JP7128099B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
下記特許文献1には、基板を1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が開示されている。この基板処理装置は、基板を水平に保持しながら回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板の上面(表面)に向けてSPM(硫酸と過酸化水素水との混合液)を吐出するノズルと、を備えている。
基板の表面に供給されるSPMの温度は高温である(100℃以上)。SPMによる処理レート(レジスト除去のレート(効率))は、基板の表面の温度に依存する。スピンチャックに保持されている基板の表面温度は、SPMの供給前において室温と同じ温度である。基板の表面への高温のSPMの供給開始に伴って、基板の表面温度が上昇する。そして、基板へのSPMの供給の継続により、基板の表面温度はやがてSPMと同じ温度に達し、その後はその温度に保たれる。
そこで、この発明の目的の一つは、SPM表面供給工程の処理期間の短縮が可能であり、これにより、硫酸の消費量の低減を図ることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
以上により、硫酸の消費量の低減を図ることが可能である。
前記制御装置が、前記硫酸含有液裏面供給工程の終了後に前記SPM表面供給工程を開始してもよい。
また、硫酸含有液裏面供給工程および回収工程の終了後に実行されるSPM表面供給工程に並行して排液工程が実行される。SPM表面供給工程の開始後のしばらくの期間において、基板から排出される液体には、基板の表面に供給されたSPMの他、レジスト等の基板の表面から除去された異物が多く含まれるおそれがある。このような異物を多く含む液体をベースに第1の硫酸含有液を作成したのでは、清浄な第1の硫酸含有液を作成するのが困難である。SPM表面供給工程に並行して排液工程を実行することにより、異物を多く含む液体を排液することができ、これにより、清浄な液体をベースに第1の硫酸含有液を作成できる。ゆえに、硫酸含有液作成工程において清浄な第1の硫酸含有液を作成できる。
この構成によれば、SPM表面供給工程に並行して硫酸含有液裏面供給工程が実行される。そのため、基板を加熱しながらSPM表面供給工程を実行できる。この場合、SPMによる基板の表面の処理効率(レジスト除去効率)を高めることができ、その結果、SPM表面供給工程の処理期間の短縮が可能である。
この構成によれば、SPM表面供給工程に含まれる第1の表面供給工程に並行して排液工程が実行される。これにより、異物を多く含む液体を排液することができ、これにより、清浄な液体をベースに第1の硫酸含有液を作成できる。ゆえに、硫酸含有液作成工程において清浄な第1の硫酸含有液を作成できる。
この構成によれば、第1の硫酸含有液作成装置で作成された第1の硫酸含有液の硫酸濃度が所定の下限濃度を下回った場合に、第1の硫酸含有液作成装置から第2の硫酸含有液作成装置に第1の硫酸含有液が供給される。第1の硫酸含有液作成装置において作成される第1の硫酸含有液の硫酸濃度が下限濃度を下回った硫酸は、本来排液されるべきである。第2の硫酸含有液作成装置においてそのような第1の硫酸含有液を引き取り、裏面供給用(基板加熱用)の第1の硫酸含有液として活用する。ゆえに、硫酸の消費量の低減を、さらにより一層図ることができる。
前記基板保持ユニットに保持されている基板の裏面に供給される第2の硫酸含有液が、第1の硫酸含有液および過酸化水素水の混合液であるSPMであってもよい。
以上により、硫酸の消費量の低減を図ることが可能である。
この方法によれば、硫酸含有液裏面供給工程に並行して回収工程が実行される。すなわち、基板の加熱のために基板の裏面に供給された第2の硫酸含有液は回収配管によって回収され、この回収された第2の硫酸含有液に基づいて、硫酸含有液作成装置において第1の硫酸含有液が作成される。したがって、基板の加熱のために基板の裏面に供給された第2の硫酸含有液を、SPM表面供給工程に使用されるSPMの作成のベースとして再利用できる。これにより、第2の硫酸含有液を用いた基板の加熱を、硫酸の消費量を増大させることなく行うことができる。
この方法によれば、SPM表面供給工程に並行して硫酸含有液裏面供給工程が実行される。そのため、基板を加熱しながらSPM表面供給工程を実行できる。この場合、SPMによる基板の表面の処理効率(レジスト除去効率)を高めることができ、その結果、SPM表面供給工程の処理期間の短縮が可能である。
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体が流入する排液配管をさらに含む。そして、前記SPM表面供給工程が、前記基板保持ユニットに保持されている基板の表面にSPMを供給する第1の表面供給工程と、前記第1の表面供給工程においてSPMの供給が停止された後に、前記基板保持ユニットに保持されている基板の表面にSPMを供給する第2の表面供給工程と、を含む。そして、前記硫酸含有液裏面供給工程が、前記第1の表面供給工程に並行して実行され、前記基板処理方法が、前記第1の表面供給工程および前記硫酸含有液裏面供給工程に並行して、前記基板保持ユニットに保持されている基板から排出された液体を、前記排液配管に流入させる排液工程をさらに含む。
前記基板保持ユニットに保持されている基板の裏面に供給される第2の硫酸含有液が、第1の硫酸含有液および過酸化水素水の混合液であるSPMであってもよい。
図1は、この発明の一の実施形態に係る基板処理装置1を上から見た模式図である。
基板処理装置1は、半導体ウエハなどの円板状の基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1は、クリーンルーム内に配置された装置本体2と、装置本体2に結合されたインデクサユニット3と、処理液供給装置と、基板処理装置1を制御する制御装置4と、を含む。
