TW202249114A - 基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題，在於提供一種基板處理技術，其在自處理部朝向基板處理裝置外排出處理液之路徑中，難以產生處理液中來自基板之溶出成分的結晶化。 本發明之基板處理裝置具備有處理部、液體供給部、液體排出部、液體補充部及控制部。處理部藉由處理液來進行對基板之蝕刻處理。液體供給部具有對處理部供給處理液之液體供給管部。液體排出部具有用以將在處理部被使用於對基板之蝕刻處理後的第1處理液自處理部排出至基板處理裝置之外之液體排出管部。液體補充部為了將構成基板之成分的溶解濃度低於第1處理液之第2處理液補充至液體排出部，藉此混合第1處理液與第2處理液來生成混合溶液，而具有被連接於液體排出部之液體補充管部。控制部對液體供給部所進行之處理液朝向處理部的供給、及液體補充部所進行之上述第2處理液朝向液體排出部的補充進行控制。

Description

基板處理裝置
本發明關於藉由處理液而對半導體晶圓、液晶顯示器用基板、電漿顯示器用基板、有機EL(Electroluminescence；電致發光)用基板、FED(Field Emission Display；場發射顯示器)用基板、光顯示器用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板及太陽能電池用基板等之基板實施蝕刻處理的技術。
已知有藉由使基板浸漬於被貯存在處理槽之處理液中，而對基板實施蝕刻處理之基板處理裝置(例如專利文獻1等)。此處，例如進行利用磷酸(H 3PO 4)之水溶液(磷酸水溶液)等之處理液使被形成於基板之表面之氮化矽之膜溶出的處理(蝕刻處理)。在該裝置中，例如設置有相對於處理槽使處理液循環之具有泵、加熱器及過濾器的循環線。又，若於處理槽中進行利用處理液之基板之蝕刻處理，於被貯存在處理槽之處理液中自基板所溶出之溶出成分的濃度便會上升。而且，例如關於溶出成分之濃度較高的處理液，可藉由廢棄線而被排出至基板處理裝置之外。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利特開2018-6623號公報
(發明所欲解決之問題)
然而，在專利文獻1等所記載之基板處理裝置中，例如蝕刻處理所使用之處理液，會自處理槽被送至冷卻箱，並於藉由該冷卻箱所冷卻後，藉由廢棄線被排出至基板處理裝置之外。於該情形時，例如在廢棄線中，存在有處理液中基板的溶出成分結晶化而發生廢棄線堵塞等之不良情況之情形。
例如，於藉由磷酸水溶液等之處理液對被形成在基板之表面之氮化矽之膜實施蝕刻處理之情形時，自基板溶出之矽會依據成為處理對象之基板的片數及蝕刻處理的時間等，而逐漸地蓄積於磷酸水溶液中。然後，磷酸水溶液中之矽的濃度(亦稱為矽氧烷(SiO 2成分)濃度)會變高。此處，例如，於磷酸水溶液自處理槽被送至冷卻箱，並在藉由該冷卻箱所冷卻後，藉由廢棄線而排出至基板處理裝置之外之情形時，存在有於廢棄線中，磷酸水溶液中之矽氧烷會結晶化而發生廢棄線堵塞之不良情況的可能性。
若發生如此之廢棄線堵塞之不良情況，例如，直至解決廢棄線之堵塞為止，將會變得無法使用基板處理裝置。
如此之問題並不限定於藉由使基板浸漬於被貯存在處理槽之處理液而對基板實施蝕刻處理之所謂批次式之基板處理裝置，一般而言，上述問題亦會發生於自噴嘴對基板吐出處理液而對基板實施使用處理液之蝕刻處理之所謂單片式之基板處理裝置等之基板處理裝置。
本發明係鑑於上述課題所完成者，其目的在於提供一種基板處理技術，其在自處理部朝向基板處理裝置外排出處理液之路徑中，難以產生處理液中來自基板之溶出成分的結晶化。 (解決問題之技術手段)
為了解決上述課題，第1態樣之基板處理裝置具備有處理部、液體供給部、液體排出部、液體補充部及控制部。上述處理部藉由處理液來進行對基板之蝕刻處理。上述液體供給部具有對上述處理部供給上述處理液之液體供給管部。上述液體排出部具有用以將在上述處理部被使用於對上述基板之上述蝕刻處理後的第1處理液自上述處理部排出至上述基板處理裝置之外之液體排出管部。上述液體補充部為了將構成上述基板之成分的溶解濃度低於上述第1處理液之第2處理液補充至上述液體排出部，藉此混合上述第1處理液與上述第2處理液來生成混合溶液，而具有被連接於上述液體排出部之液體補充管部。上述控制部對上述液體供給部所進行之上述處理液朝向上述處理部的供給、及上述液體補充部所進行之上述第2處理液朝向上述液體排出部的補充進行控制。
第2態樣之基板處理裝置係第1態樣之基板處理裝置，其中，上述液體補充部藉由將上述第2處理液混合於上述第1處理液，而使上述混合溶液中構成上述基板之成分的溶解濃度未達至溶解度。
第3態樣之基板處理裝置係第1或第2態樣之基板處理裝置，其中，上述處理液包含磷酸水溶液，上述基板具有氮化矽之膜，上述蝕刻處理包含有藉由上述磷酸水溶液使上述氮化矽之膜溶解的處理。
第4態樣之基板處理裝置係第1至第3中任一態樣之基板處理裝置，其中，上述液體供給部對上述處理部供給上述第2處理液。
第5態樣之基板處理裝置係第1至第4中任一態樣之基板處理裝置，其中，上述處理部因應於來自上述液體供給部之上述處理液的供給，將上述第1處理液排出至上述液體排出部，上述控制部於藉由上述處理部進行對上述基板之上述蝕刻處理時，使上述液體供給部所進行之上述處理液朝上述處理部的兩次以上之供給、及使上述液體補充部所進行之上述第2處理液朝向上述液體排出部之兩次以上的補充同步地執行。
第6態樣之基板處理裝置係第1至第5中任一態樣之基板處理裝置，其中，上述處理部因應於來自上述液體供給部之上述處理液的供給，將上述第1處理液排出至上述液體排出部，上述控制部於藉由上述處理部進行對上述基板之上述蝕刻處理前，使上述液體補充部所進行之上述第2處理液朝向上述液體排出部的補充予以執行至少一次，並於藉由上述處理部進行對上述基板之上述蝕刻處理時，使上述液體供給部所進行之上述處理液朝向上述處理部的供給、及上述液體補充部所進行之上述第2處理液朝向上述液體排出部的補充予以執行。
第7態樣之基板處理裝置係第1至第6中任一態樣之基板處理裝置，其中，上述控制部於上述處理部所進行之對上述基板之上述蝕刻處理被執行之後且至接下來之上述處理部所進行之對上述基板之上述蝕刻處理被執行為止的期間，在既定的時間點藉由上述液體補充部使上述第2處理液朝向上述液體排出部的補充予以執行。
第8態樣之基板處理裝置係第1至第7中任一態樣之基板處理裝置，其中，上述液體排出部進一步包含有將上述第1處理液加以冷卻之冷卻箱，上述液體排出管部包含有連接上述處理部與上述冷卻箱之第1部分、及被連接於上述冷卻箱而用以將液體排出至上述基板處理裝置之外之第2部分。
第9態樣之基板處理裝置係第8態樣之基板處理裝置，其中，上述液體排出部進一步包含有對被貯存在上述冷卻箱之液體之貯存量進行檢測的檢測部，上述處理部依據來自上述液體供給部之上述處理液的供給將上述第1處理液排出至上述液體排出部，上述控制部若在上述檢測部檢測出上述貯存量到達第1臨限值之情形時，則禁止上述處理部所進行之對上述基板之上述蝕刻處理的執行。
第10態樣之基板處理裝置係第7態樣之基板處理裝置，其中，上述液體排出部進一步包含有將上述第1處理液加以冷卻之冷卻箱，上述液體排出管部包含有連接上述處理部與上述冷卻箱之第1部分、及被連接於上述冷卻箱而用以將液體排出至上述基板處理裝置之外之第2部分，上述液體排出部進一步包含有對被貯存在上述冷卻箱之液體之貯存量進行檢測之檢測部，上述控制部若在由上述檢測部檢測出上述貯存量到達第2臨限值之情形時，則禁止在上述既定之時間點之上述液體補充部所進行之上述第2處理液朝向上述液體排出部之補充的執行。
第11態樣之基板處理方法係基板處理裝置之基板處理方法，其具備有：蝕刻步驟、液體供給步驟、液體排出步驟及液體補充步驟。在上述蝕刻步驟中，於處理部藉由處理液進行對基板之蝕刻處理。在上述液體供給步驟中，經由液體供給管部對上述處理部供給上述處理液。在上述液體排出步驟中，經由包含有液體排出管部之液體排出部將在上述蝕刻步驟所使用後之第1處理液自上述處理部排出至上述基板處理裝置之外。在上述液體補充步驟中，經由液體補充管部將構成上述基板之成分之溶解濃度低於上述第1處理液之第2處理液補充至上述液體排出部，藉此混合上述第1處理液與上述第2處理液來生成混合溶液。
第12態樣之基板處理方法係第11態樣之基板處理方法，其中，在上述液體補充步驟中，藉由將上述第2處理液混合於上述第1處理液，而使上述混合溶液中構成上述基板之成分的溶解濃度未達至溶解度。
第13態樣之基板處理方法係第11或第12態樣之基板處理方法，其中，上述處理液包含磷酸水溶液，上述基板具有氮化矽之膜，在上述蝕刻步驟中，藉由上述磷酸水溶液使上述氮化矽之膜溶解。
第14態樣之基板處理方法係第11至第13中任一態樣之基板處理方法，其中，在上述液體供給步驟中，經由上述液體供給管部對上述處理部供給上述第2處理液。
第15態樣之基板處理方法係第11至第14中任一態樣之基板處理方法，其中，在上述液體排出步驟中，上述處理部依據上述液體供給步驟之上述處理液的供給，將上述第1處理液排出至上述液體排出部，於在上述蝕刻步驟中進行上述蝕刻處理時，使上述液體供給步驟中經由上述液體供給管部之上述處理液朝向上述處理部之兩次以上的供給、及上述液體補充步驟中經由上述液體補充管部之上述第2處理液朝向上述液體排出部之兩次以上的補充同步地執行。
第16態樣之基板處理方法係第11至第15中任一態樣之基板處理方法，其中，於上述液體排出步驟中，因應於上述液體供給步驟中經由上述液體供給管部之上述處理液朝向上述處理部的供給，而將上述第1處理液自上述處理部排出至上述液體排出部，於上述蝕刻步驟中上述蝕刻處理之前，執行至少一次上述液體補充步驟中經由上述液體補充管部之上述第2處理液朝向上述液體排出部的補充，於在上述蝕刻步驟中進行上述蝕刻處理時，執行上述液體供給步驟中經由上述液體供給管部之上述處理液朝向上述處理部的供給，並且執行上述液體補充步驟中經由上述液體補充管部之上述第2處理液朝向上述液體排出部的補充。
第17態樣之基板處理方法係第11至第16中任一態樣之基板處理方法，其中，於上述蝕刻步驟中上述蝕刻處理被執行之後且至接下來之上述蝕刻步驟之上述蝕刻處理被執行為止之期間，在既定之時間點執行上述液體補充步驟中經由上述液體補充管部之上述第2處理液朝向上述液體排出部的補充。
第18態樣之基板處理方法係第11至第17中任一態樣之基板處理方法，其中，上述液體排出步驟包含有：將上述第1處理液自上述處理部排出至上述液體排出管部所包含之第1部分的第1液體排出步驟、於被包含於上述液體排出部且被連接於上述第1部分之冷卻箱中將上述第1處理液或上述混合溶液加以冷卻的液體冷卻步驟、及自上述冷卻箱經由被包含於上述液體排出管部且被連接於上述冷卻箱之第2部分而將上述混合溶液排出至上述基板處理裝置之外的第2液體排出步驟。
