JP6336404B2

JP6336404B2 - 基板液処理装置、液体除去方法および記憶媒体

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Publication number: JP6336404B2
Application number: JP2015011478A
Authority: JP
Inventors: 村英樹西
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2015-01-23
Filing date: 2015-01-23
Publication date: 2018-06-06
Anticipated expiration: 2035-01-23
Also published as: JP2016136590A

Description

本発明は、基板液処理装置の流体供給部材の外表面に付着した液体を除去する技術に関する。

半導体装置の製造には、半導体ウエハ等の基板に、薬液洗浄処理、ウエットエッチング処理等の液処理が行われる。液処理は、例えば、各一枚の基板に対して、薬液洗浄工程、リンス工程、スピン乾燥工程を順次実行することにより行われる。薬液洗浄工程およびリンス工程では、水平姿勢で鉛直軸線周りに回転する基板にノズルから処理液（薬液、純水）が供給される。

薬液洗浄工程およびリンス工程では、基板上で跳ね返った処理液の飛沫がノズルの外表面に付着し、また、基板上から遠心力により振り切られてミスト状となって漂う処理液がノズルの外表面に付着する。このような経緯でノズル外表面に付着した処理液が基板表面に落下すると、欠陥の原因となり得る。

特許文献１には、純水ノズルの純水吐出口の近傍の表面にガス噴出口を設け、このガス噴出口から窒素ガスを噴射することによりノズル先端部の外表面に付着した水滴を吹き飛ばすことが記載されている。別の方法として、純水ノズルとは別に設けられたガスノズルから純水ノズルに向けてガスを吐出し、ノズル外表面に付着した水滴を吹き飛ばすことも知られている。しかし、このようにガスによって水滴を吹き飛ばすと、吹き飛ばされた水滴がミストとなって処理チャンバ内に漂う可能性がある。このため、この操作を基板が処理チャンバ内にあるときに行うと、基板を汚染する可能性がある。

特開平９−２７０４１０号公報

本発明は、流体供給部材の外表面に付着した液体を、当該液体を飛散させることなく除去する技術を提供することを目的としている。

本発明の一実施形態によれば、液処理が実施される基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部により保持された基板の上方の位置で流体を供給する流体供給部材と、電荷を発生させる帯電部材と、前記電荷が前記流体供給部材に作用する位置で、前記流体供給部材と前記帯電部材とを相対的に移動させる駆動機構と、を備えた基板液処理装置が提供される。

本発明の他の実施形態によれば、液処理が実施される基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部により保持された基板の上方の位置で流体を供給する流体供給部材と、を備えた基板液処理装置において、前記流体供給部材の外表面に付着した液体を除去する液体除去方法において、前記流体供給部材の近傍に電荷を帯びた帯電部材を配置した状態で駆動機構により前記帯電部材と前記流体供給部材とを相対的に移動させることにより、前記流体供給部材の外表面上にある液体を移動させて除去することを含む液体除去方法が提供される。

本発明のさらに他の実施形態によれば、流体供給部材を備えた基板液処理装置の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、前記コンピュータが前記基板液処理装置を制御して上記の液体除去方法を実行させて前記流体供給部材から液体を除去するプログラムが記録された記憶媒体が提供される。

本発明の上記実施形態によれば、液体を流体供給部材の外表面から除去する際、液体がミスト化して飛散することなく、液体を除去することができる。

本発明の基板液処理装置の一実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す平面図である。処理ユニットの概略構成を示す側断面図である。液体除去装置の一実施形態を示す概略斜視図である。液体除去装置の作用を説明する概略断面図である。液体除去装置の作用を説明する概略側面図である。液体除去装置の他の実施形態を示す概略平面図である。

以下に添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。

図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚のウエハＷを水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウエハＷを保持する基板保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、基板保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウエハＷの搬送を行う。

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウエハＷを保持する基板保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、基板保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウエハＷの搬送を行う。

処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウエハＷに対して所定の基板処理を行う。

また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウエハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。

処理ユニット１６へ搬入されたウエハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウエハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。

次に、処理ユニット１６の概略構成について図２を参照して説明する。図２は、処理ユニット１６の概略構成を示す図である。

図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理流体供給部４０と、回収カップ５０とを備える。

チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理流体供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。

基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウエハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウエハＷを回転させる。

処理流体供給部４０は、ウエハＷに対して処理流体を供給する。処理流体供給部４０は、処理流体供給源７０に接続される。

回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウエハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。