装置本体2は、搬送室5と、複数のロードポートLPから搬送された基板Wを処理液や処理ガスなどの処理流体で処理する複数の処理ユニット6と、を含む。複数の処理ユニット6は、水平に離れた6つの位置にそれぞれ配置された6つの塔を形成している。各塔は、上下に積層された複数(たとえば3つ)の処理ユニット6を含む。6つの塔は、搬送室5の両側に3つずつ配置されている。処理ユニット6は、装置本体2の外壁7の中に配置されており、すなわち外壁7に取り囲まれている。
図2は、図1にそれぞれ示す硫酸含有液作成装置8および装置本体2を、水平方向から見た図である。
第1の貯液部11は、第1の循環タンク22と、第1の循環配管23と、第1の循環ヒータ24と、硫酸補充ユニット25と、を含む。
第1の貯液部11は、対応する3つのタワーに含まれる合計9つの処理ユニット6から回収されたSPMを、硫酸含有液として貯留する。第1の循環タンク22には、後述する回収配管156に接続された回収導出配管26の下流端が接続されている。各処理ユニット6の処理カップ111に回収されたSPMは、回収配管156および回収導出配管26を通って第1の循環タンク22に導かれ、第1の循環タンク22に貯留される。
第1の循環タンク22には、第2の貯液部12に向けて延びた導液配管31が接続されている。導液配管31の途中部には、第1の循環タンク22内の硫酸含有液を汲み出すためのポンプ等の第1の送液装置32が介装されている。導液配管31の途中部には、第1の送液装置32の下流側に捕獲フィルタ37および開閉バルブ38が介装されている。捕獲フィルタ37は、導液配管31を流通する硫酸含有液中に含まれる比較的小さな異物を捕捉して除去するためのフィルタである。
導液配管31には、開閉バルブ38と捕獲フィルタ37との間において、リターン配管40が分岐接続されている。リターン配管40の下流端は第1の循環タンク22へ延びている。リターン配管40の途中部には、リターンバルブ41が介装されている。導液配管31におけるリターン配管40の分岐位置42の下流側部分と、リターン配管40とによって、第1の循環配管23が構成されている。
第2の循環タンク51には、導液配管31の下流端が接続されている。第2の循環タンク51には、第1の貯液部11において第1の温度(たとえば約120℃~約130℃)に温度調整された硫酸含有液が導かれる。そして、導かれた硫酸含有液が第2の循環タンク51に貯留される。
第2の循環タンク51には、第1の共通配管51Aが接続されている。第1の共通配管51Aの途中部には、第2の循環ヒータ52が介装されている。第2の循環タンク51および第1の共通配管51Aには、対応するタワーにそれぞれ硫酸含有液を供給するための3つの第1の硫酸含有液流通配管51Bが接続されている。具体的には、3つの第1の硫酸含有液流通配管51Bの上流端および下流端が、それぞれ、第1の共通配管51Aの下流端および第2の循環タンク51に接続されている(図2では、第1の硫酸含有液流通配管51Bを1つのみ図示)。第1の共通配管51Aおよび第1の硫酸含有液流通配管51Bによって第2の循環配管53が構成されている。
各第1の硫酸含有液供給配管57の途中部には、第1のヒータ54が介装されている。また、各第1の硫酸含有液供給配管57の途中部には、第1のヒータ54の下流側において、第1のヒータ54側から順に、第2の流量計78、第1の硫酸含有液流量調整バルブ59および第1の硫酸含有液バルブ60が介装されている。第2の流量計78は、各第1の硫酸含有液供給配管57内を流れる硫酸含有液の流量を検出する流量計である。第1の硫酸含有液流量調整バルブ59は、第1の硫酸含有液供給配管57の開度を調整して、SPMノズル13に供給される硫酸含有液の流量を調整するためのバルブである。第1の硫酸含有液流量調整バルブ59は、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータと、を含む構成であってもよい。他の流量調整バルブについても同様である。
第1の硫酸含有液供給配管57には、第1の硫酸含有液バルブ60と第1の硫酸含有液流量調整バルブ59との間において、第1のリターン配管61が分岐接続されている。第1のリターン配管61の下流端は第1の硫酸含有液流通配管51Bに接続されている。第1の硫酸含有液供給配管57における第1の分岐位置63の上流側部分の圧力損失が、第1のリターン配管61での圧力損失よりも大きい。
一方で、第1の硫酸含有液バルブ60が開かれた状態では、第1の硫酸含有液流通配管51Bを流れる硫酸含有液は、第2の循環配管53から第1の硫酸含有液供給配管57に流れ、SPMノズル13に供給される。つまり、第3の温度に調整された硫酸含有液がSPMノズル13に供給される。
各第2の硫酸含有液供給配管77の途中部には、第2のヒータ74が介装されている。また、各第2の硫酸含有液供給配管77の途中部には、第2のヒータ74の下流側において、第2のヒータ74側から順に、第2の流量計78、第2の硫酸含有液流量調整バルブ79および第2の硫酸含有液バルブ80が介装されている。第2の流量計78は、各第2の硫酸含有液供給配管77内を流れる硫酸含有液の流量を検出する流量計である。第2の硫酸含有液流量調整バルブ79は、第2の硫酸含有液供給配管77の開度を調整して、下面ノズル91に供給される硫酸含有液の流量を調整するためのバルブである。
第2の硫酸含有液供給配管77には、第2の硫酸含有液バルブ80と第2の硫酸含有液流量調整バルブ79との間において、第2のリターン配管81が分岐接続されている。第2のリターン配管81の下流端は第2の硫酸含有液流通配管71Bに接続されている。第2の硫酸含有液供給配管77における第2の分岐位置83の上流側部分の圧力損失が、第2のリターン配管81での圧力損失よりも大きい。
一方で、第2の硫酸含有液バルブ80が開かれた状態では、第2の硫酸含有液流通配管71Bを流れる硫酸含有液は、第3の循環配管73から第2の硫酸含有液供給配管77に流れ、下面ノズル91に供給される。つまり、第5の温度に調整された硫酸含有液が下面ノズル91に供給される。