第19態樣之基板處理方法係第18態樣之基板處理方法，其中，其進一步具有對被貯存在上述冷卻箱之液體之貯存量進行檢測的檢測步驟，於上述液體排出步驟中，因應於上述液體供給步驟中經由上述液體供給管部之上述處理液朝向上述處理部的供給，而將上述第1處理液自上述處理部排出至上述液體排出部，若於上述檢測步驟中被檢測出上述貯存量到達第1臨限值之情形時，則禁止上述蝕刻步驟之上述蝕刻處理的執行。
第20態樣之基板處理方法係第17態樣之基板處理方法，其中，上述液體排出步驟包含有：將上述第1處理液自上述處理部排出至上述液體排出管部所包含之第1部分的第1液體排出步驟、於被包含於上述液體排出部且被連接於上述第1部分之冷卻箱中將上述第1處理液或上述混合溶液加以冷卻的液體冷卻步驟、及自上述冷卻箱經由被包含於上述液體排出管部且被連接於上述冷卻箱之第2部分而將上述混合溶液排出至上述基板處理裝置之外的第2液體排出步驟，上述基板處理方法進一步具有對被貯存在上述冷卻箱之液體之貯存量進行檢測的檢測步驟，若於上述檢測步驟中在被檢測出上述貯存量到達第2臨限值之情形時，則禁止上述液體補充步驟中在上述既定之時間點經由上述液體補充管部之上述第2處理液朝向上述液體排出部的補充。 (對照先前技術之功效)
無論根據第1態樣之基板處理裝置及第11態樣之基板處理方法的任一者，例如，於自處理部將第1處理液排出基板處理裝置外時，可將構成基板之成分的溶解濃度相對較低之第2處理液混合至該第1處理液而加以排出。藉此，例如在自處理部朝向基板處理裝置外排出處理液之路徑中，處理液中來自基板之溶出成分的結晶化將難以發生。
無論根據第2態樣之基板處理裝置及第12態樣之基板處理方法的任一者，例如，使將第2處理液混合至第1處理液所生成之混合溶液中構成基板之成分的溶解濃度成為未達至溶解度，藉此在自處理部朝向基板處理裝置外排出處理液之路徑中，處理液中來自基板之溶出成分的結晶化將難以發生。
無論根據第3態樣之基板處理裝置及第13態樣之基板處理方法的任一者，例如，於自處理部將第1磷酸水溶液排出至基板處理裝置外時，可將矽之溶解濃度相對較低之第2磷酸水溶液混合至該第1磷酸水溶液而加以排出。藉此，例如在自處理部朝向基板處理裝置外排出磷酸水溶液之路徑中，矽氧烷之結晶化將難以發生。
無論根據第4態樣之基板處理裝置及第14態樣之基板處理方法的任一者，例如，可將用於供給處理部之第2處理液亦用於在液體排出部混合於第1處理液之用途上。藉此，例如可在將第2處理液供給至處理部的液體供給部、及用於在液體排出部對混合至第1處理液之第2處理液進行補充的液體補充部之間，謀求構成之至少一部分的共用化。其結果，例如可謀求基板處理裝置之構成的簡化。
無論根據第5態樣之基板處理裝置及第15態樣之基板處理方法的任一者，例如，可於藉由處理部而對基板實施蝕刻處理時，與處理液朝向處理部之兩次以上之供給同步地，進行第1處理液自處理部朝向液體排出部之兩次以上的排出、及第2處理液朝向液體排出部之兩次以上的補充。藉此，例如在液體排出部所生成之混合溶液中構成基板之成分的溶解濃度可易於被均勻化。其結果，例如在自處理部朝向基板處理裝置外排出處理液之路徑中，處理液中來自基板之溶出成分的結晶化將難以發生。
無論根據第6態樣之基板處理裝置及第16態樣之基板處理方法的任一者，例如，於進行蝕刻處理前，進行至少一次第2處理液朝向液體排出部的供給，藉此於進行蝕刻處理時，使自處理部所排出之第1處理液與來自液體補充部之第2處理液可易於被混合。藉此，例如在自處理部朝向基板處理裝置外排出處理液之路徑中，處理液中來自基板的溶出成分的結晶化將難以發生。
無論根據第7態樣之基板處理裝置及第17態樣之基板處理方法的任一者，例如，在處理部所進行之對基板之兩次以上之蝕刻處理之期間之蝕刻處理未被進行的間隔期間，第2處理液在既定之時間點會被補充至液體排出部。藉此，例如在自處理部朝向基板處理裝置外排出處理液之路徑中，處理液中來自基板之溶出成分的結晶化將難以發生。
無論根據第8態樣之基板處理裝置及第18態樣之基板處理方法的任一者，例如，即便第1處理液在冷卻箱被冷卻，在自處理部朝向基板處理裝置外排出處理液之路徑中，處理液中來自基板之溶出成分的結晶化仍將難以發生。
無論根據第9態樣之基板處理裝置及第19態樣之基板處理方法的任一者，例如，若於冷卻箱貯存有第1臨限值以上之液體，便不會在處理部中執行一邊供給處理液一邊排出第1處理液之基板的蝕刻處理。藉此，例如可抑制在對基板實施蝕刻處理時，因無法將第1處理液自處理部排出至液體排出部地進行蝕刻處理所導致之不良情況之發生的情形。
無論根據第10態樣之基板處理裝置及第20態樣之基板處理方法的任一者，例如，若於冷卻箱貯存有第2臨限值以上之液體，則在處理部所進行之蝕刻處理未被進行的間隔期間，便不會在既定之時間點執行第2處理液朝向液體排出部之補充。藉此，例如可抑制在間隔期間之後對基板實施蝕刻處理時，因無法將第1處理液自處理部排出至液體排出部地進行蝕刻處理所導致之不良情況之發生的情形。
以下，根據圖式來說明本發明之實施形態及變形例。圖式中對於具有相同構成及功能之部分標示相同的符號，並在下述說明中省略重複說明。又，圖式僅為示意性地被表示者，並非正確地圖示各圖之各種構造的尺寸及位置關係等者。
＜1. 第1實施形態＞ ＜1-1. 基板處理裝置之構成＞ 圖1係表示第1實施形態之基板處理裝置100之概略性構成之一例的俯視圖。圖2係表示第1實施形態之基板處理裝置100之功能性構成之一例的方塊圖。基板處理裝置100例如可對基板W實施藥液處理、洗淨處理及乾燥處理。
如圖1所示，基板處理裝置100例如具備有投入部1、第1搬送部2、第2搬送部3、乾燥處理部4、第1液體處理部5、第2液體處理部6、送出部7、輸入部8、輸出部9及控制部10。
投入部1例如為用以將複數片處理前之基板W自基板處理裝置100外投入基板處理裝置100內的部分。該投入部1例如具有可分別載置收納有複數片(例如25片)處理前之基板W之匣盒C1的2個載置台11。
送出部7例如為用以將複數片處理後之基板W自基板處理裝置100內送出至基板處理裝置100外的部分。該送出部7例如位在鄰接於投入部1之位置。該送出部7例如具有可分別載置匣盒C1之2個載置台71。於送出部7中，在將複數片(例如25片)處理後之基板W收納於匣盒C1之狀態下，可將複數片處理後之基板W連同匣盒C1整個送出至基板處理裝置100之外。
第1搬送部2例如存在於沿著投入部1與送出部7之位置。該第1搬送部2例如可取出被載置在投入部1之匣盒C1所收納的所有基板W，而對第2搬送部3進行搬送。又，第1搬送部2例如可自第2搬送部3接收處理後之基板W，並將該處理後之基板W對被載置在送出部7之載置台71上的匣盒C1進行搬送，而收納於該匣盒C1內。此處，第1搬送部2例如亦可對每個匣盒C1意認基板W之批次，而對被收納於匣盒C1之基板W的片數進行計測。
第2搬送部3例如可沿著基板處理裝置100之長邊方向移動。沿著第2搬送部3之移動方向，自靠近第1搬送部2之側起依序地設置有乾燥處理部4、第1液體處理部5及第2液體處理部6。換言之，例如第1液體處理部5存在於與乾燥處理部4鄰接之位置，而第2液體處理部6存在於與該第1液體處理部5鄰接之位置。
乾燥處理部4例如可將複數片基板W收納於低壓之腔室內並使其乾燥。
第1液體處理部5例如具有洗淨處理部51、藥液處理部52、及副搬送部53。洗淨處理部51例如可以純水對複數片基板W實施洗淨之處理(亦稱為純水洗淨處理)。藥液處理部52例如可藉由包含藥液之處理液對複數片基板W實施處理(亦稱為藥液處理)。副搬送部53例如可在與第2搬送部3之間進行基板W之交接，並且可在洗淨處理部51及藥液處理部52之各者進行升降。
第2液體處理部6例如與第1液體處理部5同樣地，具有洗淨處理部51、藥液處理部52、及副搬送部53。
輸入部8例如位在靠近載置台11之位置。該輸入部8例如為可供操作人員對各種資訊進行選擇或輸入的部分。該輸入部8例如由觸控面板等所構成。再者，輸入部8既可具有包含可進行按下等之各種操作之按鈕等的操作部，亦可具有可利用聲音進行輸入之麥克風等。操作人員例如藉由操作輸入部8，可分別對每個匣盒C1(批次)指定預先被儲存於控制部10之儲存部10c等之將用於處理基板之程序加以規定的配方。
輸出部9例如位在靠近載置台11之位置。該輸出部9例如為可依據控制部10之控制來輸出各種資訊的部分。該輸出部9例如可包含可供視覺辨識地輸出各種資訊之顯示部及可供聽覺辨識地輸出各種資訊之揚聲器等。各種資訊例如可包含表示基板處理裝置100之各種狀態的資訊、及表示各種警報信號(警報)的資訊。
具有上述構成之基板處理裝置100的動作例如如圖2所示般藉由控制部10而統括性地被控制。控制部10例如具有運算部10a、記憶體10b、儲存部10c及計時器10d等。
運算部10a例如可應用作為至少1個處理器而運作之中央運算部(CPU；Central Processing Unit；中央處理單元)等之電路。
記憶體10b例如可應用隨機存取記憶體(RAM；Random Access Memory)等之暫時性地儲存資訊的電路。藉由運算部10a之各種運算所暫時性地取得之各種資訊，適當地被儲存在記憶體10b等。
儲存部10c例如可應用硬碟或快閃記憶體等之儲存各種資訊之非揮發性的儲存媒體。於該儲存部10c例如預先存放有複數種類之配方暨行程(schedule)製作程式及處理程式等各種的程式。運算部10a例如藉由讀入並執行被存放在儲存部10c之程式，來實現用以執行控制部10所進行之基板處理裝置100之動作之統括性之控制之各種功能性的構成。各種功能性的構成例如包含有製作對基板處理裝置100中複數片基板W之處理之行程的排程部及依照行程來執行對複數片基板W之處理的處理執行部等。
計時器10d例如可計測各種時間。計時器10d亦可為由運算部10a所實現之功能性的構成。
控制部10例如亦可依據來自藥液處理部52之各種感測器部52s的計測結果，來控制第1液體處理部5及第2液體處理部6之各部分的動作。感測器部52s例如包含有後述之第1流量計M1、第2流量計M2、第3流量計M3及檢測部M4等。
＜1-2. 藥液處理部＞ 圖3係表示藥液處理部52之概略性構成的圖。該藥液處理部52例如為藉由使形成有氧化矽之膜及氮化矽之膜的基板W浸漬於作為蝕刻液而發揮功能之處理液的磷酸水溶液中，而進行選擇性地使氮化矽之膜溶解的處理(亦稱為蝕刻處理)之濕式蝕刻處理裝置。
如圖3所示，藥液處理部52具備有調整槽CB1、第1液體供給部SL1、第1液體循環部CL1、藥液處理槽CB2、第2液體供給部SL2、第2液體循環部CL2、液體排出部EL1及液體補充部AL1。
調整槽CB1例如為用以進行用於供給至藥液處理槽CB2之磷酸水溶液之溫度等的調整者。調整槽CB1具有由第1內槽B1a與第1外槽B1b所構成之雙重構造，該第1內槽B1a貯存作為蝕刻液而發揮功能之處理液的磷酸水溶液，而該第1外槽B1b回收自該第1內槽B1a之上部溢流的磷酸水溶液。第1內槽B1a例如為由對於磷酸水溶液有優異之抗蝕性的石英或氟樹脂材料所形成且具有俯視時呈矩形之箱形形狀的構件。第1外槽B1b例如由與第1內槽B1a相同之材料所形成，且位在成為圍繞第1內槽B1a之外周上端部的位置。
