JP7302997B2 - 基板処理装置、及び基板処理装置の配管洗浄方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板処理装置、及び基板処理装置の配管洗浄方法に関する。

基板処理装置が備える配管は、基板処理装置を工場に設置した後、基板処理装置の使用が開始される前に洗浄される。一般的には、ＤＩＷ（Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ ｗａｔｅｒ；脱イオン水）、界面活性剤を含有するＤＩＷ、アンモニア水、ＳＣ１、及びＩＰＡ（イソプロピルアルコール）のうちの少なくとも１種を配管に通液させることで、配管を洗浄する。なお、ＳＣ１は、「ＮＨ₄ＯＨ」、「Ｈ₂Ｏ₂」、及び「Ｈ₂Ｏ」を含む混合液である。

しかし、配管の材料によっては、ＤＩＷ、界面活性剤を含有するＤＩＷ、アンモニア水、ＳＣ１、及びＩＰＡを使用しても、配管の内面を清浄にすることが困難なことがある。例えば、配管がフッ素樹脂成形品である場合、ＤＩＷ、界面活性剤を含有するＤＩＷ、アンモニア水、ＳＣ１、及びＩＰＡを使用しても、粒子径が３０ｎｍ以下のパーティクルが配管の内面に残存することがある。配管に用いられるフッ素樹脂成形品は、例えば、ＰＦＡチューブである。ＰＦＡチューブは、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）を材料とする配管である。

一方、特許文献１には、フッ素置換溶媒を含有する洗浄剤を用いることで、フッ素樹脂成形品を清浄にできることが開示されている。例えば、特許文献１には、フッ素置換溶媒としてデカフルオロペンタンを用いることにより、ＰＦＡチューブの内面から微小なパーティクルを除去できることが開示されている。

特開２０１５－４０２７９号公報

しかしながら、デカフルオロペンタンは、基板の処理に用いられる薬液ではない。基板の処理に用いない薬液を配管に通液させると、薬液の種類によっては基板に不具合が生じる可能性がある。具体的には、基板の処理に用いない薬液が基板に付着して、基板に形成されているデバイスに不具合が生じる可能性がある。特に、デカフルオロペンタンのような揮発性を有する薬液を用いた場合、チャンバーの内壁面やチャンバー内の各種部品が薬液によって汚染される可能性があり、その結果、基板に不具合が生じる可能性がある。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板の処理に用いない薬液を用いて配管を洗浄しても、基板に不具合が生じることを抑制できる基板処理装置、及び基板処理装置の配管洗浄方法を提供することにある。

本発明の基板処理装置は、処理チャンバーと、基板保持部と、遮蔽部と、移動機構と、ノズルと、処理液ラインと、洗浄液供給ラインと、第１有機溶剤供給ラインと、純水供給ラインと、制御部とを備える。前記基板保持部は、前記処理チャンバー内で処理すべき基板を保持する。前記遮蔽部は、前記基板保持部との間で閉空間を形成する。前記移動機構は、前記基板保持部と前記遮蔽部とを、前記閉空間を形成する位置と、前記閉空間を開放する位置との間で相対的に移動させる。前記ノズルは、先端部を有し、前記閉空間に前記先端部が臨むように配置され、前記基板に処理を行うための処理液を吐出する。前記処理液ラインは、前記処理液を前記ノズルまで流通させる。前記洗浄液供給ラインは、前記処理液ラインに、前記処理液とは異なる薬液であって、デカフルオロペンタンからなる配管洗浄液を供給する。前記第１有機溶剤供給ラインは、前記処理液ラインに第１有機溶剤を供給する。前記純水供給ラインは、前記処理液ラインに純水を供給する。前記制御部は、前記移動機構、前記処理液ライン、前記洗浄液供給ライン、前記第１有機溶剤供給ライン、及び前記純水供給ラインを制御する。前記処理液ラインは、前記処理液が流通する配管と、前記処理液の流通を制御する弁とを含む。前記処理液ラインの前記配管の接液面はフッ素樹脂からなる。前記洗浄液供給ラインは、前記配管洗浄液が流通する配管と、前記配管洗浄液の流通を制御する弁とを含む。前記第１有機溶剤供給ラインは、前記第１有機溶剤が流通する配管と、前記第１有機溶剤の流通を制御する弁とを含む。前記純水供給ラインは、前記純水が流通する配管と、前記純水の流通を制御する弁とを含む。前記制御部は、前記処理液ラインの前記配管を前記配管洗浄液で洗浄する際に、前記閉空間が形成されるように前記移動機構を制御する。前記制御部は、前記処理液ラインの前記配管を前記配管洗浄液で洗浄する際に、前記処理液ラインの前記配管に前記配管洗浄液が供給されるように前記洗浄液供給ラインの前記弁を制御する。前記制御部は、前記処理液ラインの前記配管を前記配管洗浄液で洗浄する際に、前記ノズルから前記閉空間へ前記配管洗浄液が吐出されるように前記処理液ラインの前記弁を制御する。前記制御部は、前記配管洗浄液による前記処理液ラインの前記配管の洗浄後、前記処理液ラインの前記配管に前記第１有機溶剤が供給されるように前記第１有機溶剤供給ラインの前記弁を制御する。前記制御部は、前記配管洗浄液による前記処理液ラインの前記配管の洗浄後、前記ノズルから前記閉空間へ前記第１有機溶剤が吐出されるように前記処理液ラインの前記弁を制御する。前記制御部は、前記ノズルから前記第１有機溶剤を吐出させた後、前記処理液ラインの前記配管に前記純水が供給されるように前記純水供給ラインの前記弁を制御する。

ある実施形態において、上記基板処理装置は、前記処理液ラインの前記配管内の前記配管洗浄液に超音波を伝搬させる超音波発生器を更に備える。

ある実施形態において、上記基板処理装置は、第２有機溶剤供給ラインを更に備える。前記第２有機溶剤供給ラインは、前記処理液ラインに、前記第１有機溶剤よりも炭素数が多い第２有機溶剤を供給する。前記第２有機溶剤供給ラインは、前記第２有機溶剤が流通する配管と、前記第２有機溶剤の流通を制御する弁とを含む。前記制御部は、前記配管洗浄液による前記処理液ラインの前記配管の洗浄後、前記処理液ラインの前記配管に前記第２有機溶剤が供給されるように前記第２有機溶剤供給ラインの前記弁を制御する。前記制御部は、前記配管洗浄液による前記処理液ラインの前記配管の洗浄後、前記ノズルから前記閉空間へ前記第２有機溶剤が吐出されるように前記処理液ラインの前記弁を制御する。前記制御部は、前記ノズルから前記第２有機溶剤を吐出させた後、前記処理液ラインの前記配管に前記第１有機溶剤が供給されるように前記第１有機溶剤供給ラインの前記弁を制御する。前記制御部は、前記ノズルから前記第２有機溶剤を吐出させた後、前記ノズルから前記閉空間へ前記第１有機溶剤が吐出されるように前記処理液ラインの前記弁を制御する。前記制御部は、前記ノズルから前記第１有機溶剤を吐出させた後、前記処理液ラインの前記配管に前記純水が供給されるように前記純水供給ラインの前記弁を制御する。

ある実施形態において、上記基板処理装置は、前記処理液ラインにガスを供給するガス供給ラインを更に備える。前記ガス供給ラインは、前記ガスが流通する配管と、前記ガスの流通を制御する弁とを含む。前記制御部は、前記処理液ラインの前記配管に前記純水を供給した後、前記処理液ラインの前記配管に前記ガスが供給されるように前記ガス供給ラインの前記弁を制御する。

ある実施形態において、上記基板処理装置は、タンクと、ポンプとを更に備える。前記タンクは、前記処理液ラインの前記配管を洗浄する際に前記配管洗浄液を貯留する。前記ポンプは、前記タンクに貯留されている前記配管洗浄液のうち、前記タンクの底面からの高さが所定の高さ以上の部分を吸引する。

ある実施形態において、上記基板処理装置は、前記配管洗浄液の揮発成分を凝縮させる凝縮器を更に備える。

ある実施形態において、上記基板処理装置は、前記処理液により前記基板を処理する際に前記処理液を貯留し、前記処理液ラインの前記配管を洗浄する際に前記配管洗浄液を貯留するタンクを更に備える。前記処理液ラインは、前記基板の処理時に、前記タンクから排出される前記処理液を前記タンクに戻し、前記処理液ラインの前記配管の洗浄時に、前記タンクから排出される前記配管洗浄液を前記タンクに戻す循環ラインを含む。

ある実施形態において、上記基板処理装置は、前記循環ラインを流れる前記配管洗浄液を加熱するヒータを更に備える。

ある実施形態において、上記基板処理装置は、回転部と、カップ部とを更に備える。前記回転部は、前記基板の処理時、及び前記処理液ラインの前記配管の洗浄時に前記基板保持部を回転させる。前記カップ部は、前記基板の処理時に前記基板保持部の周囲に配置されて前記処理液を受け、前記処理液ラインの前記配管の洗浄時に前記基板保持部の周囲に配置されて前記配管洗浄液を受ける。前記処理液ラインは、前記基板の処理時に前記カップ部から排出される前記処理液を前記タンクへ導き、前記処理液ラインの前記配管の洗浄時に前記カップ部から排出される前記配管洗浄液を前記タンクへ導く回収ラインを含む。

ある実施形態において、前記制御部は、前記処理液ラインの前記配管の洗浄時に、前記処理液ラインの前記弁から前記ノズルまでの間で前記配管洗浄液が所定時間保持されるように前記処理液ラインの前記弁を制御する。

ある実施形態において、前記ノズルは、第１ノズルと、第２ノズルとを含む。前記第１ノズルは、前記処理液を前記基板の上面に向けて吐出する。前記第２ノズルは、前記処理液を前記基板の下面に向けて吐出する。前記処理液ラインは、第１供給ラインと、第２供給ラインとを更に含む。前記第１供給ラインは、前記循環ラインに接続して前記第１ノズルまで延びる。前記第２供給ラインは、前記循環ラインに接続して前記第２ノズルまで延びる。

ある実施形態において、上記基板処理装置は、前記処理液により前記基板を処理する際に、前記基板保持部へ前記基板を搬送し、前記処理液ラインの前記配管を洗浄する際に、前記基板保持部へダミー基板を搬送する搬送部を更に備える。前記基板保持部は、前記処理液ラインの前記配管の洗浄時に、前記ダミー基板を保持する。

本発明の第１の方法は、処理チャンバーの内側で基板保持部によって保持される基板に対し、処理液をノズルから吐出して処理を行う基板処理装置の配管を洗浄する方法である。前記処理液は、処理液ラインを構成する前記配管を流通し、前記配管の接液面はフッ素樹脂からなる。当該第１の方法は、前記配管を準備する工程と、前記処理チャンバーの内側において閉空間を形成する工程と、前記ノズルの吐出口が前記閉空間に臨むように前記ノズルを配置する工程と、前記配管に、前記処理液とは異なる薬液であって、デカフルオロペンタンからなる配管洗浄液を流通させ、前記配管洗浄液を前記ノズルから前記閉空間内に吐出させて、該配管を洗浄する工程と、前記配管洗浄液によって前記配管を洗浄した後に、前記配管に純水を供給して、前記ノズルから前記純水を前記閉空間内に吐出させる工程とを含む。当該第１の方法は、前記配管洗浄液によって前記配管を洗浄する工程と、前記配管に前記純水を供給する工程との間に、前記配管に第１有機溶剤を供給して、前記ノズルから前記第１有機溶剤を前記閉空間内に吐出させる工程を更に含む。

ある実施形態において、上記第１の方法は、前記配管洗浄液に超音波を伝播させる工程を更に含む。

ある実施形態において、上記第１の方法は、前記配管洗浄液によって前記配管を洗浄する工程と、前記配管に前記第１有機溶剤を供給する工程との間に、前記第１有機溶剤よりも炭素数が多い第２有機溶剤を前記配管に供給して、前記ノズルから前記第２有機溶剤を前記閉空間内に吐出させる工程を更に含む。