第1の硫酸含有液流通配管51Bおよび/または第2の硫酸含有液流通配管71Bには、送液装置(第2の送液装置56および/または第3の送液装置76)の下流側に、第2の循環タンク51、第2の循環配管53および第3の循環配管73を循環している硫酸含有液の硫酸濃度を計測する硫酸濃度計64が介装されている。そして、第2の循環タンク51、第2の循環配管53および第3の循環配管73を循環している硫酸含有液の硫酸濃度が下限濃度よりも低くなると、硫酸補充ユニット25において、硫酸補充配管44を開閉する硫酸補充バルブ45が開かれ、第1の循環タンク22に硫酸含有液が供給される。これにより、第2の循環タンク51、第2の循環配管53および第3の循環配管73を循環している硫酸含有液の硫酸濃度が高くなり、それに従い、その後しばらくの期間の経過後には、第2の循環タンク51、第2の循環配管53および第3の循環配管73を循環している硫酸含有液の硫酸濃度が高くなる。
処理ユニット6は、内部空間を有する箱形のチャンバ107と、チャンバ107内で1枚の基板Wを水平な姿勢で保持して、基板Wの中心を通る鉛直な回転軸線A1まわりに基板Wを回転させるスピンチャック(基板保持ユニット)108と、スピンチャック108に保持されている基板Wの上面(基板Wの表面Wa(図4B参照))にSPMを供給するためのSPMノズル13と、スピンチャック108に保持されている基板Wの上面(基板Wの表面Wa(図4B参照))にリンス液を供給するためのリンス液供給ユニット110と、スピンチャック108に保持されている基板Wの下面(基板Wの裏面Wb(図7A参照))の中央部に向けて処理液を吐出する下面ノズル91と、スピンチャック108を取り囲む筒状の処理カップ111と、を含む。
スピンベース116は、基板Wの外径よりも大きな外径を有する水平な円形の上面116aを含む。上面116aには、その周縁部に複数個(3個以上。たとえば6個)の挟持部材117が配置されている。複数個の挟持部材117は、スピンベース116の上面周縁部において、基板Wの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けて配置されている。
制御装置4は、たとえばコンピュータである。制御装置4は、CPU等の演算ユニットと、固定メモリデバイス、ハードディスクドライブ等の記憶ユニットと、情報の入力および出力が行われる入出力ユニットとを有している。記憶ユニットは、演算ユニットによって実行されるコンピュータプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を含む。記録媒体には、制御装置4に後述するレジスト除去処理を実行させるようにステップ群が組み込まれている。
パターン100は、たとえば絶縁膜を含む。また、パターン100は、導体膜を含んでいてもよい。より具体的には、パターン100は、複数の膜を積層した積層膜により形成されており、さらには、絶縁膜と導体膜とを含んでいてもよい。パターン100は、単層膜で構成されるパターンであってもよい。絶縁膜は、シリコン酸化膜(SiO2膜)やシリコン窒化膜(SiN膜)であってもよい。また、導体膜は、低抵抗化のための不純物を導入したアモルファスシリコン膜であってもよいし、金属膜(たとえば金属配線膜)であってもよい。
図5は、処理ユニット6によって実行される第1の基板処理例のフローチャートである。
以下では、図1~図5を参照しながら、基板Wの処理の一例である第1の基板処理例について説明する。この基板Wの処理の一例は、基板Wの上面(主面)からレジストを除去するレジスト除去処理である。レジストは、たとえば、炭素を含む化合物によって形成されたフォトレジストである。基板Wは、レジストをアッシングするための処理を受けていないものとする。
具体的には、制御装置4は、第2の硫酸含有液バルブ80を開く。これにより、第2の硫酸含有液供給配管77からの高温(約165℃)の硫酸含有液が、下面供給配管92を介して下面ノズル91へと供給され、下面ノズル91の吐出口91aからほぼ鉛直上向きに吐出される。これにより、基板Wの裏面Wbの中央部に対し、高温の硫酸含有液(第2の硫酸含有液)がほぼ垂直に入射する。基板Wの裏面Wbの中央部に供給された硫酸含有液は、基板Wの回転による遠心力を受けて、基板Wの裏面Wbの全域に広がる。これにより、基板Wの裏面Wbの全域に硫酸含有液が供給される。基板Wの裏面Wbを移動する硫酸含有液は、基板Wの周縁部から基板Wの側方に向けて飛散する。
具体的には、制御装置4は、ノズル移動ユニット120を制御して、SPMノズル13を、退避位置から処理位置に移動させる。また、制御装置4は、第1の硫酸含有液バルブ60および過酸化水素水バルブ136を同時に開く。これにより、第2の硫酸含有液供給配管77を通って硫酸含有液がSPMノズル13に供給されると共に、過酸化水素水配管135を通って過酸化水素水がSPMノズル13に供給される。SPMノズル13の内部において硫酸含有液と過酸化水素水とが混合され、高温(たとえば、190~220℃)のSPMが生成される。そのSPMが、SPMノズル13の吐出口から吐出され、基板Wの上面(表面Wa)の中央部に着液する。
図6は、第1の基板処理例における、第1のガード143および第2のガード144の動作等を示すタイミングチャートである。図6において、回収のONは、基板Wから排出された液体(硫酸含有液またはSPM)が第2のガード144を介して回収配管156に流入することを表し、回収のOFFは、基板Wから排出された液体(硫酸含有液またはSPM)が回収配管156に流入することが停止されていることを表す。図6において、排液のONは、基板Wから排出された液体(硫酸含有液またはSPM)が第1のガード143を介して排液配管152に流入することを表し、排液のOFFは、基板Wから排出された液体(硫酸含有液またはSPM)が排液配管152に流入することが停止されていることを表す。
以下では、図3~図6を参照する。図7A~7Cは適宜参照する。以下の動作等は、制御装置4が基板処理装置1を制御することにより実行される。言い換えると、制御装置4は、以下の動作等を実行するようにプログラムされている。
