ１（ロット）ごとに指定することができる。

出力部９は、例えば、載置台１１の近くに位置している。この出力部９は、例えば、制御部１０の制御に応じて、各種の情報を出力することができる部分である。この出力部９は、例えば、各種の情報を可視的に出力可能な表示部および各種の情報を可聴的に出力可能なスピーカなどを含み得る。各種の情報には、例えば、基板処理装置１００の各種の状態を示す情報、および各種のアラーム（警報）を示す情報が含まれ得る。

上記構成を有する基板処理装置１００の動作は、例えば、図２で示されるように、制御部１０によって統括的に制御される。制御部１０は、例えば、演算部、メモリ、記憶部およびタイマなどを有する。

演算部には、例えば、少なくとも１つのプロセッサとして働く中央演算部（ＣＰＵ）などの電気回路が適用される。

メモリには、例えば、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）などの情報を一時的に記憶する電気回路が適用される。演算部における各種の演算によって一時的に得られる各種の情報は、適宜メモリなどに記憶される。

記憶部には、例えば、ハードディスクあるいはフラッシュメモリなどの各種の情報を記憶する不揮発性の記憶媒体が適用される。この記憶部には、例えば、複数種類のレシピならびにスケジュール作成プログラムおよび処理プログラムなど各種のプログラムが予め格納される。演算部は、例えば、記憶部に格納されたプログラムを読み込んで実行することで、制御部１０による基板処理装置１００の動作の統括的な制御を実行するための各種の機能的な構成を実現する。各種の機能的な構成には、例えば、基板処理装置１００における複数の基板Ｗに対する処理のスケジュールを作成するスケジューリング部およびスケジュールに沿った複数の基板Ｗに対する処理を実行する処理実行部などを含む。

タイマは、例えば、各種の時間を計測することができる。タイマは、演算部で実現される機能的な構成であってもよい。

制御部１０は、例えば、薬液処理部５２の各種のセンサ部５２ｓからの計測結果に応じて、第１液処理部５および第２液処理部６における各部の動作を制御してもよい。センサ部５２ｓには、例えば、後述する第１流量計Ｍ１、第２流量計Ｍ２、第３流量計Ｍ３および検出部Ｍ４などが含まれる。

＜１－２．薬液処理部＞
図３は、薬液処理部５２の概略的な構成を示す図である。この薬液処理部５２は、例えば、酸化珪素の膜および窒化珪素の膜が形成された基板Ｗをエッチング液として機能する処理液としての燐酸水溶液中に浸漬させることで窒化珪素の膜を選択的に溶解させる処理（エッチング処理ともいう）を行う湿式エッチング処理装置である。

図３で示されるように、薬液処理部５２は、調整槽ＣＢ１、第１液供給部ＳＬ１、第１液循環部ＣＬ１、薬液処理槽ＣＢ２、第２液供給部ＳＬ２、第２液循環部ＣＬ２、液排出部ＥＬ１および液補充部ＡＬ１を備えている。

調整槽ＣＢ１は、例えば、薬液処理槽ＣＢ２に供給するための燐酸水溶液の温度などの調整を行うためのものである。調整槽ＣＢ１は、エッチング液として機能する処理液としての燐酸水溶液を貯留する第１内槽Ｂ１ａと、この第１内槽Ｂ１ａの上部からオーバーフローした燐酸水溶液を回収する第１外槽Ｂ１ｂと、によって構成される二重構造を有する。第１内槽Ｂ１ａは、例えば、燐酸水溶液に対する耐食性に優れた石英またはフッ素樹脂材料で形成された平面視矩形の箱形形状を有する部材である。第１外槽Ｂ１ｂは、例えば、第１内槽Ｂ１ａと同様な材料で形成されており、第１内槽Ｂ１ａの外周上端部を囲繞するように位置している。

第１液供給部ＳＬ１は、例えば、処理液供給源Ｅｎ０から送られる新たな処理液を、第１配管部Ｔｂ１を介して調整槽ＣＢ１に供給する処理（第１液供給処理ともいう）を実行することができる。ここでは、例えば、処理液として、エッチング液として機能する薬液である燐酸水溶液の新液（使用前燐酸水溶液ともいう）が供給される。処理液供給源Ｅｎ０は、第１配管部Ｔｂ１の第１端部に連通するように接続している。この処理液供給源Ｅｎ０は、例えば、基板処理装置１００の内部あるいは外部に設置された燐酸水溶液を常温（例えば、２５℃）で貯留しているタンクから第１配管部Ｔｂ１に向けてポンプあるいはガスなどで燐酸水溶液を圧送する。第１配管部Ｔｂ１には、第１流量制御部Ｃｆ１が設けられている。第１流量制御部Ｃｆ１は、例えば、第１配管部Ｔｂ１の流路を開閉する第１バルブＶ１と、燐酸水溶液の流量を計測する第１流量計Ｍ１とを有する。第１配管部Ｔｂ１の第２端部は、例えば、調整槽ＣＢ１の第１外槽Ｂ１ｂに連通するように接続している。第１液供給部ＳＬ１では、例えば、処理液供給源Ｅｎ０から供給される燐酸水溶液は、第１配管部Ｔｂ１を通って、第１流量制御部Ｃｆ１によって設定された流量で第１外槽Ｂ１ｂに供給される。

第１液循環部ＣＬ１は、例えば、調整槽ＣＢ１から排出された燐酸水溶液を加熱して再び調整槽ＣＢ１に圧送環流させる処理（第１液循環処理ともいう）を実行することができる。第１液循環部ＣＬ１は、例えば、第１外槽Ｂ１ｂと第１内槽Ｂ１ａとを連通するように接続している第２配管部Ｔｂ２を有する。第２配管部Ｔｂ２は、例えば、第１外槽Ｂ１ｂの底部に連通するように接続している第１端部と、第１内槽Ｂ１ａの底部に連通するように接続している第２端部と、を有する。第２配管部Ｔｂ２には、上流側から順に第２バルブＶ２、第１ポンプＰｍ１および第１ヒータＨｔ１が設けられている。第２バルブＶ２は、第２配管部Ｔｂ２の流路を開閉する。第１ポンプＰｍ１は、第２配管部Ｔｂ２を介して第１外槽Ｂ１ｂから汲み出した燐酸水溶液を第１内槽Ｂ１ａに向けて圧送する。第１ヒータＨｔ１は、第２配管部Ｔｂ２を流れる燐酸水溶液を所定の温度（例えば、約１６０℃）に加熱する。また、第１液循環部ＣＬ１は、例えば、第１内槽Ｂ１ａから排出された燐酸水溶液を加熱して第１内槽Ｂ１ａに環流させる第３配管部Ｔｂ３を有していてもよい。例えば、第３配管部Ｔｂ３が、第１内槽Ｂ１ａに連通するように接続している第１端部と、第２配管部Ｔｂ２のうちの第２バルブＶ２と第１ポンプＰｍ１との間の部分に連通するように接続している第２端部と、を有する形態が採用される。ここでは、第３配管部Ｔｂ３が、第２配管部Ｔｂ２に合流するような形態で位置している。第３配管部Ｔｂ３には第３バルブＶ３が設けられ、この第３バルブＶ３は第３配管部Ｔｂ３の流路を開閉する。

薬液処理槽ＣＢ２は、例えば、エッチング液として機能する処理液としての燐酸水溶液によって基板Ｗに対するエッチング処理を行う部分（処理部ともいう）である。薬液処理槽ＣＢ２は、例えば、調整槽ＣＢ１と同様に、エッチング液としての燐酸水溶液を貯留し、燐酸水溶液中に基板Ｗを浸漬させる第２内槽Ｂ２ａと、この第２内槽Ｂ２ａの上部からオーバーフローした燐酸水溶液を回収する第２外槽Ｂ２ｂと、によって構成される二重構造を有する。第２内槽Ｂ２ａは、例えば、第１内槽Ｂ１ａと同様に、例えば、燐酸水溶液に対する耐食性に優れた石英またはフッ素樹脂材料で形成された平面視矩形の箱形形状の部材である。薬液処理槽ＣＢ２において貯留可能な液の総量（容量）は、例えば、６０リットル程度に設定される。第２外槽Ｂ２ｂも、例えば、第１外槽Ｂ１ｂと同様に、第２内槽Ｂ２ａと同様な材料で形成されており、第２内槽Ｂ２ａの外周上端部を囲繞するように位置している。

また、薬液処理槽ＣＢ２には、薬液処理槽ＣＢ２に貯留された燐酸水溶液に基板Ｗを浸漬させるためのリフターＬＦ２が設けられている。リフターＬＦ２は、例えば、起立姿勢（基板主面の法線が水平方向に沿う姿勢）で相互に平行に配列された複数（例えば、５０枚）の基板Ｗを３本の保持棒によって一括して保持する。リフターＬＦ２は、図示を省略する昇降機構によって鉛直方向に沿って昇降可能に設けられている。このリフターＬＦ２は、例えば、保持している複数枚の基板Ｗを、第２内槽Ｂ２ａ内の燐酸水溶液中に浸漬させる処理位置（図３の位置）と、燐酸水溶液から引き上げた受渡位置と、の間で昇降させる。薬液処理槽ＣＢ２では、例えば、第２内槽Ｂ２ａ内の処理位置に複数枚の基板Ｗを位置させて燐酸水溶液中に浸漬させることで、燐酸水溶液によって基板Ｗの窒化珪素の膜を溶解させるエッチング処理を行うことができる。このとき、第２内槽Ｂ２ａに貯留される燐酸水溶液に、基板Ｗから基板Ｗを構成する成分（基板成分ともいう）としてのシリコンが溶出する。

第２液供給部ＳＬ２は、例えば、処理部としての薬液処理槽ＣＢ２にエッチング液として機能する処理液としての使用前燐酸水溶液を供給する処理（第２液供給処理ともいう）を実行することができる。この第２液供給部ＳＬ２は、例えば、液供給管部としての第４配管部Ｔｂ４を有し、調整槽ＣＢ１から送られる燐酸水溶液を、第４配管部Ｔｂ４を介して薬液処理槽ＣＢ２に供給することができる。第４配管部Ｔｂ４は、例えば、第２配管部Ｔｂ２のうちの第１ヒータＨｔ１と調整槽ＣＢ１との間の部分に連通するように接続している第１端部と、第２外槽Ｂ２ｂに連通するように接続している第２端部と、を有する。換言すれば、第４配管部Ｔｂ４は、第２配管部Ｔｂ２が分岐した配管部である。第４配管部Ｔｂ４では、例えば、第１ポンプＰｍ１によって燐酸水溶液が第１端部から第２端部に向けて圧送される。第４配管部Ｔｂ４には、第２流量制御部Ｃｆ２が設けられている。第２流量制御部Ｃｆ２は、例えば、燐酸水溶液の流路を開閉する第４バルブＶ４と、燐酸水溶液の流量を計測する第２流量計Ｍ２とを有する。第２液供給部ＳＬ２では、例えば、調整槽ＣＢ１から供給される燐酸水溶液は、第４配管部Ｔｂ４を通って、第２流量制御部Ｃｆ２によって設定された流量で第２外槽Ｂ２ｂに供給される。