ある実施形態において、上記第１の方法は、前記配管に前記純水を供給した後に、前記配管にガスを供給する工程を更に含む。

ある実施形態において、上記第１の方法は、前記配管洗浄液を第１タンクに回収する工程と、前記第１タンクに回収された前記配管洗浄液のうち、前記第１タンクの底面からの高さが所定の高さ以上の部分を第２タンクに送液して、該配管洗浄液を前記第２タンクに回収する工程とを更に含む。

ある実施形態において、上記第１の方法は、前記配管洗浄液の揮発成分を凝縮させる工程を更に含む。

ある実施形態において、上記第１の方法は、前記処理液を貯留する貯留タンクを準備する工程と、前記処理液ラインの一部として、前記貯留タンクから前記処理液を排出し、前記貯留タンクに前記処理液を戻す前記配管を備えた循環ラインを準備する工程と、前記循環ラインの前記配管に前記配管洗浄液を供給して前記循環ラインに該配管洗浄液を循環させる工程とを更に含む。

ある実施形態において、上記第１の方法は、前記循環ラインを流れる前記配管洗浄液を加熱する工程を更に含む。

ある実施形態において、上記第１の方法は、前記処理液ラインの前記配管から前記ノズルまでの間で前記配管洗浄液を所定時間保持する工程を更に含む。

ある実施形態において、前記ノズルを配置する工程は、前記基板の上方に配置されて前記基板の上面に対して前記処理液を吐出する第１ノズルを配置する工程と、前記基板の下方に配置されて前記基板の下面に前記処理液を吐出する第２ノズルを配置する工程とを含む。

上記方法は、前記処理チャンバー内で前記基板を水平姿勢に保持する前記基板保持部を準備する工程と、前記基板保持部によってダミー基板を水平姿勢で保持する工程とを更に含む。前記第１ノズルは、前記ダミー基板の上方に配置され、前記第２ノズルは前記ダミー基板の下方に配置される。前記配管を洗浄する工程において、前記配管洗浄液を前記第１ノズル又は前記第２ノズルの少なくとも一方から前記ダミー基板に向けて吐出して、前記配管を洗浄する。

本発明の基板処理装置、及び基板処理装置によれば、基板の処理に用いない薬液を用いて配管を洗浄しても、基板に不具合が生じることを抑制できる。

本発明の実施形態１に係る基板処理装置の構成を示す平面図である。 本発明の実施形態１に係る処理ユニットの構成を示す断面図である。 本発明の実施形態１に係る処理ユニットの構成を示す断面図である。 本発明の実施形態１に係る下部ノズル及びその近傍を拡大して示す断面図である。 本発明の実施形態１に係る上部ノズルを下から視た下面図である。 本発明の実施形態１に係る気液供給部を示す図である。 本発明の実施形態１に係る基板処理装置の一部を示す図である。 本発明の実施形態１に係る基板処理装置の一部を示す図である。 本発明の実施形態１に係る基板処理装置の一部を示す図である。 本発明の実施形態１に係る配管洗浄処理を示すフローチャートである。 本発明の実施形態１に係る第１配管洗浄工程を示すフローチャートである。 本発明の実施形態１に係る第２配管洗浄工程を示すフローチャートである。 本発明の実施形態２に係る基板処理装置の一部を示す図である。 本発明の実施形態２に係る基板処理装置の他の構成の一部を示す図である。

以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されない。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合がある。また、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。

［実施形態１］
まず図１を参照して、本実施形態の基板処理装置１を説明する。図１は、本実施形態に係る基板処理装置１の構成を示す平面図である。図１に示すように、基板処理装置１は、複数のロードポートＬＰと、インデクサロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、複数の処理ユニット１Ａと、制御装置１０とを備える。基板処理装置１は、基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。本実施形態の基板処理装置１は、基板Ｗを洗浄する洗浄装置である。

基板Ｗは、薄い板状である。典型的には、基板Ｗは、薄い略円板状である。基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、及び太陽電池用基板を含む。

ロードポートＬＰは、基板処理時に、基板Ｗを収容したキャリアＣを保持する。また、ロードポートＬＰは、配管洗浄時に、ダミー基板ＷＤを収容したキャリアＣを保持する。ダミー基板ＷＤは、例えば、シリコン基板である。

インデクサロボットＩＲは、基板処理時に、ロードポートＬＰの各々とセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。インデクサロボットＩＲは、配管洗浄時に、ロードポートＬＰの各々とセンターロボットＣＲとの間でダミー基板ＷＤを搬送する。インデクサロボットＩＲは、基板Ｗを支持するハンドを含む。

センターロボットＣＲは、基板処理時に、インデクサロボットＩＲと処理ユニット１Ａの各々との間で基板Ｗを搬送する。処理ユニット１Ａは、基板処理時に、ロードポートＬＰから搬送された基板Ｗを処理する。センターロボットＣＲは、配管洗浄時に、インデクサロボットＩＲと処理ユニット１Ａの各々との間でダミー基板ＷＤを搬送する。センターロボットＣＲは、基板Ｗを支持するハンドを含む。センターロボットＣＲは、搬送部の一例である。

複数の処理ユニット１Ａは、複数の塔Ｕを構成する。各塔Ｕは、上下に積層された複数の処理ユニット１Ａを有する。複数の塔Ｕは、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置される。本実施形態では、各塔Ｕは、３つの処理ユニット１Ａを有する。また、塔Ｕは４つ設けられる。なお、１つの塔Ｕを構成する処理ユニット１Ａの数は特に限定されない。また、塔Ｕの数も特に限定されない。

制御装置１０は、基板処理装置１の各部の動作を制御する。具体的には、制御装置１０は、記憶部１１及び制御部１２を備える。

記憶部１１は、各種のデータ、及び各種のコンピュータープログラムを記憶する。記憶部１１は、主記憶装置を含む。主記憶装置は、例えば半導体メモリである。半導体メモリは、例えば、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）及びＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）を含む。記憶部１１は、補助記憶装置を更に含んでもよい。補助記憶装置は、例えば、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）及びＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）のうちの少なくとも一方を含む。なお、記憶部１１は、リムーバブルメディアを含んでもよい。

制御部１２は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）又はＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）のようなプロセッサを含む。あるいは、制御部１２は、汎用演算器を含む。制御部１２は、記憶部１１に記憶されている各種のデータ、及び各種のコンピュータープログラムに基づいて、基板処理装置１の各部の動作を制御する。例えば、制御部１２は、インデクサロボットＩＲ及びセンターロボットＣＲを制御する。

続いて図２及び図３を参照して、本実施形態の処理ユニット１Ａを説明する。図２及び図３は、本実施形態に係る処理ユニット１Ａの構成を示す断面図である。図２及び図３に示すように、処理ユニット１Ａは、処理チャンバー２と、基板保持部３と、回転機構４と、カップ部５と、遮蔽部６と、移動機構８と、下部ノズル３４と、上部ノズル６１とを備える。また、基板処理装置１は、第１廃液ライン２４と、回収ライン４０１とを更に備える。回転機構４は、回転部の一例である。なお、図２は、上方に移動したトッププレート７を示す。図３は、下方に移動したトッププレート７を示す。

処理チャンバー２は、基板保持部３、回転機構４、カップ部５、遮蔽部６、移動機構８、下部ノズル３４、及び上部ノズル６１を収容する。処理チャンバー２は、底壁２１を有する。底壁２１は、第１排出ポート２２及び第２排出ポート２３を有する。第１排出ポート２２は、回収ライン４０１に接続する。回収ライン４０１については、図８及び図９を参照して後述する。第２排出ポート２３は、第１廃液ライン２４に接続する。

基板保持部３は、基板処理時に、基板Ｗを水平に保持する。また、基板保持部３は、配管洗浄時に、ダミー基板ＷＤを水平に保持する。具体的には、図１を参照して説明したセンターロボットＣＲが、基板処理時に、基板保持部３へ基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、配管洗浄時に、基板保持部３へダミー基板ＷＤを搬送する。

基板保持部３は、保持ベース部３１と、複数のチャック３２と、複数の第１係合部３３とを備える。基板Ｗ及びダミー基板ＷＤは、保持ベース部３１の上方に配置される。

保持ベース部３１は、上下方向に延びる中心軸Ｊ１を中心とする略円板状の部材である。保持ベース部３１は、例えば、比較的高い耐薬品性を有するフッ素樹脂により形成される。

複数のチャック３２は、保持ベース部３１の上面の外周部に周方向に配置される。複数のチャック３２は、基板処理時に、基板Ｗの外縁部を支持する。複数のチャック３２は、配管洗浄時に、ダミー基板ＷＤの外縁部を支持する。複数のチャック３２は、例えば、中心軸Ｊ１を中心として略等角度間隔で配置される。

複数の第１係合部３３は、保持ベース部３１の上面の外周部に周方向に配置される。複数の第１係合部３３は、複数のチャック３２よりも径方向外側に配置される。複数の第１係合部３３は、例えば、中心軸Ｊ１を中心として略等角度間隔で配置される。

下部ノズル３４は、略円筒状のノズルであり、保持ベース部３１の中心部に取り付けられている。下部ノズル３４は、第２ノズルの一例である。下部ノズル３４については、図４及び図６を参照して後述する。

回転機構４は、基板保持部３の下方に配置される。回転機構４は、基板処理時に、中心軸Ｊ１を中心として基板保持部３を回転させる。この結果、基板Ｗが、中心軸Ｊ１を中心として回転する。また、回転機構４は、配管洗浄時に、中心軸Ｊ１を中心として基板保持部３を回転させる。この結果、ダミー基板ＷＤが、中心軸Ｊ１を中心として回転する。

具体的には、回転機構４は、回転軸４１と、回転軸４１を駆動する駆動機構とを備える。駆動機構は、例えば、モータを含む。回転軸４１は、中心軸Ｊ１を中心として回転する。回転軸４１は、基板保持部３に接続している。回転軸４１が回転することにより、基板保持部３が回転する。なお、回転機構４の動作は、制御部１２によって制御される。

カップ部５は、中心軸Ｊ１を中心とする環状の部材であり、基板保持部３の径方向外側に配置される。カップ部５は、基板保持部３の周囲の全周に亘って配置される。カップ部５は、基板処理時に、基板Ｗから周囲に向かって飛散する処理液を受ける。処理液は、基板Ｗの処理に用いられる液体である。カップ部５は、配管洗浄時に、ダミー基板ＷＤから周囲に向かって飛散する配管洗浄液等を受ける。詳しくは、カップ部５は、配管洗浄時に、少なくとも配管洗浄液とＤＩＷとを受ける。ＤＩＷは、純水の一例である。本実施形態では、配管洗浄時に、カップ部５は、配管洗浄液、第１有機溶剤、第２有機溶剤、及びＤＩＷを受ける。

カップ部５が受けた液体は、第１排出ポート２２又は第２排出ポート２３を介して処理チャンバー２の外部へ排出される。例えば、処理液のうち、基板処理中に再利用する液体が第１排出ポート２２を介して処理チャンバー２の外部へ排出される。一方、処理液のうち、再利用しない液体は、第２排出ポート２３を介して処理チャンバー２の外部へ排出される。再利用する液体は、例えば、ＳＣ１である。再利用しない液体は、例えば、ＤＩＷである。

第１廃液ライン２４は、第２排出ポート２３から排出された液体を、基板処理装置１の外部に設置されている廃液タンクまで導く。具体的には、第１廃液ライン２４は、配管２４ａと、配管２４ａに設けられた開閉弁２４１（図９）とを含む。回収ライン４０１は、回収配管４０１ａと、回収配管４０１ａに設けられた開閉弁４１１（図９）とを含む。第１廃液ライン２４の開閉弁２４１の開閉状態、及び回収ライン４０１の開閉弁４１１の開閉状態は、制御部１２によって制御される。制御部１２は、カップ部５が受けた液体を、基板処理装置１の外部に設置されている廃液タンクへ排出する際に、第１廃液ライン２４の開閉弁２４１を開状態とし、回収ライン４０１の開閉弁４１１を閉状態とする。制御部１２は、カップ部５が受けた液体を、図７～図９を参照して説明する貯留タンク２０１へ回収する際に、第１廃液ライン２４の開閉弁２４１を閉状態とし、回収ライン４０１の開閉弁４１１を開状態とする。