図6に示す時刻T1で第2の硫酸含有液バルブ80が開かれると、図7Aに示すように、下面ノズル91に高温(たとえば約165℃)の硫酸含有液が供給され、下面ノズル91から基板Wの裏面Wbに向けて高温の硫酸含有液が吐出される(図5の硫酸含有液裏面供給工程S3)。その結果、図7Aに示すように、基板Wの裏面Wbの全域が硫酸含有液の液膜によって覆われる。高温の硫酸含有液の液膜によって基板Wが温められる。
その後、図6に示す時刻T3で第1の硫酸含有液バルブ60および過酸化水素水バルブ136が開かれると、硫酸含有液および過酸化水素水がSPMノズル13に供給される(図5の第1の表面供給工程S41)。硫酸含有液および過酸化水素水がSPMノズル13内において混合され、SPMノズル13内でSPMが作成される。作成されたSPMは、SPMノズル13から基板Wの上面に向けて吐出される。その結果、基板Wの表面Waの全域を覆うSPMの液膜が形成される。そして、このSPMの液膜によって、基板Wの表面Waからレジストが除去される。十分に昇温させられた後の基板Wに対してSPM表面供給工程S4が実行開始されるので、SPMによるレジスト除去効率が高い。レジスト除去効率が高いために、SPM表面供給工程S4の処理期間(より具体的には、第1の表面供給工程S41の処理期間)を長期間に設定しなくても、基板Wの表面WaからSPMをほぼ完全に除去することが可能である。そのため、SPM表面供給工程S4の処理期間(より具体的には、第1の表面供給工程S41の処理期間)は、基板Wの表面Waからレジストを大まかに除去できる範囲内において、可能な限り短い期間(たとえば約12秒間)に設定されている。
SPM表面供給工程S4の開始後の予め定める期間において、基板Wから排出されるSPMには、多量のレジストが含まれている。このようなレジストを多く含むSPMをベースに硫酸含有液を作成したのでは、清浄な硫酸含有液を作成するのが困難である。そのため、この期間に基板Wから排出されるSPMは再利用せずに(回収せずに)排液(廃棄)させることで、レジストを多く含むSPMが硫酸含有液作成装置8に供給されるのを防止できる。これにより、硫酸含有液作成装置8において清浄な硫酸含有液を作成できる。
第1の硫酸含有液バルブ60および過酸化水素水バルブ136が開かれてから予め定める期間(基板Wから排出されるSPMにほとんどレジストが含まれなくなるような期間。たとえば約12秒間)が経過すると、ガード昇降ユニット146は、図6に示す時刻T5で第1のガード143を下位置まで下降させる。したがって、処理カップ111は、第2のガード144が基板Wの周端面に対向する第2の対向状態に切り換わる。基板Wから排出されたSPMは、第2のガード144の内壁144aによって受け止められ、第2のカップ142に案内される(図5の第2の表面供給工程S42)。そして、第2のカップ142内のSPMは、回収配管156を介して、第1の貯液部11の第1の循環タンク22に送られる。これにより、基板Wに供給されたSPMが回収される(回収工程)。なお、SPM表面供給工程S4のうち、処理カップ11が第1の対向状態で実行されるSPM表面供給工程を、第1の表面供給工程という。
図6に示す時刻T6でSPMノズル13からのSPMの吐出が停止された後、ガード昇降ユニット146は、第1のガード143を下位置からの上昇を開始させ、図6に示す時刻T7で上位置まで上昇させる。これにより、処理カップ111は、SPMノズル13がSPMの吐出を停止しており、基板Wの上面の全域がSPMの液膜で覆われている状態で、第1のガード143が基板Wの周端面に対向する第1の対向状態に切り換わる。この状態で、リンス液を基板Wに供給するリンス工程(図5のS5)が行われる。基板Wを乾燥させる乾燥工程(図5のS6)は、第3のガード145が基板Wの周端面に対向する第3の対向状態に処理カップ111が設定された状態で行われる。
図6に示す時刻T3で硫酸含有液バルブ60および過酸化水素水バルブ136が開かれると、硫酸含有液が第1の硫酸含有液流量でSPMノズル13に供給され、過酸化水素水が第1のH2O2流量でSPMノズル13に供給される。そのため、硫酸含有液および過酸化水素水は、SPMノズル13内において第1の混合比(第1の硫酸含有液流量/第1のH2O2流量)で混合される。これにより、第1のSPMが、SPMノズル13内で作成され、SPMノズル13から基板Wの上面に向けて吐出される(図5の第1の表面供給工程S41)。その結果、基板Wの上面の全域を覆う第1のSPMの液膜が形成される。
図8は、処理ユニット6によって実行される第2の基板処理例のフローチャートである。
第2の基板処理例が第1の基板処理例と相違する点は、硫酸含有液裏面供給工程S13を、SPM表面供給工程S4の前に行うのではなく、SPM表面供給工程S4に並行して行うようにした点である。第2の基板処理例では、硫酸含有液裏面供給工程S13を、第2の表面供給工程S42に並行して行っている。
基板Wの回転速度が液処理速度に達した後、制御装置4は、第1の表面供給工程S41(図8参照)を実行する。SPMノズル13が処理位置に配置されている状態で、制御装置4は、第1の硫酸含有液バルブ60および過酸化水素水バルブ136を同時に開く。これにより、SPMノズル13に硫酸含有液および過酸化水素水が供給され、SPMノズル13の内部において高温(たとえば、約190~約220℃)のSPMが生成される。そのSPMが、SPMノズル13の吐出口から吐出され、基板Wの上面(表面Wa)に供給される。
第1の硫酸含有液バルブ60および過酸化水素水バルブ136が開かれてから予め定める期間(たとえば約12秒間)が経過すると(基板Wから排出されるSPMにほとんどレジストが含まれなくなると)、第2の表面供給工程S42が実行開始される。すなわち、ガード昇降ユニット146が第1のガード143を下位置まで下降させる。これにより、処理カップ111は、図9に示すように、第2のガード144が基板Wの周端面に対向する第2の対向状態に切り換わる。その結果、基板Wから排出されたSPMは、第2のガード144の内壁144aによって受け止められ、第2のカップ142に案内される。