第２液循環部ＣＬ２は、例えば、薬液処理槽ＣＢ２から排出された燐酸水溶液を加熱して再び薬液処理槽ＣＢ２に圧送環流させる処理（第２液循環処理ともいう）を実行することができる。第２液循環部ＣＬ２は、例えば、第２外槽Ｂ２ｂと第２内槽Ｂ２ａとを連通するように接続している第５配管部Ｔｂ５を有する。例えば、第５配管部Ｔｂ５は、第２外槽Ｂ２ｂの底部に連通するように接続している第１端部と、第２内槽Ｂ２ａの底部に連通するように接続している第２端部と、を有する。第５配管部Ｔｂ５には、上流側から順に第５バルブＶ５、第２ポンプＰｍ２、第６バルブＶ６、第２ヒータＨｔ２およびフィルタＦｌ１が設けられている。第５バルブＶ５は、第５配管部Ｔｂ５の流路を開閉する。第２ポンプＰｍ２は、第５配管部Ｔｂ５を介して第２外槽Ｂ２ｂから汲み出した燐酸水溶液を第２内槽Ｂ２ａに向けて圧送する。第６バルブＶ６は、第５配管部Ｔｂ５の流路を開閉する。第２ヒータＨｔ２は、第５配管部Ｔｂ５を流れる燐酸水溶液を所定の温度（例えば、約１６０℃）に加熱する。フィルタＦｌ１は、第５配管部Ｔｂ５を流れる燐酸水溶液中の異物を取り除くための濾過フィルタである。また、第２液循環部ＣＬ２は、例えば、第２内槽Ｂ２ａから排出された燐酸水溶液を加熱して第２内槽Ｂ２ａに環流させる第６配管部Ｔｂ６を有していてもよい。この場合には、例えば、第６配管部Ｔｂ６は、第２内槽Ｂ２ａに連通するように接続している第１端部と、第５配管部Ｔｂ５のうちの第５バルブＶ５と第２ポンプＰｍ２との間の部分に連通するように接続している第２端部と、を有する形態が採用される。第６配管部Ｔｂ６には第７バルブＶ７が設けられ、この第７バルブＶ７は第６配管部Ｔｂ６の流路を開閉する。

液排出部ＥＬ１は、例えば、処理部としての薬液処理槽ＣＢ２において基板Ｗに対するエッチング処理に使用された後の処理液（第１処理液ともいう）としての燐酸水溶液（使用済み燐酸水溶液とも第１の燐酸水溶液ともいう）を、薬液処理槽ＣＢ２から基板処理装置１００の外まで排出する処理（液排出処理ともいう）を実行する部分である。使用済み燐酸水溶液は、薬液処理槽ＣＢ２における基板Ｗのエッチング処理によって、使用前の燐酸水溶液よりも基板成分（例えば、シリコン）が溶解している濃度（溶解濃度ともいう）が高い状態にある。液排出部ＥＬ１は、例えば、第７配管部Ｔｂ７、第８配管部Ｔｂ８、冷却タンクＣｔ１および第９配管部Ｔｂ９を有する。ここでは、第７配管部Ｔｂ７、第８配管部Ｔｂ８および第９配管部Ｔｂ９は、薬液処理槽ＣＢ２から基板処理装置１００の外まで使用済み燐酸水溶液を排出するための部分（液排出管部ともいう）Ｔｇ１を構成している。

第７配管部Ｔｂ７は、例えば、第５配管部Ｔｂ５のうちの第２ポンプＰｍ２と第６バルブＶ６との間の部分に連通するように接続している第１端部と、冷却タンクＣｔ１に連通するように接続している第２端部と、を有する。換言すれば、第７配管部Ｔｂ７は、第５配管部Ｔｂ５とともに薬液処理槽ＣＢ２と冷却タンクＣｔ１とを接続している部分（第１部分ともいう）を構成している。第７配管部Ｔｂ７には第８バルブＶ８が設けられている。第８バルブＶ８は、第７配管部Ｔｂ７の流路を開閉する。このため、第６バルブＶ６および第８バルブＶ８の開閉を適宜制御することで、薬液処理槽ＣＢ２から排出された燐酸水溶液を加熱して再び薬液処理槽ＣＢ２に圧送環流する処理（第２液循環処理）と、使用済み燐酸水溶液を薬液処理槽ＣＢ２から冷却タンクＣｔ１を経由して基板処理装置１００の外に排出する処理（液排出処理）と、を選択的に実行させることができる。

第８配管部Ｔｂ８は、例えば、薬液処理槽ＣＢ２の第２外槽Ｂ２ｂの上部に連通するように接続している第１端部と、冷却タンクＣｔ１に連通するように接続している第２端部と、を有する。換言すれば、第８配管部Ｔｂ８は、薬液処理槽ＣＢ２と冷却タンクＣｔ１とを接続している部分（第１部分ともいう）を構成している。ここでは、第８配管部Ｔｂ８は、例えば、薬液処理槽ＣＢ２の第２外槽Ｂ２ｂに貯留されている燐酸水溶液の貯留量が増加し過ぎた際に、第２外槽Ｂ２ｂから燐酸水溶液が溢れ出さないように、第２外槽Ｂ２ｂから冷却タンクＣｔ１に燐酸水溶液を流すことができる。また、例えば、調整槽ＣＢ１の第１外槽Ｂ１ｂに貯留されている燐酸水溶液の貯留量が増加し過ぎた際に、第１外槽Ｂ１ｂから燐酸水溶液が溢れ出さないように、第１外槽Ｂ１ｂから冷却タンクＣｔ１に燐酸水溶液を流すことができる第１０配管Ｔｂ１０が設けられてもよい。この場合には、第１０配管Ｔｂ１０は、調整槽ＣＢ１の第１外槽Ｂ１ｂの上部に連通するように接続している第１端部と、第８配管部Ｔｂ８に合流するような形態で連通するように接続している第２端部と、を有する。

冷却タンクＣｔ１は、使用済み燐酸水溶液を貯留して冷却することができる。冷却タンクＣｔ１には、この冷却タンクＣｔ１に貯留されている液の貯留量を検出するための検出部Ｍ４が設けられている。検出部Ｍ４には、例えば、液面計などが適用される。

第９配管部Ｔｂ９は、例えば、冷却タンクＣｔ１に接続しており、基板処理装置１００の外まで使用済み燐酸水溶液を排出するための部分（第２部分ともいう）を構成している。第９配管部Ｔｂ９は、例えば、冷却タンクＣｔ１に接続している第１端部と、使用済みの燐酸水溶液を基板処理装置１００の外に出力するための部分（処理液出力部ともいう）Ｅｘ０に接続している第２端部と、を有する。処理液出力部Ｅｘ０には、例えば、基板処理装置１００に対して着脱可能な燐酸水溶液を回収するためのタンク（回収タンクともいう）もしくは燐酸水溶液を廃液するためのタンク（排液タンクともいう）あるいは工場排水用の処理施設に接続するための排液管などが適用される。第９配管部Ｔｂ９には、例えば、第９バルブＶ９が設けられている。第９バルブＶ９は、第９配管部Ｔｂ９の流路を開閉することができる。ここでは、第９バルブＶ９によって、冷却タンクＣｔ１から処理液出力部Ｅｘ０への燐酸水溶液の出力が調整され得る。

液補充部ＡＬ１は、例えば、処理液供給源Ｅｎ０から液排出部ＥＬ１に第２処理液としての使用前燐酸水溶液（第２の燐酸水溶液ともいう）を補充する処理（液補充処理ともいう）を実行することができる。これにより、第１処理液としての使用済み燐酸水溶液と、第２処理液としての使用前燐酸水溶液と、を混ぜて、混合溶液としての燐酸水溶液（混合燐酸水溶液ともいう）を生成することができる。ここでは、使用前燐酸水溶液は、使用済み燐酸水溶液よりも、基板成分（例えば、シリコン）の溶解濃度が低い状態にある。このため、混合燐酸水溶液は、使用済み燐酸水溶液よりも基板成分（例えば、シリコン）の溶解濃度が低い状態となる。換言すれば、液補充部ＡＬ１によって、液排出部ＥＬ１に使用前燐酸水溶液が補充されることで、液排出部ＥＬ１において排出する使用済み燐酸水溶液を、基板成分の溶解濃度を低減した混合燐酸水溶液として、冷却タンクＣｔ１から第９配管部Ｔｂ９を介して処理液出力部Ｅｘ０に送ることができる。液補充部ＡＬ１は、例えば、液排出部ＥＬ１に接続された液補充管部としての第１１配管部Ｔｂ１１を有する。第１１配管部Ｔｂ１１は、例えば、処理液供給源Ｅｎ０に接続された第１端部と、第８配管部Ｔｂ８に合流するような形態で連通するように接続された第２端部と、を有する。第１１配管部Ｔｂ１１には、第３流量制御部Ｃｆ３が設けられている。第３流量制御部Ｃｆ３は、例えば、第１１配管部Ｔｂ１１の流路を開閉する第１０バルブＶ１０と、燐酸水溶液の流量を計測する第３流量計Ｍ３とを有する。

上述した薬液処理部５２の各部の動作は、制御部１０によって制御することができる。例えば、制御部１０によれば、第１液供給部ＳＬ１によって調整槽ＣＢ１へ第２処理液としての使用前燐酸水溶液を供給する処理（第１液供給処理）と、第１液循環部ＣＬ１によって燐酸水溶液を循環させる処理（第１液循環処理）と、第２液供給部ＳＬ２によって薬液処理槽ＣＢ２へ使用前燐酸水溶液を供給する処理（第２液供給処理）と、第２液循環部ＣＬ２によって燐酸水溶液を循環させる処理（第２液循環処理）と、液排出部ＥＬ１によって薬液処理槽ＣＢ２から第１処理液としての使用済み燐酸水溶液を排出する処理（液排出処理）と、液補充部ＡＬ１によって液排出部ＥＬ１へ第２処理液としての使用前燐酸水溶液を補充する処理（液補充処理）と、を制御することができる。

なお、例えば、第２内槽Ｂ２ａの内壁に沿うように設けられた濃度計が、第２内槽Ｂ２ａ内に貯留された燐酸水溶液中に溶出した基板Ｗの特定物質の溶解濃度を検出し、この検出結果としての溶解濃度に応じて、制御部１０が、第８バルブＶ８および第９バルブＶ９を開閉して、使用済み燐酸水溶液を適宜処理液出力部Ｅｘ０に送出してもよい。

上記構成を有する基板処理装置１００では、例えば、処理部としての薬液処理槽ＣＢ２から基板処理装置１００の外に第１処理液としての使用済み燐酸水溶液を排出する際に、この第１処理液としての使用済み燐酸水溶液に、基板成分（例えばシリコン）の溶解濃度が相対的に低い第２処理液としての使用前燐酸水溶液を混ぜて排出することができる。これにより、例えば、第１処理液としての使用済み燐酸水溶液が冷却タンクＣｔ１で冷却されても、処理部としての薬液処理槽ＣＢ２から基板処理装置１００の外へ処理液としての燐酸水溶液を排出する経路において、処理液としての燐酸水溶液における基板Ｗからの溶出成分の結晶化（例えば、シロキサンの結晶化）が生じにくい。

また、基板処理装置１００では、液補充部ＡＬ１によって、第２処理液として使用前燐酸水溶液が第１処理液としての使用済み燐酸水溶液に混ぜることで生成される混合溶液としての混合燐酸水溶液が、基板成分（例えば、シリコン）の溶解度未満の溶解濃度を有するようにすることができる。このような濃度の設計は、例えば、使用済み燐酸水溶液における基板成分の溶解濃度の予測値あるいは実測値と、第１処理液と第２処理液との混合比と、に基づいて実現され得る。

＜１－３．基板処理装置の動作＞
次に、上記の構成を有する基板処理装置１００における動作について説明する。

＜１－３－１．エッチング処理に係る動作フロー＞
図４は、基板処理装置１００における基板Ｗのエッチング処理に係る動作フローの一例を示すフローチャートである。本動作フローは、例えば、制御部１０が、オペレータに指定されたレシピに応じて、基板処理装置１００の各部の動作を制御することで実現される。ここでは、酸化珪素の膜および窒化珪素の膜が形成された基板Ｗを処理液としての燐酸水溶液に浸漬することで、燐酸水溶液によって窒化珪素の膜を選択的に溶解するエッチング処理を行う例を挙げて説明する。