処理チャンバー２内において、遮蔽部６は、基板処理時、及び配管洗浄時に、基板保持部３との間で、ほぼ半密閉状態となる閉空間１００（図３）を形成する。具体的には、遮蔽部６は、トッププレート７を有する。トッププレート７は、平面視において略円形の部材である。トッププレート７は、基板処理時に、基板Ｗの上方を遮蔽する。また、トッププレート７は、配管洗浄時に、ダミー基板ＷＤの上方を遮蔽する。トッププレート７の外径は、基板Ｗの外径、ダミー基板ＷＤの外形、及び保持ベース部３１の外径よりも大きい。

トッププレート７は、トッププレート本体７１と、被保持部７２と、複数の第２係合部７３とを有する。トッププレート本体７１は、天蓋部７１１と、側壁部７１２とを備える。天蓋部７１１は、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状の部材である。天蓋部７１１の下面は、基板処理時に、基板Ｗの上面に対向する。天蓋部７１１の下面は、配管洗浄時に、ダミー基板ＷＤの上面に対向する。

天蓋部７１１は、開口７４を有する。開口７４は、天蓋部７１１の中央部に設けられる。開口７４は、例えば、平面視において略円形である。開口７４の直径は、基板Ｗの直径及びダミー基板ＷＤの直径に比べて十分に小さい。側壁部７１２は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状の部材である。側壁部７１２は、天蓋部７１１の外周部から下方に突出する。

複数の第２係合部７３は、天蓋部７１１の下面の外周部に周方向に配置される。複数の第２係合部７３は、側壁部７１２の径方向内側に配置される。複数の第２係合部７３は、例えば、中心軸Ｊ１を中心として略等角度間隔で配置される。

被保持部７２は、トッププレート本体７１の上面に接続される。被保持部７２は、筒部７２１と、フランジ部７２２とを備える。筒部７２１は、天蓋部７１１の開口７４の周囲から上方に突出する略筒状の部位である。筒部７２１は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状である。フランジ部７２２は、筒部７２１の上端部から径方向外方に環状に広がる。フランジ部７２２は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状である。

移動機構８は、トッププレート７を上下方向に移動させる。具体的には、移動機構８は、保持部８１と、本体支持部８２と、昇降機構８３とを備える。

保持部８１は、被保持部７２を保持する。保持部８１は、保持部本体８１１と、フランジ支持部８１２と、接続部８１３とを備える。保持部本体８１１は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円板状である。保持部本体８１１はフランジ部７２２の上方を覆う。

上部ノズル６１は、保持部本体８１１の中央部から下方に突出する。上部ノズル６１は、筒部７２１に非接触状態で挿入される。上部ノズル６１は、基板処理時及び配管洗浄時に上部ノズル６１の先端部が閉空間１００（図３）を臨むように配置されている。閉空間１００は、基板処理時及び配管洗浄時に、トッププレート７と基板保持部３との間に形成される。以下の説明では、上部ノズル６１と筒部７２１との間の空間を「ノズル間隙６２」と記載する。上部ノズル６１は、第１ノズルの一例である。

フランジ支持部８１２は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状である。フランジ支持部８１２は、フランジ部７２２の下方に位置する。フランジ支持部８１２の内径は、フランジ部７２２の外径よりも小さい。フランジ支持部８１２の外径は、フランジ部７２２の外径よりも大きい。接続部８１３は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状である。接続部８１３は、フランジ支持部８１２と保持部本体８１１とをフランジ部７２２の周囲にて接続する。

本体支持部８２は、略水平に延びる棒状のアームである。本体支持部８２の一方の端部は保持部８１の保持部本体８１１に接続される。本体支持部８２の他方の端部は、昇降機構８３に接続される。

図２に示す位置にトッププレート７が位置する状態では、フランジ支持部８１２は、フランジ部７２２の外周部に下側から接して、フランジ部７２２を支持する。換言すると、フランジ部７２２が保持部８１により保持される。これにより、トッププレート７が、保持部８１によって吊り下げられる。以下の説明では、図２に示すトッププレート７の上下方向の位置を「第１位置」と記載する。第１位置は、トッププレート７が保持部８１によって吊り下げられる位置である。トッププレート７が第１位置に位置する状態では、遮蔽部６と基板保持部３とは、閉空間１００（図３）を開放する。したがって、第１位置は、閉空間１００（図３）を開放する位置である。

昇降機構８３は、トッププレート７を保持部８１と共に上下方向に移動させる。昇降機構８３の動作は、制御部１２によって制御される。図３は、トッププレート７が図２に示す第１位置から下降した状態を示す。以下の説明では、図３に示すトッププレート７の上下方向の位置を「第２位置」と記載する。昇降機構８３は、トッププレート７を第１位置と第２位置との間で上下方向に移動させる。第２位置は、第１位置よりも下方の位置である。制御部１２は、基板処理時及び配管洗浄時に、トッププレート７が第１位置から第２位置へ移動するように昇降機構８３を制御する。

トッププレート７が第２位置に位置する状態では、トッププレート７の複数の第２係合部７３がそれぞれ、基板保持部３の複数の第１係合部３３と係合する。その結果、複数の第２係合部７３が、複数の第１係合部３３によって下方から支持される。例えば、第１係合部３３は、上下方向に略平行なピンであり、第２係合部７３は、上向きに凹む凹部を有する。この場合、第１係合部３３の上端部が第２係合部７３の凹部に嵌合する。また、トッププレート７が第２位置に位置する状態では、フランジ部７２２はフランジ支持部８１２から上方に離間する。この結果、トッププレート７が基板保持部３により保持される。

第１係合部３３と第２係合部７３とが係合した状態で回転機構４が駆動すると、トッププレート７が基板保持部３と共に回転する。具体的には、トッププレート７は中心軸Ｊ１を中心として回転する。本実施形態では、複数の第１係合部３３は、基板処理時及び配管洗浄時に、複数の第２係合部７３と係合する。したがって、トッププレート７は、基板処理時に基板Ｗと共に回転し、配管洗浄時にダミー基板ＷＤと共に回転する。

また、トッププレート７が第２位置に位置する状態では、トッププレート７と基板保持部３との間に閉空間１００が形成される。したがって、第２位置は、閉空間１００を形成する位置である。詳しくは、閉空間１００は、保持ベース部３１の上面、天蓋部７１１の下面、及び側壁部７１２の内周面により囲まれた空間である。

続いて図４を参照して、下部ノズル３４について説明する。図４は、下部ノズル３４及びその近傍を拡大して示す断面図である。下部ノズル３４は、ノズル本体３４１と、庇部３４２とを備える。ノズル本体３４１は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状の部材である。庇部３４２は、ノズル本体３４１の上端部から径方向外方へと拡がる略円環板状の部材である。

ノズル本体３４１は、保持ベース部３１の中央部に形成された略円柱状の貫通孔に挿入される。ノズル本体３４１の側面と該貫通孔の内周面との間には、ガスを通過させる下部環状流路３４３が形成される。

ノズル本体３４１は、吐出口３４４を有する。吐出口３４４は、ノズル本体３４１の上端面の中央部に設けられる。吐出口３４４は、中心軸Ｊ１上に設けられる。庇部３４２は、保持ベース部３１の上面から上方に離間し、保持ベース部３１の上面に沿って径方向外方へと拡がる。庇部３４２の下面は、保持ベース部３１の上面に略平行である。庇部３４２の下面と保持ベース部３１の上面との間には環状吐出口３４５が形成される。

続いて図５及び図６を参照して、基板処理装置１が備える気液供給部２０を説明する。図５は、上部ノズル６１を下から視た下面図である。図６は、気液供給部２０を示す図である。

図５に示すように、上部ノズル６１は、複数の吐出口１５ａ～１９ａを有する。複数の吐出口１５ａ～１９ａは、上部ノズル６１の下面に開口している。上部ノズル６１は更に、吐出口１７ｂを有する。吐出口１７ｂは、上部ノズル６１の下部の側面に開口している。

図６に示すように、本実施形態の気液供給部２０は、ＤＨＦ供給部１５と、ＳＣ１供給部１６と、ＤＩＷ供給部１７と、ＩＰＡ供給部１８と、ガス供給部１９とを含む。ＤＨＦ供給部１５、ＳＣ１供給部１６、ＤＩＷ供給部１７、ＩＰＡ供給部１８、及びガス供給部１９は、上部ノズル６１と接続する。ガス供給部１９は更に、ノズル間隙６２とも接続する。また、ＤＨＦ供給部１５、ＳＣ１供給部１６、及びＤＩＷ供給部１７は、下部ノズル３４とも接続する。

ＤＨＦ供給部１５は、基板処理時に、上部ノズル６１にＤＨＦ（ｄｉｌｕｔｅｄ ｈｙｄｒｏｆｌｕｏｒｉｃ ａｃｉｄ：希フッ酸）を供給する。その結果、ＤＨＦは、図５に示す吐出口１５ａから閉空間１００に吐出される。より具体的には、ＤＨＦは、基板Ｗの上面に向けて吐出される。また、ＤＨＦ供給部１５は、基板処理時に、下部ノズル３４にＤＨＦを供給する。ＤＨＦは、図４に示す吐出口３４４から基板Ｗの下面に向けて吐出される。ＤＨＦは、処理液の一例である。

ＳＣ１供給部１６は、基板処理時に、上部ノズル６１にＳＣ１を供給する。その結果、ＳＣ１は、図５に示す吐出口１６ａから閉空間１００に吐出される。より具体的には、ＳＣ１は、基板Ｗの上面に向けて吐出される。また、ＳＣ１供給部１６は、基板処理時に、下部ノズル３４にＳＣ１を供給する。ＳＣ１は、図４に示す吐出口３４４から基板Ｗの下面に向けて吐出される。ＳＣ１は、処理液の一例である。

ＤＩＷ供給部１７は、基板処理時に、上部ノズル６１にＤＩＷを供給する。その結果、ＤＩＷは、図５に示す吐出口１７ａから閉空間１００に吐出される。より具体的には、ＤＩＷは、基板Ｗの上面に向けて吐出される。ＤＩＷは更に、図５に示す吐出口１７ｂから水平方向に向けて吐出される。また、ＤＩＷ供給部１７は、基板処理時に、下部ノズル３４にＤＩＷを供給する。ＤＩＷは、図４に示す吐出口３４４から基板Ｗの下面に向けて吐出される。ＤＩＷは、処理液の一例である。

ＩＰＡ供給部１８は、基板処理時に、上部ノズル６１にＩＰＡを供給する。その結果、ＩＰＡは、図５に示す吐出口１８ａから閉空間１００に吐出される。より具体的には、ＩＰＡは、基板Ｗの上面に向けて吐出される。ＩＰＡは、処理液の一例である。

ガス供給部１９は、基板処理時に、上部ノズル６１及びノズル間隙６２にガスを供給する。その結果、ガスは、図５に示す吐出口１９ａから閉空間１００に供給される。また、ガスは、ノズル間隙６２に供給される。ガスは、例えば、不活性ガスである。より具体的には、ガスは、例えば窒素ガスである。

ガス供給部１９は、下部環状流路３４３にも接続される。ガス供給部１９は、基板処理時に、下部環状流路３４３にガスを供給する。下部環状流路３４３に供給されたガスは、環状吐出口３４５から、保持ベース部３１の上面に沿って吐出される。

本実施形態では更に、ＤＨＦ供給部１５、ＳＣ１供給部１６、ＤＩＷ供給部１７、及びＩＰＡ供給部１８は、配管洗浄時に、配管洗浄液、第１有機溶剤、第２有機溶剤、ＤＩＷ、及びガスを上部ノズル６１に供給する。

続いて図７を参照して、本実施形態の基板処理装置１を更に説明する。図７は、本実施形態に係る基板処理装置１の一部を示す図である。詳しくは、図７は、ＳＣ１供給部１６の一部を示している。