第1液體供給部SL1例如可執行將自處理液供給源En0所送來之新的處理液經由第1配管部Tb1供給至調整槽CB1之處理(亦稱為第1液體供給處理)。此處，例如供給作為蝕刻液而發揮功能之藥液即磷酸水溶液之新液(亦稱為使用前磷酸水溶液)，來作為處理液。處理液供給源En0以連通於第1配管部Tb1之第1端部之方式進行連接。該處理液供給源En0例如將磷酸水溶液藉由泵或氣體等，自被設置在基板處理裝置100內部或外部之以常溫(例如25℃)來貯存磷酸水溶液的槽朝向第1配管部Tb1加以壓送。於第1配管部Tb1設置有第1流量控制部Cf1。第1流量控制部Cf1例如具有開閉第1配管部Tb1之流路的第1閥V1、及計測磷酸水溶液之流量的第1流量計M1。第1配管部Tb1之第2端部例如以連通於調整槽CB1之第1外槽B1b之方式進行連接。於第1液體供給部SL1，例如自處理液供給源En0所供給之磷酸水溶液，通過第1配管部Tb1而以由第1流量控制部Cf1所設定之流量被供給至第1外槽B1b。
第1液體循環部CL1例如可執行加熱自調整槽CB1所排出之磷酸水溶液並再次將其壓送環流至調整槽CB1之處理(亦稱為第1液體循環處理)。第1液體循環部CL1例如具有以連通第1外槽B1b與第1內槽B1a之方式進行連接之第2配管部Tb2。第2配管部Tb2例如具有以連通於第1外槽B1b之底部之方式進行連接的第1端部及以連通於第1內槽B1a之底部之方式進行連接的第2端部。於第2配管部Tb2，自上游側起依序地設置有第2閥V2、第1泵Pm1及第1加熱器Ht1。第2閥V2將第2配管部Tb2之流路加以開閉。第1泵Pm1將自第1外槽B1b抽出之磷酸水溶液經由第2配管部Tb2朝向第1內槽B1a加以壓送。第1加熱器Ht1將流動於第2配管部Tb2之磷酸水溶液加熱至既定溫度(例如約160℃)。又，第1液體循環部CL1例如亦可具有加熱自第1內槽B1a所排出之磷酸水溶液並將其環流至第1內槽B1a的第3配管部Tb3。例如，第3配管部Tb3可採用具有以連通於第1內槽B1a之方式進行連接的第1端部及以連通於第2配管部Tb2中第2閥V2與第1泵Pm1之間之部分之方式進行連接的第2端部之形態。此處，第3配管部Tb3以合流於第2配管部Tb2之形態設置。於第3配管部Tb3設置有第3閥V3，該第3閥V3將第3配管部Tb3之流路加以開閉。
藥液處理槽CB2例如為藉由作為蝕刻液而發揮功能之處理液之磷酸水溶液來進行對基板W之蝕刻處理的部分(亦稱為處理部)。藥液處理槽CB2例如與調整槽CB1同樣地具有由第2內槽B2a與第2外槽B2b所構成之雙重構造，該第2內槽B2a貯存作為蝕刻液之磷酸水溶液，並使基板W浸漬於磷酸水溶液中，而該第2外槽B2b回收自該第2內槽B2a之上部溢流之磷酸水溶液。第2內槽B2a例如與第1內槽B1a同樣地，為例如由對於磷酸水溶液具有優異之抗蝕性的石英或氟樹脂材料所形成之俯視時呈矩形之箱形形狀的構件。於藥液處理槽CB2可貯存之液體的總量(容量)，例如被設定為60公升左右。第2外槽B2b例如亦與第1外槽B1b同樣地，由與第2內槽B2a相同之材料所形成，且位在成為圍繞第2內槽B2a之外周上端部的位置。
又，於藥液處理槽CB2設置有用以使基板W浸漬於被貯存在藥液處理槽CB2之磷酸水溶液的升降機LF2。升降機LF2例如藉由3根保持棒將以立起姿勢(基板主面之法線沿著水平方向的姿勢)相互地被平行地排列之複數片(例如50片)基板W一併地加以保持。升降機LF2被設置為可藉由省略圖示之升降機構而沿著鉛直方向進行升降。該升降機LF2例如使所保持之複數片基板W，在使其浸漬於第2內槽B2a內之磷酸水溶液中的處理位置(圖3之位置)、與自磷酸水溶液拉起之交接位置之間升降。在藥液處理槽CB2中，例如藉由使複數片基板W位在第2內槽B2a內之處理位置而使其浸漬在磷酸水溶液中，而可藉由磷酸水溶液來進行使基板W之氮化矽之膜溶解的蝕刻處理。此時，作為構成基板W之成分(亦稱為基板成分)的矽，自基板W溶出至被貯存在第2內槽B2a之磷酸水溶液。
第2液體供給部SL2例如可執行將作為處理液之使用前磷酸水溶液供給至作為處理部之藥液處理槽CB2的處理(亦稱為第2液體供給處理)，該處理液作為蝕刻液而發揮功能。該第2液體供給部SL2例如具有作為液體供給管部之第4配管部Tb4，可將自調整槽CB1所送來之磷酸水溶液經由第4配管部Tb4供給至藥液處理槽CB2。第4配管部Tb4例如具有以連通於第2配管部Tb2之第1加熱器Ht1與調整槽CB1之間的部分之方式進行連接的第1端部及以連通於第2外槽B2b之方式進行連接的第2端部。換言之，第4配管部Tb4為第2配管部Tb2所分支之配管部。在第4配管部Tb4中，例如磷酸水溶液藉由第1泵Pm1自第1端部朝向第2端部被壓送。於第4配管部Tb4設置有第2流量控制部Cf2。第2流量控制部Cf2例如具有將磷酸水溶液之流路加以開閉的第4閥V4、及計測磷酸水溶液之流量的第2流量計M2。在第2液體供給部SL2中，例如自調整槽CB1所供給之磷酸水溶液通過第4配管部Tb4而以由第2流量控制部Cf2所設定之流量被供給至第2外槽B2b。
第2液體循環部CL2例如可執行加熱自藥液處理槽CB2所排出之磷酸水溶液並再次將其壓送環流至藥液處理槽CB2之處理(亦稱為第2液體循環處理)。第2液體循環部CL2例如具有以將第2外槽B2b與第2內槽B2a加以連通之方式進行連接之第5配管部Tb5。例如，第5配管部Tb5具有以連通於第2外槽B2b之底部之方式進行連接的第1端部、及以連通於第2內槽B2a之底部之方式進行連接的第2端部。於第5配管部Tb5，自上游側起依序設置有第5閥V5、第2泵Pm2、第6閥V6、第2加熱器Ht2及過濾器Fl1。第5閥V5將第5配管部Tb5之流路加以開閉。第2泵Pm2經由第5配管部Tb5將自第2外槽B2b所抽出之磷酸水溶液朝向第2內槽B2a壓送。第6閥V6將第5配管部Tb5之流路加以開閉。第2加熱器Ht2將流動於第5配管部Tb5之磷酸水溶液加熱至既定溫度(例如約160℃)。過濾器Fl1係用於去除流動於第5配管部Tb5之磷酸水溶液中之異物的濾過用過濾器。又，第2液體循環部CL2例如亦可具有加熱自第2內槽B2a所排出之磷酸水溶液並將其環流至第2內槽B2a的第6配管部Tb6。於該情形時，例如，第6配管部Tb6可採用具有以連通於第2內槽B2a之方式進行連接的第1端部、及以連通於第5配管部Tb5中之第5閥V5與第2泵Pm2之間之部分之方式進行連接的第2端部之形態。於第6配管部Tb6設置有第7閥V7，該第7閥V7將第6配管部Tb6之流路加以開閉。
液體排出部EL1例如為執行將於作為處理部之藥液處理槽CB2中被使用在對基板W之蝕刻處理後之作為處理液(亦稱為第1處理液)的磷酸水溶液(亦稱為使用完畢磷酸水溶液，也稱為第1磷酸水溶液)自藥液處理槽CB2排出至基板處理裝置100外之處理(亦稱為液體排出處理)的部分。使用完畢磷酸水溶液因藥液處理槽CB2中基板W的蝕刻處理，而處於基板成分(例如矽)溶解之濃度(亦稱為溶解濃度)較使用前之磷酸水溶液更高之狀態。液體排出部EL1例如具有第7配管部Tb7、第8配管部Tb8、冷卻箱Ct1及第9配管部Tb9。此處，第7配管部Tb7、第8配管部Tb8及第9配管部Tb9構成用以將使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2排出至基板處理裝置100外的部分(亦稱為液體排出管部)Tg1。
第7配管部Tb7例如具有以連通於第5配管部Tb5中之第2泵Pm2與第6閥V6之間的部分之方式進行連接的第1端部、及以連通於冷卻箱Ct1之方式進行連接的第2端部。換言之，第7配管部Tb7與第5配管部Tb5一起構成連接藥液處理槽CB2與冷卻箱Ct1之部分(亦稱為第1部分)。於第7配管部Tb7設置有第8閥V8。第8閥V8將第7配管部Tb7之流路加以開閉。因此，藉由適當控制第6閥V6及第8閥V8之開閉，可選擇性地執行加熱自藥液處理槽CB2所排出之磷酸水溶液並再次壓送環流至藥液處理槽CB2之處理(第2液體循環處理)、及將使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2經由冷卻箱Ct1排出至基板處理裝置100外之處理(液體排出處理)。
第8配管部Tb8例如具有以連通於藥液處理槽CB2之第2外槽B2b的上部之方式進行連接的第1端部、及以連通於冷卻箱Ct1之方式進行連接的第2端部。換言之，第8配管部Tb8構成連接藥液處理槽CB2與冷卻箱Ct1之部分(亦稱為第1部分)。此處，第8配管部Tb8例如可於被貯存在藥液處理槽CB2之第2外槽B2b之磷酸水溶液的貯存量過度增加時，以磷酸水溶液不會自第2外槽B2b溢出之方式使磷酸水溶液自第2外槽B2b流至冷卻箱Ct1。又，亦可設置例如可於被貯存在調整槽CB1之第1外槽B1b之磷酸水溶液的貯存量過度增加時，以磷酸水溶液不會自第1外槽B1b溢出之方式使磷酸水溶液自第1外槽B1b流至冷卻箱Ct1之第10配管部Tb10。於該情形時，第10配管部Tb10具有以連通於調整槽CB1之第1外槽B1b的上部之方式進行連接的第1端部、及以如合流於第8配管部Tb8般之形態連通之方式進行連接的第2端部。
冷卻箱Ct1可貯存並冷卻使用完畢磷酸水溶液。於冷卻箱Ct1設置有用以檢測被貯存在該冷卻箱Ct1之液體之貯存量的檢測部M4。檢測部M4例如可應用液面計等。
第9配管部Tb9例如連接於冷卻箱Ct1，而構成用以將使用完畢磷酸水溶液排出至基板處理裝置100外之部分(亦稱為第2部分)。第9配管部Tb9例如具有連接於冷卻箱Ct1的第1端部、及連接於用以將使用完畢之磷酸水溶液輸出至基板處理裝置100外之部分(亦稱為處理液輸出部)Ex0的第2端部。處理液輸出部Ex0例如可應用可相對於基板處理裝置100進行裝卸之用以回收磷酸水溶液的箱(亦稱為回收箱)或用以廢棄磷酸水溶液的桶(亦稱為排液桶)、或者用以連接於工廠排水用之處理設施的排液管等。於第9配管部Tb9例如設置有第9閥V9。第9閥V9可將第9配管部Tb9之流路加以開閉。此處，磷酸水溶液自冷卻箱Ct1朝向處理液輸出部Ex0之輸出可藉由第9閥V9所調整。