基板処理装置１００において基板Ｗのエッチング処理が行われる場合には、例えば、図４で示されるように、前処理（ステップＳ１）と、本処理（ステップＳ２）と、後処理（ステップＳ３）と、がこの記載順に実行される１サイクルの処理（サイクル処理ともいう）が実行される。

＜１－３－１－１．前処理の動作＞
前処理（ステップＳ１）では、例えば、薬液処理槽ＣＢ２に貯留されている燐酸水溶液に複数の基板Ｗを浸漬させる前に、薬液処理槽ＣＢ２に対する燐酸水溶液の供給などによって燐酸水溶液がエッチング処理に適した活性状態となるように準備が行われる。なお、前処理では、例えば、薬液処理槽ＣＢ２に貯留されている燐酸水溶液に対して、図示を省略する気泡を導入する構成によってバブリング処理が施されてもよい。

前処理では、例えば、第２液供給部ＳＬ２が、薬液処理槽ＣＢ２に使用前燐酸水溶液を供給する。このとき、例えば、薬液処理槽ＣＢ２は、第２液供給部ＳＬ２からの使用前燐酸水溶液の供給に応じて、使用済み燐酸水溶液を液排出部ＥＬ１に排出する。ここで、例えば、第２液供給部ＳＬ２による薬液処理槽ＣＢ２への使用前燐酸水溶液の供給量と、薬液処理槽ＣＢ２から液排出部ＥＬ１への使用済み燐酸水溶液の排出量と、が等しければ、薬液処理槽ＣＢ２から燐酸水溶液が溢れ出さない。ここでは、例えば、第５バルブＶ５および第８バルブＶ８による第５配管部Ｔｂ５および第７配管部Ｔｂ７の流路の開放によって、薬液処理槽ＣＢ２から第５配管部Ｔｂ５および第７配管部Ｔｂ７を介して使用済み燐酸水溶液が冷却タンクＣｔ１に向けて排出されてもよいし、薬液処理槽ＣＢ２から第８配管部Ｔｂ８を介して使用済み燐酸水溶液が冷却タンクＣｔ１に向けて排出されてもよい。また、このとき、例えば、液補充部ＡＬ１は、液排出部ＥＬ１に使用前燐酸水溶液を補充することで、液排出部ＥＬ１において、使用済み燐酸水溶液に使用前燐酸水溶液を混ぜることで、混合燐酸水溶液を生成させる。ここでは、例えば、冷却タンクＣｔ１において混合燐酸水溶液が生成される。この混合燐酸水溶液は、例えば、第９バルブＶ９による第９配管部Ｔｂ９の流路の開放によって、冷却タンクＣｔ１から第９配管部Ｔｂ９を介して処理液出力部Ｅｘ０へ送られる。

換言すれば、前処理では、液供給工程と、液排出工程と、液補充工程と、が行われる。液供給工程は、例えば、液供給管部としての第４配管部Ｔｂ４を介して薬液処理槽ＣＢ２に燐酸水溶液を供給する工程を含む。液排出工程は、例えば、エッチング工程において使用された後の使用済み燐酸水溶液を薬液処理槽ＣＢ２から基板処理装置１００の外まで液排出管部Ｔｇ１を介して排出する工程を含む。このとき、例えば、薬液処理槽ＣＢ２は、第４配管部Ｔｂ４を介した使用前燐酸水溶液の供給に応じて使用済み燐酸水溶液を液排出部ＥＬ１に排出する。液補充工程は、例えば、基板成分の溶解濃度が使用済み燐酸水溶液よりも低い使用前燐酸水溶液を、液補充管部としての第１１配管部Ｔｂ１１を介して液排出部ＥＬ１に補充することで、使用済み燐酸水溶液と使用前燐酸水溶液とを混ぜて混合溶液としての混合燐酸水溶液を生成する処理を含む。これにより、例えば、前処理においても、薬液処理槽ＣＢ２から基板処理装置１００の外へ使用済み燐酸水溶液を排出する経路において、使用済み燐酸水溶液における基板Ｗからの溶出成分の結晶化（例えば、シロキサンの結晶化）が生じにくい。

本処理（ステップＳ１）の前の前処理（ステップＳ２）では、例えば、液供給工程において、第４配管部Ｔｂ４を介して薬液処理槽ＣＢ２に、燐酸水溶液を１回供給してもよいし、燐酸水溶液を複数回に分けて供給してもよい。換言すれば、液供給工程において、例えば、第２液供給部ＳＬ２によって、第４配管部Ｔｂ４を介して薬液処理槽ＣＢ２に、燐酸水溶液を少なくとも１回供給してもよい。また、例えば、液排出工程において、薬液処理槽ＣＢ２から液排出管部Ｔｇ１を介して基板処理装置１００の外まで、使用済み燐酸水溶液を１回排出してもよいし、使用済み燐酸水溶液を複数回に分けて排出してもよい。換言すれば、液排出工程において、例えば、液排出部ＥＬ１によって、薬液処理槽ＣＢ２から液排出管部Ｔｇ１を介して基板処理装置１００の外まで、使用済み燐酸水溶液を少なくとも１回排出してもよい。また、例えば、液補充工程において、第１１配管部Ｔｂ１１を介して液排出部ＥＬ１に、使用前燐酸水溶液を１回補充してもよいし、使用前燐酸水溶液を複数回に分けて補充してもよい。換言すれば、液補充工程において、例えば、液補充部ＡＬ１によって、第１１配管部Ｔｂ１１を介して液排出部ＥＬ１に、使用前燐酸水溶液を少なくとも１回補充してもよい。

図５は、前処理の動作の一例に係るタイミングチャートである。図５（ａ）には、前処理が実行される期間Ｐ０における、第２液供給部ＳＬ２から薬液処理槽ＣＢ２への使用前燐酸水溶液（新液）の供給量（液供給量ともいう）と、第２液供給部ＳＬ２の第４バルブＶ４の開閉状況と、薬液処理槽ＣＢ２から液排出部ＥＬ１への使用済み燐酸水溶液の排出量（液排出量ともいう）と、についての時間変化に係るタイミングチャートが示されている。図５（ｂ）には、前処理の期間Ｐ０における、液補充部ＡＬ１から液排出部ＥＬ１への使用前燐酸水溶液の補充量（液補充量ともいう）と、液補充部ＡＬ１の第１０バルブＶ１０の開閉状況と、についての時間変化に係るタイミングチャートが示されている。

ここで、例えば、液供給量と液排出量とが等しい場合には、レシピでは、例えば、前処理の期間Ｐ０の長さと、液供給量と、液補充量と、が規定される。液補充量は、例えば、液供給量に対する割合としての１／Ｎ（Ｎは１～１０の整数）などで指定されてもよい。例えば、期間Ｐ０が１８０秒間であり、液供給量が２リットルであり、Ｎが２であるような条件がレシピで規定される場合が考えられる。この場合には、液排出量は２リットルとなり、液補充量は、１リットル（＝２リットル／Ｎ＝２リットル／２）となる。

図５の例では、例えば、時刻ｔ０ａから時刻ｔ０ｄの間の期間Ｐ０のうち、時刻ｔ０ａから時刻ｔ０ｃの間の期間Ｐ０ｓにおいて、第４バルブＶ４の開放によって使用前燐酸水溶液（新液）が薬液処理槽ＣＢ２に約Ｆｒ０［ｍｌ／ｍｉｎ］の流量で供給されるとともに、薬液処理槽ＣＢ２から液排出部ＥＬ１に使用済み燐酸水溶液が約Ｆｒ０［ｍｌ／ｍｉｎ］の流量で供給される。このとき、時刻ｔ０ａから時刻ｔ０ｂの間の期間Ｐ０ｓをＮで除した期間Ｐ０ｓ／Ｎにおいて、第１０バルブＶ１０の開放によって使用前燐酸水溶液（新液）が約Ｆｒ０［ｍｌ／ｍｉｎ］の流量で液排出部ＥＬ１に補充される。Ｆｒ０は、例えば、２０００ｍｌ／ｍｉｎなどに設定される。

ところで、前処理においては、液供給工程および液排出工程を行わなくてもよい。この場合にも、液補充工程において、例えば、液補充部ＡＬ１によって、第１１配管部Ｔｂ１１を介して液排出部ＥＬ１に、使用前燐酸水溶液を少なくとも１回補充してもよい。このように、例えば、本処理において基板Ｗのエッチング処理を行う前に、予め液排出部ＥＬ１へ使用前燐酸水溶液を少なくとも１回供給することで、本処理においてエッチング処理を行う際に、薬液処理槽ＣＢ２から液排出部ＥＬ１へ排出される使用済み燐酸水溶液と、液補充部ＡＬ１から液排出部ＥＬ１へ補充する使用前燐酸水溶液と、が混合されやすくなる。これにより、例えば、薬液処理槽ＣＢ２から基板処理装置１００の外へ使用済み燐酸水溶液を排出する経路において使用済み燐酸水溶液における基板Ｗからの溶出成分の結晶化が生じにくい。

＜１－３－１－２．本処理の動作＞
本処理（ステップＳ２）では、薬液処理部５２において複数の基板Ｗにエッチング処理が施される。ここでは、例えば、リフターＬＦ２に保持された複数の基板Ｗが、薬液処理槽ＣＢ２に貯留されている燐酸水溶液に浸漬させる。これにより、薬液処理部５２において燐酸水溶液によって複数の基板Ｗに対するエッチング処理を行う工程（エッチング工程ともいう）が実行される。このとき、上述した第１液供給部ＳＬ１による第１液供給処理、第１液循環部ＣＬ１による第１液循環処理、第２液供給部ＳＬ２による第２液供給処理、第２液循環部ＣＬ２による第２液循環処理と、液排出部ＥＬ１による液排出処理、液補充部ＡＬ１による液補充処理と、が適宜並行して行われる。

具体的には、本処理でも、前処理と同様に、例えば、第２液供給部ＳＬ２は、薬液処理槽ＣＢ２に使用前燐酸水溶液を供給する。このとき、例えば、薬液処理槽ＣＢ２は、第２液供給部ＳＬ２からの使用前燐酸水溶液の供給に応じて、使用済み燐酸水溶液を液排出部ＥＬ１に排出する。また、このとき、例えば、液補充部ＡＬ１は、液排出部ＥＬ１に使用前燐酸水溶液を補充することで、液排出部ＥＬ１において、使用済み燐酸水溶液に使用前燐酸水溶液を混ぜることで、混合燐酸水溶液を生成させる。この混合燐酸水溶液は、液排出部ＥＬ１から処理液出力部Ｅｘ０へ送られる。このため、本処理でも、前処理と同様に、液供給工程と、液排出工程と、液補充工程と、が行われる。そして、例えば、エッチング工程において薬液処理槽ＣＢ２によってエッチング処理を行う際に、液供給工程において第１液供給部ＳＬ１によって第４配管部Ｔｂ４を介して薬液処理槽ＣＢ２に使用前燐酸水溶液を供給するとともに、液補充工程において、液補充部ＡＬ１によって第１１配管部Ｔｂ１１を介して液排出部ＥＬ１に使用前燐酸水溶液を補充する。

このようにして、本処理においても、例えば、薬液処理槽ＣＢ２から基板処理装置１００の外に使用済み燐酸水溶液を排出する際に、この使用済み燐酸水溶液に、シリコンの溶解濃度が相対的に低い使用前燐酸水溶液を混ぜて排出すれば、薬液処理槽ＣＢ２から基板処理装置１００の外へ使用済み燐酸水溶液を排出する経路において使用済み燐酸水溶液における基板Ｗからの溶出成分の結晶化としてのシロキサンの結晶化が生じにくい。