図７に示すように、基板処理装置１は、アンモニア水供給源１０１と、過酸化水素水供給源１０２と、ＤＩＷ供給源１０３と、配管洗浄液供給源１０４と、第１有機溶剤供給源１０５と、第２有機溶剤供給源１０６と、ガス供給源１０７とを備える。また、ＳＣ１供給部１６は、第１成分液供給ライン１１１と、第２成分液供給ライン１１２と、第３成分液供給ライン１１３と、洗浄液供給ライン１１４と、第１有機溶剤供給ライン１１５と、第２有機溶剤供給ライン１１６と、ガス供給ライン１１７とを備える。ＳＣ１供給部１６は更に、第１流量制御器１３１と、第２流量制御器１３２と、第３流量制御器１３３と、混合部１３４と、ＳＣ１供給ライン１３５と、貯留タンク２０１と、第２廃液ライン２０３と、循環ライン３０１とを備える。

第１成分液供給ライン１１１は、アンモニア水供給源１０１に接続する。アンモニア水供給源１０１は、第１成分液供給ライン１１１にアンモニア水を供給する。アンモニア水は、ＳＣ１の一成分である。第１成分液供給ライン１１１は、アンモニア水が流通する配管１１１ａと、配管１１１ａに設けられた開閉弁１２１とを含む。開閉弁１２１は、アンモニア水の流通を制御する。開閉弁１２１の開閉状態は、制御部１２によって制御される。制御部１２は、基板処理時に、開閉弁１２１を開状態にする。その結果、第１成分液供給ライン１１１は、基板処理時に、アンモニア水を混合部１３４へ供給する。

第１流量制御器１３１は、第１成分液供給ライン１１１の配管１１１ａを流れるアンモニア水の流量を調整する。第１流量制御器１３１は、例えば、微少液体流量コントローラ（ＬＦＣ）である。第１流量制御器１３１は、制御部１２によって制御される。具体的には、制御部１２は、第１流量制御器１３１を制御して、アンモニア水の流量を調整する。

第２成分液供給ライン１１２は、過酸化水素水供給源１０２に接続する。過酸化水素水供給源１０２は、第２成分液供給ライン１１２に過酸化水素水を供給する。過酸化水素水は、ＳＣ１の一成分である。第２成分液供給ライン１１２は、過酸化水素水が流通する配管１１２ａと、配管１１２ａに設けられた開閉弁１２２とを含む。開閉弁１２２は、過酸化水素水の流通を制御する。開閉弁１２２の開閉状態は、制御部１２によって制御される。制御部１２は、基板処理時に、開閉弁１２２を開状態にする。その結果、第２成分液供給ライン１１２は、基板処理時に、過酸化水素水を混合部１３４へ供給する。

第２流量制御器１３２は、第２成分液供給ライン１１２の配管１１２ａを流れる過酸化水素水の流量を調整する。第２流量制御器１３２は、例えば、微少液体流量コントローラ（ＬＦＣ）である。第２流量制御器１３２は、制御部１２によって制御される。具体的には、制御部１２は、第２流量制御器１３２を制御して、過酸化水素水の流量を調整する。

第３成分液供給ライン１１３は、ＤＩＷ供給源１０３に接続する。ＤＩＷ供給源１０３は、第３成分液供給ライン１１３にＤＩＷを供給する。ＤＩＷは、ＳＣ１の一成分である。第３成分液供給ライン１１３は、ＤＩＷが流通する配管１１３ａと、配管１１３ａに設けられた開閉弁１２３とを含む。開閉弁１２３は、ＤＩＷの流通を制御する。開閉弁１２３の開閉状態は、制御部１２によって制御される。制御部１２は、基板処理時に、開閉弁１２３を開状態にする。その結果、第３成分液供給ライン１１３は、基板処理時に、ＤＩＷを混合部１３４へ供給する。

第３流量制御器１３３は、第３成分液供給ライン１１３の配管１１３ａを流れるＤＩＷの流量を調整する。第３流量制御器１３３は、例えば、微少液体流量コントローラ（ＬＦＣ）である。第３流量制御器１３３は、制御部１２によって制御される。具体的には、制御部１２は、第３流量制御器１３３を制御して、ＤＩＷの流量を調整する。

混合部１３４は、アンモニア水、過酸化水素水、及びＤＩＷを混合して、ＳＣ１を生成する。ＳＣ１供給ライン１３５は、混合部１３４に接続する。ＳＣ１供給ライン１３５は、基板処理時にＳＣ１が流れる配管１３５ａを有する。ＳＣ１供給ライン１３５は、貯留タンク２０１へＳＣ１を供給する。

本実施形態では、制御部１２は、配管洗浄時に、第３成分液供給ライン１１３の開閉弁１２３を開状態にする。その結果、配管洗浄時に、ＤＩＷが、混合部１３４、及びＳＣ１供給ライン１３５を介して、貯留タンク２０１へ供給される。詳しくは、ＤＩＷは、図１０を参照して後述するリンス工程Ｓ５において貯留タンク２０１に供給される。その結果、ＤＩＷが、循環ライン３０１に供給される。第３成分液供給ライン１１３は、純水供給ラインの一例である。

洗浄液供給ライン１１４は、配管洗浄液供給源１０４に接続する。配管洗浄液供給源１０４は、洗浄液供給ライン１１４に配管洗浄液を供給する。洗浄液供給ライン１１４は、配管洗浄液が流通する配管１１４ａと、配管１１４ａに設けられた開閉弁１２４とを含む。開閉弁１２４は、配管洗浄液の流通を制御する。開閉弁１２４の開閉状態は、制御部１２によって制御される。制御部１２は、配管洗浄時に、開閉弁１２４を開状態にする。その結果、洗浄液供給ライン１１４は、配管洗浄時に、配管洗浄液を貯留タンク２０１へ供給する。詳しくは、配管洗浄液は、図１０を参照して後述する第１配管洗浄工程Ｓ２において貯留タンク２０１に供給される。その結果、配管洗浄液が、循環ライン３０１に供給される。

配管洗浄液は、処理液とは異なる薬液であって、揮発性を有するデカフルオロペンタンである。デカフルオロペンタンは、接液部がフッ素樹脂からなる配管に対して清浄効果が高い薬液である。接液部は、配管のうち、配管を流通する流体に接触する部分である。接液部は、配管の内面を含む。

デカフルオロペンタンは、洗浄対象の配管の接液部がフッ素樹脂からなる場合に、配管洗浄液として使用され得る。デカフルオロペンタンを用いて、接液部がフッ素樹脂からなる配管を洗浄した場合、該配管の内面に付着している付着物を除去できる。付着物は、パーティクルを増加させる原因となるため、付着物を除去することで、より高い清浄効果を得ることができる。本実施形態において、洗浄対象の配管は、接液部がフッ素樹脂からなる配管である。なお、接液部がフッ素樹脂からなる配管は、接液部がテトラフルオロエチレン／パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体（ＰＦＡ）からなることが好ましい。例えば、接液部がフッ素樹脂からなる配管として、接液部が三井・ケマーズ フロロプロダクツ社製 ＴＥＦＬＯＮ（登録商標）ＰＦＡ４５１ＨＰ－Ｊからなるチューブを挙げることができる。

第１有機溶剤供給ライン１１５は、第１有機溶剤供給源１０５に接続する。第１有機溶剤供給源１０５は、第１有機溶剤供給ライン１１５に第１有機溶剤を供給する。第１有機溶剤供給ライン１１５は、第１有機溶剤が流通する配管１１５ａと、配管１１５ａに設けられた開閉弁１２５とを含む。開閉弁１２５は、第１有機溶剤の流通を制御する。開閉弁１２５の開閉状態は、制御部１２によって制御される。制御部１２は、配管洗浄時に、開閉弁１２５を開状態にする。その結果、第１有機溶剤供給ライン１１５は、配管洗浄時に、第１有機溶剤を貯留タンク２０１へ供給する。詳しくは、第１有機溶剤は、図１０を参照して後述する第３配管洗浄工程Ｓ４において貯留タンク２０１に供給される。その結果、第１有機溶剤が循環ライン３０１に供給される。本実施形態において、第１有機溶剤は、ＩＰＡである。なお、第１有機溶剤は、ＩＰＡであることが好ましいが、ＩＰＡに限定されるものではなく、第１有機溶剤として、例えば、メタノール、又はアセトンを用いてもよい。

第２有機溶剤供給ライン１１６は、第２有機溶剤供給源１０６に接続する。第２有機溶剤供給源１０６は、第２有機溶剤供給ライン１１６に第２有機溶剤を供給する。第２有機溶剤供給ライン１１６は、第２有機溶剤が流通する配管１１６ａと、配管１１６ａに設けられた開閉弁１２６とを含む。開閉弁１２６は、第２有機溶剤の流通を制御する。開閉弁１２６の開閉状態は、制御部１２によって制御される。制御部１２は、配管洗浄時に、開閉弁１２６を開状態にする。その結果、第２有機溶剤供給ライン１１６は、配管洗浄時に、第２有機溶剤を貯留タンク２０１へ供給する。詳しくは、第２有機溶剤は、図１０を参照して後述する第２配管洗浄工程Ｓ３において貯留タンク２０１に供給される。その結果、第２有機溶剤が、循環ライン３０１に供給される。

第２有機溶剤は、第１有機溶剤よりも炭素数が多い有機溶剤である。本実施形態において、第２有機溶剤は、ＰＧＭＥＡ（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌ ｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌ ｅｔｈｅｒ ａｃｅｔａｔｅ）である。なお、第２有機溶剤は、ＰＧＭＥＡであることが好ましいが、ＰＧＭＥＡに限定されるものではなく、第２有機溶剤として、例えば、シクロヘキサン、ノルマルヘキサン、又はヘキサノールを用いてもよい。

ガス供給ライン１１７は、ガス供給源１０７に接続する。ガス供給源１０７は、ガス供給ライン１１７にガスを供給する。ガス供給ライン１１７は、ガスが流通する配管１１７ａと、配管１１７ａに設けられた開閉弁１２７とを含む。開閉弁１２７は、ガスの流通を制御する。開閉弁１２７の開閉状態は、制御部１２によって制御される。制御部１２は、配管洗浄時に、開閉弁１２７を開状態にする。その結果、ガス供給ライン１１７は、配管洗浄時に、ガスを貯留タンク２０１へ供給する。詳しくは、ガスは、図１０を参照して後述する乾燥工程Ｓ６において貯留タンク２０１に供給される。その結果、ガスが、循環ライン３０１に供給される。ガスは、例えば、不活性ガスである。本実施形態において、ガスは、窒素ガスである。好ましくは、ガスは、粒子径が０．０１μｍ以上の微粒子が０．０３５個／Ｌ以下の粒子清浄度を有する窒素ガスである。なお、ガスは、窒素ガスであることが好ましいが、窒素ガスに限定されるものではなく、アルゴン、又はヘリウムでもよい。

貯留タンク２０１は、基板処理時にＳＣ１を貯留する。また、貯留タンク２０１は、配管洗浄時に配管洗浄液を貯留する。第２廃液ライン２０３は、貯留タンク２０１の底壁に接続する。第２廃液ライン２０３は、貯留タンク２０１から排出された液体を、基板処理装置１の外部に設置されている廃液タンクまで導く。具体的には、第２廃液ライン２０３は、配管２０３ａ（図８）と、配管２０３ａに設けられた図示しない開閉弁とを含む。第２廃液ライン２０３の開閉弁の開閉状態は、制御部１２によって制御される。制御部１２は、貯留タンク２０１に貯留されている液体を、基板処理装置１の外部に設置されている廃液タンクへ排出する際に、第２廃液ライン２０３の開閉弁を開状態とする。例えば、第２廃液ライン２０３の開閉弁は、配管洗浄液による配管の洗浄が終了した後に開状態となる。この結果、配管洗浄液が、基板処理装置１の外部に設置されている廃液タンクに排出される。

ＳＣ１供給部１６は更に、貯留タンク２０１に貯留された液体の液面高を検出する複数の液面センサ２０２を備える。複数の液面センサ２０２は、互いに異なる液面高を検出する。ここで、液面高は、貯留タンク２０１の底面からの液面の高さを示す。複数の液面センサ２０２は、補給液面センサ２１１と、補給停止液面センサ２１２と、少なくとも１つの中間液面センサＬ１～Ｌｎ（ｎは整数）とを含む。