液體補充部AL1例如可執行將作為第2處理液之使用前磷酸水溶液(亦稱為第2磷酸水溶液)自處理液供給源En0補充至液體排出部EL1之處理(亦稱為液體補充處理)。藉此，可將作為第1處理液之使用完畢磷酸水溶液與作為第2處理液之使用前磷酸水溶液加以混合，而生成作為混合溶液之磷酸水溶液(亦稱為混合磷酸水溶液)。此處，使用前磷酸水溶液處於基板成分(例如矽)之溶解濃度較使用完畢磷酸水溶液更低之狀態。因此，混合磷酸水溶液成為基板成分(例如矽)之溶解濃度較使用完畢磷酸水溶液更低之狀態。換言之，藉由使用前磷酸水溶液利用液體補充部AL1而被補充至液體排出部EL1，可將液體排出部EL1中排出之使用完畢磷酸水溶液作為已減低基板成分之溶解濃度的混合磷酸水溶液，而自冷卻箱Ct1經由第9配管部Tb9輸送至處理液輸出部Ex0。液體補充部AL1例如具有被連接於液體排出部EL1之作為液體補充管部之第11配管部Tb11。第11配管部Tb11例如具有被連接於處理液供給源En0之第1端部、及以如合流於第8配管部Tb8般之形態連通之方式被連接之第2端部。於第11配管部Tb11設置有第3流量控制部Cf3。第3流量控制部Cf3例如具有將第11配管部Tb11之流路加以開閉的第10閥V10、及計測磷酸水溶液之流量的第3流量計M3。
上述之藥液處理部52之各部分的動作，可由控制部10進行控制。例如，可根據控制部10來控制：藉由第1液體供給部SL1將作為第2處理液之使用前磷酸水溶液朝向調整槽CB1進行供給之處理(第1液體供給處理)、藉由第1液體循環部CL1使磷酸水溶液循環之處理(第1液體循環處理)、藉由第2液體供給部SL2將使用前磷酸水溶液朝向藥液處理槽CB2供給之處理(第2液體供給處理)、藉由第2液體循環部CL2使磷酸水溶液循環之處理(第2液體循環處理)、藉由液體排出部EL1將作為第1處理液之使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2排出之處理(液體排出處理)、及藉由液體補充部AL1將作為第2處理液之使用前磷酸水溶液朝向液體排出部EL1進行補充之處理(液體補充處理)。
再者，例如亦可以沿著第2內槽B2a之內壁之方式所設置之濃度計對溶出至被貯存在第2內槽B2a內之磷酸水溶液中之基板W之特定物質的溶解濃度進行檢測，並依據作為該檢測結果之溶解濃度，控制部10將第8閥V8及第9閥V9加以開閉，而適當地將使用完畢磷酸水溶液送出至處理液輸出部Ex0。
在具有上述構成之基板處理裝置100中，例如可於將作為第1處理液之使用完畢磷酸水溶液自作為處理部之藥液處理槽CB2排出至基板處理裝置100外時，將基板成分(例如矽)之溶解濃度相對較低之作為第2處理液之使用前磷酸水溶液混合於作為該第1處理液之使用完畢磷酸水溶液並加以排出。藉此，例如即便作為第1處理液之使用完畢磷酸水溶液由冷卻箱Ct1所冷卻，仍可於將作為處理液之磷酸水溶液自作為處理部之藥液處理槽CB2朝向基板處理裝置100外排出之路徑中，使作為處理液之磷酸水溶液中來自基板W的溶出成分之結晶化(例如矽氧烷之結晶化)難以發生。
又，在基板處理裝置100中，利用液體補充部AL1，藉由將作為第2處理液之使用前磷酸水溶液混合於作為第1處理液之使用完畢磷酸水溶液所生成之作為混合溶液之混合磷酸水溶液，可成為具有未達基板成分(例如矽)之溶解度的溶解濃度。如此之濃度的設計，例如可根據使用完畢磷酸水溶液之基板成分之溶解濃度的預測值或實測值、及第1處理液與第2處理液之混合比而得以實現。
＜1-3. 基板處理裝置之動作＞ 其次，對具有上述之構成之基板處理裝置100的動作進行說明。
＜1-3-1. 蝕刻處理之動作流程＞ 圖4係表示基板處理裝置100中基板W之蝕刻處理之動作流程之一例的流程圖。本動作流程例如藉由控制部10依據操作人員所指定之配方來控制基板處理裝置100之各部分的動作而得以實現。此處，列舉藉由將形成有氧化矽之膜及氮化矽之膜的基板W浸漬於作為處理液之磷酸水溶液，而進行由磷酸水溶液選擇性地溶解氮化矽之膜的蝕刻處理為例來進行說明。
於在基板處理裝置100中進行基板W之蝕刻處理的情形時，例如如圖4所示般，執行依前處理(步驟S1)、主處理(步驟S2)、後處理(步驟S3)之記載順序所執行之1個循環的處理(亦稱為循環處理)。
＜1-3-1-1. 前處理之動作＞ 在前處理(步驟S1)中，例如於使複數片基板W浸漬於被貯存在藥液處理槽CB2之磷酸水溶液之前，以藉由磷酸水溶液對藥液處理槽CB2之供給等使磷酸水溶液成為適於蝕刻處理之活性狀態之方式進行準備。再者，在前處理中，例如亦可藉由省略圖示之導入氣泡的構成來對被貯存在藥液處理槽CB2之磷酸水溶液實施起泡處理。
在前處理中，例如第2液體供給部SL2將使用前磷酸水溶液供給至藥液處理槽CB2。此時，例如藥液處理槽CB2依據來自第2液體供給部SL2之使用前磷酸水溶液的供給，將使用完畢磷酸水溶液排出至液體排出部EL1。此處，例如若由第2液體供給部SL2所進行之使用前磷酸水溶液朝向藥液處理槽CB2之供給量與使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2朝向液體排出部EL1之排出量相等，磷酸水溶液便不會自藥液處理槽CB2溢出。此處，例如既可藉由第5閥V5及第8閥V8所進行之第5配管部Tb5及第7配管部Tb7之流路的開放，使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2經由第5配管部Tb5及第7配管部Tb7朝向冷卻箱Ct1被排出，亦可使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2經由第8配管部Tb8朝向冷卻箱Ct1被排出。又，此時，例如液體補充部AL1藉由將使用前磷酸水溶液補充至液體排出部EL1，而於液體排出部EL1中將使用前磷酸水溶液混合於使用完畢磷酸水溶液，藉此生成混合磷酸水溶液。此處，例如於冷卻箱Ct1中生成有混合磷酸水溶液。該混合磷酸水溶液例如藉由第9閥V9所進行之第9配管部Tb9之流路的開放，自冷卻箱Ct1經由第9配管部Tb9而朝向處理液輸出部Ex0被輸送。
換言之，在前處理中，進行液體供給步驟、液體排出步驟、及液體補充步驟。液體供給步驟例如包含經由作為液體供給部之第4配管部Tb4將磷酸水溶液供給至藥液處理槽CB2之步驟。液體排出步驟例如包含將在蝕刻步驟所使用後的使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2經由液體排出管部Tg1排出至基板處理裝置100外之步驟。此時，例如藥液處理槽CB2依據經由第4配管部Tb4之使用前磷酸水溶液之供給，將使用完畢磷酸水溶液排出至液體排出部EL1。液體補充步驟例如包含將基板成分之溶解濃度較使用完畢磷酸水溶液更低之使用前磷酸水溶液，經由作為液體補充管部之第11配管部Tb11而補充至液體排出部EL1，藉此將使用完畢磷酸水溶液與使用前磷酸水溶液混合而生成作為混合溶液之混合磷酸水溶液的處理。藉此，例如即便於前處理中，仍可於將使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2朝向基板處理裝置100外排出之路徑中，使用完畢磷酸水溶液中來自基板W的溶出成分之結晶化(例如矽氧烷之結晶化)難以發生。
在主處理(步驟S2)前之前處理(步驟S1)中，例如於液體供給步驟中，既可經由第4配管部Tb4對藥液處理槽CB2供給一次磷酸水溶液，亦可將磷酸水溶液分為複數次進行供給。換言之，於液體供給步驟中，例如亦可藉由第2液體供給部SL2將磷酸水溶液經由第4配管部Tb4供給至少一次至藥液處理槽CB2。又，例如於液體排出步驟中，既可將使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2經由液體排出管部Tg1排出一次至基板處理裝置100外，亦可將使用完畢磷酸水溶液分為複數次加以排出。換言之，於液體排出步驟中，例如亦可藉由液體排出部EL1將使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2經由液體排出管部Tg1排出至少一次至基板處理裝置100外。又，例如於液體補充步驟中，既可將使用前磷酸水溶液經由第11配管部Tb11補充一次至液體排出部EL1，亦可將使用前磷酸水溶液分為複數次進行補充。換言之，於液體補充步驟中，例如亦可藉由液體補充部AL1將使用前磷酸水溶液經由第11配管部Tb11補充至少一次至液體排出部EL1。
圖5係前處理之動作之一例的時序圖。於圖5(a)表示在前處理被執行之期間P0中關於使用前磷酸水溶液(新液)自第2液體供給部SL2朝向藥液處理槽CB2的供給量(亦稱為液體供給量)、第2液體供給部SL2之第4閥V4的開閉狀況、及使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2朝向液體排出部EL1的排出量(亦稱為液體排出量)等之時間變化的時序圖。於圖5(b)表示在前處理之期間P0中關於使用前磷酸水溶液自液體補充部AL1朝向液體排出部EL1的補充量(亦稱為液體補充量)、及液體補充部AL1之第10閥V10的開閉狀況等之時間變化的時序圖。
此處，例如在液體供給量與液體排出量相等之情形時，在配方中例如前處理之期間P0的長度、液體供給量、液體補充量會被規定。液體補充量例如亦可被指定為相對於液體供給量之比例的1/N(N為1~10之整數)等。例如期間P0為180秒、液體供給量為2公升、N為2等之條件的情形可以配方來規定。於該情形時，液體排出量為2公升，而液體補充量為1公升(=2公升/N=2公升/2)。
在圖5之例子中，例如於時刻t0a至時刻t0d之間的期間P0中，在時刻t0a至時刻t0c之間的期間P0s，使用前磷酸水溶液(新液)藉由第4閥V4之開放而以約Fr0[ml/min]之流量被供給至藥液處理槽CB2，並且使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2以約Fr0[ml/min]之流量被供給至液體排出部EL1。此時，於將時刻t0a至時刻t0b間之期間P0s除以N的期間P0s/N中，使用前磷酸水溶液(新液)藉由第10閥V10之開放而以約Fr0[ml/min]之流量被補充至液體排出部EL1。Fr0例如被設定為2000ml/min等。
然而，於前處理中，亦可不進行液體供給步驟及液體排出步驟。於該情形時，即便在液體補充步驟中，例如亦可藉由液體補充部AL1經由第11配管部Tb11將使用前磷酸水溶液補充至少一次至液體排出部EL1。如此，例如於主處理中在進行基板W之蝕刻處理前，可預先將使用前磷酸水溶液朝向液體排出部EL1供給至少一次，藉此於主處理中在進行蝕刻處理時，自藥液處理槽CB2朝向液體排出部EL1被排出之使用完畢磷酸水溶液與自液體補充部AL1朝向液體排出部EL1補充之使用前磷酸水溶液容易地被混合。藉此，例如於使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2朝向基板處理裝置100外排出之路徑中，使用完畢磷酸水溶液中來自基板W的溶出成分之結晶化難以發生。