ここで、例えば、液補充工程において、使用前燐酸水溶液を使用済み燐酸水溶液に混ぜることで、混合燐酸水溶液における基板成分の溶解濃度を溶解度未満とすれば、薬液処理槽ＣＢ２から基板処理装置１００の外へ使用済み燐酸水溶液を排出する経路において使用済み燐酸水溶液における基板Ｗからの溶出成分の結晶化としてのシロキサンの結晶化が生じにくい。

また、本実施形態では、例えば、液供給工程において、液供給管部としての第４配管部Ｔｂ４を介して薬液処理槽ＣＢ２に使用前燐酸水溶液を供給するような構成が採用されると、薬液処理槽ＣＢ２に供給するための使用前燐酸水溶液を、液排出部ＥＬ１において使用済み燐酸水溶液に混合させる用途にも用いることができる。これにより、例えば、薬液処理槽ＣＢ２に使用前燐酸水溶液を供給するための第１液供給部ＳＬ１および第２液供給部ＳＬ２と、液排出部ＥＬ１で使用済み燐酸水溶液に混ぜる使用前燐酸水溶液を補充するための液補充部ＡＬ１と、の間で構成の少なくとも一部の共用化を図ることが可能となる。例えば、処理液供給部Ｅｎ０ならびにその周辺の配管部の共用化が図られ得る。その結果、例えば、基板処理装置１００の構成の簡略化を図ることができる。

また、本実施形態では、液排出工程は、第１液排出工程と、液冷却工程と、第２液排出工程と、を含む。第１液排出工程は、例えば、使用済み燐酸水溶液を薬液処理槽ＣＢ２から、液排出管部Ｔｇ１に含まれた第１部分としての第７配管部Ｔｂ７および第８配管部Ｔｂ８の少なくとも一方に排出する工程を含む。液冷却工程は、例えば、液排出部ＥＬ１に含まれ且つ第７配管部Ｔｂ７に接続された冷却タンクＣｔ１において使用済み燐酸水溶液もしくは混合燐酸水溶液を冷却する工程を含む。第２液排出工程は、例えば、冷却タンクＣｔ１から液排出管部Ｔｇ１に含まれており且つ冷却タンクＣｔ１に接続された第２部分としての第９配管部Ｔｂ９を介して混合燐酸水溶液を基板処理装置１００の外まで排出する工程を含む。このような構成が採用されれば、例えば、使用済み燐酸水溶液が冷却タンクＣｔ１で冷却されても、薬液処理槽ＣＢ２から基板処理装置１００の外へ使用済み燐酸水溶液を排出する経路において使用済み燐酸水溶液における基板Ｗからの溶出成分の結晶化としてのシロキサンの結晶化が生じにくい。

そして、本処理（ステップＳ２）では、例えば、リフターＬＦ２に保持された複数の基板Ｗが、薬液処理槽ＣＢ２に貯留されている燐酸水溶液に浸漬されている時間が、所定時間を経過すると、リフターＬＦ２の上昇によって、リフターＬＦ２に保持された複数の基板Ｗが、薬液処理槽ＣＢ２に貯留された燐酸水溶液から引き上げられる。本処理（ステップＳ２）では、例えば、複数の基板Ｗによってそれぞれ構成される複数のグループの基板Ｗに対して順にエッチング処理が施されてもよい。この場合には、リフターＬＦ２の昇降などによって、複数の基板Ｗによってそれぞれ構成される複数のグループの基板Ｗについて、順に薬液処理槽ＣＢ２に貯留された燐酸水溶液に対して複数の基板Ｗが浸漬され、燐酸水溶液から複数の基板Ｗが引き上げられる処理が、繰り返して実行される。なお、薬液処理槽ＣＢ２に貯留された燐酸水溶液から引き上げられた複数の基板Ｗには、例えば、薬液処理部５２に隣接する洗浄処理部５１で純水による洗浄が施される。

ところで、本処理が行われる際には、例えば、薬液処理槽ＣＢ２の容量の５～１０割程度の燐酸水溶液が入れ替えられる場合がある。この場合には、本処理中において、例えば、エッチング工程において薬液処理槽ＣＢ２によって基板Ｗに対するエッチング処理を行う際に、液供給工程における第２液供給部ＳＬ２による第４配管部Ｔｂ４を介した薬液処理槽ＣＢ２への使用前燐酸水溶液の２回以上の供給と、液補充工程における液補充部ＡＬ１による第１１配管部Ｔｂ１１を介した液排出部ＥＬ１への使用前燐酸水溶液の２回以上の補充と、を同期させて実行させてもよい。ここでは、本処理中において、エッチング処理を行う際に、第２液供給部ＳＬ２から薬液処理槽ＣＢ２への使用前燐酸水溶液の供給と、薬液処理槽ＣＢ２から液排出部ＥＬ１への使用済み燐酸水溶液の排出と、液補充部ＡＬ１から液排出部ＥＬ１への使用前燐酸水溶液の供給と、をそれぞれ分割数Ｍで規定されるＭ回に分割して、相互に同期させて実行してもよい。

このような動作が採用されれば、例えば、本処理中において、時間の経過に対して薬液処理槽ＣＢ２で貯留される燐酸水溶液の状態が略均一となりやすい。そして、例えば、液排出部ＥＬ１で生成される混合燐酸水溶液における基板成分の溶解濃度が均一化されやすい。その結果、例えば、薬液処理槽ＣＢ２から基板処理装置１００の外へ使用済み燐酸水溶液を排出する経路において使用済み燐酸水溶液における基板Ｗからの溶出成分の結晶化（シロキサンの結晶化）が生じにくい。

図６は、本処理の動作の一例に係るタイミングチャートである。図６（ａ）には、本処理が実行される期間Ｐ１における、第２液供給部ＳＬ２から薬液処理槽ＣＢ２への使用前燐酸水溶液（新液）の供給量（液供給量）と、第２液供給部ＳＬ２の第４バルブＶ４の開閉状況と、薬液処理槽ＣＢ２から液排出部ＥＬ１への使用済み燐酸水溶液の排出量（液排出量）と、についての時間変化に係るタイミングチャートが示されている。図６（ｂ）には、本処理の期間Ｐ１における、液補充部ＡＬ１から液排出部ＥＬ１への使用前燐酸水溶液の補充量（液補充量）と、液補充部ＡＬ１の第１０バルブＶ１０の開閉状況と、についての時間変化に係るタイミングチャートが示されている。

ここで、例えば、液供給量と液排出量とが等しい場合には、レシピでは、例えば、本処理の期間Ｐ１の長さと、液供給量と、液補充量と、分割数Ｍと、が規定される。液補充量は、例えば、液供給量に対する割合としての１／Ｎ（Ｎは１～１０の整数）などで指定されてもよい。例えば、期間Ｐ１が７２００秒間であり、液供給量が５０リットルであり、Ｎが１０であり、Ｍが１０であるような条件がレシピで規定される場合が考えられる。この場合には、１回当たりの液供給量は５リットル（＝５０リットル／Ｍ＝５０リットル／１０）となり、液排出量は５０リットルとなり、１回当たりの液排出量は５リットル（＝５０リットル／１０＝５０リットル／Ｍ）となり、液補充量は５リットル（＝５０リットル／１０＝５０リットル／Ｎ）となり、１回当たりの液補充量は０．５リットル（＝５リットル／１０＝５リットル／Ｍ）となる。

図６の例では、例えば、時刻ｔ１ａから時刻ｔ１ｂの間の期間Ｐ１を１０分割したそれぞれの期間（例えば７２０秒間）において、第４バルブＶ４の開放によって使用前燐酸水溶液（新液）が薬液処理槽ＣＢ２に約Ｆｒ１［ｍｌ／ｍｉｎ］の流量で供給されるとともに、薬液処理槽ＣＢ２から液排出部ＥＬ１に使用済み燐酸水溶液が約Ｆｒ１［ｍｌ／ｍｉｎ］の流量で供給される。このとき、時刻ｔ１ａから時刻ｔ１ｂの間の期間Ｐ１を１０分割したそれぞれの期間（例えば７２０秒間）において、第１０バルブＶ１０の開放によって使用前燐酸水溶液（新液）が約Ｆｒ１［ｍｌ／ｍｉｎ］の流量で液排出部ＥＬ１に補充される。Ｆｒ１は、例えば、８００ｍｌ／ｍｉｎなどに設定される。

図７は、本処理に係る動作フローの一例を示すフローチャートである。本動作フローは、例えば、制御部１０が、基板処理装置１００の各部の動作を制御することで実現される。図７のステップＳ２１では、制御部１０が、処理の対象である複数の基板Ｗに対してオペレータが指定したレシピを認識する。ステップＳ２２では、制御部１０によって、ステップＳ２１で認識されたレシピにおいて、本処理におけるエッチング処理を行う際に、第２液供給部ＳＬ２から薬液処理槽ＣＢ２への使用前燐酸水溶液の供給と、薬液処理槽ＣＢ２から液排出部ＥＬ１への使用済み燐酸水溶液の排出と、液補充部ＡＬ１から液排出部ＥＬ１への使用前燐酸水溶液の補充と、をそれぞれＭ回に分割して行う機能（分割機能ともいう）が有効とされているか否か判定する。ここで、分割機能が有効であれば、ステップＳ２３において、本処理におけるエッチング処理を実行する際に、第２液供給部ＳＬ２から薬液処理槽ＣＢ２への使用前燐酸水溶液の供給と、薬液処理槽ＣＢ２から液排出部ＥＬ１への使用済み燐酸水溶液の排出と、液補充部ＡＬ１から液排出部ＥＬ１への使用前燐酸水溶液の補充と、をそれぞれ分割して行う。一方、分割機能が有効でなければ、ステップＳ２４で、本処理におけるエッチング処理を実行する際に、第２液供給部ＳＬ２から薬液処理槽ＣＢ２への使用前燐酸水溶液の供給と、薬液処理槽ＣＢ２から液排出部ＥＬ１への使用済み燐酸水溶液の排出と、液補充部ＡＬ１から液排出部ＥＬ１への使用前燐酸水溶液の補充と、をそれぞれ分割することなく行う。

＜１－３－１－３．後処理の動作＞
後処理（ステップＳ３）では、例えば、本処理（ステップＳ２）が終了した後に、薬液処理槽ＣＢ２に対する燐酸水溶液の供給などによって、次のサイクル処理の実行に向けた準備が行われる。

＜１－３－２．エッチング処理のインターバル期間における動作＞
基板処理装置１００では、基板Ｗの処理の計画あるいはメンテナンスの計画によっては、基板Ｗのエッチング処理が行われた後に、次の基板Ｗのエッチング処理が行われるまでに、長時間を要する場合ある。この場合には、薬液処理部５２において基板Ｗのエッチング処理が実行されない期間（非実行期間ともインターバル期間ともいう）が存在する。このインターバル期間では、基板処理装置１００の液排出部ＥＬ１に使用済み燐酸水溶液が長期間にわたって残留していると、この使用済み燐酸水溶液において基板Ｗからの溶出成分の結晶化（シロキサンの結晶化）が生じるおそれがある。