補給液面センサ２１１は、貯留タンク２０１の比較的下方において補給液面高を検出する。補給停止液面センサ２１２は、貯留タンク２０１の比較的上方（補給液面高よりも上方）において補給停止液面高を検出する。中間液面センサＬ１～Ｌｎは、補給液面高と補給停止液面高との間の中間領域における液面高を検出する。例えば、基板処理時に、補給液面センサ２１１が補給液面高を検出したことに応じて、制御部１２は、貯留タンク２０１にＳＣ１が供給されるように開閉弁１２１～開閉弁１２３を制御する。また、基板処理時に、補給停止液面センサ２１２が補給停止液面高を検出したことに応じて、制御部１２は、貯留タンク２０１へのＳＣ１の供給が停止するように開閉弁１２１～開閉弁１２３を制御する。

続いて図８を参照して、循環ライン３０１を説明する。図８は、本実施形態に係る基板処理装置１の一部を示す図である。詳しくは、図８は、ＳＣ１供給部１６の一部を示している。循環ライン３０１は、処理液ラインの一例である。

図８に示すように、循環ライン３０１は、循環配管３０１ａと、循環ポンプ３１２と、循環フィルタ３１３と、開閉弁３１５とを含む。循環ライン３０１は、基板処理時に、貯留タンク２０１から排出されるＳＣ１を貯留タンク２０１に戻す。また、循環ライン３０１は、配管洗浄時に、貯留タンク２０１から排出される配管洗浄液、第１有機溶剤、第２有機溶剤、ＤＩＷ、及びガスを貯留タンク２０１に戻す。

具体的には、循環配管３０１ａは、基板処理時にＳＣ１を流通させる。開閉弁３１５は、基板処理時にＳＣ１の流通を制御する。また、循環配管３０１ａは、配管洗浄時に、配管洗浄液、第１有機溶剤、第２有機溶剤、ＤＩＷ、及びガスを流通させる。開閉弁３１５は、配管洗浄時に、配管洗浄液、第１有機溶剤、第２有機溶剤、ＤＩＷ、及びガスの流通を制御する。開閉弁３１５の開閉状態は、制御部１２によって制御される。循環配管３０１ａは、洗浄対象の配管である。

循環ポンプ３１２は、循環配管３０１ａに取り付けられる。循環ポンプ３１２は、基板処理時に、ＳＣ１を流体の圧力により駆動する。また、循環ポンプ３１２は、配管洗浄時に、配管洗浄液、第１有機溶剤、第２有機溶剤、ＤＩＷ、及びガスを流体の圧力により駆動する。循環ポンプ３１２は、例えばベローズポンプである。循環ポンプ３１２の動作は、制御部１２によって制御される。

循環フィルタ３１３は、循環配管３０１ａに取り付けられる。循環フィルタ３１３は、基板処理時に、ＳＣ１から異物を除去する。また、循環フィルタ３１３は、配管洗浄時に、配管洗浄液、第１有機溶剤、第２有機溶剤、ＤＩＷ、及びガスから異物を除去する。

ＳＣ１供給部１６は、更にヒータ３１１を備える。ヒータ３１１は、基板処理時に、循環ライン３０１を流れるＳＣ１を加熱する。また、ヒータ３１１は、配管洗浄時に、循環ライン３０１を流れる配管洗浄液、第１有機溶剤、第２有機溶剤、ＤＩＷ、及びガスを加熱する。

より具体的には、循環ライン３０１は、基板処理時に、ＳＣ１の温度がヒータ３１１によって所定の温度に達するまで、ＳＣ１を循環させる。同様に、配管洗浄時に、循環ライン３０１は、例えば配管洗浄液の温度がヒータ３１１によって所定の温度に達するまで、配管洗浄液を循環させる。

本実施形態のＳＣ１供給部１６は、超音波発生器３１４を更に備える。超音波発生器３１４の動作は制御部１２によって制御される。超音波発生器３１４は、配管洗浄時に駆動して、循環配管３０１ａ内の配管洗浄液に超音波を伝搬させる。本実施形態によれば、循環配管３０１ａ内の配管洗浄液に超音波を伝搬させることにより、循環配管３０１ａから異物を効率よく除去することができる。

続いて図８及び図９を参照して、回収ライン４０１について説明する。図９は、本実施形態に係る基板処理装置１の一部を示す図である。詳しくは、図９は、ＳＣ１供給部１６の一部を示している。回収ライン４０１は、処理液ラインの一例である。

図８及び図９に示すように、ＳＣ１供給部１６は、回収ライン４０１を更に備える。回収ライン４０１は、図２及び図３を参照して説明したように、カップ部５で受けた液体を貯留タンク２０１へ導く。詳しくは、回収ライン４０１は、基板処理時にカップ部５から排出されるＳＣ１を貯留タンク２０１へ導く。また、回収ライン４０１は、配管洗浄時にカップ部５から排出される配管洗浄液、第１有機溶剤、第２有機溶剤、ＤＩＷ、及びガスを貯留タンク２０１へ導く。

具体的には、回収ライン４０１は、回収配管４０１ａと、開閉弁４１１と、回収ポンプ４１２とを含む。回収配管４０１ａの一端は、貯留タンク２０１に接続する。回収配管４０１ａの他端は、図２及び図３を参照して説明した第１排出ポート２２に接続する。

回収配管４０１ａは、基板処理時にＳＣ１を流通させる。開閉弁４１１は、基板処理時にＳＣ１の流通を制御する。また、回収配管４０１ａは、配管洗浄時に、配管洗浄液、第１有機溶剤、第２有機溶剤、ＤＩＷ、及びガスを流通させる。開閉弁４１１は、配管洗浄時に、配管洗浄液、第１有機溶剤、第２有機溶剤、ＤＩＷ、及びガスの流通を制御する。開閉弁４１１の開閉状態は、制御部１２によって制御される。回収配管４０１ａは、洗浄対象の配管である。

回収ポンプ４１２は、回収配管４０１ａに取り付けられる。回収ポンプ４１２は、基板処理時に、基板処理に使用されたＳＣ１を貯留タンク２０１へ送液する。また、回収ポンプ４１２は、配管洗浄時に、配管洗浄に使用された配管洗浄液、第１有機溶剤、第２有機溶剤、ＤＩＷ、及びガスを貯留タンク２０１へ送る。回収ポンプ４１２は、例えばダイアフラムポンプである。但し、回収ポンプ４１２は、循環ポンプ３１２と同じ種類のポンプであってもよい。回収ポンプ４１２の動作は、制御部１２によって制御される。

続いて図９を参照して、ＳＣ１供給部１６について更に説明する。図９に示すように、ＳＣ１供給部１６は、第１供給ライン３０２を更に備える。第１供給ライン３０２は、処理液ラインの一例である。第１供給ライン３０２は、第１供給配管３０２ａと、開閉弁３２１と、第１流量計３２２と、第１流量調整弁３２３とを含む。

第１供給ライン３０２は、循環ライン３０１に接続して上部ノズル６１まで延びる。第１供給ライン３０２は、基板処理時に、循環ライン３０１から上部ノズル６１へＳＣ１を導く。この結果、上部ノズル６１からＳＣ１が吐出される。また、第１供給ライン３０２は、配管洗浄時に、循環ライン３０１から上部ノズル６１へ、配管洗浄液、第１有機溶剤、第２有機溶剤、ＤＩＷ、及びガスを導く。この結果、上部ノズル６１から、配管洗浄液、第１有機溶剤、第２有機溶剤、ＤＩＷ、及びガスが吐出される。

具体的には、第１供給配管３０２ａは、基板処理時にＳＣ１を流通させる。開閉弁３２１は、基板処理時にＳＣ１の流通を制御する。また、第１供給配管３０２ａは、配管洗浄時に、配管洗浄液、第１有機溶剤、第２有機溶剤、ＤＩＷ、及びガスを流通させる。開閉弁３２１は、配管洗浄時に、配管洗浄液、第１有機溶剤、第２有機溶剤、ＤＩＷ、及びガスの流通を制御する。開閉弁３２１の開閉状態は、制御部１２によって制御される。第１供給配管３０２ａは、洗浄対象の配管である。

第１流量計３２２は、基板処理時に、第１供給配管３０２ａを流れるＳＣ１の流量を計測する。第１流量調整弁３２３は、第１供給配管３０２ａを流れるＳＣ１の流量を調整する。詳しくは、ＳＣ１は、第１流量調整弁３２３の開度に対応する流量で第１供給配管３０２ａを流れる。第１流量調整弁３２３の開度は、制御部１２によって制御される。具体的には、制御部１２は、第１流量計３２２の出力に基づいて、第１流量調整弁３２３の開度を調整する。同様に、第１流量計３２２は、配管洗浄時に、第１供給配管３０２ａを流れる配管洗浄液、第１有機溶剤、第２有機溶剤、ＤＩＷ、及びガスの流量を計測する。第１流量調整弁３２３は、第１供給配管３０２ａを流れる配管洗浄液、第１有機溶剤、第２有機溶剤、ＤＩＷ、及びガスの流量を調整する。

続いて図９を参照して、ＳＣ１供給部１６について更に説明する。図９に示すように、ＳＣ１供給部１６は、第２供給ライン３０３と、ガス供給ライン５０１とを更に備える。第２供給ライン３０３は、第２供給配管３０３ａと、開閉弁３３１と、第２流量計３３２と、第２流量調整弁３３３とを含む。

第２供給ライン３０３は、循環ライン３０１に接続して、図２、図４及び図６を参照して説明した下部ノズル３４まで延びる。第２供給ライン３０３は、基板処理時に、循環ライン３０１から下部ノズル３４へＳＣ１を導く。この結果、下部ノズル３４からＳＣ１が吐出される。

具体的には、第２供給配管３０３ａは、基板処理時にＳＣ１を流通させる。開閉弁３３１は、基板処理時にＳＣ１の流通を制御する。第２流量計３３２は、基板処理時に、第２供給配管３０３ａを流れるＳＣ１の流量を計測する。第２流量調整弁３３３は、第２供給配管３０３ａを流れるＳＣ１の流量を調整する。詳しくは、ＳＣ１は、第２流量調整弁３３３の開度に対応する流量で第２供給配管３０３ａを流れる。第２流量調整弁３３３の開度は、制御部１２によって制御される。具体的には、制御部１２は、第２流量計３３２の出力に基づいて、第２流量調整弁３３３の開度を調整する。

ガス供給ライン５０１は、第１供給配管３０２ａにガスを供給する。具体的には、ガス供給ライン５０１は、ガス供給源１０７に接続する。ガス供給源１０７は、ガス供給ライン５０１にガスを供給する。ガス供給ライン５０１は、ガスが流通する配管５０１ａと、配管５０１ａに設けられた開閉弁５１１とを含む。開閉弁５１１は、ガスの流通を制御する。開閉弁５１１の開閉状態は、制御部１２によって制御される。制御部１２は、配管洗浄時に、開閉弁５１１を開状態にする。その結果、ガス供給ライン５０１は、配管洗浄時に、第１供給配管３０２ａにガスを供給する。詳しくは、ガスは、図１０を参照して後述する乾燥工程Ｓ６において第１供給配管３０２ａに供給される。ガスは、例えば、不活性ガスである。本実施形態において、ガスは、窒素ガスである。

続いて図１～図１０を参照して、ＳＣ１供給部１６の配管洗浄処理を説明する。図１０は、本実施形態に係る配管洗浄処理を示すフローチャートである。配管洗浄処理は、作業者が制御部１２に配管洗浄処理の開始の指示を入力することに応じて開始する。本実施形態において、配管洗浄処理は、循環ライン３０１、第１供給ライン３０２、及び回収ライン４０１を洗浄する処理である。図１０に示すように、配管洗浄処理は、ダミー基板搬入工程Ｓ１、第１配管洗浄工程Ｓ２、第２配管洗浄工程Ｓ３、第３配管洗浄工程Ｓ４、リンス工程Ｓ５、乾燥工程Ｓ６、及びダミー基板搬出工程Ｓ７を含む。

ダミー基板搬入工程Ｓ１では、制御部１２は、処理ユニット１Ａの処理チャンバー２内にダミー基板ＷＤを搬入するようにセンターロボットＣＲを制御する。また、制御部１２は、基板保持部３がダミー基板ＷＤを保持するように複数のチャック３２を制御する。制御部１２は、基板保持部３がダミー基板ＷＤを保持したことに応じて、遮蔽部６と基板保持部３との間に閉空間１００が形成されるように移動機構８を制御する。具体的には、図２を参照して説明した第１位置から図３を参照して説明した第２位置までトッププレート７が下降するように移動機構８を制御する。制御部１２は、閉空間１００が形成されたことに応じて、ダミー基板ＷＤが回転するように回転機構４を制御する。