＜1-3-1-2. 主處理之動作＞ 在主處理(步驟S2)中，於藥液處理部52對複數片基板W實施蝕刻處理。此處，例如使被保持在升降機LF2之複數片基板W浸漬於被貯存在藥液處理槽CB2之磷酸水溶液。藉此，於藥液處理部52藉由磷酸水溶液對複數片基板W進行蝕刻處理的步驟(亦稱為蝕刻步驟)便被執行。此時，適當地並行上述之由第1液體供給部SL1所進行之第1液體供給處理、由第1液體循環部CL1所進行之第1液體循環處理、由第2液體供給部SL2所進行之第2液體供給處理、由第2液體循環部CL2所進行之第2液體循環處理、由液體排出部EL1所進行之液體排出處理、及由液體補充部AL1所進行之液體補充處理。
具體而言，於主處理中，亦與前處理相同地，例如第2液體供給部SL2將使用前磷酸水溶液供給至藥液處理槽CB2。此時，例如藥液處理槽CB2依據來自第2液體供給部SL2之使用前磷酸水溶液的供給，將使用完畢磷酸水溶液排出至液體排出部EL1。又，此時例如液體補充部AL1藉由將使用前磷酸水溶液補充至液體排出部EL1，而於液體排出部EL1將使用前磷酸水溶液混合於使用完畢磷酸水溶液，藉此生成混合磷酸水溶液。該混合磷酸水溶液自液體排出部EL1朝向處理液輸出部Ex0被輸送。因此，於主處理中，亦與前處理相同地，進行液體供給步驟、液體排出步驟、及液體補充步驟。然後，例如於在蝕刻步驟中藉由藥液處理槽CB2來進行蝕刻處理時，在液體供給步驟中藉由第1液體供給部SL1將使用前磷酸水溶液經由第4配管部Tb4供給至藥液處理槽CB2，並且於液體補充步驟中，藉由液體補充部AL1將使用前磷酸水溶液經由第11配管部Tb11補充至液體排出部EL1。
如此一來，即便於主處理中，例如在將使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2排出至基板處理裝置100外時，只要將矽之溶解濃度相對較低之使用前磷酸水溶液混合於該使用完畢磷酸水溶液並加以排出，於將使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2朝向基板處理裝置100外排出之路徑中，便可使作為使用完畢磷酸水溶液中來自基板W之溶出成分之結晶化之矽氧烷的結晶化難以發生。
此處，例如於液體補充步驟中，只要藉由將使用前磷酸水溶液混合於使用完畢磷酸水溶液而使混合磷酸水溶液中基板成分的溶解濃度未達溶解度，於將使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2朝向基板處理裝置100外排出之路徑中，便可使作為使用完畢磷酸水溶液中來自基板W之溶出成分結晶化之矽氧烷的結晶化難以發生。
又，在本實施形態中，例如於液體供給步驟中，若經由作為液體供給管部之第4配管部Tb4將使用前磷酸水溶液供給至藥液處理槽CB2般之構成被採用，便可將用來供給至藥液處理槽CB2之使用前磷酸水溶液，亦使用於在液體排出部EL1混合至使用完畢磷酸水溶液之用途。藉此，例如可在用於將使用前磷酸水溶液供給至藥液處理槽CB2的第1液體供給部SL1及第2液體供給部SL2、與用於補充在液體排出部EL1混合至使用完畢磷酸水溶液之使用前磷酸水溶液的液體補充部AL1之間，謀求構成之至少一部分的共用化。例如，可謀求處理液供給源En0暨其周邊之配管部的共用化。其結果，例如可謀求基板處理裝置100之構成的簡化。
又，在本實施形態中，液體排出步驟包含第1液體排出步驟、液體冷卻步驟、及第2液體排出步驟。第1液體排出步驟例如包含將使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2排出至作為液體排出管部Tg1所包含之第1部分之第7配管部Tb7及第8配管部Tb8之至少一者的步驟。液體冷卻步驟例如包含在液體排出部EL1所包含且連接於第7配管部Tb7之冷卻箱Ct1中將使用完畢磷酸水溶液或混合磷酸水溶液加以冷卻的步驟。第2液體排出步驟例如包含將混合磷酸水溶液自冷卻箱Ct1經由被包含於液體排出管部Tg1且作為被連接於冷卻箱Ct1之第2部分的第9配管部Tb9排出至基板處理裝置100外的步驟。若採用如此之構成，例如即便使用完畢磷酸水溶液藉由冷卻箱Ct1所冷卻，於將使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2朝向基板處理裝置100外排出之路徑中，作為使用完畢磷酸水溶液中來自基板W之溶出成分之結晶化之矽氧烷的結晶化仍會難以發生。
然後，在主處理(步驟S2)中，例如若被保持在升降機LF2之複數片基板W浸漬於被貯存在藥液處理槽CB2之磷酸水溶液的時間經過既定時間，被保持在升降機LF2之複數片基板W便會藉由升降機LF2之上升，而自被貯存在藥液處理槽CB2之磷酸水溶液中被拉起。在主處理(步驟S2)中，例如亦可對分別由複數片基板W所構成之複數個群組的基板W依序實施蝕刻處理。於該情形時，藉由升降機LF2之升降等，對分別由複數片基板W所構成之複數個群組的基板W重複地執行複數片基板W依序地被浸漬於被貯存在藥液處理槽CB2之磷酸水溶液且複數片基板W自磷酸水溶液中被拉起的處理。再者，對自被貯存在藥液處理槽CB2之磷酸水溶液所拉起之複數片基板W，例如在鄰接於藥液處理部52之洗淨處理部51實施藉由純水所進行的洗淨。
然而，於進行主處理時，例如存在有藥液處理槽CB2容量之5~10成左右的磷酸水溶液會被替換之情形。於該情形時，在主處理中，例如亦可於在蝕刻步驟中藉由藥液處理槽CB2來對基板W進行蝕刻處理時，使於液體供給步驟中由第2液體供給部SL2所進行之經由第4配管部Tb4之使用前磷酸水溶液朝向藥液處理槽CB2之兩次以上的供給、及於液體補充步驟中由液體補充部AL1所進行之經由第11配管部Tb11之使用前磷酸水溶液朝向液體排出部EL1之兩次以上的補充同步地加以執行。此處，在主處理中，亦可於進行蝕刻處理時，將使用前磷酸水溶液自第2液體供給部SL2朝向藥液處理槽CB2之供給、使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2朝向液體排出部EL1之排出、使用前磷酸水溶液自液體補充部AL1朝向液體排出部EL1之供給分別分割為以分割數M所規定之M次，並使其等相互同步地加以執行。
若採用如此之動作，例如於主處理中，相對於時間之經過藥液處理槽CB2所貯存之磷酸水溶液的狀態容易變得大致均勻。而且，例如在液體排出部EL1所生成之混合磷酸水溶液中基板成分的溶解濃度會容易地被均勻化。其結果，例如於將使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2朝向基板處理裝置100外排出之路徑中，使用完畢磷酸水溶液中來自基板W的溶出成分之結晶化(矽氧烷之結晶化)會難以發生。
圖6係主處理之動作之一例的時序圖。於圖6(a)表示在主處理被執行之期間P1中關於使用前磷酸水溶液(新液)自第2液體供給部SL2朝向藥液處理槽CB2的供給量(液體供給量)、第2液體供給部SL2之第4閥V4的開閉狀況、及使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2朝向液體排出部EL1的排出量(液體排出量)等之時間變化的時序圖。於圖6(b)表示在主處理之期間P1中關於使用前磷酸水溶液自液體補充部AL1朝向液體排出部EL1的補充量(液體補充量)、及液體補充部AL1之第10閥V10的開閉狀況等之時間變化的時序圖。
此處，例如於液體供給量與液體排出量相等之情形時，在配方中例如對主處理之期間P1的長度、液體供給量、液體補充量、分割數M加以規定。液體補充量例如亦可由相對於液體供給量之比例的1/N(N為1~10之整數)等所指定。例如可存在有期間P1為7200秒、液體供給量為50公升、N為10、M為10等之條件由配方所規定的情形。於該情形時，每一次之液體供給量為5公升(=50公升/M=50公升/10)，液體排出量為50公升，每一次之液體排出量為5公升(=50公升/10=50公升/M)，液體補充量為5公升(=50公升/10=50公升/N)，而每一次之液體補充量為0.5公升(=5公升/10=5公升/M)。
在圖6之例子中，例如於將時刻t1a至時刻t1b間之期間P1分割為十的各個期間(例如720秒鐘)中，使用前磷酸水溶液(新液)藉由第4閥V4之開放而以約Fr1[ml/min]之流量被供給至藥液處理槽CB2，並且使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2以約Fr1[ml/min]之流量被供給至液體排出部EL1。此時，於將時刻t1a至時刻t1b間之期間P1分割為十的各個期間(例如720秒鐘)中，使用前磷酸水溶液(新液)藉由第10閥V10之開放而以約Fr1[ml/min]之流量被補充至液體排出部EL1。Fr1例如被設定為800ml/min等。
圖7係表示主處理之動作流程之一例的流程圖。本動作流程例如藉由控制部10對基板處理裝置100之各部分之動作進行控制所實現。在圖7之步驟S21中，控制部10對於作為處理之對象之複數片基板W意認操作人員所指定之配方。在步驟S22中，藉由控制部10來判定在步驟S21所意認之配方中，於進行主處理中之蝕刻處理時，將使用前磷酸水溶液自第2液體供給部SL2朝向藥液處理槽CB2之供給、使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2朝向液體排出部EL1之排出、及使用前磷酸水溶液自液體補充部AL1朝向液體排出部EL1之補充分別分割為M次並加以進行的功能(亦稱為分割功能)是否被設為有效。此處，若分割功能為有效，在步驟S23中，於執行主處理中之蝕刻處理時，便分別將使用前磷酸水溶液自第2液體供給部SL2朝向藥液處理槽CB2之供給、使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2朝向液體排出部EL1之排出、及使用前磷酸水溶液自液體補充部AL1朝向液體排出部EL1之補充進行分割並加以進行。另一方面，若分割功能並非有效，在步驟S24中，於執行主處理中之蝕刻處理時，便不分別對使用前磷酸水溶液自第2液體供給部SL2朝向藥液處理槽CB2之供給、使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2朝向液體排出部EL1之排出、使用前磷酸水溶液自液體補充部AL1朝向液體排出部EL1之補充進行分割而加以進行。
＜1-3-1-3. 後處理之動作＞ 在後處理(步驟S3)中，例如於主處理(步驟S2)結束後，藉由磷酸水溶液對藥液處理槽CB2之供給等，來進行為了下一個循環處理之執行的準備。
＜1-3-2. 蝕刻處理之間隔期間中之動作＞ 在基板處理裝置100中，存在有因基板W之處理的計劃或是維護的計劃，而在進行基板W之蝕刻處理之後，至進行其次之基板W之蝕刻處理前，需要等待長時間之情形。於該情形時，存在有於藥液處理部52中基板W之蝕刻處理不會被執行的期間(既稱為非執行期間亦稱為間隔期間)。在該間隔期間中，存在有若使用完畢磷酸水溶液跨長期間殘留於基板處理裝置100之液體排出部EL1，於該使用完畢磷酸水溶液便會發生來自基板W之溶出成分的結晶化(矽氧烷之結晶化)之可能性。