＜１－３－２－１．インターバル液補充処理＞
本実施形態に係る基板処理装置１００では、例えば、制御部１０が、エッチング工程における薬液処理槽ＣＢ２による基板Ｗに対するエッチング処理が実行された後であって、次のエッチング工程における薬液処理槽ＣＢ２による基板Ｗに対するエッチング処理が実行されるまでのインターバル期間に、所定のタイミングで液補充工程における液補充部ＡＬ１による第１１配管部Ｔｂ１１を介した液排出部ＥＬ１への使用前燐酸水溶液の補充を実行させてもよい。このような、インターバル期間において液補充工程における液補充部ＡＬ１による第１１配管部Ｔｂ１１を介した液排出部ＥＬ１への使用前燐酸水溶液の補充を行う処理を以下「インターバル液補充処理」と称する。また、所定のタイミングとしては、例えば、制御部１０が有する機能の１つであるタイマによって第１所定時間Ｐ２がカウントされる度のタイミングが考えられる。タイマによるカウントが開始されるタイミングとしては、例えば、薬液処理部５２におけるエッチング処理が終了したタイミングおよび薬液処理部５２におけるエッチング処理が実行されていない状態で基板処理装置１００が自動運転の状態に設定されたタイミングなどの薬液処理部５２が待機状態に設定されたタイミング、ならびにインターバル液補充処理が終了したタイミングなどが考えられる。第１所定時間Ｐ２は、例えば、オペレータによる入力部８を介した入力に応じて、１～４８時間程度の間の任意の時間に設定され得る。また、所定のタイミングにおける液補充部ＡＬ１による液排出部ＥＬ１への使用前燐酸水溶液の補充量としては、例えば、冷却タンクＣｔ１の容量（例えば、５～５０リットル程度）に１／ｎ（ｎは１～１０の整数）を乗じた程度の所定量が考えられる。

図８は、インターバル液補充処理に係る動作を説明するための図である。図８（ａ）は、インターバル液補充処理に係るタイミングチャートの一例を示し、図８（ｂ）は、インターバル液補充処理の動作フローの一例に係るフローチャートを示す。本動作フローは、例えば、制御部１０が、基板処理装置１００の各部の動作を制御することで実現される。

図８（ａ）で示されるように、例えば、インターバル液補充処理は、インターバル期間において第１所定時間Ｐ２が経過する度に実行される場合が考えられる。

ここでは、例えば、図８（ｂ）のステップＳ４１～Ｓ４７の処理が行われることで、インターバル期間におけるインターバル液補充処理が実行され得る。

ステップＳ４１では、制御部１０が、薬液処理部５２が待機状態にあるか否か判定する。ここでは、薬液処理部５２が待機状態になるまでステップＳ４１の判定が繰り返し、薬液処理部５２が待機状態になれば、ステップＳ４２に進む。

ステップＳ４２では、制御部１０が、第１所定時間Ｐ２の経過を計測するためのカウントを行う処理（第１カウント処理ともいう）を開始する。

ステップＳ４３では、制御部１０が、薬液処理部５２によって前処理、本処理および後処理などを含むサイクル処理が開始されているか否か判定する。ここで、サイクル処理が開始されていれば、ステップＳ４１に戻る。一方、サイクル処理が開始されていなければ、ステップＳ４４に進む。

ステップＳ４４では、制御部１０が、第１カウント処理が開始されてから第１所定時間Ｐ２が経過したか否か判定する。ここで、第１カウント処理が開始されてから第１所定時間Ｐ２が経過していなければ、ステップＳ４３に戻る。一方、第１カウント処理が開始されてから第１所定時間Ｐ２が経過すれば、ステップＳ４５に進む。

ステップＳ４５では、制御部１０が、液補充部ＡＬ１によるインターバル液補充処理を開始させる。このとき、例えば、第９バルブＶ９によって第９配管部Ｔｂ９の流路が適宜開放されることで、冷却タンクＣｔ１から処理液出力部Ｅｘ０に混合燐酸水溶液が送出される。

ステップＳ４６では、制御部１０が、インターバル液補充処理における液補充部ＡＬ１から液排出部ＥＬ１への処理前燐酸水溶液の補充量が所定量に到達したか否か判定する。ここでは、制御部１０が、補充量が所定量に到達するまでステップＳ４６の判定を繰り返し、補充量が所定量に到達すれば、ステップＳ４７でインターバル液補充処理を終了して、ステップＳ４２に戻る。

このような構成が採用されれば、例えば、インターバル期間が存在する場合であっても、薬液処理槽ＣＢ２から基板処理装置１００の外へ使用済み燐酸水溶液を排出する経路において使用済み燐酸水溶液における基板Ｗからの溶出成分の結晶化（シロキサンの結晶化）が生じにくい。

＜１－３－３．冷却タンクにおける貯留量に応じた動作＞
上述したように、例えば、薬液処理部５２においてエッチング処理を含むサイクル処理を行う際には、薬液処理槽ＣＢ２から液排出部ＥＬ１の冷却タンクＣｔ１に使用済み燐酸水溶液が送られる。このため、例えば、インターバル期間などであっても、サイクル処理の実行が可能となるように、冷却タンクＣｔ１にはある程度の空き容量を確保しておく態様が考えられる。そこで、基板処理装置１００では、例えば、冷却タンクＣｔ１における燐酸水溶液の貯留量を監視して、この貯留量に応じた動作を行ってもよい。

図９は、冷却タンクＣｔ１における監視の対象となる貯留量を説明するための図である。ここでは、例えば、検出部Ｍ４が、冷却タンクＣｔ１における貯留量について、４段階の貯留量（第１～４貯留量Ｌｖ１～Ｌｖ４）を監視することが可能である場合を想定する。この場合には、基板処理装置１００では、例えば、冷却タンクＣｔ１に貯留されている液の貯留量を検出する処理を行う工程（検出工程ともいう）が行われる。ここでは、例えば、第１貯留量Ｌｖ１が、上限レベルであり、第２貯留量Ｌｖ２が、定量レベルであり、第３貯留量Ｌｖ３が、第１閾値としての投入不可レベルであり、第４貯留量Ｌｖ４が、第２閾値としての補充不可レベルである場合が想定される。第３貯留量Ｌｖ３と第４貯留量Ｌｖ４とは、例えば、異なっていてもよいし、同一であってもよい。

＜１－３－３－１．インターバル液補充処理に係る監視＞
例えば、制御部１０は、検出工程において、検出部Ｍ４によって、冷却タンクＣｔ１に貯留されている液の貯留量が、第２閾値としての第４貯留量Ｌｖ４に到達していることが検出されれば、インターバル液補充処理の実行を禁止してもよい。このような処理については、制御部１０が、第１液処理部５および第２液処理部６の処理部ごとに行う態様が考えられる。このような構成が採用されれば、例えば、冷却タンクＣｔ１に第２閾値としての第４貯留量Ｌｖ４以上の液が貯留されていれば、薬液処理槽ＣＢ２によるエッチング処理が行われていないインターバルの期間において、所定のタイミングでの液排出部ＥＬ１への使用前燐酸水溶液の補充を実行しない。

図１０は、冷却タンクＣｔ１の貯留量の監視結果に応じたインターバル液補充処理に係る動作を説明するための図である。図１０（ａ）は、冷却タンクＣｔ１の貯留量の監視結果に応じたインターバル液補充処理に係るタイミングチャートの一例を示し、図１０（ｂ）は、冷却タンクＣｔ１の貯留量の監視結果に応じたインターバル液補充処理の動作フローの一例に係るフローチャートを示す。本動作フローは、例えば、制御部１０が、基板処理装置１００の各部の動作を制御することで実現される。

図１０（ａ）で示されるように、例えば、インターバル液補充処理は、通常は、インターバル期間において第１所定時間Ｐ２が経過する度に実行されるが、時刻ｔ３ｂでは、冷却タンクＣｔ１に貯留されている液の貯留量が、第２閾値としての第４貯留量Ｌｖ４に到達していたため、インターバル液補充処理が行われずに、第１所定時間Ｐ２の経過を計測するための第１カウント処理が最初から行われる態様が考えられる。

図１０（ｂ）の動作フローは、上述した図８（ｂ）の動作フローにおけるステップＳ４４の処理とステップＳ４５の処理との間に、ステップＳ４４ｂの処理が挿入されたものである。図１０（ｂ）のステップＳ４４ｂでは、制御部１０が、検出部Ｍ４によって冷却タンクＣｔ１に貯留されている液の貯留量が、第２閾値としての第４貯留量Ｌｖ４に到達しているか否か判定する。ここで、液の貯留量が、第４貯留量Ｌｖ４に到達していれば、ステップＳ４２に戻る。一方、液の貯留量が、第４貯留量Ｌｖ４に到達していなければ、ステップＳ４５に進む。

このような構成が採用されれば、例えば、インターバル期間が解消された後において基板Ｗにエッチング処理を施す際に、薬液処理槽ＣＢ２から液排出部ＥＬ１に使用済み燐酸水溶液を排出することができずにエッチング処理で生じる不具合の発生を抑制することができる。

ところで、例えば、インターバル期間において、検出部Ｍ４および冷却タンクＣｔ１を含む液排出部ＥＬ１で生じた何らかの不具合によって、検出部Ｍ４で検出される貯留量が第４貯留量Ｌｖ４に到達している状態が、長く続きすぎて、インターバル液補充処理を行うことができない場合が想定される。そこで、例えば、制御部１０は、インターバル期間において、インターバル液補充処理が実行されていない時間が、第２所定時間Ｐ３に到達したことに応答して、出力部９によって第１アラームを発報させてもよい。第２所定時間Ｐ３は、例えば、第１所定時間Ｐ２の所定数倍（例えば２～５倍）程度に設定される。第１アラームには、例えば、所定の警告画面の表示および警告音声の出力などが適用される。このような処理については、制御部１０が、第１液処理部５および第２液処理部６の処理部ごとに行う態様が考えられる。

図１１は、インターバル液補充処理が実行されていない期間（不実行期間ともいう）の監視についての動作を説明するための図である。図１１（ａ）は、インターバル液補充処理の不実行期間の監視動作に係るタイミングチャートの一例を示し、図１１（ｂ）は、インターバル液補充処理の不実行期間の監視動作についての動作フローの一例に係るフローチャートを示す。本動作フローは、例えば、制御部１０が、基板処理装置１００の各部の動作を制御することで実現される。

図１１（ａ）で示されるように、例えば、インターバル液補充処理の不実行期間が第２所定時間Ｐ３に到達したことに応答して、出力部９が第１アラームを発報する態様が考えられる。

ここでは、例えば、図１１（ｂ）のステップＳ５１～Ｓ５７の処理が行われることで、インターバル期間においてインターバル液補充処理の不実行期間の監視動作が実行され得る。

ステップＳ５１では、制御部１０が、薬液処理部５２が待機状態にあるか否か判定する。ここでは、制御部１０が、薬液処理部５２が待機状態になるまでステップＳ５１の判定を繰り返し、薬液処理部５２が待機状態になれば、ステップＳ５２に進む。

ステップＳ５２では、制御部１０が、第２所定時間Ｐ３の経過を計測するためのカウントを行う処理（第２カウント処理ともいう）を開始する。

ステップＳ５３では、制御部１０が、液補充部ＡＬ１による液排出部ＥＬ１への使用前燐酸水溶液の補充を含む処理（液補充含有処理ともいう）が実行されているか否か判定する。液補充含有処理には、例えば、前処理、本処理および後処理などを含むサイクル処理、ならびにインターバル液補充処理が含まれる。ここで、液補充含有処理が実行されていれば、ステップＳ５７に進み、液補充含有処理の実行が終了すれば、ステップＳ５１に戻る。一方、液補充含有処理が実行されていなければ、ステップＳ５４に進む。

ステップＳ５４では、制御部１０が、第２カウント処理が開始されてから第２所定時間Ｐ３が経過したか否か判定する。ここで、第２カウント処理が開始されてから第２所定時間Ｐ３が経過していなければ、ステップＳ５３に戻る。一方、第２カウント処理が開始されてから第２所定時間Ｐ３が経過すれば、ステップＳ５５に進む。

ステップＳ５５では、制御部１０が、出力部９によって第１アラームの発報を行わせる。

ステップＳ５６では、制御部１０が、インターバル液補充処理およびサイクル処理の実行が禁止されている状態（処理禁止状態ともいう）に設定する。このとき、例えば、制御部１０が、複数の基板Ｗを、薬液処理部５２の薬液処理槽ＣＢ２に投入せずに、洗浄処理部５１などの複数の基板Ｗに変化が生じにくいエリアに留め置く態様が考えられる。