処理流体供給部４０はウエハＷに処理液を吐出するノズル４１を有している。ノズル４１（少なくとも液体除去対象部分であるノズル４１の先端部）は、金属イオンを生じさせず、かつ、パーティクルを発生させない材料、具体的には例えばフッ素径樹脂（具体的には例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＰＦＡ（パーフルオロアルコキシエチレン）など）により形成されている。すなわち、少なくともノズル４１の先端部は誘電体材料（すなわち電気伝導性を有しない材料）から形成されている。なお、ノズル４１の先端部の表面部のみが誘電体材料から形成されていてもよい。

ノズル４１はアーム４２の先端に保持されている。アーム４２の基端は、支持柱４３の上端に取り付けられている。支持柱４３の下端が、アーム駆動部４４に取り付けられている。アーム駆動部４４は、支持柱４３を鉛直軸線周りに回転させ、また、支持柱４３を昇降させることができる。従って、アーム駆動部４４を動作させることにより、ノズル４１を、ノズル４１がウエハＷの上方(より具体的にはウエハＷの中心部の真上）に位置する処理位置（図２に示した位置）と、ノズル４１がウエハＷの外方（より具体的には平面視で回収カップ５０よりも外側）の待避位置との間で移動させることができる。なお、アーム４２は、上記のように鉛直軸線周りに旋回運動をするものには限定されず、別の運動、例えば水平方向に並進運動するものであってもよい。

処理流体供給源７０は、薬液供給機構と純水供給機構（いずれも図示せず）を備えており、一つのノズル４１に薬液（例えばＳＣ１、ＤＨＦ等の洗浄液）と、リンス液としての純水とを選択的に供給することができる。２つまたはそれ以上の数のノズルを設け、各ノズルにそれぞれ一種類のみの処理液（薬液、リンス液）が供給されるようになっていてもよい。

ノズル４１の待避位置に対応する位置に、液受け６０が設けられている。この液受け６０は、ダミーディスペンス時にノズル４１から吐出される処理液を受けるために用いることができるものである。すなわち、本実施形態では、液受け６０を、ダミーディスペンス用の液受けと、ノズル４１外表面洗浄時にノズル４１から落下する液体の液受けとして共用する。液受け６０の底部には、液受け６０が受けた液を工場排液系に廃棄するための図示しない排液管路が接続されている。

なお、ダミーディスペンスとはノズル及びノズルに接続された処理液供給ライン内に存在する処理に不適切な組成の処理液または長期滞留した処理液をノズル及び処理液供給ライン内から廃棄する等の目的で、処理対象基板（ウエハ）とは異なる場所に向けてノズルから処理液を吐出する操作を意味する。

液受け６０の上方には、管状帯電部材２００が設けられている。本明細書において「帯電部材」という用語は、表面に電荷を帯びさせることができる部材を意味する。

図３は待避位置にあるノズル４１の周囲にある部材を概略的に示す斜視図である。待避位置にあるノズル４１の真下には、液受け６０が設けられている。本実施形態では、管状帯電部材２００は、誘電体材料（例えばフッ素系樹脂、具体的にはＰＴＦＥ、ＰＦＡ等）からなるチューブまたはパイプからなる。管状帯電部材２００は、ノズル４１の先端部（液体除去対象部分）の外径よりもやや大きな内径を有するＣリング状部分２０１と、Ｃリング状部分２０１の一端側に連なる流体導入部分２０２と、Ｃリング状部分２０１の他端側に連なる流体排出部分２０３を有する。

流体導入部分２０２には、管状帯電部材２００の内部の流路に流体、例えば窒素ガスを供給する流体供給機構２０４が接続されている。流体供給機構２０４は、流体供給源に接続された流体供給ライン２０４ａと、流体供給ライン２０４ａに介設された開閉弁２０４ｂおよび流量制御弁（流量制御機構）２０４ｃとを有している。

次に、処理ユニット１６内で実行される一連の手順について説明する。以下の一連の手順は、制御装置４の制御の下で自動的に行うことができる。

基板搬送装置１７により処理ユニット１６内にウエハＷが搬入され、保持部３１に保持される。ウエハＷが回転を開始するとともに、ノズル４１がウエハＷの中央部の真上に位置する。この状態でノズル４１からウエハＷに薬液が供給されて薬液処理工程が実施され、その後、リンス液としての純水がウエハＷに供給されてリンス工程が実施される。その後、ノズル４１からの処理液（純水）の吐出を停止し、ウエハＷを引き続き回転させた状態を維持することにより（好ましくは回転速度を増して）、ウエハＷの振り切り乾燥工程が実施される。リンス工程と振り切り乾燥工程との間に、純水をＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の乾燥補助用有機溶剤で置換する工程を実施してもよい。ノズル４１は、乾燥工程の終了前の適当なタイミングで、待避位置に移動させられる。乾燥工程が終了したら、基板搬送装置１７により処理ユニット１６からウエハＷが搬出される。以上により、一枚のウエハＷに対する一連の処理が終了する。