＜1-3-2-1. 間隔期間液體補充處理＞ 在本實施形態之基板處理裝置100中，例如亦可為控制部10於執行蝕刻步驟中由藥液處理槽CB2所進行之對基板W的蝕刻處理後，且至執行其次之蝕刻步驟中由藥液處理槽CB2所進行之對基板W的蝕刻處理為止之間隔期間，在既定之時間點執行液體補充步驟中由液體補充部AL1所進行之使用前磷酸水溶液經由第11配管部Tb11而朝液體排出部EL1之補充。以下，將如此在間隔期間中進行於液體補充步驟中由液體補充部AL1所進行之使用前磷酸水溶液經由第11配管部Tb11而朝向液體排出部EL1之補充的處理，稱為「間隔期間液體補充處理」。又，作為既定之時間點，例如可為每當第1既定時間P2藉由控制部10所具有之功能之一的計時器10d所計數時的時間點。作為由計時器10d所進行之計數開始的時間點，例如可為在藥液處理部52之蝕刻處理結束的時間點及在藥液處理部52中蝕刻處理未被執行的狀態下基板處理裝置100被設定為自動運轉狀態的時間點等之藥液處理部52被設定為待機狀態的時間點、以及間隔期間液體補充處理結束的時間點等。第1既定時間P2例如可依據由操作人員所進行經由輸入部8之輸入而被設定為1~48小時左右之間之任意的時間。又，作為既定之時間點之由液體補充部AL1所進行之使用前磷酸水溶液朝向液體排出部EL1的補充量，例如可為將冷卻箱Ct1之容量(例如5~50公升左右)乘以1/n(n為1~10之整數)左右的既定量。
圖8係用以說明間隔期間液體補充處理之動作的圖。圖8(a)表示間隔期間液體補充處理之時序圖的一例，而圖8(b)表示間隔期間液體補充處理之動作流程之一例的流程圖。本動作流程例如藉由控制部10對基板處理裝置100之各部分之動作進行控制所實現。
如圖8(a)所示，例如可為間隔期間液體補充處理於間隔期間每經過第1既定時間P2時被執行的情形。
此處，例如藉由進行圖8(b)之步驟S41~S47之處理，可執行在間隔期間之間隔期間液體補充處理。
在步驟S41中，控制部10判定藥液處理部52是否處於待機狀態。此處，重複進行步驟S41之判定直至藥液處理部52成為待機狀態為止，若藥液處理部52成為待機狀態，便前進至步驟S42。
在步驟S42中，控制部10開始進行用以對第1既定時間P2的經過進行計測之計數的處理(亦稱為第1計數處理)。
在步驟S43中，控制部10判定藉由藥液處理部52所進行之包含前處理、主處理及後處理等之循環處理是否已開始。於此，若循環處理已開始，便返回步驟S41。另一方面，若循環處理尚未開始，便前進至步驟S44。
在步驟S44中，控制部10判定自第1計數處理開始後是否已經過第1既定時間P2。此處，若第1計數處理自開始後尚未經過第1既定時間P2，便返回步驟S43。另一方面，若第1計數處理自開始後已經過第1既定時間P2，便前進至步驟S45。
在步驟S45中，控制部10使由液體補充部AL1所進行之間隔期間液體補充處理開始。此時，例如第9配管部Tb9之流路藉由第9閥V9而適當地被開放，混合磷酸水溶液可藉此自冷卻箱Ct1被送出至處理液輸出部Ex0。
在步驟S46中，控制部10判定間隔期間液體補充處理中處理前磷酸水溶液自液體補充部AL1朝向液體排出部EL1的補充量是否已到達既定量。此處，控制部10重複進行步驟S46之判定直至補充量到達既定量為止，若補充量到達既定量，便在步驟S47結束間隔期間液體補充處理，並返回步驟S42。
若採用如此之構成，例如即便於存在有間隔期間之情形時，於將使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2朝向基板處理裝置100外排出之路徑中，使用完畢磷酸水溶液中來自基板W的溶出成分之結晶化(矽氧烷之結晶化)亦會難以發生。
＜1-3-3. 冷卻箱中與貯存量對應之動作＞ 如上述般，例如於藥液處理部52進行包含蝕刻處理之循環處理時，使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2被輸送至液體排出部EL1之冷卻箱Ct1。因此，例如可為如下之態樣：以即便在間隔期間等仍可執行循環處理之方式，在冷卻箱Ct1預先確保某種程度之可收容的容量。因此，在基板處理裝置100中，例如亦可監視冷卻箱Ct1中磷酸水溶液的貯存量，而進行依據該貯存量之動作。
圖9係用以說明冷卻箱Ct1中之成為監視對象之貯存量的圖。此處，例如可預設為對於冷卻箱Ct1之貯存量，檢測部M4可對4個階層之貯存量(第1~4貯存量Lv1~Lv4)進行監視之情形。於該情形時，在基板處理裝置100中，例如進行對被貯存於冷卻箱Ct1之液體的貯存量進行檢測之處理的步驟(亦稱為檢測步驟)。此處，例如可預設為第1貯存量Lv1係上限位準，第2貯存量Lv2係定量位準，第3貯存量Lv3係作為第1臨限值之不可投入位準，而第4貯存量Lv4係作為第2臨限值之不可補充位準的情形。第3貯存量Lv3與第4貯存量Lv4例如既可不同，亦可相同。
＜1-3-3-1. 間隔期間液體補充處理之監視＞ 例如亦可為，控制部10若於檢測步驟中被貯存在冷卻箱Ct1之液體的貯存量已到達作為第2臨限值之第4貯存量Lv4之情形藉由檢測部M4所檢測出，便禁止間隔期間液體補充處理之執行。對於如此之處理，可為控制部10分別對第1液體處理部5及第2液體處理部6之每個處理部進行之態樣。若採用如此之構成，例如若作為第2臨限值之第4貯存量Lv4以上的液體被貯存於冷卻箱Ct1，於由藥液處理槽CB2所進行之蝕刻處理未被進行的間隔期間中，便不執行使用前磷酸水溶液在既定時間點朝向液體排出部EL1之補充。
圖10係用以說明依據冷卻箱Ct1之貯存量之監視結果所進行之間隔期間液體補充處理之動作的圖。圖10(a)表示依據冷卻箱Ct1之貯存量之監視結果所進行之間隔期間液體補充處理之時序圖之一例，而圖10(b)表示依據冷卻箱Ct1之貯存量之監視結果所進行之間隔期間液體補充處理之動作流程之一例的流程圖。本動作流程例如藉由控制部10對基板處理裝置100之各部分之動作進行控制所實現。
如圖10(a)所示，例如可為如下之態樣：間隔期間液體補充處理通常在間隔期間中每經過第1既定時間P2時會被執行，但在時刻t3b中，由於被貯存於冷卻箱Ct1之液體的貯存量已到達作為第2臨限值之第4貯存量Lv4，因此不進行間隔期間液體補充處理，而從最初開始進行用以對第1既定時間P2之經過進行計測的第1計數處理。
圖10(b)之動作流程係於上述之圖8(b)之動作流程之步驟S44的處理與步驟S45的處理之間插入步驟S44b的處理者。在圖10(b)之步驟S44b中，控制部10藉由檢測部M4來判定被貯存於冷卻箱Ct1之液體的貯存量是否已到達作為第2臨限值之第4貯存量Lv4。此處，若液體之貯存量已到達第4貯存量Lv4，便返回步驟S42。另一方面，若液體之貯存量未到達第4貯存量Lv4，便前進至步驟S45。
若採用如此之構成，例如可於間隔期間被解除後對基板W實施蝕刻處理時，抑制無法將使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2排出至液體排出部EL1而在蝕刻處理所產生之不良情況的發生之情形。
然而，例如可預設為如下之情形：在間隔期間中，由檢測部M4所檢測出之貯存量到達第4貯存量Lv4之狀態因為在包含檢測部M4及冷卻箱Ct1之液體排出部EL1所產生之某種不良情況，而持續過長的時間，從而無法進行間隔期間液體補充處理。因此，例如控制部10亦可於間隔期間中，對間隔期間液體補充處理未被執行之時間已到達第2既定時間P3之情形加以回應，而藉由輸出部9發送第1警報。第2既定時間P3例如被設定為第1既定時間P2之既定複數倍(例如2~5倍)左右。第1警報例如可應用既定之警告畫面的顯示及警告聲音之輸出等。對於如此之處理，可為控制部10分別對第1液體處理部5及第2液體處理部6之每個處理部進行之態樣。
圖11係用以說明關於間隔期間液體補充處理未被執行之期間(亦稱為不執行期間)之監視之動作的圖。圖11(a)表示間隔期間液體補充處理之不執行期間之監視動作之時序圖之一例，而圖11(b)表示關於間隔期間液體補充處理之不執行期間之監視動作之動作流程之一例的流程圖。本動作流程例如藉由控制部10對基板處理裝置100之各部分之動作進行控制所實現。
如圖11(a)所示，例如可為對間隔期間液體補充處理之不執行期間已到達第2既定時間P3之情形加以回應，而輸出部9發送第1警報之態樣。
此處，例如藉由進行圖11(b)之步驟S51~S57之處理，可在間隔期間中執行間隔期間液體補充處理之不執行期間的監視動作。
在步驟S51中，控制部10判定藥液處理部52是否處於待機狀態。此處，控制部10重複進行步驟S51之判定直至藥液處理部52成為待機狀態為止，若藥液處理部52成為待機狀態，便前進至步驟S52。
在步驟S52中，控制部10開始進行用以對第2既定時間P3之經過進行計測之計數的處理(亦稱為第2計數處理)。
在步驟S53中，控制部10判定包含由液體補充部AL1所進行之使用前磷酸水溶液朝向液體排出部EL1之補充在內的處理(亦稱為液體補充含有處理)是否已被執行。於液體補充含有處理中，例如包含有包含前處理、主處理及後處理等之循環處理、以及間隔期間液體補充處理。此處，若液體補充含有處理已被執行，便前進至步驟S57，若液體補充含有處理之執行結束，便返回步驟S51。另一方面，若液體補充含有處理未被執行，便前進至步驟S54。
在步驟S54中，控制部10判定自第2計數處理開始後是否已經過第2既定時間P3。此處，若自第2計數處理開始後尚未經過第2既定時間P3，便返回步驟S53。另一方面，若自第2計數處理開始後已經過第2既定時間P3，便前進至步驟S55。
在步驟S55中，控制部10藉由輸出部9進行第1警報之發送。
在步驟S56中，控制部10設定為間隔期間液體補充處理及循環處理之執行被禁止之狀態(亦稱為處理禁止狀態)。此時，例如可為如下之態樣：控制部10不將複數片基板W投入至藥液處理部52之藥液處理槽CB2，而將其留置在洗淨處理部51等之複數片基板W難以產生變化的區域。
若採用如此之構成，例如可處理在包含檢測部M4及冷卻箱Ct1之液體排出部EL1所產生之某種不良情況。又，例如在包含檢測部M4及冷卻箱Ct1之液體排出部EL1產生某種不良情況時，由於循環處理之執行被禁止，因此可避免基板W之蝕刻處理中不良情況的發生。
又，例如可預設為如下之情形：於間隔期間液體補充處理中，間隔期間液體補充處理被執行之狀態因為由包含第3流量計M3之液體補充部AL1及包含冷卻箱Ct1之液體排出部EL1所產生之某種不良情況，而持續過長的時間。因此，例如控制部10亦可於間隔期間中，對間隔期間液體補充處理被執行之時間(亦稱為執行時間)到達第3既定時間P4之情形加以回應，而藉由輸出部9來發送第2警報。第3既定時間P4例如被設定為間隔期間液體補充處理所需要之通常會被預設之時間(亦稱為所需時間)之110~150%左右的時間。第2警報例如可應用既定之警告畫面之顯示及警告聲響之輸出等。對於如此之處理，可為控制部10分別對第1液體處理部5及第2液體處理部6之每個處理部進行之態樣。