このような構成が採用されれば、例えば、検出部Ｍ４および冷却タンクＣｔ１を含む液排出部ＥＬ１で生じた何らかの不具合に対処することができる。また、例えば、検出部Ｍ４および冷却タンクＣｔ１を含む液排出部ＥＬ１で何らかの不具合が生じている際に、サイクル処理の実行が禁止されるため、基板Ｗのエッチング処理における不具合の発生が回避され得る。

また、例えば、インターバル液補充処理において、第３流量計Ｍ３を含む液補充部ＡＬ１および冷却タンクＣｔ１を含む液排出部ＥＬ１で生じた何らかの不具合によって、インターバル液補充処理が実行されている状態が、長く続き過ぎる場合が想定される。そこで、例えば、制御部１０は、インターバル期間において、インターバル液補充処理が実行されている時間（実行時間ともいう）が、第３所定時間Ｐ４に到達したこと応答して、出力部９によって第２アラームを発報させてもよい。第３所定時間Ｐ４は、例えば、インターバル液補充処理に要する通常想定される時間（所要時間ともいう）の１１０～１５０％程度の時間に設定される。第２アラームには、例えば、所定の警告画面の表示および警告音声の出力などが適用される。このような処理については、制御部１０が、第１液処理部５および第２液処理部６の処理部ごとに行う態様が考えられる。

図１２は、インターバル液補充処理の実行時間の監視についての動作を説明するための図である。図１２（ａ）は、インターバル液補充処理の実行時間の監視動作に係るタイミングチャートの一例を示し、図１２（ｂ）は、インターバル液補充処理の実行時間の監視動作についての動作フローの一例に係るフローチャートを示す。本動作フローは、例えば、制御部１０が、基板処理装置１００の各部の動作を制御することで実現される。

図１２（ａ）で示されるように、例えば、インターバル液補充処理の実行時間が第３所定時間Ｐ４に到達したことに応答して、出力部９が第２アラームを発報する態様が考えられる。

ここでは、例えば、図１２（ｂ）のステップＳ６１～Ｓ６６の処理が行われることで、インターバル液補充処理の実行時間の監視動作が実行され得る。

ステップＳ６１では、制御部１０が、液補充部ＡＬ１によってインターバル液補充処理が開始されたか否か判定する。ここでは、インターバル液補充処理が開始されるまでステップＳ６１の判定を繰り返し、インターバル液補充処理が開始されれば、ステップＳ６２に進む。

ステップＳ６２では、制御部１０が、第３所定時間Ｐ４の経過を計測するためのカウントを行う処理（第３カウント処理ともいう）を開始する。

ステップＳ６３では、制御部１０が、インターバル液補充処理が終了したか否か判定する。ここで、インターバル液補充処理が終了されていなければ、ステップＳ６４に進む。一方、インターバル液補充処理が終了されれば、ステップＳ６１に戻る。

ステップＳ６４では、制御部１０が、第３カウント処理が開始されてから第３所定時間Ｐ４が経過したか否か判定する。ここで、第３カウント処理が開始されてから第３所定時間Ｐ４が経過していなければ、ステップＳ６３に戻る。一方、第３カウント処理が開始されてから第３所定時間Ｐ４が経過すれば、ステップＳ６５に進む。

ステップＳ６５では、制御部１０が、出力部９によって第２アラームの発報を行わせる。

ステップＳ６６では、制御部１０が、インターバル液補充処理およびサイクル処理の実行が禁止されている状態（処理禁止状態）に設定する。このとき、例えば、制御部１０は、複数の基板Ｗを、薬液処理部５２の薬液処理槽ＣＢ２に投入せずに、洗浄処理部５１などの複数の基板Ｗに変化を生じさせにくいエリアに留め置く態様が考えられる。

このような構成が採用されれば、例えば、液補充部ＡＬ１および冷却タンクＣｔ１を含む液排出部ＥＬ１で生じた何らかの不具合に対処することができる。また、例えば、液補充部ＡＬ１および冷却タンクＣｔ１を含む液排出部ＥＬ１で何らかの不具合が生じている際に、サイクル処理の実行が禁止されるため、基板Ｗのエッチング処理における不具合の発生が回避され得る。

＜１－３－３－２．サイクル処理に係る監視＞
例えば、制御部１０は、検出工程において、検出部Ｍ４によって、冷却タンクＣｔ１に貯留されている液の貯留量が、第１閾値としての第３貯留量Ｌｖ３に到達していることが検出されれば、薬液処理槽ＣＢ２による基板Ｗに対するエッチング処理の実行を禁止してもよい。このような処理については、制御部１０が、第１液処理部５および第２液処理部６の処理部ごとに行う態様が考えられる。このような構成が採用されれば、例えば、基板Ｗにエッチング処理を施す際に薬液処理槽ＣＢ２から液排出部ＥＬ１に使用済み燐酸水溶液を排出することができずにエッチング処理で生じる不具合の発生を抑制することができる。

図１３は、冷却タンクＣｔ１の貯留量の監視結果に応じたサイクル処理の禁止に係る動作を説明するための図である。図１３（ａ）は、冷却タンクＣｔ１の貯留量の監視結果に応じたサイクル処理の禁止に係るタイミングチャートの一例を示し、図１３（ｂ）は、冷却タンクＣｔ１の貯留量の監視結果に応じたサイクル処理の禁止についての動作フローの一例に係るフローチャートを示す。本動作フローは、例えば、制御部１０が、基板処理装置１００の各部の動作を制御することで実現される。

図１３（ａ）で示されるように、時刻ｔ６ｄにおいて、サイクル処理を開始する際に、冷却タンクＣｔ１に貯留されている液の貯留量が、第１閾値としての第３貯留量Ｌｖ３に到達していれば、出力部９が第３アラームを発報するとともに、サイクル処理の実行が禁止されている状態（処理禁止状態）に設定される態様が考えられる。そして、オペレータなどによる対処によって、出力部９による第３アラームの発報および処理禁止状態が解消された後に、サイクル処理の実行が開始される。

ここでは、例えば、図１３（ｂ）のステップＳ７１～Ｓ７５の処理が行われることで、冷却タンクＣｔ１の貯留量の監視結果に応じたサイクル処理の禁止に係る動作が実行され得る。

ステップＳ７１では、制御部１０が、スケジューリング部で作成したスケジュールに基づいて、サイクル処理を開始するタイミングであるか否か判定する。ここで、制御部１０は、サイクル処理を開始するタイミングになるまでステップＳ７１の判定を繰り返し、サイクル処理を開始するタイミングになれば、ステップＳ７２に進む。

ステップＳ７２では、制御部１０が、検出部Ｍ４によって冷却タンクＣｔ１に貯留されている液の貯留量が、第１閾値としての第３貯留量Ｌｖ３に到達しているか否か判定する。ここで、液の貯留量が、第３貯留量Ｌｖ３に到達していなければ、ステップＳ７５でサイクル処理を実行して、ステップＳ７１に戻る。一方、液の貯留量が、第３貯留量Ｌｖ３に到達していれば、ステップＳ７３に進む。

ステップＳ７３では、制御部１０が、出力部９によって第３アラームの発報を行わせる。

ステップＳ７４では、制御部１０が、サイクル処理の実行が禁止されている処理実行禁止状態に設定する。このとき、例えば、制御部１０は、複数の基板Ｗを、薬液処理部５２の薬液処理槽ＣＢ２に投入せずに、洗浄処理部５１などの複数の基板Ｗが変化を生じにくいエリアに留め置く態様が考えられる。

このような構成が採用されれば、例えば、冷却タンクＣｔ１を含む液排出部ＥＬ１で生じた何らかの不具合に対処することができる。また、例えば、検出部Ｍ４および冷却タンクＣｔ１を含む液排出部ＥＬ１で何らかの不具合が生じている際に、サイクル処理の実行が禁止されるため、基板Ｗのエッチング処理における不具合の発生が回避され得る。

＜２．第１実施形態のまとめ＞
以上のように、第１実施形態に係る基板処理装置１００によれば、例えば、処理部としての薬液処理槽ＣＢ２から基板処理装置１００の外に第１処理液としての使用済み燐酸水溶液を排出する際に、この使用済み燐酸水溶液に、基板成分（例えばシリコン）の溶解濃度が相対的に低い第２処理液としての使用前燐酸水溶液を混ぜる。これにより、例えば、処理部としての薬液処理槽ＣＢ２から基板処理装置１００の外へ処理液としての燐酸水溶液を排出する経路において、処理液としての燐酸水溶液における基板Ｗからの溶出成分の結晶化（例えば、シロキサンの結晶化）が生じにくい。

＜３．変形例＞
本発明は上述の第１実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。

例えば、上記第１実施形態において、サイクル処理の実行タイミング、および液補充部ＡＬ１が液排出部ＥＬ１へ第２処理液としての使用前燐酸水溶液を補充する処理（液補充処理）の実行タイミングについては、種々変更してもよい。

図１４は、サイクル処理および液補充処理の実行タイミングのバリエーションに係るタイミングチャートである。図１４（ａ）は、上記第１実施形態に係るサイクル処理の実行ならびに液補充処理の実行についてのタイミングチャートである。液補充処理には、インターバル液補充処理およびサイクル処理における液補充処理が含まれる。図１４（ｂ）および図１４（ｃ）は、第１変形例に係るサイクル処理の実行ならびに液補充処理の実行についてのタイミングチャートである。

図１４（ａ）の例では、制御部１０によって、サイクル処理が行われている間はインターバル液補充処理が行われず、薬液処理部５２においてサイクル処理が行われていないインターバル期間において、第１所定時間Ｐ２が経過する度にインターバル液補充処理が行われる。

図１４（ｂ）および図１４（ｃ）の例では、制御部１０によって、サイクル処理が実行されている際に液補充処理が行われず、サイクル処理の実行の有無にかかわらず、第１所定時間Ｐ２が経過する度にインターバル液補充処理が行われる。ただし、この場合には、図１４（ｃ）で示されるように、サイクル処理の実行中であれば、第１所定時間Ｐ２が経過してもインターバル液補充処理が行われずに、サイクル処理の終了に応答して、インターバル液補充処理が実行されてもよい。

図１５は、サイクル処理および液補充処理の実行タイミングの第１変形例に係る動作フローの一例を示すフローチャートである。本動作フローは、例えば、制御部１０が、基板処理装置１００の各部の動作を制御することで実現される。

ここでは、例えば、図１５のステップＳ８１～Ｓ８６の処理が行われることで、第１変形例に係る液補充処理が実行される。

ステップＳ８１では、制御部１０が、第１所定時間Ｐ２の経過を計測するためのカウントを行う第１カウント処理を開始する。

ステップＳ８２では、制御部１０が、第１カウント処理が開始されてから第１所定時間Ｐ２が経過したか否か判定する。ここでは、制御部１０が、第１カウント処理が開始されてから第１所定時間Ｐ２が経過するまでステップＳ８２の判定を繰り返し、第１所定時間Ｐ２が経過すれば、ステップＳ８３に進む。

ステップＳ８３では、制御部１０が、薬液処理槽ＣＢ２におけるサイクル処理が実行中か否か判定する。ここでは、サイクル処理が実行中であれば、制御部１０がステップＳ８３の判定を繰り返し、サイクル処理が実行中でなくなれば、ステップＳ８４に進む。

ステップＳ８４では、制御部１０が、液補充部ＡＬ１によるインターバル液補充処理を開始させる。このとき、例えば、第９バルブＶ９によって第９配管部Ｔｂ９の流路が適宜開放されることで、冷却タンクＣｔ１から処理液出力部Ｅｘ０に混合燐酸水溶液が送出される。