第１配管洗浄工程Ｓ２では、制御部１２は、配管洗浄液によって循環ライン３０１、第１供給ライン３０２、及び回収ライン４０１が洗浄されるように、洗浄液供給ライン１１４、循環ライン３０１、第１供給ライン３０２、回収ライン４０１、ヒータ３１１、及び超音波発生器３１４を制御する。なお、本実施形態において、配管洗浄液は、デカフルオロペンタンからなる。

第２配管洗浄工程Ｓ３では、制御部１２は、第２有機溶剤によって循環ライン３０１、第１供給ライン３０２、及び回収ライン４０１が洗浄されるように、第２有機溶剤供給ライン１１６、循環ライン３０１、第１供給ライン３０２、回収ライン４０１、及びヒータ３１１を制御する。第２有機溶剤は、第１有機溶剤よりも炭素数が多く、デカフルオロペンタンからなる配管洗浄液に対して親和性が高い。したがって、第１配管洗浄工程Ｓ２後に第２配管洗浄工程Ｓ３を行い、循環ライン３０１、第１供給ライン３０２、及び回収ライン４０１に第２有機溶剤を通液することで、第１配管洗浄工程Ｓ２後に第１有機溶剤又は純水を通液する場合と比べて、デカフルオロペンタンからなる配管洗浄液からの置換性が向上する。換言すると、第１配管洗浄工程Ｓ２後に第２有機溶剤を通液することにより、デカフルオロペンタンからなる配管洗浄液の残液を洗い流しやすくなる。その結果、デカフルオロペンタンからなる配管洗浄液中の付着物を、デカフルオロペンタンからなる配管洗浄液と共に第２有機溶剤によって洗い流すことができ、付着物が各ラインに取り残されることを抑制できる。

第３配管洗浄工程Ｓ４では、制御部１２は、第１有機溶剤によって循環ライン３０１、第１供給ライン３０２、及び回収ライン４０１が洗浄されるように、第１有機溶剤供給ライン１１５、循環ライン３０１、第１供給ライン３０２、回収ライン４０１、及びヒータ３１１を制御する。第１有機溶剤は、第２有機溶剤よりも炭素数が少なく、極性を有し、第２有機溶剤にも純水にも溶け易い。したがって、第２配管洗浄工程Ｓ３後に第３配管洗浄工程Ｓ４を行い、循環ライン３０１、第１供給ライン３０２、及び回収ライン４０１に第１有機溶剤を通液することで、第２配管洗浄工程Ｓ３後に純水を通液する場合と比べて、第２有機溶剤からの置換性が向上する。換言すると、第２配管洗浄工程Ｓ３後に第１有機溶剤を通液することにより、第２有機溶剤の残液を洗い流しやすくなる。その結果、第２有機溶剤の残液中に、仮に付着物が残っていたとしても、第２有機溶剤の残液と共に第１有機溶剤によって洗い流すことができ、付着物が各ラインに取り残されることをより一層抑制できる。

リンス工程Ｓ５では、制御部１２は、ＤＩＷによって循環ライン３０１、第１供給ライン３０２、及び回収ライン４０１がリンスされるように、第３成分液供給ライン１１３、第３流量制御器１３３、循環ライン３０１、第１供給ライン３０２、回収ライン４０１、及びヒータ３１１を制御する。

乾燥工程Ｓ６では、制御部１２は、ガスによって循環ライン３０１、第１供給ライン３０２、及び回収ライン４０１が乾燥されるように、ガス供給ライン１１７、５０１、循環ライン３０１、第１供給ライン３０２、回収ライン４０１、及びヒータ３１１を制御する。具体的には、制御部１２は、ガス供給ライン１１７、５０１からガスを所定時間供給させることにより、循環ライン３０１、第１供給ライン３０２、及び回収ライン４０１を乾燥させる。なお、本実施形態において、乾燥工程Ｓ６で使用するガスは、粒子径が０．０１μｍ以上の微粒子が０．０３５個／Ｌ以下の粒子清浄度を有する窒素ガスである。

ダミー基板搬出工程Ｓ７では、制御部１２は、ダミー基板ＷＤの回転が停止するように回転機構４を制御する。また、制御部１２は、図３を参照して説明した第２位置から図２を参照して説明した第１位置までトッププレート７が上昇するように移動機構８を制御する。この結果、遮蔽部６と基板保持部３との間に形成されていた閉空間１００が開放された状態となる。トッププレート７が第２位置から第１位置へ移動したことに応じて、制御部１２は、処理ユニット１Ａの処理チャンバー２からダミー基板ＷＤを搬出するようにセンターロボットＣＲを制御する。

続いて図２～図９、及び図１１を参照して、第１配管洗浄工程Ｓ２を更に説明する。図１１は、本実施形態に係る第１配管洗浄工程Ｓ２を示すフローチャートである。

まず、制御部１２は、貯留タンク２０１に配管洗浄液を供給するように洗浄液供給ライン１１４を制御し、補給停止液面センサ２１２の出力に基づいて、配管洗浄液の液面高が補給停止液面高となったか否かを判定する（ステップＳ２１）。なお、本実施形態において、配管洗浄液は、デカフルオロペンタンからなる。

制御部１２は、配管洗浄液の液面高が補給停止液面高となったと判定したことに応じて、配管洗浄液が循環配管３０１ａ内を循環するように循環ライン３０１を制御する（ステップＳ２２）。

制御部１２は、配管洗浄液の循環が始まったことに応じて、ヒータ３１１による配管洗浄液の加熱を開始する。また、制御部１２は、超音波発生器３１４による超音波の発信を開始する。制御部１２は、配管洗浄液の温度が所定の温度に達するまで、循環配管３０１ａ内で配管洗浄液を循環させる（ステップＳ２３）。

制御部１２は、配管洗浄液の温度が所定の温度に達したことに応じて、循環ライン３０１から上部ノズル６１の先端部（吐出口１６ａ）まで配管洗浄液が導かれるように第１供給ライン３０２を制御する。その後、制御部１２は、上部ノズル６１の先端部（吐出口１６ａ）と開閉弁３２１との間で配管洗浄液が保持されるように第１供給ライン３０２を制御する。具体的には、制御部１２は、開閉弁３２１を閉状態にする（ステップＳ２４）。なお、制御部１２は、上部ノズル６１の先端部（吐出口１６ａ）と開閉弁３２１との間で配管洗浄液が保持されている間、残りの配管洗浄液が循環配管３０１ａ内を循環するように循環ライン３０１を制御する。

制御部１２は、上部ノズル６１の先端部（吐出口１６ａ）と第１供給ライン３０２の開閉弁３２１との間で配管洗浄液が所定時間保持されたことに応じて、上部ノズル６１から配管洗浄液が吐出されるように第１供給ライン３０２を制御する（ステップＳ２５）。また、カップ部５で受けた配管洗浄液が貯留タンク２０１に戻るように回収ライン４０１を制御する。

制御部１２は、上部ノズル６１から配管洗浄液を所定時間吐出させたことに応じて、配管洗浄液が廃棄されるように循環ライン３０１、第１供給ライン３０２、回収ライン４０１、第１廃液ライン２４、及び第２廃液ライン２０３を制御して（ステップＳ２６）、図１１に示す処理を終了する。

続いて図２～図９、及び図１２を参照して、第２配管洗浄工程Ｓ３を更に説明する。図１２は、本実施形態に係る第２配管洗浄工程Ｓ３を示すフローチャートである。

まず、制御部１２は、貯留タンク２０１に第２有機溶剤を供給するように第２有機溶剤供給ライン１１６を制御し、補給停止液面センサ２１２の出力に基づいて、第２有機溶剤の液面高が補給停止液面高となったか否かを判定する（ステップＳ３１）。なお、本実施形態において、第２有機溶剤は、ＰＧＭＥＡからなる。

制御部１２は、第２有機溶剤の液面高が補給停止液面高となったと判定したことに応じて、第２有機溶剤が循環配管３０１ａ内を循環するように循環ライン３０１を制御する（ステップＳ３２）。

制御部１２は、第２有機溶剤の循環が始まったことに応じて、ヒータ３１１による第２有機溶剤の加熱を開始する。制御部１２は、第２有機溶剤の温度が所定の温度に達するまで、循環配管３０１ａ内で第２有機溶剤を循環させる（ステップＳ３３）。

制御部１２は、第２有機溶剤の温度が所定の温度に達したことに応じて、上部ノズル６１から第２有機溶剤が吐出されるように第１供給ライン３０２を制御する（ステップＳ３４）。また、カップ部５で受けた第２有機溶剤が貯留タンク２０１に戻るように回収ライン４０１を制御する。

制御部１２は、上部ノズル６１から第２有機溶剤を所定時間吐出させたことに応じて、第２有機溶剤が廃棄されるように循環ライン３０１、第１供給ライン３０２、回収ライン４０１、第１廃液ライン２４、及び第２廃液ライン２０３を制御して（ステップＳ３５）、図１２に示す処理を終了する。

なお、第３配管洗浄工程Ｓ４、及びリンス工程Ｓ５は、第２配管洗浄工程Ｓ３と同様であるため、その説明は割愛する。

以上、図１～図１２を参照して本発明の実施形態１を説明した。本実施形態によれば、接液面がフッ素樹脂からなる配管の洗浄時に、上部ノズル６１から閉空間１００に、デカフルオロペンタンからなる配管洗浄液が吐出される。したがって、デカフルオロペンタンからなる配管洗浄液が揮発性を有する薬液であっても、デカフルオロペンタンからなる配管洗浄液の揮発が抑制される。その結果、処理チャンバー２の内壁面や、処理チャンバー２内の各種部品が、デカフルオロペンタンからなる配管洗浄液によって汚染され難い。よって、基板処理時に、デカフルオロペンタンからなる配管洗浄液によって基板Ｗが汚染されることを抑制できる。換言すると、デカフルオロペンタンからなる配管洗浄液によって基板Ｗに不具合が生じることを抑制することができる。

また、本実施形態によれば、接液面がフッ素樹脂からなる配管を洗浄した後に、ＤＩＷによって配管をリンスするため、デカフルオロペンタンからなる配管洗浄液、ＩＰＡからなる第１有機溶剤、及びＰＧＭＥＡからなる第２有機溶剤が配管内に残留することを抑制できる。また、ＤＩＷによってリンスすることにより、該配管内に残留している異物を除去することができる。

また、本実施形態によれば、デカフルオロペンタンからなる配管洗浄液によって、接液面がフッ素樹脂からなる配管を洗浄した後に、ＩＰＡからなる第１有機溶剤によって該配管を洗浄するため、該配管の内部をより清浄にすることができる。

更に、本実施形態によれば、ＩＰＡからなる第１有機溶剤によって、接液面がフッ素樹脂からなる配管を洗浄する前に、ＰＧＭＥＡからなる第２有機溶剤によって該配管を洗浄する。ＰＧＭＥＡからなる第２有機溶剤は、ＩＰＡからなる第１有機溶剤よりも炭素数が多いため、ＩＰＡからなる第１有機溶剤によって、接液面がフッ素樹脂からなる配管を洗浄する前に、ＰＧＭＥＡからなる第２有機溶剤によって該配管を洗浄することで、該配管の内部をより清浄にすることができる。

また、本実施形態によれば、接液面がフッ素樹脂からなる配管をリンスした後に、該配管の内部を、粒子径が０．０１μｍ以上の微粒子が０．０３５個／Ｌ以下の粒子清浄度を有する窒素ガスで乾燥させるため、該配管をリンスした後に該配管の内面に異物が付着し難くなる。

また、本実施形態によれば、上部ノズル６１の先端部（吐出口１６ａ）と第１供給ライン３０２の開閉弁３２１との間で、デカフルオロペンタンからなる配管洗浄液を所定時間保持するため、第１供給配管３０２ａの内部をより清浄にすることができる。

