JP2009026948A - 基板処理装置および処理チャンバ内洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】処理チャンバ2内においては、閉状態におけるシャッタ18上部の側方(水平でかつ側壁1に沿う方向)の一方側(図で示す右側)には、洗浄液を吐出するための第1洗浄液吐出ノズル32と、洗浄液を吐出するための第2洗浄液吐出ノズル33と、N2ガスを吐出するためのN2ガス吐出ノズル34とが設けられている。シャッタ18の上部に付着したSPMが、洗浄液によって洗い流される。また、洗浄に用いられた洗浄液がN2ガスによって除去される。
【選択図】図2
Description
そこで、この発明の目的は、処理チャンバ内を洗浄するための洗浄液による基板汚染を防止することができる基板処理装置および処理チャンバ内洗浄方法を提供することである。
この構成によれば、閉状態のシャッタの上部付近に付着した処理液が、洗浄液によって洗い流される。そして、洗浄に用いられた洗浄液は、乾燥用ガスによって除去される。このため、閉状態のシャッタの上部付近から処理液および洗浄液を除去することができる。シャッタの閉状態で洗浄および乾燥を実行するために、シャッタを開成して開口部を基板が通過する際には、シャッタの上部付近や、開口部の上部に隣接する側壁等に、処理液や洗浄液の液滴が付着していない。したがって、開口部を通過する基板に向けて処理液および洗浄液が落下することを防止することができる。ゆえに、基板の汚染を防止することができる。
開口部を通過する基板が処理液によって汚染されることを防止するため、開口部の上部に、落下する処理液を受け止めるための受け部を設けることが考えられる。これに対し、閉状態のシャッタの上部付近を洗浄液で洗浄し、その洗浄液を乾燥用ガスによって除去する構成では、受け部を設けることなく、処理液による基板の汚染を防止することができる。受け部を省略した場合、コストダウンを図ることができる。
この構成によれば、処理液や洗浄液がシャッタの上部や開口部の上部から落下する液が、樋によって受け止められる。このため、閉状態のシャッタの上部付近からの処理液や洗浄液の除去が不十分な場合であっても、これらの処理液や洗浄液が基板を汚染することを抑制することができる。
請求項3記載の発明は、前記開口部の上方の前記側壁には、前記側壁の内面を伝って前記開口部に向けて流れ落ちる液を受け止めるための庇(30)が設けられていることを特徴とする、請求項1または2記載の基板処理装置である。
請求項4記載の発明は、前記洗浄液吐出ノズルは、閉状態の前記シャッタの上部付近の側方から、前記シャッタの上辺にほぼ沿う方向に洗浄液を吐出することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
請求項5記載の発明は、前記乾燥ガス吐出ノズルは、閉状態の前記シャッタの上部付近の側方から、前記シャッタの上辺にほぼ沿う方向に乾燥用ガスを吐出することを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
請求項6記載の発明は、前記処理チャンバ内で、基板の表面に対し、レジスト剥離液を供給するためのレジスト剥離液供給手段をさらに含むことを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
開口部を通過する基板が処理液によって汚染されることを防止するため、開口部の上部に、シャッタの上部付近から落下する処理液を受け止めるための受け部を設けることが考えられる。しかし、レジスト剥離液は粘度が高いので、受け部によって受け止められたレジスト剥離液が、スムーズに排出されずに受け部から溢れ、液滴となって基板上に落下し、汚染の原因となるおそれがある。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す断面図である。
基板処理装置は、たとえば基板の一例としての半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)Wの表面に不純物を注入するイオン注入処理やドライエッチング処理の後に、そのウエハWの表面から不要になったレジストを除去するための処理に用いられる枚葉式の装置である。
DIWノズル5は、スピンチャック3の上方で、吐出口をウエハWの中央部に向けて配置されている。このDIWノズル5には、DIW供給管15が接続されており、リンス液としてのDIWがDIW供給管15を通して供給されるようになっている。DIW供給管15の途中部には、DIWノズル5へのDIWの供給および供給停止を切り換えるためのDIWバルブ16が介装されている。