ステップＳ８５では、制御部１０が、インターバル液補充処理における液補充部ＡＬ１から液排出部ＥＬ１への処理前燐酸水溶液の補充量が所定量に到達したか否か判定する。ここでは、制御部１０は、補充量が所定量に到達するまでステップＳ８５の処理を繰り返し、補充量が所定量に到達すれば、ステップＳ８６でインターバル液補充処理を終了させて、ステップＳ８１に戻る。

また、例えば、上記第１実施形態および上記第１変形例において、例えば、図１６で示されるように、薬液処理部５２における液排出部ＥＬ１が、この液排出部ＥＬ１から冷却タンクＣｔ１が削除された液排出部ＥＬ１Ａに置換されてもよい。この場合には、例えば、液排出管部Ｔｇ１において、薬液処理槽ＣＢ２から排出される第１処理液としての使用済み燐酸水溶液に、液補充部ＡＬ１から補充される第２処理液としての使用前燐酸水溶液を混ぜることで、混合溶液（混合燐酸水溶液）が生成される。図１６の例では、第７配管部Ｔｂ７と第８配管部Ｔｂ８と第９配管部Ｔｂ９とが直接的に連通するように接続している。

また、例えば、本発明は、上記第１実施形態に係る基板処理装置１００のようなバッチ式の基板処理装置に限られず、１枚の基板Ｗごとに、ノズルから基板Ｗに処理液を吐出して処理液を用いたエッチング処理を基板Ｗに施す、いわゆる枚葉式の基板処理装置にも適用可能である。図１７は、枚葉式の基板処理装置における薬液処理部５２Ｂの構成の一例を示す図である。図１７で示されるように、薬液処理部５２Ｂは、液供給部ＳＬ２Ｂ、薬液処理ユニットＣＰ２、液排出部ＥＬ１Ｂおよび液補充部ＡＬ１Ｂを備える。

液供給部ＳＬ２Ｂは、例えば、処理部としての薬液処理ユニットＣＰ２にエッチング液として機能する処理液としての使用前燐酸水溶液を供給する処理（液供給処理）を実行することができる。この第２液供給部ＳＬ２Ｂは、例えば、液供給管部としての第４配管部Ｔｂ４を有し、処理液供給源Ｅｎ０から送られる燐酸水溶液を、第４配管部Ｔｂ４を介して薬液処理ユニットＣＰ２に供給することができる。第４配管部Ｔｂ４には、第２流量制御部Ｃｆ２が設けられている。第２流量制御部Ｃｆ２は、例えば、燐酸水溶液の流路を開閉する第４バルブＶ４と、燐酸水溶液の流量を計測する第２流量計Ｍ２とを有する。液供給部ＳＬ２では、例えば、処理液供給源Ｅｎ０から供給される燐酸水溶液は、第４配管部Ｔｂ４を通って、第２流量制御部Ｃｆ２によって設定された流量で薬液処理ユニットＣＰ２のノズル５０に供給される。

薬液処理ユニットＣＰ２は、例えば、エッチング液として機能する処理液としての燐酸水溶液によって基板Ｗに対するエッチング処理を行う部分（処理部）である。薬液処理ユニットＣＰ２は、例えば、保持部３０、回転機構４０およびノズル５０を有する。保持部３０は、例えば、基板Ｗを略水平姿勢で保持して回転させる。保持部３０には、例えば、基板Ｗの上面Ｕｓ１の逆の他の一主面（下面ともいう）Ｂｓ１を真空吸着可能な上面３０ｆを有する真空チャック、または基板Ｗの周縁部を挟持可能な複数個のチャックピンを有する挟持式のチャック等が適用される。回転機構４０は、保持部３０を回転させる。回転機構４０には、例えば、上端部に保持部３０が連結されて鉛直方向に沿って延在している回転支軸４０ｓと、回転支軸４０ｓを鉛直方向に沿った仮想的な回転軸Ａｘ１を中心として回転させることが可能なモータ等を有する回転駆動部４０ｍと、を有する構成が適用される。ここでは、例えば、回転駆動部４０ｍによって回転支軸４０ｓが回転軸Ａｘ１を中心として回転されることで、保持部３０が略水平面内で回転される。これにより、例えば、保持部３０上に保持されている基板Ｗが、回転軸Ａｘ１を中心として回転される。ノズル５０は、例えば、保持部３０に保持された基板Ｗに向けて処理液としての燐酸水溶液を吐出することができる。

液排出部ＥＬ１Ｂは、例えば、処理部としての薬液処理ユニットＣＰ２において基板Ｗに対するエッチング処理に使用された後の処理液（第１処理液）としての燐酸水溶液（使用済み燐酸水溶液）を、薬液処理ユニットＣＰ２から基板処理装置の外まで排出する処理（液排出処理）を実行する部分である。液排出部ＥＬ１Ｂは、例えば、第８配管部Ｔｂ８を含む液排出管部Ｔｇ１を有する。第８配管部Ｔｂ８は、例えば、薬液処理ユニットＣＰ２の下部に連通するように接続している第１端部と、処理液出力部Ｅｘ０に対して連通するように接続している第２端部と、を有する。

液補充部ＡＬ１Ｂは、例えば、処理液供給源Ｅｎ０から液排出部ＥＬ１Ｂに第２処理液としての使用前燐酸水溶液を補充する処理（液補充処理）を実行することができる。これにより、第１処理液としての使用済み燐酸水溶液と、第２処理液としての使用前燐酸水溶液と、を混ぜた混合溶液としての燐酸水溶液（混合燐酸水溶液ともいう）が生成される。ここでは、例えば、使用前燐酸水溶液が、使用済み燐酸水溶液よりも、基板成分（例えば、シリコン）の溶解濃度が低い状態にあるため、混合燐酸水溶液は、使用済み燐酸水溶液よりも基板成分（例えば、シリコン）の溶解濃度が低い状態となる。ここで、液補充部ＡＬ１Ｂは、例えば、液排出部ＥＬ１Ｂに接続された液補充管部としての第１１配管部Ｔｂ１１を有する。第１１配管部Ｔｂ１１は、例えば、処理液供給源Ｅｎ０に接続された第１端部と、第８配管部Ｔｂ８に合流するような形態で連通するように接続された第２端部と、を有する。第１１配管部Ｔｂ１１には、第３流量制御部Ｃｆ３が設けられている。第３流量制御部Ｃｆ３は、例えば、第１１配管部Ｔｂ１１の流路を開閉する第１０バルブＶ１０と、燐酸水溶液の流量を計測する第３流量計Ｍ３とを有する。

また、例えば、上記第１実施形態および各変形例において、第２液供給部ＳＬ２および液供給部ＳＬＢに処理液を供給するための処理液供給源Ｅｎ０と、液補充部ＡＬ１に第２処理液を供給するための処理液供給源Ｅｎ０と、が別系統の処理液供給源とされてもよい。この場合には、第２液供給部ＳＬ２および液供給部ＳＬＢに供給する処理液は、例えば、基板成分をある程度含有するように調整されたものであってもよい。また、例えば、調整槽ＳＢ１において、第２液供給部ＳＬ２に供給する処理液に、基板成分をある程度含有させてもよい。また、別の観点から言えば、例えば、液補充部ＡＬ１に供給される第２処理液における基板成分の溶解濃度が、第２液供給部ＳＬ２および液供給部ＳＬＢに供給される処理液における基板成分の溶解濃度よりも低くてもよい。

上記一実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。

５ 第１液処理部
６ 第２液処理部
９ 出力部
１０ 制御部
５２，５２Ｂ 薬液処理部
５２ｓ センサ部
１００ 基板処理装置
ＡＬ１，ＡＬ１Ｂ 液補充部
ＣＢ２ 薬液処理槽
ＣＰ２ 薬液処理ユニット
Ｃｔ１ 冷却タンク
ＥＬ１，ＥＬ１Ａ，ＥＬ１Ｂ 液排出部
Ｅｎ０ 処理液供給源
Ｅｘ０ 処理液出力部
Ｌｖ１～Ｌｖ４ 第１～４貯留量
Ｍ４ 検出部
Ｐ２～Ｐ４ 第１～３所定時間
ＳＬ１ 第１液供給部
ＳＬ２ 第２液供給部
ＳＬ２Ｂ 液供給部
Ｔｂ１～Ｔｂ１１ 第１～１１配管部
Ｔｇ１ 液排出管部
Ｖ１～Ｖ１０ 第１～１０バルブ
Ｗ 基板

Claims (24)