また、第2の表面供給工程S42に並行して、硫酸含有液裏面供給工程S13(図8参照)が実行される。処理カップ111が第2の対向状態に切り換わった後、制御装置4が、第2の硫酸含有液バルブ80が開く。これにより、図9に示すように、下面ノズル91に高温(たとえば約165℃)の硫酸含有液が供給され、下面ノズル91から基板Wの裏面Wbに向けて高温の硫酸含有液(第2の硫酸含有液)が吐出される(硫酸含有液裏面供給工程S13)。その結果、図9に示すように、基板Wの裏面Wbの全域が硫酸含有液の液膜によって覆われる。高温の硫酸含有液の液膜によって基板Wが温められる。
図12Aに示すように、基板Wの表面には、所定のパターン100が形成されており、当該パターン100を選択的に覆うようにレジスト181が形成されている。レジスト181の表面には、前処理であるイオン注入処理によって変質した硬化層182が存在する。すなわち、基板Wの表面Wa上に形成されるレジスト181は、硬化層182と、変質していない非硬化層183と、を含む。
第2の表面供給工程S42において、第2のカップ142にSPMおよび硫酸含有液が供給される。そして、第2のカップ142内のSPMおよび硫酸含有液は、回収配管156を介して、第1の貯液部11の第1の循環タンク22に送られる。これにより、基板Wに供給されたSPMおよび硫酸含有液が回収される(回収工程)。
第3の基板処理例が第1の基板処理例と相違する点は、硫酸含有液裏面供給工程S23を、SPM表面供給工程S4の前に行うのではなく、SPM表面供給工程S4に並行して行うようにした点である。第3の基板処理例では、硫酸含有液裏面供給工程S3を、第1の表面供給工程S41に並行して行っている。
基板Wの回転速度が液処理速度に達した後、制御装置4は、第1の表面供給工程S41(図10参照)を実行する。SPMノズル13が処理位置に配置されている状態で、制御装置4は、第1の硫酸含有液バルブ60および過酸化水素水バルブ136を同時に開く。これにより、SPMノズル13に硫酸含有液および過酸化水素水が供給され、SPMノズル13の内部において高温(たとえば、約190~約220℃)のSPMが生成される。そのSPMが、SPMノズル13の吐出口から吐出され、基板Wの上面(表面Wa)に供給される。
また、第1の表面供給工程S41に並行して、硫酸含有液裏面供給工程S23(図10参照)が実行される。処理カップ111が第1の対向状態にある状態で、制御装置4が、第2の硫酸含有液バルブ80が開く。これにより、図11に示すように、下面ノズル91に高温(たとえば約165℃)の硫酸含有液(第2の硫酸含有液)が供給され、下面ノズル91から基板Wの裏面Wbに向けて高温の硫酸含有液が吐出される(硫酸含有液裏面供給工程S23)。その結果、図11に示すように、基板Wの裏面Wbの全域が硫酸含有液の液膜によって覆われる。高温の硫酸含有液の液膜によって基板Wが温められる。基板Wから排出された硫酸含有液は、図11に示すように、第1のガード143の内壁143aによって受け止められ、第1のカップ141に案内される。
また、第2の表面供給工程S42に並行して、硫酸含有液裏面供給工程S13(図8参照)が実行される。処理カップ111が第2の対向状態に切り換わった後、制御装置4が、第2の硫酸含有液バルブ80が開く。これにより、図9に示すように、下面ノズル91に高温(たとえば約165℃)の硫酸含有液が供給され、下面ノズル91から基板Wの裏面Wbに向けて高温の硫酸含有液が吐出される(硫酸含有液裏面供給工程S13)。その結果、図9に示すように、基板Wの裏面Wbの全域が硫酸含有液の液膜によって覆われる。高温の硫酸含有液の液膜によって基板Wが温められる。
第2の硫酸含有液バルブ80が開かれてから予め定める期間(基板Wの全体が硫酸含有液の液温と同温度に温められるのに十分な期間。たとえば約5秒間)が経過すると、制御装置4は、第2の硫酸含有液バルブ80を閉じて、下面ノズル91からの硫酸含有液の吐出を停止する。
第3の基板処理例によれば、基板Wの表面Waに供給されるSPMの作成のベースになる高温の硫酸含有液が、基板Wの裏面Wbに供給される(硫酸含有液裏面供給工程S23)。SPM表面供給工程S4に含まれる第1の表面供給工程S41に並行して高温の硫酸含有液が基板Wの裏面Wbに供給されることにより、SPM表面供給工程S4を実行しながら基板Wが温められる。そのため、十分に昇温させながら基板Wに対してSPM表面供給工程S4を実行させることができる。これにより、SPMによるレジスト除去効率を高めることができる。レジスト除去効率が高いために、SPM表面供給工程S4の処理期間(より具体的には、第1の表面供給工程S41の処理期間)を、比較的短く設定しても、基板Wの表面Waからレジストを大まかに除去できる。これにより、SPMの消費量の低減、ひいては硫酸含有液の消費量の低減を図ることが可能である。
この実施形態に係る基板処理装置201が、図1~図12Dに示す実施形態と相違する点は、処理液供給装置が、硫酸含有液作成装置として、処理ユニット6において使用される硫酸含有液を作成する第1の硫酸含有液作成装置208Aと、処理ユニット6において使用される硫酸含有液を作成する第2の硫酸含有液作成装置208Bという2つの硫酸作成装置を備えた点である。図13の例では、第1の硫酸含有液作成装置208Aおよび第2の硫酸含有液作成装置208Bの対が2対ずつ設けられている。
すなわち、第2の硫酸含有液作成装置208Bは、裏面供給専用の硫酸含有液作成装置である。専ら基板の昇温のために用いられる硫酸含有液は、その硫酸濃度の基準が緩い。そのため、第2の硫酸含有液作成装置208Bの硫酸濃度の下限濃度を低く設定することが可能である。これにより、第2の硫酸含有液作成装置208Bからの硫酸含有液の排液量を少なくすることができる。ゆえに、硫酸含有液の消費量の低減をより一層図ることができる。
また、第1の貯液部11において、回収導出配管26から回収されたSPMをリクレームタンク21に一旦回収し、その後に第1の循環タンク22に貯留するとして説明したが、リクレームタンク21を経ることなく、第1の循環タンク22に直接貯留させるようにしてもよい。この場合には、リクレームタンク21を廃止してもよい。
また、1つの硫酸含有液作成装置8(または第1の硫酸含有液作成装置208Aおよび第2の硫酸含有液作成装置208Bの対)が、複数(3つ)の塔に含まれる処理ユニット6に硫酸含有液を供給するのではなく、1つの塔に含まれる処理ユニット6にのみに対応していてもよい。