薬液洗浄工程およびリンス工程では、ウエハＷ上で跳ね返った処理液の飛沫がノズル４１の外表面に付着する。また、遠心力によりウエハＷの外方に飛散した処理液、および飛散した後に回収カップ５０に衝突した処理液が、ミスト状となってノズル４１の周囲を漂う。このようなミスト状の処理液もノズル４１の外表面に付着する。このようにしてノズル４１の外表面に付着した処理液由来の液体がウエハＷの表面に落下すると、欠陥の原因となり得る。また、液体中に薬液成分が含まれている場合に当該液体がノズル４１の外表面で乾燥して薬液成分が固化すると、パーティクル発生の原因ともなりうる。従って、一枚のウエハＷを処理しているときにノズル４１の外表面に付着した処理液は、次のウエハＷを処理する前に除去することが望ましい。

以下に、ノズル４１の外表面に付着した処理液（ここではリンス液である純水）を除去する手順について説明する。

ノズル４１が処理位置から待避位置に戻されるとき、純水Ｌの液滴が付着したノズル４１の先端部４１ａ（液体除去対象部分）が、管状帯電部材２００のＣリング状部分２０１の中央部の空間２０１ａに挿入される。次いで、流体供給機構２０４により窒素ガスを管状帯電部材２００内に流す。これにより、流動する窒素ガスと管状帯電部材２００の内表面に作用する摩擦により摩擦帯電が生じ、その結果、管２０１の外表面に正または負（正負は材料組み合わせに依存する）の電荷を帯びさせることができる。ここでは、正の電荷が帯電するものとする。

誘電体材料（電気伝導性を有しない材料）から形成されているノズル４１の先端部４１ａに付着した純水Ｌに、上記の正の電荷により生じる電場が作用すると、純水Ｌに誘電分極が生じる。このとき、管状帯電部材２００の外表面が帯びた電荷と逆の符号の負の電荷が、管２０１の外表面に近い側に集まる。互いに対向する正負の電荷の間には、クーロン力による吸引力が発生する（以上につき、図４および図５（ａ）を参照）。

この状態で、アーム駆動部４４によりノズル４１を上昇させて、Ｃリング状部分２０１の中央部の空間２０１ａからノズル４１の先端部４１ａを引き抜いてゆくと、先端部４１ａに付着した純水Ｌの液滴はクーロン力により先端部４１ａの外表面を下方に流れてゆき（図５（ｂ）を参照）、最後に、先端部４１ａから離れて液受け６０に落下する（図５（ｃ）を参照）。このようにして、ノズル４１の先端部４１ａに付着した純水Ｌを除去することができる。

なお、純水Ｌがノズル４１の先端部４１ａから離脱するときには大きな力が必要であるため、そのときの（図５の（ｂ）から（ｃ）への移行時）ノズル４１の移動速度を低くするか、あるいはＣリング状部分２０１が帯びる電荷を大きくすることが好ましい。Ｃリング状部分２０１が帯びる電荷を大きくするためには、例えば、流量制御弁２０４ｃの開度を調節して窒素ガスの流量を増大させて、摩擦を増大させればよい。なお、図５の（ａ）〜（ｃ）より明らかなように、純水Ｌのノズル４１からの除去（離脱）は、Ｃリング状部分２０１を純水Ｌに接触させることなく行われる。

上記の実施形態によれば、クーロン力を利用してノズル４１に付着した液体を除去しているため、ノズル４１にガスを吹き付けることによって液体を除去する場合に生じる液体のミスト化が生じることがない。このため、ミストによりチャンバ２０内の環境に悪影響を及ぼすことなくノズル４１から液体を除去することができる。このため、ウエハＷがチャンバ２０内に存在していても、ウエハＷを汚染することなく、ノズル４１の外表面を洗浄することができる。このため、処理ユニット１６における各一枚のウエハＷの搬出入および処理のスケジュールを柔軟に設定することができる。