開口部17は、正面視で横長の長方形状に形成されている。開口部17の上辺および下辺は水平方向に沿って形成され、開口部17の両側辺(左辺および右辺)は鉛直方向に沿って形成されている。開口部17の周縁部には、その全周にわたって、Oリングなどのシール部材22が取り付けられている。シール部材22は、開口部17の周縁部にその全周にわたって配設されたレール23によって支持されている。
処理チャンバ2内においては、閉状態におけるシャッタ18上部の側方(水平でかつ側壁1に沿う方向)の一方側(図2で示す右側)には、庇30の上面に向けて洗浄液を吐出するための第1洗浄液吐出ノズル32と、シャッタ18の上部および庇30の下面に向けて洗浄液を吐出するための第2洗浄液吐出ノズル33と、シャッタ18の上部および庇30の上下面に向けてN2ガスを吐出するためのN2ガス吐出ノズル34とが設けられている。第1洗浄液吐出ノズル32および第2洗浄液吐出ノズル33には、洗浄液バルブ35を介して、洗浄液供給源からの洗浄液が供給されるようになっている。洗浄液としては、たとえば、DIW、電解イオン水、炭酸水、還元水、有機溶剤、過酸化水素水、希塩酸等を例示することができる。N2ガス吐出ノズル34には、N2ガスバルブ37を介して、N2ガス供給源からのN2ガスが供給されるようになっている。
第2洗浄液吐出ノズル33は、上部突出部29(または庇30)の延びる方向のほぼ延長線上において、その吐出口を、シャッタ18の上部(立上部21および上部突出部29)および庇30の下面に向けて配置されている。そのため、第2洗浄液吐出ノズル33からの洗浄液は、シャッタ18の上部および庇30の下面付近を、立上部21および上部突出部29の延びる方向(水平でかつ側壁1に沿う方向)に流れる。
開口部17の周縁部には樋24が設けられている。樋24は、正面視で倒立U字形状に形成されており、開口部17の上辺に沿って延びる上辺樋25と、開口部17の一方側(図2で示す左側)の側辺に沿って延びる側辺樋26と、開口部17の一方側(図2で示す右側)の側辺に沿って延びる側辺樋27とを備えている。樋24の底面には、受け止めた液が流通するための流通溝28が、樋24の延びる方向に沿って形成されている。
庇30の下面、上部突出部29の上面または立上部21の外面(側壁1の内面に対向する面)に液が付着していると、シャッタ18の開動作時において、これらの液が落下するおそれがある。これら落下する液は、上辺樋25によって受け止められる。
シャッタ18を開閉するための開閉機構40は、シャッタ18に連結されて、側壁1に対して近接/離反する方向にシャッタ18を進退させるための水平移動用シリンダ41と、水平移動用シリンダ41を支持する水平移動用シリンダ支持部材42と、水平移動用シリンダ支持部材42に連結され、水平移動用シリンダ41および水平移動用シリンダ支持部材42を昇降させるための昇降用シリンダ43とを備えている。昇降用シリンダ43は、その本体47が処理チャンバ2の側壁1の外面に固定されている。水平移動用シリンダ支持部材42は、水平移動用シリンダ41のロッド44が側壁1に直交する方向に沿って出没するように、水平移動用シリンダ41を支持している。
基板処理装置1は、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置50を備えている。
この制御装置50には、モータ6、SPMノズル駆動機構12、水平移動用シリンダ41、昇降用シリンダ43、洗浄液バルブ35、N2ガスバルブ37、SPMバルブ14およびDIWバルブ16が制御対象として接続されている。
レジスト除去処理に際して、制御装置50は、水平移動用シリンダ41および昇降用シリンダ43を駆動して、閉状態のシャッタ18を開状態とする(ステップS1)。その後、搬送ロボットTRによって、イオン注入処理後のウエハWが開口部17を通って処理チャンバ2内に搬入されてくる(ステップS2)。このウエハWは、レジストをアッシング(灰化)するための処理を受けておらず、その表面にはレジストが存在している。
ウエハWの回転による遠心力を受けて、ウエハWの表面に供給されたSPMは、ウエハWの表面の全域に拡がる。ウエハWの表面に供給されたSPMの強酸化力がレジストに作用し、これにより、ウエハWの表面からレジストが除去される。
次に、制御装置50は、ウエハWの回転を継続したまま、DIWバルブ16を開く。これにより、回転中のウエハWの表面の中央部に向けてDIWノズル5からDIWが吐出される(S4:リンス処理)。ウエハWの表面上に供給されたDIWにより、ウエハWの表面のSPMが洗い流される。
しかしながら、上部突出部29の上面、立上部21の外面または庇30の下面に付着したSPMが、シャッタ18の開動作時において、落下するおそれがある。また、SPMが高粘度であるために、庇30の途中部で止まったSPMが、シャッタ18の開動作時において、庇30から溢れて、落下するおそれがある。