ある。
4 :制御装置
8 :硫酸含有液作成装置
13 :SPMノズル(表面供給ユニット)
91 :下面ノズル(裏面供給ユニット)
108 :スピンチャック(基板保持ユニット)
146 :ガード昇降ユニット(切り換えユニット)
152 :排液配管
156 :回収配管
201 :基板処理装置
208A:第1の硫酸含有液作成装置
208B:第2の硫酸含有液作成装置
209 :硫酸含有液供給配管
W :基板
Wa :表面
Wb :裏面
Claims (16)
- 硫酸および過酸化水素水の混合液であるSPMを用いて基板を処理する基板処理装置であって、
基板を保持する基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体が流入する回収配管と、
前記回収配管に流入した液体が送られ、当該液体に基づいて硫酸を含む高温の第1の硫酸含有液を作成するための硫酸含有液作成装置と、
前記硫酸含有液作成装置において作成された高温の第1の硫酸含有液に基づいて作成されたSPMを、前記基板保持ユニットに保持されている基板の表面に供給するための表面供給ユニットと、
前記硫酸含有液作成装置において作成された高温の第1の硫酸含有液を含む第2の硫酸含有液を、前記基板保持ユニットに保持されている基板の裏面に供給するための裏面供給ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体が流入する排液配管と、
前記基板保持ユニットに保持されている基板から排出された液体が流入する配管を、前記排液配管および前記回収配管の間で切り換える切り換えユニットと、
前記硫酸含有液作成装置、前記表面供給ユニット、前記裏面供給ユニットおよび前記切り換えユニットを制御する制御装置と、を含み、
前記制御装置が、
前記回収配管に流入した液体に基づいて前記硫酸含有液作成装置によって高温の第1の硫酸含有液を作成する硫酸含有液作成工程と、
前記硫酸含有液作成装置によって作成された高温の第1の硫酸含有液に基づいて作成されたSPMを、前記基板保持ユニットに保持されている基板の表面に供給するSPM表面供給工程と、
前記SPM表面供給工程に先立ってまたは前記SPM表面供給工程に並行して、前記基板保持ユニットに保持されている基板を加熱するために、前記硫酸含有液作成装置によって作成された高温の第1の硫酸含有液を含む第2の硫酸含有液を、前記基板保持ユニットに保持されている基板の裏面に供給する硫酸含有液裏面供給工程と、
前記硫酸含有液裏面供給工程に並行して、前記基板保持ユニットに保持されている基板から排出された液体を、前記切り換えユニットによって前記回収配管に流入させる回収工程と、を実行し、
前記制御装置が、前記硫酸含有液裏面供給工程を、前記SPM表面供給工程に先立って実行し、前記硫酸含有液裏面供給工程の終了後に前記SPM表面供給工程を開始しており、
前記制御装置が、前記SPM表面供給工程に並行して、前記基板保持ユニットに保持されている基板から排出された液体を、前記切り換えユニットによって前記排液配管に流入させる排液工程をさらに実行する、基板処理装置。 - 硫酸および過酸化水素水の混合液であるSPMを用いて基板を処理する基板処理装置であって、
基板を保持する基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体が流入する回収配管と、
前記回収配管に流入した液体が送られ、当該液体に基づいて硫酸を含む高温の第1の硫酸含有液を作成するための硫酸含有液作成装置と、
前記硫酸含有液作成装置において作成された高温の第1の硫酸含有液に基づいて作成されたSPMを、前記基板保持ユニットに保持されている基板の表面に供給するための表面供給ユニットと、
前記硫酸含有液作成装置において作成された高温の第1の硫酸含有液を含む第2の硫酸含有液を、前記基板保持ユニットに保持されている基板の裏面に供給するための裏面供給ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体が流入する排液配管と、
前記基板保持ユニットに保持されている基板から排出された液体が流入する配管を、前記排液配管および前記回収配管の間で切り換える切り換えユニットと、
前記硫酸含有液作成装置、前記表面供給ユニット、前記裏面供給ユニットおよび前記切り換えユニットを制御する制御装置と、を含み、
前記制御装置が、
前記回収配管に流入した液体に基づいて前記硫酸含有液作成装置によって高温の第1の硫酸含有液を作成する硫酸含有液作成工程と、
前記硫酸含有液作成装置によって作成された高温の第1の硫酸含有液に基づいて作成されたSPMを、前記基板保持ユニットに保持されている基板の表面に供給するSPM表面供給工程と、
前記SPM表面供給工程に先立ってまたは前記SPM表面供給工程に並行して、前記基板保持ユニットに保持されている基板を加熱するために、前記硫酸含有液作成装置によって作成された高温の第1の硫酸含有液を含む第2の硫酸含有液を、前記基板保持ユニットに保持されている基板の裏面に供給する硫酸含有液裏面供給工程と、
前記硫酸含有液裏面供給工程に並行して、前記基板保持ユニットに保持されている基板から排出された液体を、前記切り換えユニットによって前記回収配管に流入させる回収工程と、を実行し、
前記制御装置が、前記硫酸含有液裏面供給工程を、前記SPM表面供給工程に並行して実行し、
前記制御装置が、前記SPM表面供給工程において、前記基板保持ユニットに保持されている基板の表面にSPMを供給する第1の表面供給工程と、前記第1の表面供給工程においてSPMの供給が停止された後に、前記基板保持ユニットに保持されている基板の表面にSPMを供給する第2の表面供給工程と、を実行し、
前記制御装置が、前記硫酸含有液裏面供給工程を、前記第2の表面供給工程に並行して実行し、
前記制御装置が、前記第2の表面供給工程および前記硫酸含有液裏面供給工程に並行して、前記切り換えユニットによって前記回収工程を実行する、基板処理装置。 - 前記制御装置が、前記第1の表面供給工程に並行して、前記基板保持ユニットに保持されている基板から排出された液体を、前記切り換えユニットによって前記排液配管に流入させる排液工程をさらに実行する、請求項2に記載の基板処理装置。