上記の実施形態では、管状帯電部材２００の外表面に電荷を生じさせるために、管状帯電部材２００の内部の流路に窒素ガスを流したが、これには限定されない。管状帯電部材２００に流す流体は、当該流体と管２０１の内表面との間に作用する摩擦により管状帯電部材２００に帯電が生じるようなものであればよい。例えば、管状帯電部材２００に流す流体は、純水のミストと空気からなる二流体であってもよいし、ＩＰＡ等の有機溶剤の液体であってもよい。ＩＰＡはＰＴＦＥ等のフッ素系材料からなるチューブを帯電させる傾向が強いため、帯電量の大きさを重視するならば、ＩＰＡを使用することは好適である。一方、窒素ガスはチャンバ２０内に排出してもチャンバ２０内の環境に悪影響を及ぼすことはなく、また、安全性も高いという利点がある。また、窒素ガスをチャンバ２０内に排出するならば、流体排出部分２０３の長さを短くすることができ、管状帯電部材２００の全長を短くすることができる。このため、管状帯電部材２００を流れるガスの流速を容易に高めることができ、より効率良くＣリング状部分２０１を帯電させることができる。

上記の実施形態では、管状帯電部材２００（Ｃリング状部分２０１）とノズル４１との相対的な移動を生じさせるために、ノズル４１を昇降させたが、これには限定されない。管状帯電部材２００を昇降させる駆動機構（図示せず）を設け、ノズル４１を静止させた状態で管状帯電部材２００を昇降させてもよい。あるいは、管状帯電部材２００およびノズル４１の両方を動かしてもよい。もっとも、既存のノズル昇降機構（アーム駆動部４４）をそのまま利用できるため、上述した実施形態のようにノズル４１を昇降させることが装置のトータルコストの増大防止の観点から好ましい。

上記の実施形態では帯電部材に電荷を発生させるために摩擦帯電を利用したが、これに代えて、例えば図６に示すような電場発生装置を利用してもよい。電場発生装置は、直流電源２０６、好ましくは可変直流電源に接続された一対の電極２０７、２０８を帯電部材として用いてもよい。この場合、一対の電極２０７、２０８はキャパシタ（コンデンサ）となり、電極（正極）２０７、電極（負極）２０８にはそれぞれ正、負の電荷が帯電し、両電極２０７、２０８間には電場が生じる。帯電した電極２０７，２０８間にノズル４１の先端部４１ａを挿入すると、先端部４１ａ上に付着した純水Ｌに誘電分極が生じる。すなわち、正極２０７に近い純水Ｌの表面には負の電荷が集まり、負極２０８に近い純水Ｌの表面には正の電荷が集まり、互いに対向する正負の電荷の間には、クーロン力による吸引力が発生する。従って、前述した実施形態と同様に、電極２０７，２０８とノズル４１とを相対移動させることにより、クーロン力を利用してノズル４１の先端部４１ａの外表面から純水Ｌを除去することができる。電極２０７、２０８も、液受け６０の上方に設けることが好ましい。

このキャパシタを用いた代替実施形態は、電荷およびクーロン力の制御が容易に行えるため、効率良く液体の除去が可能となる利点がある。一方、前述した流体、特に窒素ガスを用いた実施形態では、構造が簡潔で、かつ、安全性が高いという利点がある。

上記の実施形態では、除去対象液体は誘電体と見なすことができる純水であったが、純水に限らず、有機溶剤であってもよい。また、除去対象液体は、誘電体と見なすことができるものに限定されず、酸性またはアルカリ性の薬液、すなわちイオン（水素イオン、水酸化物イオン等）を含む導電性の液体であってもよい。この場合、電荷を帯びさせた帯電部材（例えばＣリング状部分２０１）を接近させると、クーロン力により液体中の陽（陰）イオンは負(正）の電荷を有する帯電部材の表面に引き寄せられるので、上述した実施形態と同様に電荷を帯びさせた帯電部材とノズル４１とを相対移動させることにより、ノズル４１表面に付着した液体を除去することができる。

上記の実施形態では、液体除去対象がノズル４１の先端部４１ａであったが、これには限定されない。液体除去対象は、ノズル４１の上部を含むノズル４１の全外表面であってもよく、ノズル４１を保持するアーム４２であってもよい。すなわち、液体除去対象は、基板の上方の位置で流体の供給に関与する部材言い換えれば流体供給部材の任意の部位とすることができる。ノズル４１が処理位置にあるときに、ノズル４１の上側の部分から、あるいは、回収カップ５０の上部開口部の真上に位置するアーム４２の部分から、これらの部分に付着した液がウエハＷに垂れ落ちることもある。このためこれらの部分に付着している液を除去することも有益である。アーム４２に付着した液を除去するには、アーム４２の周囲に例えばＣ字断面の帯電部材２００’（図１に鎖線で示した）を配置し、帯電部材２００’をアーム４２の長手方向に移動させればよい。

上記の実施形態において、処理ユニット１６で処理される基板は、半導体ウエハＷに限らず、ＬＣＤ用のガラス基板、セラミック基板等、半導体装置製造の技術分野で用いられる任意の基板とすることができる。