圖12係用以說明關於間隔期間液體補充處理之執行時間之監視之動作的圖。圖12(a)表示間隔期間液體補充處理之執行時間之監視動作之時序圖之一例，而圖12(b)表示關於間隔期間液體補充處理之執行時間之監視動作之動作流程之一例的流程圖。本動作流程例如藉由控制部10對基板處理裝置100之各部分之動作進行控制所實現。
如圖12(a)所示，例如可為對間隔期間液體補充處理之執行時間到達第3既定時間P4之情形加以回應，而輸出部9發送第2警報之態樣。
此處，例如藉由進行圖12(b)之步驟S61~S66之處理，間隔期間液體補充處理之執行時間的監視動作可被執行。
在步驟S61中，控制部10判定間隔期間液體補充處理是否已由液體補充部AL1所開始。此處，重複進行步驟S61之判定直至間隔期間液體補充處理開始為止，若間隔期間液體補充處理開始，便前進至步驟S62。
在步驟S62中，控制部10開始進行用以對第3既定時間P4之經過進行計測之計數的處理(亦稱為第3計數處理)。
在步驟S63中，控制部10判定間隔期間液體補充處理是否已結束。此處，若間隔期間液體補充處理尚未結束，便前進至步驟S64。另一方面，若間隔期間液體補充處理已結束，便返回步驟S61。
在步驟S64中，控制部10判定自第3計數處理開始後是否已經過第3既定時間P4。此處，若自第3計數處理開始後尚未經過第3既定時間P4，便返回步驟S63。另一方面，若自第3計數處理開始後已經過第3既定時間P4，便前進至步驟S65。
在步驟S65中，控制部10藉由輸出部9使第2警報之發送進行。
在步驟S66中，控制部10設定為間隔期間液體補充處理及循環處理之執行被禁止之狀態(處理禁止狀態)。此時，例如控制部10可為不將複數片基板W投入藥液處理部52之藥液處理槽CB2，而將其等留置在洗淨處理部51等之複數片基板W難以產生變化的區域。
若採用如此之構成，便可處理例如因液體補充部AL1及包含冷卻箱Ct1之液體排出部EL1所產生之某種不良情況。又，例如於因液體補充部AL1及包含冷卻箱Ct1之液體排出部EL1而產生某種不良情況時，由於循環處理之執行被禁止，因此可避免基板W之蝕刻處理中不良情況的發生。
＜1-3-3-2. 循環處理之監視＞ 例如亦可為，控制部10若於檢測步驟中被貯存在冷卻箱Ct1之液體的貯存量已到達作為第1臨限值之第3貯存量Lv3之情形藉由檢測部M4所檢測出，便禁止由藥液處理槽CB2所進行之對基板W之蝕刻處理的執行。對於如此之處理，可為控制部10分別對第1液體處理部5及第2液體處理部6之每個處理部進行之態樣。若採用如此之構成，例如可抑制於對基板W實施蝕刻處理時，無法將使用完畢磷酸水溶液自藥液處理槽CB2排出至液體排出部EL1而在蝕刻處理中產生不良情況之發生。
圖13係用以說明依據冷卻箱Ct1之貯存量之監視結果之循環處理之禁止之動作的圖。圖13(a)表示依據冷卻箱Ct1之貯存量之監視結果之循環處理之禁止之時序圖之一例，而圖13(b)表示關於依據冷卻箱Ct1之貯存量之監視結果之循環處理之禁止之動作流程之一例的流程圖。本動作流程例如藉由控制部10對基板處理裝置100之各部分之動作進行控制所實現。
如圖13(a)所示，可為如下之態樣：於時刻t6d中，在開始進行循環處理時，若被貯存於冷卻箱Ct1之液體的貯存量已到達作為第1臨限值之第3貯存量Lv3，輸出部9便發送第3警報，並且被設定為循環處理之執行被禁止的狀態(處理禁止狀態)。然後，藉由操作人員等所進行的處理，在由輸出部9所進行之第3警報的發送及處理禁止狀態被解除後，開始循環處理之執行。
此處，例如藉由進行圖13(b)之步驟S71~S75之處理，可執行依據冷卻箱Ct1之貯存量之監視結果之循環處理之禁止的動作。
在步驟S71中，控制部10根據由排程部所製作之行程來判定是否為開始進行循環處理之時間點。此處，控制部10重複進行步驟S71之判定直至成為開始進行循環處理之時間點為止，若成為開始進行循環處理之時間點，便前進至步驟S72。
在步驟S72中，控制部10藉由檢測部M4來判定被貯存在冷卻箱Ct1之液體的貯存量是否已到達作為第1臨限值之第3貯存量Lv3。此處，若液體的貯存量尚未到達第3貯存量Lv3，便在步驟S75執行循環處理，並返回至步驟S71。另一方面，若液體的貯存量已到達第3貯存量Lv3，便前進至步驟S73。
在步驟S73中，控制部10藉由輸出部9使第3警報之發送進行。
在步驟S74中，控制部10設定為循環處理之執行被禁止之處理執行禁止狀態。此時，例如可為如下之態樣：控制部10不將複數片基板W投入藥液處理部52之藥液處理槽CB2，而將其等留置在洗淨處理部51等之複數片基板W難以產生變化的區域。
若採用如此之構成，便可處理例如因包含冷卻箱Ct1之液體排出部EL1所產生之某種不良情況。又，例如在因包含檢測部M4及冷卻箱Ct1之液體排出部EL1而產生某種不良情況時，由於循環處理之執行被禁止，因此可避免基板W之蝕刻處理中不良情況的發生。
＜2. 第1實施形態之總結＞ 如以上所述，根據第1實施形態之基板處理裝置100，例如在將作為第1處理液之使用完畢磷酸水溶液自作為處理部之藥液處理槽CB2排出至基板處理裝置100外時，將基板成分(例如矽)之溶解濃度相對較低之作為第2處理液之使用前磷酸水溶液混合於該使用完畢磷酸水溶液。藉此，例如於將作為處理液之磷酸水溶液自作為處理部之藥液處理槽CB2朝向基板處理裝置100外排出之路徑中，作為處理液之磷酸水溶液中來自基板W的溶出成分之結晶化(例如矽氧烷之結晶化)會難以發生。
＜3. 變形例＞ 本發明並非被限定於上述之第1實施形態者，可於不脫離本發明之主旨的範圍內進行各種變更、改良等。
例如，亦可於上述第1實施形態中，對循環處理之執行時間點、及液體補充部AL1將作為第2處理液之使用前磷酸水溶液朝向液體排出部EL1進行補充之處理(液體補充處理)的執行時間點進行各種變更。
圖14係循環處理及液體補充處理之執行時間點之變化的時序圖。圖14(a)係關於上述第1實施形態之循環處理之執行以及液體補充處理之執行的時序圖。液體補充處理包含有間隔期間液體補充處理及循環處理之液體補充處理。圖14(b)及圖14(c)係關於第1變形例之循環處理之執行以及液體補充處理之執行的時序圖。
在圖14(a)之例子中，藉由控制部10，不在進行循環處理之期間進行間隔期間液體補充處理，並在藥液處理部52未進行循環處理之間隔期間中，在每經過第1既定時間P2時進行間隔期間液體補充處理。
在圖14(b)及圖14(c)之例子中，藉由控制部10，於執行循環處理時不進行液體補充處理，且不管有無執行循環處理，在每經過第1既定時間P2時進行間隔期間液體補充處理。然而，於該情形時，亦可如圖14(c)所示，若在循環處理之執行中，則即便已經過第1既定時間P2仍不進行間隔期間液體補充處理，而在回應循環處理之結束，再執行間隔期間液體補充處理。
圖15係表示循環處理及液體補充處理之執行時間點之第1變形例之動作流程之一例的流程圖。本動作流程例如藉由控制部10對基板處理裝置100之各部分之動作進行控制所實現。
此處，例如藉由進行圖15之步驟S81~S86之處理來執行第1變形例之液體補充處理。
在步驟S81中，控制部10開始進行第1計數處理，該第1計數處理係進行用以對第1既定時間P2的經過進行計測之計數者。
在步驟S82中，控制部10判定自第1計數處理開始後是否已經過第1既定時間P2。此處，控制部10重複進行步驟S82之判定直至自第1計數處理開始後經過第1既定時間P2為止，若經過第1既定時間P2，便前進至步驟S83。
在步驟S83中，控制部10判定藥液處理槽CB2中之循環處理是否為執行中。此處，若循環處理為執行中，控制部10便重複進行步驟S83之判定，若循環處理並非執行中，便前進至步驟S84。
在步驟S84中，控制部10使由液體補充部AL1所進行之間隔期間液體補充處理開始進行。此時，例如第9配管部Tb9之流路藉由第9閥V9所適當地開放，藉此使混合磷酸水溶液自冷卻箱Ct1被送出至處理液輸出部Ex0。
在步驟S85中，控制部10判定間隔期間液體補充處理中處理前磷酸水溶液自液體補充部AL1朝向液體排出部EL1之補充量是否已到達既定量。此處，控制部10重複進行步驟S85之處理直至補充量到達既定量為止，若補充量到達既定量，便在步驟S86使間隔期間液體補充處理結束，並返回至步驟S81。
又，例如亦可於上述第1實施形態及上述第1變形例中，例如如圖16所示般，使藥液處理部52中之液體排出部EL1置換為自該液體排出部EL1中去除掉冷卻箱Ct1的液體排出部EL1A。於該情形時，例如於液體排出管部Tg1，將自液體補充部AL1所補充之作為第2處理液之使用前磷酸水溶液混合於自藥液處理槽CB2所排出之作為第1處理液之使用完畢磷酸水溶液，藉此生成混合溶液(混合磷酸水溶液)。在圖16之例子中，以第7配管部Tb7、第8配管部Tb8與第9配管部Tb9直接地連通之方式進行連接。
又，例如本發明並不限於如上述第1實施形態之基板處理裝置100般之批次式的基板處理裝置，亦可應用於對每一片基板W，將處理液自噴嘴吐出至基板W而對基板W實施使用處理液之蝕刻處理之所謂單片式的基板處理裝置。圖17係表示單片式的基板處理裝置中藥液處理部52B之構成之一例的圖。如圖17所示般，藥液處理部52B具備有液體供給部SL2B、藥液處理單元CP2、液體排出部EL1B及液體補充部AL1B。
液體供給部SL2B例如可執行將作為蝕刻液而發揮功能之作為處理液的使用前磷酸水溶液供給至作為處理部之藥液處理單元CP2的處理(液體供給處理)。該液體供給部SL2B例如具有作為液體供給管部之第4配管部Tb4，可將自處理液供給源En0送來之磷酸水溶液經由第4配管部Tb4供給至藥液處理單元CP2。於第4配管部Tb4設置有第2流量控制部Cf2。第2流量控制部Cf2例如具有將磷酸水溶液之流路加以開閉的第4閥V4、及對磷酸水溶液之流量進行計測之第2流量計M2。在液體供給部SL2B中，例如自處理液供給源En0所供給之磷酸水溶液，通過第4配管部Tb4而以由第2流量控制部Cf2所設定之流量被供給至藥液處理單元CP2之噴嘴50。
藥液處理單元CP2例如為藉由作為蝕刻液而發揮功能之作為處理液的磷酸水溶液來進行對基板W之蝕刻處理的部分(處理部)。藥液處理單元CP2例如具有保持部30、旋轉機構40及噴嘴50。保持部30例如將基板W以大致水平姿勢加以保持並使其旋轉。保持部30例如可應用具有可對基板W之上表面Us1之相反的另一主表面(亦稱為下表面)Bs1進行真空吸著之上表面30f的真空夾頭、或具有可夾持基板W之周緣部之複數個夾頭銷之夾持式的夾頭等。旋轉機構40使保持部30旋轉。旋轉機構40例如可應用如下之構成：具有於上端部連結有保持部30且沿著鉛直方向延伸之旋轉支軸40s、及具有可使旋轉支軸40s以沿著鉛直方向之虛擬的旋轉軸Ax1為中心旋轉之馬達等的旋轉驅動部40m。此處，例如旋轉支軸40s藉由旋轉驅動部40m而以旋轉軸Ax1為中心被旋轉，藉此使保持部30在大致水平面內被旋轉。藉此，例如被保持在保持部30上之基板W，會以旋轉軸Ax1為中心被旋轉。噴嘴50例如可朝向被保持在保持部30之基板W吐出作為處理液之磷酸水溶液。