- 硫酸および過酸化水素水の混合液であるSPMを用いて基板を処理する基板処理装置であって、
基板を保持する基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体が流入する回収配管と、
前記回収配管に流入した液体が送られ、当該液体に基づいて硫酸を含む高温の第1の硫酸含有液を作成するための硫酸含有液作成装置と、
前記硫酸含有液作成装置において作成された高温の第1の硫酸含有液に基づいて作成されたSPMを、前記基板保持ユニットに保持されている基板の表面に供給するための表面供給ユニットと、
前記硫酸含有液作成装置において作成された高温の第1の硫酸含有液を含む第2の硫酸含有液を、前記基板保持ユニットに保持されている基板の裏面に供給するための裏面供給ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体が流入する排液配管と、
前記基板保持ユニットに保持されている基板から排出された液体が流入する配管を、前記排液配管および前記回収配管の間で切り換える切り換えユニットと、
前記硫酸含有液作成装置、前記表面供給ユニット、前記裏面供給ユニットおよび前記切り換えユニットを制御する制御装置と、を含み、
前記制御装置が、
前記回収配管に流入した液体に基づいて前記硫酸含有液作成装置によって高温の第1の硫酸含有液を作成する硫酸含有液作成工程と、
前記硫酸含有液作成装置によって作成された高温の第1の硫酸含有液に基づいて作成されたSPMを、前記基板保持ユニットに保持されている基板の表面に供給するSPM表面供給工程と、
前記SPM表面供給工程に先立ってまたは前記SPM表面供給工程に並行して、前記基板保持ユニットに保持されている基板を加熱するために、前記硫酸含有液作成装置によって作成された高温の第1の硫酸含有液を含む第2の硫酸含有液を、前記基板保持ユニットに保持されている基板の裏面に供給する硫酸含有液裏面供給工程と、を実行し、
前記制御装置が、前記SPM表面供給工程において、前記基板保持ユニットに保持されている基板の表面にSPMを供給する第1の表面供給工程と、前記第1の表面供給工程においてSPMの供給が停止された後に、前記基板保持ユニットに保持されている基板の表面にSPMを供給する第2の表面供給工程と、を実行し、
前記制御装置が、前記硫酸含有液裏面供給工程を、前記第1の表面供給工程に並行して実行し、
前記制御装置が、前記第1の表面供給工程および前記硫酸含有液裏面供給工程に並行して、前記基板保持ユニットに保持されている基板から排出された液体を、前記切り換えユニットによって前記排液配管に流入させる排液工程をさらに実行する、基板処理装置。 - 硫酸および過酸化水素水の混合液であるSPMを用いて基板を処理する基板処理装置であって、
基板を保持する基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体が流入する回収配管と、
前記回収配管に流入した液体が送られ、当該液体に基づいて硫酸を含む高温の第1の硫酸含有液を作成するための硫酸含有液作成装置と、
前記硫酸含有液作成装置において作成された高温の第1の硫酸含有液に基づいて作成されたSPMを、前記基板保持ユニットに保持されている基板の表面に供給するための表面供給ユニットと、
前記硫酸含有液作成装置において作成された高温の第1の硫酸含有液を含む第2の硫酸含有液を、前記基板保持ユニットに保持されている基板の裏面に供給するための裏面供給ユニットと、を含み、
前記硫酸含有液作成装置が、
前記表面供給ユニットに高温の第1の硫酸含有液を供給し、前記裏面供給ユニットに第1の硫酸含有液を供給しない第1の硫酸含有液作成装置と、
前記裏面供給ユニットに高温の第1の硫酸含有液を供給し、前記表面供給ユニットに第1の硫酸含有液を供給しない第2の硫酸含有液作成装置と、を含む、基板処理装置。 - 前記第1の硫酸含有液作成装置で作成された第1の硫酸含有液の硫酸濃度が所定の下限濃度を下回った場合に、前記第1の硫酸含有液作成装置から前記第2の硫酸含有液作成装置に第1の硫酸含有液を供給する硫酸供給配管をさらに含む、請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記硫酸含有液作成装置、前記表面供給ユニットおよび前記裏面供給ユニットを制御する制御装置をさらに含み、
前記制御装置が、
前記回収配管に流入した液体に基づいて前記硫酸含有液作成装置によって高温の第1の硫酸含有液を作成する硫酸含有液作成工程と、
前記硫酸含有液作成装置によって作成された高温の第1の硫酸含有液に基づいて作成されたSPMを、前記基板保持ユニットに保持されている基板の表面に供給するSPM表面供給工程と、
前記SPM表面供給工程に先立ってまたは前記SPM表面供給工程に並行して、前記基板保持ユニットに保持されている基板を加熱するために、前記硫酸含有液作成装置によって作成された高温の第1の硫酸含有液を含む第2の硫酸含有液を、前記基板保持ユニットに保持されている基板の裏面に供給する硫酸含有液裏面供給工程と、を実行する、請求項5または6に記載の基板処理装置。 - 前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体が流入する排液配管と、
前記基板保持ユニットに保持されている基板から排出された液体が流入する配管を、前記排液配管および前記回収配管の間で切り換える切り換えユニットと、をさらに含み、
前記制御装置が、前記切り換えユニットを制御しており、