ステップS4のリンス処理を所定時間行った後、制御装置50はDIWバルブ16を閉じて、ウエハWの表面へのDIWの供給が停止される。その後、制御装置50はモータ6を制御して、ウエハWの回転速度を所定の高回転速度(たとえば、2500〜5000rpm)に上げる。これにより、ウエハWに付着しているDIWを振り切って乾燥されるスピンドライが実行される(ステップS6)。このスピンドライによって、ウエハWに付着していたDIWがほぼ完全に除去される。このスピンドライを所定時間にわたって実行した後、制御装置50は、モータ6を制御して、スピンチャック3の回転を停止させる。チャンバ内洗浄処理のうちN2ガス吐出処理は、ステップS6のスピンドライと並行して実行される。
さらに、庇30の側方位置に配置されたN2ガス吐出ノズル34から、立上部21および上部突出部29の延びる方向に沿う方向にN2ガスが吐出される。このため、シャッタ18の上辺に沿ってN2ガスの流れが形成される。これにより、効率的に洗浄液を除去することができる。
以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。
また、洗浄液吐出ノズルは、1つであってもよいし、3つ以上であってもよい。さらに、N2ガス吐出ノズルについても複数設けてもよい。
また、庇30や樋24を省略することもできる。この場合、洗浄液吐出ノズルからの吐出液や、N2ガス吐出ノズルからのN2ガスは、閉状態のシャッタ18の上部や開口部17の上部の側壁に吐出されることが好ましい。
また、前述の説明では、チャンバ内洗浄処理は、一連のレジスト除去処理と並行して行われているとして説明したが、一連のレジスト除去処理の終了後にチャンバ内洗浄処理が実行される構成であってもよい。
2 処理チャンバ
17 開口部
18 シャッタ
20 突出部
24 樋
25 上辺樋
29 上辺突出部
30 庇
32 第1洗浄液吐出ノズル
33 第2洗浄液吐出ノズル
34 N2ガス吐出ノズル
35 洗浄液バルブ
37 N2ガスバルブ
W ウエハ(基板)
Claims (7)
- 側壁により取り囲まれ、処理液によって基板に処理を施すための処理チャンバと、
前記側壁に形成され、前記処理チャンバに対して基板を搬出または搬入する際に基板が通過する開口部と、
前記開口部を開閉するシャッタと、
閉状態の前記シャッタの上部付近に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出ノズルと、
閉状態の前記シャッタの上部付近に向けて乾燥用ガスを吐出する乾燥ガス吐出ノズルとを備えることを特徴とする、基板処理装置。 - 前記開口部の上部には、落下する液を受け止めるための樋が設けられていることを特徴とする、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記開口部の上方の前記側壁には、前記側壁の内面を伝って前記開口部に向けて流れ落ちる液を受け止めるための庇が設けられていることを特徴とする、請求項1または2記載の基板処理装置。
- 前記洗浄液吐出ノズルは、閉状態の前記シャッタの上部付近の側方から、前記シャッタの上辺にほぼ沿う方向に洗浄液を吐出することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記乾燥ガス吐出ノズルは、閉状態の前記シャッタの上部付近の側方から、前記シャッタの上辺にほぼ沿う方向に乾燥用ガスを吐出することを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記処理チャンバ内で、基板の表面に対し、レジスト剥離液を供給するためのレジスト剥離液供給手段をさらに含むことを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 側壁により取り囲まれた処理チャンバと、前記側壁に形成された開口部を開閉するシャッタとを備え、処理チャンバ内に収容された基板に対して処理液による処理を行う基板処理装置において、前記処理チャンバ内を洗浄する方法であって、
前記処理チャンバ内において、閉状態の前記シャッタの上部付近に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出ステップと、
前記洗浄液吐出ステップ後に、閉状態の前記シャッタの上部付近に向けて乾燥用ガスを吐出する乾燥ガス吐出ステップとを含むことを特徴とする、処理チャンバ内洗浄方法。
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