1. 基板処理装置であって、
   処理液によって基板に対するエッチング処理を行う処理部と、
   前記処理部に前記処理液を供給する液供給管部を有する液供給部と、
   前記処理部において前記基板に対する前記エッチング処理に使用された後の第１処理液を前記処理部から前記基板処理装置の外まで排出するための液排出管部を有する液排出部と、
   前記基板を構成する成分の溶解濃度が前記第１処理液よりも低い第２処理液を前記液排出部に補充することで前記第１処理液と前記第２処理液とを混ぜて混合溶液を生成するために、前記液排出部に接続された液補充管部を有する液補充部と、
   前記液供給部による前記処理部への前記処理液の供給と、前記液補充部による前記液排出部への前記第２処理液の補充と、を制御する制御部と、を備え、
   前記液供給部は、前記処理部に前記第２処理液を供給する、基板処理装置。
2. 基板処理装置であって、
   処理液によって基板に対するエッチング処理を行う処理部と、
   前記処理部に前記処理液を供給する液供給管部を有する液供給部と、
   前記処理部において前記基板に対する前記エッチング処理に使用された後の第１処理液を前記処理部から前記基板処理装置の外まで排出するための液排出管部を有する液排出部と、
   前記基板を構成する成分の溶解濃度が前記第１処理液よりも低い第２処理液を前記液排出部に補充することで前記第１処理液と前記第２処理液とを混ぜて混合溶液を生成するために、前記液排出部に接続された液補充管部を有する液補充部と、
   前記液供給部による前記処理部への前記処理液の供給と、前記液補充部による前記液排出部への前記第２処理液の補充と、を制御する制御部と、を備え、
   前記処理部は、前記液供給部からの前記処理液の供給に応じて前記第１処理液を前記液排出部に排出し、
   前記制御部は、前記処理部によって前記基板に対する前記エッチング処理を行う際に、前記液供給部による前記処理部への前記処理液の２回以上の供給と、前記液補充部による前記液排出部への前記第２処理液の２回以上の補充と、を同期させて実行させる、基板処理装置。
3. 基板処理装置であって、
   処理液によって基板に対するエッチング処理を行う処理部と、
   前記処理部に前記処理液を供給する液供給管部を有する液供給部と、
   前記処理部において前記基板に対する前記エッチング処理に使用された後の第１処理液を前記処理部から前記基板処理装置の外まで排出するための液排出管部を有する液排出部と、
   前記基板を構成する成分の溶解濃度が前記第１処理液よりも低い第２処理液を前記液排出部に補充することで前記第１処理液と前記第２処理液とを混ぜて混合溶液を生成するために、前記液排出部に接続された液補充管部を有する液補充部と、
   前記液供給部による前記処理部への前記処理液の供給と、前記液補充部による前記液排出部への前記第２処理液の補充と、を制御する制御部と、を備え、
   前記処理部は、前記液供給部からの前記処理液の供給に応じて前記第１処理液を前記液排出部に排出し、
   前記制御部は、前記処理部によって前記基板に対する前記エッチング処理を行う前に、前記液補充部による前記液排出部への前記第２処理液の少なくとも１回補充、を実行させ、前記処理部によって前記基板に対する前記エッチング処理を行う際に、前記液供給部による前記処理部への前記処理液の供給と、前記液補充部による前記液排出部への前記第２処理液の補充と、を実行させる、基板処理装置。
4. 基板処理装置であって、
   処理液によって基板に対するエッチング処理を行う処理部と、
   前記処理部に前記処理液を供給する液供給管部を有する液供給部と、
   前記処理部において前記基板に対する前記エッチング処理に使用された後の第１処理液を前記処理部から前記基板処理装置の外まで排出するための液排出管部を有する液排出部と、
   前記基板を構成する成分の溶解濃度が前記第１処理液よりも低い第２処理液を前記液排出部に補充することで前記第１処理液と前記第２処理液とを混ぜて混合溶液を生成するために、前記液排出部に接続された液補充管部を有する液補充部と、
   前記液供給部による前記処理部への前記処理液の供給と、前記液補充部による前記液排出部への前記第２処理液の補充と、を制御する制御部と、を備え、
   前記液排出部は、さらに前記第１処理液を冷却する冷却タンクを含み、
   前記液排出管部は、前記処理部と前記冷却タンクとを接続している第１部分と、前記冷却タンクに接続されており、前記基板処理装置の外まで液を排出するための第２部分と、を含む、基板処理装置。
5. 請求項４に記載の基板処理装置であって、
   前記制御部は、前記処理部による前記基板に対する前記エッチング処理が実行された後であって、次の前記処理部による前記基板に対する前記エッチング処理が実行されるまでの期間に、所定のタイミングで前記液補充部によって前記液排出部への前記第２処理液の補充を実行させ、
   前記液排出部は、前記冷却タンクに貯留されている液の貯留量を検出する検出部、をさらに含み、
   前記制御部は、前記検出部によって前記貯留量が第２閾値に到達していることが検出されれば、前記所定のタイミングでの前記液補充部による前記液排出部への前記第２処理液の補充の実行を禁止する、基板処理装置。
6. 請求項４に記載の基板処理装置であって、
   前記液排出部は、前記冷却タンクに貯留されている液の貯留量を検出する検出部、をさらに含み、
   前記処理部は、前記液供給部からの前記処理液の供給に応じて前記第１処理液を前記液排出部に排出し、
   前記制御部は、前記検出部によって前記貯留量が第１閾値に到達していることが検出されれば、前記処理部による前記基板に対する前記エッチング処理の実行を禁止する、基板処理装置。
7. 請求項１から請求項６の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
   前記液補充部は、前記第２処理液を前記第１処理液に混ぜることで、前記混合溶液における前記基板を構成する成分の溶解濃度を溶解度未満とする、基板処理装置。
8. 請求項１から請求項７の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
   前記処理液は、燐酸水溶液を含み、
   前記基板は、窒化珪素の膜を有し、
   前記エッチング処理は、前記燐酸水溶液によって前記窒化珪素の膜を溶解させる処理を含む、基板処理装置。
9. 請求項２から請求項６の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
   前記液供給部は、前記処理部に前記第２処理液を供給する、基板処理装置。
10. 請求項３から請求項６の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記処理部は、前記液供給部からの前記処理液の供給に応じて前記第１処理液を前記液排出部に排出し、
    前記制御部は、前記処理部によって前記基板に対する前記エッチング処理を行う際に、前記液供給部による前記処理部への前記処理液の２回以上の供給と、前記液補充部による前記液排出部への前記第２処理液の２回以上の補充と、を同期させて実行させる、基板処理装置。
11. 請求項４から請求項６の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記処理部は、前記液供給部からの前記処理液の供給に応じて前記第１処理液を前記液排出部に排出し、
    前記制御部は、前記処理部によって前記基板に対する前記エッチング処理を行う前に、前記液補充部による前記液排出部への前記第２処理液の少なくとも１回補充、を実行させ、前記処理部によって前記基板に対する前記エッチング処理を行う際に、前記液供給部による前記処理部への前記処理液の供給と、前記液補充部による前記液排出部への前記第２処理液の補充と、を実行させる、基板処理装置。
12. 請求項１から請求項４および請求項６の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記制御部は、前記処理部による前記基板に対する前記エッチング処理が実行された後であって、次の前記処理部による前記基板に対する前記エッチング処理が実行されるまでの期間に、所定のタイミングで前記液補充部によって前記液排出部への前記第２処理液の補充を実行させる、基板処理装置。
13. 基板処理装置における基板処理方法であって、
    処理部において処理液によって基板に対するエッチング処理を行うエッチング工程と、
    液供給管部を介して前記処理部に前記処理液を供給する液供給工程と、
    前記エッチング工程において使用された後の第１処理液を前記処理部から前記基板処理装置の外まで液排出管部を含む液排出部を介して排出する液排出工程と、
    前記基板を構成する成分の溶解濃度が前記第１処理液よりも低い第２処理液を、液補充管部を介して前記液排出部に補充することで、前記第１処理液と前記第２処理液とを混ぜて混合溶液を生成する液補充工程と、を有し、
    前記液供給工程において、前記液供給管部を介して前記処理部に前記第２処理液を供給する、基板処理方法。
14. 基板処理装置における基板処理方法であって、
    処理部において処理液によって基板に対するエッチング処理を行うエッチング工程と、
    液供給管部を介して前記処理部に前記処理液を供給する液供給工程と、
    前記エッチング工程において使用された後の第１処理液を前記処理部から前記基板処理装置の外まで液排出管部を含む液排出部を介して排出する液排出工程と、
    前記基板を構成する成分の溶解濃度が前記第１処理液よりも低い第２処理液を、液補充管部を介して前記液排出部に補充することで、前記第１処理液と前記第２処理液とを混ぜて混合溶液を生成する液補充工程と、を有し、
    前記液排出工程において、前記処理部は、前記液供給工程における前記処理液の供給に応じて前記第１処理液を前記液排出部に排出し、
    前記エッチング工程において前記エッチング処理を行う際に、前記液供給工程における前記液供給管部を介した前記処理部への前記処理液の２回以上の供給と、前記液補充工程における前記液補充管部を介した前記液排出部への前記第２処理液の２回以上の補充と、を同期させて実行する、基板処理方法。
15. 基板処理装置における基板処理方法であって、
    処理部において処理液によって基板に対するエッチング処理を行うエッチング工程と、
    液供給管部を介して前記処理部に前記処理液を供給する液供給工程と、
    前記エッチング工程において使用された後の第１処理液を前記処理部から前記基板処理装置の外まで液排出管部を含む液排出部を介して排出する液排出工程と、
    前記基板を構成する成分の溶解濃度が前記第１処理液よりも低い第２処理液を、液補充管部を介して前記液排出部に補充することで、前記第１処理液と前記第２処理液とを混ぜて混合溶液を生成する液補充工程と、を有し、
    前記液排出工程において、前記液供給工程における前記液供給管部を介した前記処理部への前記処理液の供給に応じて、前記第１処理液を前記処理部から前記液排出部に排出し、
    前記エッチング工程における前記エッチング処理の前に、前記液補充工程における前記液補充管部を介した前記液排出部への前記第２処理液の補充を少なくとも１回実行し、
    前記エッチング工程において前記エッチング処理を行う際に、前記液供給工程における前記液供給管部を介した前記処理部への前記処理液の供給を実行するとともに、前記液補充工程における前記液補充管部を介した前記液排出部への前記第２処理液の補充を実行する、基板処理方法。
16. 基板処理装置における基板処理方法であって、
    処理部において処理液によって基板に対するエッチング処理を行うエッチング工程と、
    液供給管部を介して前記処理部に前記処理液を供給する液供給工程と、
    前記エッチング工程において使用された後の第１処理液を前記処理部から前記基板処理装置の外まで液排出管部を含む液排出部を介して排出する液排出工程と、
    前記基板を構成する成分の溶解濃度が前記第１処理液よりも低い第２処理液を、液補充管部を介して前記液排出部に補充することで、前記第１処理液と前記第２処理液とを混ぜて混合溶液を生成する液補充工程と、を有し、
    前記液排出工程は、前記第１処理液を前記処理部から前記液排出管部に含まれた第１部分に排出する第１液排出工程と、前記液排出部に含まれ且つ前記第１部分に接続された冷却タンクにおいて前記第１処理液もしくは前記混合溶液を冷却する液冷却工程と、前記冷却タンクから前記液排出管部に含まれており且つ前記冷却タンクに接続された第２部分を介して前記混合溶液を前記基板処理装置の外まで排出する第２液排出工程と、を含む、基板処理方法。
17. 請求項１６に記載の基板処理方法であって、
    前記エッチング工程における前記エッチング処理が実行された後であって、次の前記エッチング工程における前記エッチング処理が実行されるまでの期間に、所定のタイミングで前記液補充工程における前記液補充管部を介した前記液排出部への前記第２処理液の補充を実行し、
    前記基板処理方法は、前記冷却タンクに貯留されている液の貯留量を検出する検出工程、をさらに有し、
    前記検出工程において前記貯留量が第２閾値に到達していることが検出されれば、前記液補充工程における前記所定のタイミングにおける前記液補充管部を介した前記液排出部への前記第２処理液の補充を禁止する、基板処理方法。
18. 請求項１６に記載の基板処理方法であって、
    前記冷却タンクに貯留されている液の貯留量を検出する検出工程、をさらに有し、
    前記液排出工程において、前記液供給工程における前記液供給管部を介した前記処理部への前記処理液の供給に応じて、前記第１処理液を前記処理部から前記液排出部に排出し、
    前記検出工程において前記貯留量が第１閾値に到達していることが検出されれば、前記エッチング工程における前記エッチング処理の実行を禁止する、基板処理方法。
19. 請求項１３から請求項１８の何れか１つの請求項に記載の基板処理方法であって、
    前記液補充工程において、前記第２処理液を前記第１処理液に混ぜることで、前記混合溶液における前記基板を構成する成分の溶解濃度を溶解度未満とする、基板処理方法。
20. 請求項１３から請求項１９の何れか１つの請求項に記載の基板処理方法であって、
    前記処理液は、燐酸水溶液を含み、
    前記基板は、窒化珪素の膜を有し、
    前記エッチング工程において、前記燐酸水溶液によって前記窒化珪素の膜を溶解させる、基板処理方法。
21. 請求項１４から請求項１８の何れか１つの請求項に記載の基板処理方法であって、
    前記液供給工程において、前記液供給管部を介して前記処理部に前記第２処理液を供給する、基板処理方法。
22. 請求項１５から請求項１８の何れか１つの請求項に記載の基板処理方法であって、
    前記液排出工程において、前記処理部は、前記液供給工程における前記処理液の供給に応じて前記第１処理液を前記液排出部に排出し、
    前記エッチング工程において前記エッチング処理を行う際に、前記液供給工程における前記液供給管部を介した前記処理部への前記処理液の２回以上の供給と、前記液補充工程における前記液補充管部を介した前記液排出部への前記第２処理液の２回以上の補充と、を同期させて実行する、基板処理方法。
23. 請求項１６から請求項１８の何れか１つの請求項に記載の基板処理方法であって、
    前記液排出工程において、前記液供給工程における前記液供給管部を介した前記処理部への前記処理液の供給に応じて、前記第１処理液を前記処理部から前記液排出部に排出し、
    前記エッチング工程における前記エッチング処理の前に、前記液補充工程における前記液補充管部を介した前記液排出部への前記第２処理液の補充を少なくとも１回実行し、
    前記エッチング工程において前記エッチング処理を行う際に、前記液供給工程における前記液供給管部を介した前記処理部への前記処理液の供給を実行するとともに、前記液補充工程における前記液補充管部を介した前記液排出部への前記第２処理液の補充を実行する、基板処理方法。
24. 請求項１３から請求項１６および請求項１８の何れか１つの請求項に記載の基板処理方法であって、
    前記エッチング工程における前記エッチング処理が実行された後であって、次の前記エッチング工程における前記エッチング処理が実行されるまでの期間に、所定のタイミングで前記液補充工程における前記液補充管部を介した前記液排出部への前記第２処理液の補充を実行する、基板処理方法。

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