前記制御装置が、前記硫酸含有液裏面供給工程に並行して、前記基板保持ユニットに保持されている基板から排出された液体を、前記切り換えユニットによって前記回収配管に流入させる回収工程をさらに実行する、請求項7に記載の基板処理装置。 - 前記基板保持ユニットに保持されている基板の裏面に供給される第2の硫酸含有液が、第1の硫酸含有液である、請求項1~8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記基板保持ユニットに保持されている基板の裏面に供給される第2の硫酸含有液が、第1の硫酸含有液および過酸化水素水の混合液であるSPMである、請求項1~8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体が流入する回収配管と、前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体が流入する排液配管と、を含む、基板処理装置において実行され、硫酸および過酸化水素水の混合液であるSPMを用いて基板を処理する基板処理方法であって、
前記回収配管に流入した液体に基づいて硫酸を含む高温の第1の硫酸含有液を作成する硫酸含有液作成工程と、
作成された高温の第1の硫酸含有液に基づいて作成されたSPMを、前記基板保持ユニットに保持されている基板の表面に供給するSPM表面供給工程と、
前記SPM表面供給工程に先立ってまたは前記SPM表面供給工程に並行して、前記基板保持ユニットに保持されている基板を加熱するために、作成された高温の第1の硫酸含有液を含む第2の硫酸含有液を、前記基板保持ユニットに保持されている基板の裏面に供給する硫酸含有液裏面供給工程と、
前記硫酸含有液裏面供給工程に並行して、前記基板保持ユニットに保持されている基板から排出された液体を、前記回収配管に流入させる回収工程と、を含み、
前記硫酸含有液裏面供給工程が、前記SPM表面供給工程に先立って実行され、前記硫酸含有液裏面供給工程の終了後に前記SPM表面供給工程が開始され、
前記SPM表面供給工程に並行して、前記基板保持ユニットに保持されている基板から排出された液体を、前記排液配管に流入させる排液工程をさらに含む、基板処理方法。 - 基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体が流入する回収配管と、を含む、基板処理装置において実行され、硫酸および過酸化水素水の混合液であるSPMを用いて基板を処理する基板処理方法であって、
前記回収配管に流入した液体に基づいて硫酸を含む高温の第1の硫酸含有液を作成する硫酸含有液作成工程と、
作成された高温の第1の硫酸含有液に基づいて作成されたSPMを、前記基板保持ユニットに保持されている基板の表面に供給するSPM表面供給工程と、
前記SPM表面供給工程に先立ってまたは前記SPM表面供給工程に並行して、前記基板保持ユニットに保持されている基板を加熱するために、作成された高温の第1の硫酸含有液を含む第2の硫酸含有液を、前記基板保持ユニットに保持されている基板の裏面に供給する硫酸含有液裏面供給工程と、
前記硫酸含有液裏面供給工程に並行して、前記基板保持ユニットに保持されている基板から排出された液体を、前記回収配管に流入させる回収工程と、を含み、
前記硫酸含有液裏面供給工程が、前記SPM表面供給工程に並行して実行され、
前記SPM表面供給工程が、前記基板保持ユニットに保持されている基板の表面にSPMを供給する第1の表面供給工程と、前記第1の表面供給工程においてSPMの供給が停止された後に、前記基板保持ユニットに保持されている基板の表面にSPMを供給する第2の表面供給工程と、を含み、
前記硫酸含有液裏面供給工程が、前記第2の表面供給工程に並行して実行され、
前記第2の表面供給工程および前記硫酸含有液裏面供給工程に並行して前記回収工程が実行される、基板処理方法。 - 前記基板処理装置が、前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体が流入する排液配管をさらに含み、
前記基板処理方法が、前記第1の表面供給工程に並行して、前記基板保持ユニットに保持されている基板から排出された液体を、前記排液配管に流入させる排液工程をさらに含む、請求項12に記載の基板処理方法。 - 基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体が流入する回収配管と、前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体が流入する排液配管とを含む、基板処理装置において実行され、硫酸および過酸化水素水の混合液であるSPMを用いて基板を処理する基板処理方法であって、
前記回収配管に流入した液体に基づいて硫酸を含む高温の第1の硫酸含有液を作成する硫酸含有液作成工程と、
作成された高温の第1の硫酸含有液に基づいて作成されたSPMを、前記基板保持ユニットに保持されている基板の表面に供給するSPM表面供給工程と、
前記SPM表面供給工程に先立ってまたは前記SPM表面供給工程に並行して、前記基板保持ユニットに保持されている基板を加熱するために、作成された高温の第1の硫酸含有液を含む第2の硫酸含有液を、前記基板保持ユニットに保持されている基板の裏面に供給する硫酸含有液裏面供給工程と、を含み、
前記SPM表面供給工程が、前記基板保持ユニットに保持されている基板の表面にSPMを供給する第1の表面供給工程と、前記第1の表面供給工程においてSPMの供給が停止された後に、前記基板保持ユニットに保持されている基板の表面にSPMを供給する第2の表面供給工程と、を含み、
前記硫酸含有液裏面供給工程が、前記第1の表面供給工程に並行して実行され、
前記基板処理方法が、前記第1の表面供給工程および前記硫酸含有液裏面供給工程に並行して、前記基板保持ユニットに保持されている基板から排出された液体を、前記排液配管に流入させる排液工程をさらに含む、基板処理方法。 - 前記基板保持ユニットに保持されている基板の裏面に供給される第2の硫酸含有液が、第1の硫酸含有液である、請求項11~14のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記基板保持ユニットに保持されている基板の裏面に供給される第2の硫酸含有液が、第1の硫酸含有液および過酸化水素水の混合液であるSPMである、請求項11~14のいずれか一項に記載の基板処理方法。
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