３１基板保持部（保持部）
４１流体供給部材（ノズル）
４２流体供給部材（アーム）
４４駆動機構
２００，２０７，２０８帯電部材
２００誘電体材料からなる管
２０４流体供給装置
２０６電源
２０７，２０８電極

Claims

液処理が実施される基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部により保持された基板の上方の位置で流体を供給する流体供給部材と、
電荷を発生させる帯電部材と、
前記電荷が前記流体供給部材に作用する位置で、前記流体供給部材と前記帯電部材とを相対的に移動させる駆動機構と、を備え、
前記駆動機構により前記流体供給部材と前記帯電部材とを相対的に移動させることにより、前記流体供給部材の外表面上に付着した液を、クーロン力による吸引力によって前記流体供給部材の前記外表面上を移動させ、前記帯電部材に接触させることなく前記流体供給部材の前記外表面から除去する、基板液処理装置。
前記駆動機構は、前記流体供給部材を動かすことにより、前記流体供給部材と前記帯電部材とを相対的に移動させる、請求項１記載の基板液処理装置。
前記帯電部材は、誘電体材料からなる管からなり、
前記基板液処理装置は、前記管の内部に流体を流す流体供給装置をさらに備え、前記管の内部を流れる流体と前記管の内表面との間に作用する摩擦に起因して、前記管の外表面が電荷を帯びる、請求項１記載の基板液処理装置。
前記管は湾曲しており、前記流体供給部材と前記帯電部材が相対的に移動するとき、前記管は前記流体供給部材の周囲に位置する、請求項３記載の基板液処理装置。
前記流体はガスである、請求項３または４記載の基板液処理装置。
一対の電極と、前記電極間に電圧を印加する直流電源とを有する電場発生装置を備え、前記流体供給部材と前記帯電部材が相対的に移動するとき、前記一対の電極のうちの少なくとも一方が前記帯電部材であり、前記流体供給部材と前記帯電部材が相対的に移動するとき、前記流体供給部材は前記一対の電極の間に位置する、請求項１記載の基板液処理装置。
前記流体供給部材は前記基板保持部により保持された基板に処理流体を吐出するノズルを含み、前記ノズルを、前記基板保持部により保持された基板の上方に位置する処理位置と、前記基板保持部により保持された基板の外方に位置する待避位置との間で移動させるノズル移動機構をさらに備え、前記帯電部材は前記待避位置に設けられ、前記ノズル移動機構が前記駆動機構として用いられる、請求項１記載の基板液処理装置。
前記帯電部材の下方に液受けを設けた、請求項７記載の基板液処理装置。
液処理が実施される基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部により保持された基板の上方の位置で流体を供給する流体供給部材と、を備えた基板液処理装置において、前記流体供給部材の外表面に付着した液体を除去する液体除去方法において、
前記流体供給部材の近傍に電荷を帯びた帯電部材を配置した状態で駆動機構により前記帯電部材と前記流体供給部材とを相対的に移動させることにより、前記流体供給部材の外表面上に付着した液体を、クーロン力による吸引力によって前記流体供給部材の前記外表面上を移動させ、前記帯電部材に接触させることなく前記流体供給部材の前記外表面から除去することを含む液体除去方法。
前記駆動機構は前記流体供給部材を移動させる移動機構からなり、前記流体供給部材を動かすことにより前記帯電部材と前記流体供給部材とを相対的に移動させる、請求項９記載の液体除去方法。
前記帯電部材は誘電体材料からなる管からなり、前記管の内部に流体を流すことにより当該流体と前記管の内表面との間に作用する摩擦力により前記管の外表面を帯電させる、請求項９記載の液体除去方法。
前記管は湾曲しており、前記流体供給部材と前記帯電部材が相対的に移動するとき、前記管は前記流体供給部材の周囲に位置する、請求項１１記載の液体除去方法。
電源を接続することにより前記帯電部材を帯電させる、請求項９記載の液体除去方法。
前記流体供給部材は前記基板保持部により保持された基板に処理流体を吐出するノズルを含み、このノズルを移動させるノズル移動機構により前記ノズルを動かすことにより、前記帯電部材と前記流体供給部材としての前記ノズルとを相対的に移動させる、請求項９記載の液体除去方法。
前記帯電部材の下方に液受けを設け、前記ノズルから除去された液体を前記液受けで受ける、請求項１４記載の液体除去方法。
流体供給部材を備えた基板液処理装置の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、前記コンピュータが前記基板液処理装置を制御して請求項９から１２のうちのいずれか一項に記載の液体除去方法を実行させて前記流体供給部材の外表面から液体を除去するプログラムが記録された記憶媒体。