液體排出部EL1B例如為執行如下之處理(液體排出處理)的部分：將作為處理部之藥液處理單元CP2中被使用於對基板W之蝕刻處理後之作為處理液(第1處理液)之磷酸水溶液(使用完畢磷酸水溶液)自藥液處理單元CP2排出至基板處理裝置外。液體排出部EL1B例如具有包含第8配管部Tb8之液體排出管部Tg1。第8配管部Tb8例如具有以連通於藥液處理單元CP2之下部之方式進行連接的第1端部、及以對於處理液輸出部Ex0連通之目的加以連接的第2端部。
液體補充部AL1B例如可執行將作為第2處理液之使用前磷酸水溶液自處理液供給源En0補充至液體排出部EL1B之處理(液體補充處理)。藉此，生成將作為第1處理液之使用完畢磷酸水溶液與作為第2處理液之使用前磷酸水溶液加以混合之作為混合溶液的磷酸水溶液(亦稱為混合磷酸水溶液)。此處，由於例如使用前磷酸水溶液之基板成分(例如矽)的溶解濃度處於較使用完畢磷酸水溶液更低之狀態，因此混合磷酸水溶液成為基板成分(例如矽)之溶解濃度較使用完畢磷酸水溶液更低之狀態。此處，液體補充部AL1B例如具有被連接於液體排出部EL1B之作為液體補充管部之第11配管部Tb11。第11配管部Tb11例如具有被連接於處理液供給源En0之第1端部、及以合流於第8配管部Tb8般之形態連通之目的加以連接之第2端部。於第11配管部Tb11設置有第3流量控制部Cf3。第3流量控制部Cf3例如具有將第11配管部Tb11之流路加以開閉之第10閥V10、及對磷酸水溶液之流量進行計測之第3流量計M3。
又，例如亦可於上述第1實施形態及各變形例中，使用以對第2液體供給部SL2及液體供給部SL2B供給處理液之處理液供給源En0、及用以對液體補充部AL1供給第2處理液之處理液供給源En0設為不同系統的處理液供給源。於該情形時，供給至第2液體供給部SL2及液體供給部SL2B之處理液，例如亦可為被調整為含有某程度基板成分者。又，例如亦可於調整槽SB1中，使供給至第2液體供給部SL2之處理液含有基板成分某種的程度。又，就不同觀點而言，例如被供給至液體補充部AL1之第2處理液之基板成分的溶解濃度亦可較被供給至第2液體供給部SL2及液體供給部SL2B之處理液之基板成分的溶解濃度更低。
當然，亦可將分別構成上述一實施形態及各種變形例之所有或一部分適當地且在不相互矛盾之範圍內加以組合。
1:投入部 2:第1搬送部 3:第2搬送部 4:乾燥處理部 5:第1液體處理部 6:第2液體處理部 7:送出部 8:輸入部 9:輸出部 10:控制部 10a:運算部 10b:記憶體 10c:儲存部 10d:計時器 11:載置台 30:保持部 30f:上表面 40:旋轉機構 40m:旋轉驅動部 40s:旋轉支軸 50:噴嘴 51:洗淨處理部 52、52B:藥液處理部 52s:感測器部 53:副搬送部 71:載置台 100:基板處理裝置 AL1、AL1B:液體補充部 Ax1:旋轉軸 B1a:第1內槽 B1b:第1外槽 B2a:第2內槽 B2b:第2外槽 Bs1:下表面 C1:匣盒 CB1:調整槽 CB2:藥液處理槽 Cf1:第1流量控制部 Cf2:第2流量控制部 Cf3:第3流量控制部 CL1:第1液體循環部 CL2:第2液體循環部 CP2:藥液處理單元 Ct1:冷卻箱 EL1、EL1A、EL1B:液體排出部 En0:處理液供給源 Ex0:處理液輸出部 Fl1:過濾器 Fr0、Fr1:流量 Ht1:第1加熱器 Ht2:第2加熱器 LF2:升降機 Lv1~Lv4:第1~4貯存量 M1:第1流量計 M2:第2流量計 M3:第3流量計 M4:檢測部 P0、P0s、P1:期間 P2~P4:第1~3既定時間 Pm1:第1泵 Pm2:第2泵 SB1:調整槽 SL1:第1液體供給部 SL2:第2液體供給部 SL2B:液體供給部 t0a~t0d、t1a~t1b、t3a~t3f、t4a~t4e、t6a~t6g:時刻 Tb1~Tb11:第1~11配管部 Tg1:液體排出管部 Us1:上表面 V1~V10:第1~10閥 W:基板
圖1係表示第1實施形態之基板處理裝置之概略性構成的俯視圖。 圖2係表示第1實施形態之基板處理裝置之功能性構成的方塊圖。 圖3係表示藥液處理部之概略性構成的圖。 圖4係表示蝕刻處理之動作流程之一例的流程圖。 圖5(a)及(b)係前處理之動作之一例的時序圖。 圖6(a)及(b)係主處理之動作之一例的時序圖。 圖7係表示主處理之動作流程之一例的流程圖。 圖8(a)及(b)係用以說明間隔期間液體補充處理之動作的圖。 圖9係用以說明冷卻箱中成為監視之對象之貯存量的圖。 圖10(a)及(b)係用以說明依據冷卻箱之貯存量之監視結果所進行之間隔期間液體補充處理之動作的圖。 圖11(a)及(b)係用以說明間隔期間液體補充處理之不執行期間之監視之動作的圖。 圖12(a)及(b)係用以說明間隔期間液體補充處理之執行時間之監視之動作的圖。 圖13(a)及(b)係用以說明依據冷卻箱之貯存量之監視結果所進行之循環處理之禁止之動作的圖。 圖14(a)至(c)係循環處理及液體補充處理之執行時間點之變化的時序圖。 圖15係表示循環處理及液體補充處理之執行時間點之第1變形例之動作流程之一例的圖。 圖16係表示一變形例之藥液處理部之概略性構成的圖。 圖17係表示一變形例之單片式基板處理裝置中藥液處理部之構成之一例的圖。
10:控制部
52:藥液處理部
AL1:液體補充部
B1a:第1內槽
B1b:第1外槽
B2a:第2內槽
B2b:第2外槽
CB1:調整槽
CB2:藥液處理槽
Cf1:第1流量控制部
Cf2:第2流量控制部
Cf3:第3流量控制部
CL1:第1液體循環部
CL2:第2液體循環部
Ct1:冷卻箱
EL1:液體排出部
En0:處理液供給源
Ex0:處理液輸出部
F11:過濾器
Ht1:第1加熱器
Ht2:第2加熱器
LF2:升降機
M1:第1流量計
M2:第2流量計
M3:第3流量計
M4:檢測部
Pm1:第1泵
Pm2:第2泵
SL1:第1液體供給部
SL2:第2液體供給部
Tb1~Tb11:第1~11配管部
Tg1:液體排出管部
V1~V10:第1~10閥
W:基板

Claims (4)

  1. 一種基板處理裝置，其具備有： 處理部，其藉由處理液進行對基板之蝕刻處理； 液體供給部，其具有對上述處理部供給上述處理液之液體供給管部； 液體排出部，其具有液體排出管部，該液體排出管部用以將在上述處理部對上述基板進行上述蝕刻處理所使用後之第1處理液，自上述處理部排出至上述基板處理裝置之外； 液體補充部，其為了藉由將構成上述基板之成分之溶解濃度較上述第1處理液更低之第2處理液補充至上述液體排出部而混合上述第1處理液與上述第2處理液來生成混合溶液，而具有被連接於上述液體排出部之液體補充管部；以及 控制部，其控制上述液體供給部所進行之上述處理液朝向上述處理部的供給、及上述液體補充部所進行之上述第2處理液朝向上述液體排出部的補充； 上述處理部因應於來自上述液體供給部之上述處理液的供給，將上述第1處理液排出至上述液體排出部， 上述控制部於藉由上述處理部進行對上述基板之上述蝕刻處理前，使上述液體補充部所進行之上述第2處理液朝向上述液體排出部的至少一次補充執行，並於藉由上述處理部進行對上述基板之上述蝕刻處理時，使上述液體供給部所進行之上述處理液朝向上述處理部的供給、及上述液體補充部所進行之上述第2處理液朝向上述液體排出部的補充執行。
  2. 一種基板處理裝置，其具備有： 處理部，其藉由處理液進行對基板之蝕刻處理； 液體供給部，其具有對上述處理部供給上述處理液之液體供給管部； 液體排出部，其具有液體排出管部，該液體排出管部用以將在上述處理部對上述基板進行上述蝕刻處理所使用後之第1處理液，自上述處理部排出至上述基板處理裝置之外； 液體補充部，其為了藉由將構成上述基板之成分之溶解濃度較上述第1處理液更低之第2處理液補充至上述液體排出部而混合上述第1處理液與上述第2處理液來生成混合溶液，而具有被連接於上述液體排出部之液體補充管部；以及 控制部，其控制上述液體供給部所進行之上述處理液朝向上述處理部的供給、及上述液體補充部所進行之上述第2處理液朝向上述液體排出部的補充； 上述液體排出部進一步包含有將上述第1處理液加以冷卻之冷卻箱， 上述液體排出管部包含有連接上述處理部與上述冷卻箱之第1部分、及被連接於上述冷卻箱而用以將液體排出至上述基板處理裝置之外之第2部分。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中， 上述液體排出部進一步包含有對被貯存在上述冷卻箱之液體之貯存量進行檢測的檢測部， 上述處理部依據來自上述液體供給部之上述處理液的供給，將上述第1處理液排出至上述液體排出部， 上述控制部若在由上述檢測部檢測出上述貯存量到達第1臨限值之情形時，則禁止上述處理部所進行之對上述基板之上述蝕刻處理的執行。
  4. 一種基板處理裝置，其具備有： 處理部，其藉由處理液進行對基板之蝕刻處理； 液體供給部，其具有對上述處理部供給上述處理液之液體供給管部； 液體排出部，其具有液體排出管部，該液體排出管部用以將在上述處理部對上述基板進行上述蝕刻處理所使用後之第1處理液，自上述處理部排出至上述基板處理裝置之外； 液體補充部，其為了藉由將構成上述基板之成分之溶解濃度較上述第1處理液更低之第2處理液補充至上述液體排出部而混合上述第1處理液與上述第2處理液來生成混合溶液，而具有被連接於上述液體排出部之液體補充管部；以及 控制部，其控制上述液體供給部所進行之上述處理液朝向上述處理部的供給、及上述液體補充部所進行之上述第2處理液朝向上述液體排出部的補充； 上述控制部於上述處理部所進行之對上述基板之上述蝕刻處理被執行之後且至接下來之上述處理部所進行之對上述基板之上述蝕刻處理被執行為止的期間，在既定的時間點藉由上述液體補充部使上述第2處理液朝向上述液體排出部的補充執行， 上述液體排出部進一步包含有將上述第1處理液加以冷卻之冷卻箱， 上述液體排出管部包含有連接上述處理部與上述冷卻箱之第1部分、及被連接於上述冷卻箱而用以將液體排出至上述基板處理裝置之外之第2部分， 上述液體排出部進一步包含有對被貯存在上述冷卻箱之液體之貯存量進行檢測的檢測部， 上述控制部若在由上述檢測部檢測出上述貯存量到達第2臨限值之情形時，則禁止在上述既定之時間點之上述液體補充部所進行之上述第2處理液朝向上述液體排出部之補充的執行。
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