また、下部ノズル３４に、デカフルオロペンタンからなる配管洗浄液が流入した場合、基板処理時に下部ノズル３４から処理液を吐出させる際に、処理液よりも前に下部ノズル３４から、デカフルオロペンタンからなる配管洗浄液が吐出されて、基板Ｗの下面が該配管洗浄液によって汚染される可能性がある。これに対し、本実施形態によれば、配管洗浄時に基板保持部３がダミー基板ＷＤを水平姿勢で保持するため、下部ノズル３４に、デカフルオロペンタンからなる配管洗浄液が流入しない。したがって、基板Ｗの下面が、デカフルオロペンタンからなる配管洗浄液によって汚染され難い。

なお、循環ライン３０１、第１供給ライン３０２、及び回収ライン４０１の各配管３０１ａ、３０２ａ、及び４０１ａを洗浄した後、循環ライン３０１、第１供給ライン３０２、及び回収ライン４０１の各配管３０１ａ、３０２ａ、及び４０１ａの少なくとも一部を取り外して、第１成分液供給ライン１１１、第２成分液供給ライン１１２、第３成分液供給ライン１１３、洗浄液供給ライン１１４、第１有機溶剤供給ライン１１５、第２有機溶剤供給ライン１１６、ガス供給ライン１１７、ＳＣ１供給ライン１３５、第２供給ライン３０３、及びガス供給ライン５０１の各配管１１１ａ、１１２ａ、１１３ａ、１１４ａ、１１５ａ、１１６ａ、１１７ａ、１３５ａ、３０３ａ、及び５０１ａを、洗浄後の配管（配管３０１ａ、３０２ａ、及び４０１ａの少なくとも一部）と交換してもよい。この場合、配管を取り外した箇所に、接液面がフッ素樹脂からなる配管を新たに取り付け、その後、該配管の洗浄を再度実施する。

また、配管洗浄液供給源１０４、第１有機溶剤供給源１０５、第２有機溶剤供給源１０６、洗浄液供給ライン１１４、第１有機溶剤供給ライン１１５、第２有機溶剤供給ライン１１６、及びガス供給ライン１１７、５０１は、配管の洗浄後に、基板処理装置１から取り外されてもよい。

また、図１～図１２を参照して、ＳＣ１供給部１６の配管を洗浄する処理を説明したが、ＤＨＦ供給部１５、ＤＩＷ供給部１７、ＩＰＡ供給部１８、ガス供給部１９の配管も、ＳＣ１供給部１６と同様に洗浄することができる。

また、図１～図１２を参照して、気液供給部２０のうち、回収ライン４０１を含む供給部を説明したが、回収ライン４０１を含まない供給部の配管についても、ＳＣ１供給部１６と同様に洗浄することができる。

また、図１～図１２を参照して、気液供給部２０のうち、貯留タンク２０１を含む供給部を説明したが、貯留タンク２０１を含まない供給部の配管についても、ＳＣ１供給部１６と同様に洗浄することができる。

また、本実施形態では、配管の洗浄時に、配管洗浄液、第１有機溶剤、第２有機溶剤及びＤＩＷを回収ライン４０１で回収したが、配管の洗浄時に、配管洗浄液、第１有機溶剤、第２有機溶剤、及びＤＩＷのうちの少なくとも一つは、回収ライン４０１で回収されることなく、第１廃液ライン２４を介して廃液タンクへ排出されてもよい。

また、本実施形態では、第１有機溶剤を用いた配管の洗浄処理と、第２有機溶剤を用いた配管の洗浄処理とを行ったが、両者のうちの一方は省略されてもよい。あるいは、両方の洗浄処理が省略されてもよい。

また、本実施形態では、上部ノズル６１の先端部（吐出口１６ａ）と開閉弁３２１との間で配管洗浄液を所定時間保持したが、この処理（工程）は省略されてもよい。

また、本実施形態では、循環配管３０１ａ、第１供給配管３０２ａ及び回収配管４０１ａを洗浄したが、第１供給配管３０２ａと同様に第２供給配管３０３ａを洗浄してもよい。あるいは、第１供給配管３０２ａに替えて、第２供給配管３０３ａを洗浄してもよい。すなわち、第２供給配管３０３ａは、洗浄対象の配管であり得る。この場合、配管洗浄時に下部ノズル３４から配管洗浄液が吐出されるが、基板保持部３がダミー基板ＷＤを水平姿勢で保持するため、下部ノズル３４から吐出された配管洗浄液が上部ノズル６１に流入することはない。したがって、基板処理時に基板Ｗの上面が配管洗浄液によって汚染され難い。

また、本実施形態では、配管洗浄時に閉空間１００が形成されたが、配管洗浄時に閉空間１００は形成されなくてもよい。

［実施形態２］
続いて図１～図１４を参照して本発明の実施形態２について説明する。但し、実施形態１と異なる事項を説明し、実施形態１と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態２は、配管洗浄液ＴＳを回収する点で実施形態１と異なる。

図１３は、本実施形態に係る基板処理装置１の一部を示す図である。詳しくは、図１３は、ＳＣ１供給部１６の一部を示す。図１３に示すように、本実施形態のＳＣ１供給部１６は、配管洗浄液回収ライン６０１と、配管洗浄液回収タンク７０１とを更に備える。

配管洗浄液回収ライン６０１の一端は、貯留タンク２０１内の所定の液面高に対応する位置に配置されている。配管洗浄液回収ライン６０１の他端は、配管洗浄液回収タンク７０１に接続している。配管洗浄液回収ライン６０１は、配管６０１ａと、ポンプ６１１とを含む。ポンプ６１１は、制御部１２によって制御される。ポンプ６１１が駆動すると、貯留タンク２０１に貯留されている配管洗浄液ＴＳのうち、所定の液面高以上の部分が吸引されて、配管洗浄液回収ライン６０１の配管６０１ａを流通する。その結果、ポンプ６１１によって吸引された配管洗浄液ＴＳが配管洗浄液回収タンク７０１に回収される。なお、配管洗浄液ＴＳは、デカフルオロペンタンからなる。

具体的には、制御部１２は、配管洗浄液ＴＳを貯留タンク２０１から排出する前にポンプ６１１を駆動する。より詳しくは、制御部１２は、配管洗浄液ＴＳによって配管を洗浄した後、配管洗浄液ＴＳを貯留タンク２０１から排出するまでの間に、所定時間、循環ライン３０１、第１供給ライン３０２、及び回収ライン４０１の動作を停止させる。制御部１２は、所定時間が経過した後にポンプ６１１を駆動する。この結果、清浄度が比較的高い配管洗浄液ＴＳを配管洗浄液回収タンク７０１に回収することができる。

ここで、所定の液面高は、清浄度が比較的高い配管洗浄液ＴＳを回収できるように、貯留タンク２０１のサイズ及び形状に応じて、事前の実験結果に基づいて予め決定される。

なお、図１３に示す構成では、ポンプ６１１を用いて配管洗浄液ＴＳを回収したが、図１４に示すように凝縮器６１２を用いて配管洗浄液ＴＳを回収してもよい。図１４は、本実施形態に係る基板処理装置１の他の構成の一部を示す図である。詳しくは、図１４は、ＳＣ１供給部１６の他の構成の一部を示す。図１４に示すように、本実施形態のＳＣ１供給部１６は、配管洗浄液回収ライン６０１と、凝縮器６１２と、配管洗浄液回収タンク７０１とを更に備えてもよい。

図１４に示す構成において、配管洗浄液回収ライン６０１の一端は、貯留タンク２０１の天井壁に設けられた開口に接続している。貯留タンク２０１に貯留している配管洗浄液ＴＳの揮発成分は、貯留タンク２０１の天井壁に設けられた開口を介して、配管洗浄液回収ライン６０１の配管６０１ａに流入する。配管洗浄液回収ライン６０１は、配管洗浄液ＴＳの揮発成分を凝縮器６１２に導く。凝縮器６１２は、揮発成分を凝縮して、配管洗浄液ＴＳに戻す。その結果、配管洗浄液ＴＳが、凝縮器６１２から配管洗浄液回収ライン６０１に流れ込み、配管洗浄液回収タンク７０１に回収される。

図１４に示す構成によれば、配管洗浄液ＴＳの揮発成分を配管洗浄液ＴＳに戻して、配管洗浄液回収タンク７０１に回収することができる。したがって、より清浄度が高い配管洗浄液ＴＳを配管洗浄液回収タンク７０１に回収することができる。

なお、本実施形態では、ＳＣ１供給部１６の貯留タンク２０１から配管洗浄液ＴＳを回収する構成を説明したが、ＤＨＦ供給部１５、ＤＩＷ供給部１７、ＩＰＡ供給部１８、ガス供給部１９においても、ＳＣ１供給部１６と同様に配管洗浄液ＴＳを回収することができる。

また、本実施形態では、貯留タンク２０１から配管洗浄液ＴＳを回収する構成を説明したが、図７～図９を参照して説明した循環配管３０１ａの上面に、配管洗浄液ＴＳの揮発成分が逃げる開口を設け、該開口に、凝縮器６１２に揮発成分を導く配管を接続してもよい。あるいは、図８及び図９を参照して説明した回収配管４０１ａの上面に、配管洗浄液ＴＳの揮発成分が逃げる開口を設け、該開口に、凝縮器６１２に揮発成分を導く配管を接続してもよい。

以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明した。但し、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。

また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。

例えば、本発明による実施形態において、移動機構８はトッププレート７を昇降させたが、移動機構８は、基板保持部３を昇降させてもよい。この場合、移動機構８は、トッププレート７と基板保持部３との間に閉空間１００を形成する際に、基板保持部３を上昇させる。また、移動機構８は、トッププレート７と基板保持部３との間の閉空間１００を開放する際に、基板保持部３を下降させる。あるいは、移動機構８は、トッププレート７及び基板保持部３を昇降させてもよい。すなわち、移動機構８は、基板保持部３と遮蔽部６とを、閉空間１００を形成する位置と、閉空間１００を開放する位置との間で相対的に移動させてもよい。

また、本発明による実施形態では、基板処理装置１は基板Ｗを洗浄したが、基板処理装置１は、例えば、基板Ｗに対して、エッチング、表面処理、特性付与、処理膜形成、及び膜の少なくとも一部の除去のうちの少なくとも１つを行うように基板Ｗを処理してもよい。

また、本発明による実施形態では、基板処理装置１は下部ノズル３４を備えたが、下部ノズル３４は省略され得る。この場合、ダミー基板ＷＤを省略してもよい。

また、本発明による実施形態では、基板Ｗ及びダミー基板ＷＤを保持する構成として、基板Ｗ及びダミー基板ＷＤを挟持する挟持式のチャックについて説明したが、基板Ｗ及びダミー基板ＷＤを保持する構成として、バキューム式のチャックが採用されてもよい。

なお、本発明による実施形態において、遮蔽部６を構成するトッププレート７が、本発明の「遮蔽部」に相当する。上部ノズル６１及び下部ノズル３４が、本発明の「ノズル」に相当する。上部ノズル６１が、本発明の「第１ノズル」に相当する。下部ノズル３４が、本発明の「第２ノズル」に相当する。第１供給ライン３０２、第２供給ライン３０３、循環ライン３０１及び回収ライン４０１が、本発明の「処理液ライン」に相当する。第３成分液供給ライン１１３及びＳＣ１供給ライン１３５が、本発明の「純水供給ライン」に相当する。洗浄液供給ライン１１４が、本発明の「洗浄液供給ライン」に相当する。ＩＰＡが、本発明の「第１有機溶剤」に相当する。ＰＥＧＭＥＡが、本発明の「第２有機溶剤」に相当する。

また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。

本発明は、基板を処理する装置に有用である。

１ 基板処理装置
２ 処理チャンバー
３ 基板保持部
４ 回転機構
５ カップ部
６ 遮蔽部
７ トッププレート
８ 移動機構
１２ 制御部
１６ ＳＣ１供給部
１６ａ 吐出口
３４ 下部ノズル
６１ 上部ノズル
１００ 閉空間
１１４ 洗浄液供給ライン
１１４ａ 配管
１１５ 第１有機溶剤供給ライン
１１５ａ 配管
１１６ 第２有機溶剤供給ライン
１１６ａ 配管
１１７ ガス供給ライン
１１７ａ 配管
１２４ 開閉弁
１２５ 開閉弁
１２６ 開閉弁
１２７ 開閉弁
１３５ ＳＣ１供給ライン
１３５ａ 配管
２０１ 貯留タンク
３０１ 循環ライン
３０１ａ 循環配管
３０２ 第１供給ライン
３０２ａ 第１供給配管
３０３ 第２供給ライン
３０３ａ 第２供給配管
３１１ ヒータ
３１４ 超音波発生器
３１５ 開閉弁
３２１ 開閉弁
３３１ 開閉弁
４０１ 回収ライン
４０１ａ 回収配管
４１１ 開閉弁
５０１ ガス供給ライン
５０１ａ 配管
５１１ 開閉弁
６１２ 凝縮器
ＣＲ センターロボット
Ｗ 基板
ＷＤ ダミー基板

Claims (23)

1. 処理チャンバーと、
   前記処理チャンバー内で処理すべき基板を保持する基板保持部と、
   前記基板保持部との間で閉空間を形成する遮蔽部と、
   前記基板保持部と前記遮蔽部とを、前記閉空間を形成する位置と、前記閉空間を開放する位置との間で相対的に移動させる移動機構と、
   先端部を有し、前記閉空間に前記先端部が臨むように配置され、前記基板に処理を行うための処理液を吐出するノズルと、
   前記処理液を前記ノズルまで流通させる処理液ラインと、
   前記処理液ラインに、前記処理液とは異なる薬液であって、デカフルオロペンタンからなる配管洗浄液を供給する洗浄液供給ラインと、
   前記処理液ラインに第１有機溶剤を供給する第１有機溶剤供給ラインと、
   前記処理液ラインに純水を供給する純水供給ラインと、
   前記移動機構、前記処理液ライン、前記洗浄液供給ライン、前記第１有機溶剤供給ライン、及び前記純水供給ラインを制御する制御部と
   を備え、
   前記処理液ラインは、前記処理液が流通する配管と、前記処理液の流通を制御する弁とを含み、前記処理液ラインの前記配管の接液面はフッ素樹脂からなり、
   前記洗浄液供給ラインは、前記配管洗浄液が流通する配管と、前記配管洗浄液の流通を制御する弁とを含み、
   前記第１有機溶剤供給ラインは、前記第１有機溶剤が流通する配管と、前記第１有機溶剤の流通を制御する弁とを含み、
   前記純水供給ラインは、前記純水が流通する配管と、前記純水の流通を制御する弁とを含み、
   前記制御部は、前記処理液ラインの前記配管を前記配管洗浄液で洗浄する際に、
   前記閉空間が形成されるように前記移動機構を制御し、
   前記処理液ラインの前記配管に前記配管洗浄液が供給されるように前記洗浄液供給ラインの前記弁を制御し、
   前記ノズルから前記閉空間へ前記配管洗浄液が吐出されるように前記処理液ラインの前記弁を制御し、
   前記制御部は、前記配管洗浄液による前記処理液ラインの前記配管の洗浄後、
   前記処理液ラインの前記配管に前記第１有機溶剤が供給されるように前記第１有機溶剤供給ラインの前記弁を制御し、
   前記ノズルから前記閉空間へ前記第１有機溶剤が吐出されるように前記処理液ラインの前記弁を制御し、
   前記制御部は、前記ノズルから前記第１有機溶剤を吐出させた後、前記処理液ラインの前記配管に前記純水が供給されるように前記純水供給ラインの前記弁を制御する、基板処理装置。
2. 前記処理液ラインの前記配管内の前記配管洗浄液に超音波を伝搬させる超音波発生器を更に備える、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記処理液ラインに、前記第１有機溶剤よりも炭素数が多い第２有機溶剤を供給する第２有機溶剤供給ラインを更に備え、
   前記第２有機溶剤供給ラインは、前記第２有機溶剤が流通する配管と、前記第２有機溶剤の流通を制御する弁とを含み、
   前記制御部は、前記配管洗浄液による前記処理液ラインの前記配管の洗浄後、
   前記処理液ラインの前記配管に前記第２有機溶剤が供給されるように前記第２有機溶剤供給ラインの前記弁を制御し、
   前記ノズルから前記閉空間へ前記第２有機溶剤が吐出されるように前記処理液ラインの前記弁を制御し、
   前記制御部は、前記ノズルから前記第２有機溶剤を吐出させた後、
   前記処理液ラインの前記配管に前記第１有機溶剤が供給されるように前記第１有機溶剤供給ラインの前記弁を制御し、
   前記ノズルから前記閉空間へ前記第１有機溶剤が吐出されるように前記処理液ラインの前記弁を制御し、
   前記制御部は、前記ノズルから前記第１有機溶剤を吐出させた後、前記処理液ラインの前記配管に前記純水が供給されるように前記純水供給ラインの前記弁を制御する、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記処理液ラインにガスを供給するガス供給ラインを更に備え、
   前記ガス供給ラインは、前記ガスが流通する配管と、前記ガスの流通を制御する弁とを含み、
   前記制御部は、前記処理液ラインの前記配管に前記純水を供給した後、前記処理液ラインの前記配管に前記ガスが供給されるように前記ガス供給ラインの前記弁を制御する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
5. 前記処理液ラインの前記配管を洗浄する際に前記配管洗浄液を貯留するタンクと、
   前記タンクに貯留されている前記配管洗浄液のうち、前記タンクの底面からの高さが所定の高さ以上の部分を吸引するポンプと
   を更に備える、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
6. 前記配管洗浄液の揮発成分を凝縮させる凝縮器を更に備える、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
7. 前記処理液により前記基板を処理する際に前記処理液を貯留し、前記処理液ラインの前記配管を洗浄する際に前記配管洗浄液を貯留するタンクを更に備え、
   前記処理液ラインは、前記基板の処理時に、前記タンクから排出される前記処理液を前記タンクに戻し、前記処理液ラインの前記配管の洗浄時に、前記タンクから排出される前記配管洗浄液を前記タンクに戻す循環ラインを含む、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
8. 前記循環ラインを流れる前記配管洗浄液を加熱するヒータを更に備える、請求項７に記載の基板処理装置。
9. 前記基板の処理時、及び前記処理液ラインの前記配管の洗浄時に前記基板保持部を回転させる回転部と、
   前記基板の処理時に前記基板保持部の周囲に配置されて前記処理液を受け、前記処理液ラインの前記配管の洗浄時に前記基板保持部の周囲に配置されて前記配管洗浄液を受けるカップ部と
   を更に備え、
   前記処理液ラインは、前記基板の処理時に前記カップ部から排出される前記処理液を前記タンクへ導き、前記処理液ラインの前記配管の洗浄時に前記カップ部から排出される前記配管洗浄液を前記タンクへ導く回収ラインを含む、請求項７又は請求項８に記載の基板処理装置。
10. 前記制御部は、前記処理液ラインの前記配管の洗浄時に、前記処理液ラインの前記弁から前記ノズルまでの間で前記配管洗浄液が所定時間保持されるように前記処理液ラインの前記弁を制御する、請求項７から請求項９のいずれか１項に記載の基板処理装置。
11. 前記ノズルは、
    前記処理液を前記基板の上面に向けて吐出する第１ノズルと、
    前記処理液を前記基板の下面に向けて吐出する第２ノズルと
    を含み、
    前記処理液ラインは、
    前記循環ラインに接続して前記第１ノズルまで延びる第１供給ラインと、
    前記循環ラインに接続して前記第２ノズルまで延びる第２供給ラインと
    を更に含む、請求項７から請求項１０のいずれか１項に記載の基板処理装置。
12. 前記処理液により前記基板を処理する際に、前記基板保持部へ前記基板を搬送し、前記処理液ラインの前記配管を洗浄する際に、前記基板保持部へダミー基板を搬送する搬送部を更に備え、
    前記基板保持部は、前記処理液ラインの前記配管の洗浄時に、前記ダミー基板を保持する、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の基板処理装置。
13. 処理チャンバーの内側で基板保持部によって保持される基板に対し、処理液をノズルから吐出して処理を行う基板処理装置の配管を洗浄する方法であって、
    前記処理液は、処理液ラインを構成する前記配管を流通し、前記配管の接液面はフッ素樹脂からなり、
    前記方法は、
    前記配管を準備する工程と、
    前記処理チャンバーの内側において閉空間を形成する工程と、
    前記ノズルの吐出口が前記閉空間に臨むように前記ノズルを配置する工程と、
    前記配管に、前記処理液とは異なる薬液であって、デカフルオロペンタンからなる配管洗浄液を流通させ、前記配管洗浄液を前記ノズルから前記閉空間内に吐出させて、該配管を洗浄する工程と、
    前記配管洗浄液によって前記配管を洗浄した後に、前記配管に純水を供給して、前記ノズルから前記純水を前記閉空間内に吐出させる工程と
    を含み、
    前記配管洗浄液によって前記配管を洗浄する工程と、前記配管に前記純水を供給する工程との間に、前記配管に第１有機溶剤を供給して、前記ノズルから前記第１有機溶剤を前記閉空間内に吐出させる工程を更に含む、基板処理装置の配管洗浄方法。
14. 前記配管洗浄液に超音波を伝播させる工程を更に含む、請求項１３に記載の基板処理装置の配管洗浄方法。
15. 前記配管洗浄液によって前記配管を洗浄する工程と、前記配管に前記第１有機溶剤を供給する工程との間に、前記第１有機溶剤よりも炭素数が多い第２有機溶剤を前記配管に供給して、前記ノズルから前記第２有機溶剤を前記閉空間内に吐出させる工程を更に含む、請求項１３又は請求項１４に記載の基板処理装置の配管洗浄方法。
16. 前記配管に前記純水を供給した後に、前記配管にガスを供給する工程を更に含む、請求項１３から請求項１５のいずれか１項に記載の基板処理装置の配管洗浄方法。
17. 前記配管洗浄液を第１タンクに回収する工程と、
    前記第１タンクに回収された前記配管洗浄液のうち、前記第１タンクの底面からの高さが所定の高さ以上の部分を第２タンクに送液して、該配管洗浄液を前記第２タンクに回収する工程と
    を更に含む、請求項１３から請求項１６のいずれか１項に記載の基板処理装置の配管洗浄方法。
18. 前記配管洗浄液の揮発成分を凝縮させる工程を更に含む、請求項１３から請求項１７のいずれか１項に記載の基板処理装置の配管洗浄方法。
19. 前記処理液を貯留する貯留タンクを準備する工程と、
    前記処理液ラインの一部として、前記貯留タンクから前記処理液を排出し、前記貯留タンクに前記処理液を戻す前記配管を備えた循環ラインを準備する工程と、
    前記循環ラインの前記配管に前記配管洗浄液を供給して前記循環ラインに該配管洗浄液を循環させる工程と
    を更に含む、請求項１３から請求項１８のいずれか１項に記載の基板処理装置の配管洗浄方法。
20. 前記循環ラインを流れる前記配管洗浄液を加熱する工程を更に含む、請求項１９に記載の基板処理装置の配管洗浄方法。
21. 前記処理液ラインの前記配管から前記ノズルまでの間で前記配管洗浄液を所定時間保持する工程を更に含む、請求項１３から請求項２０のいずれか１項に記載の基板処理装置の配管洗浄方法。
22. 前記ノズルを配置する工程は、
    前記基板の上方に配置されて前記基板の上面に対して前記処理液を吐出する第１ノズルを配置する工程と、
    前記基板の下方に配置されて前記基板の下面に前記処理液を吐出する第２ノズルを配置する工程と
    を含む、請求項１３から請求項２１のいずれか１項に記載の基板処理装置の配管洗浄方法。
23. 前記処理チャンバー内で前記基板を水平姿勢に保持する前記基板保持部を準備する工程と、
    前記基板保持部によってダミー基板を水平姿勢で保持する工程と
    を更に含み、
    前記第１ノズルは、前記ダミー基板の上方に配置され、前記第２ノズルは前記ダミー基板の下方に配置され、
    前記配管を洗浄する工程において、前記配管洗浄液を前記第１ノズル又は前記第２ノズルの少なくとも一方から前記ダミー基板に向けて吐出して、前記配管を洗浄する、請求項２２に記載の基板処理装置の配管洗浄方法。

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