KR101699984B1 - 액 처리 장치 및 액 처리 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 처리실 내로 복수의 노즐 지지 아암을 진출시킬 수 있는 액 처리 장치 및 액 처리 방법을 제공한다.
본 발명의 액 처리 장치(10)는, 처리실(20)과, 기판 유지부(21)에 유지된 기판(W)에 대하여 유체를 공급하기 위한 노즐(82a)과, 노즐(82a)을 지지하는 노즐 지지 아암(82)과, 처리실(20)에 인접하여 설치되고, 이 처리실(20)로부터 후퇴한 노즐 지지 아암(82)이 대기하기 위한 아암 대기부(80)를 구비하고 있다. 액 처리 장치(10)에 있어서, 노즐 지지 아암(82p 내지 82u)은 복수 설치되어 있고, 노즐 지지 아암(82p, 82r, 82t)은 노즐 지지 아암(82q, 82s, 82u)과 높이 레벨이 다르게 되어 있다.

Description

액 처리 장치 및 액 처리 방법{LIQUID PROCESSING APPARATUS AND LIQUID PROCESSING METHOD}

본 발명은, 기판을 수평 상태로 유지한 상태로 회전시키면서 이 기판에 처리액을 공급함으로써 기판의 세정 처리나 에칭 처리, 도금 처리, 현상 처리 등의 액 처리를 실행하는 액 처리 장치 및 액 처리 방법에 관한 것이다.

종래부터, 반도체 웨이퍼 등의 기판(이하, 웨이퍼라고도 칭함)을 수평 상태로 유지한 상태로 회전시키면서 이 기판의 표면이나 이면에 처리액을 공급함으로써 기판의 세정 처리나 에칭 처리, 도금 처리, 현상 처리 등의 액 처리를 실행하는 액 처리 장치로서, 여러 가지 종류의 것이 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 등 참조). 특허문헌 1에는, 기판을 스핀척에 의해 수평으로 유지하여 회전시키고, 스핀척에 의해 유지되어 회전하는 기판의 표면에 처리액을 공급하여, 기판을 1장씩 처리하는 매엽식의 액 처리 장치가 개시되어 있다. 또한, 이러한 매엽식의 액 처리 장치에 있어서는, 처리실의 상측에 FFU(팬 필터 유닛)을 설치하고, 이 FFU로부터 N2 가스(질소 가스)나 클린 에어 등의 가스를 다운플로우로 처리실 내로 보내는 기술이 알려져 있다.

처리실의 상측에 FFU가 설치된 액 처리 장치의 구성에 관해서 도 11 및 도 12를 이용하여 설명한다. 도 11은, 종래의 액 처리 장치의 개략적인 구성을 도시하는 측면도이고, 도 12는, 도 11에 도시하는 종래의 액 처리 장치의 평면도이다. 도 11 및 도 12에 도시한 바와 같이, 종래의 액 처리 장치(200)는, 웨이퍼(W)가 수용되고, 이 수용된 웨이퍼(W)의 액 처리가 행해지는 처리실(챔버; 210)을 갖추고 있다. 도 11 및 도 12에 도시한 바와 같이, 처리실(210)내에는, 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키기 위한 유지부(220)가 설치되어 있고, 이 유지부(220)의 주위에는 컵(230)이 배치되어 있다. 또한, 종래의 액 처리 장치(200)에서는, 유지부(220)에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여 컵(230)의 상측으로부터 처리액을 공급하기 위한 노즐(240) 및 이 노즐(240)을 지지하는 아암(241)이 처리실(210) 내에 설치된다. 또한, 아암(241)에는 대략 수직 방향으로 연장되는 아암 지지부(242)가 설치되어 있고, 이 아암 지지부(242)에 의해 아암(241)이 지지되어 있다. 그리고 아암 지지부(242)는 도시하지 않는 구동 기구에 의해 정역 양방향으로 회전 구동하게 되어 있다. 이에 의해, 아암(241)은 아암 지지부(242)를 중심으로 하여 정역 양방향으로 회전 가능하게 되고, 이 아암(241)은, 유지부(220)에 의해 유지된 웨이퍼(W)에 처리액을 공급하는 진출 위치(도 12의 실선 참조)와 컵(230)으로부터 후퇴한 후퇴 위치(도 12의 이점쇄선 참조)의 사이에서 아암 지지부(242)를 중심으로 하여 회전 이동을 하게 된다(도 12의 화살표 참조).

또한, 도 11에 도시한 바와 같이, 처리실(210)의 상측에는 FFU(팬 필터 유닛; 250)이 설치되어 있고, 이 FFU(250)으로부터 N2 가스(질소 가스)나 클린 에어 등의 가스가 항상 다운플로우로 처리실(210) 내로 보내지게 되어 있다. 또한, 처리실(210)의 바닥부에는 배기부(260)가 마련되어 있고, 이 배기부(260)에 의해 처리실(210) 내의 분위기의 배기가 행해지게 되어 있다. 이와 같이, FFU(250)로부터 처리실(210) 내에 클린 에어 등의 가스가 다운플로우로 보내지고, 이 가스가 배기부(260)에 의해 배기됨으로써, 처리실(210) 내의 분위기의 치환이 행해지게 되어 있다.

일본 특허 공개 2009-94525호 공보

도 11 및 도 12에 도시한 바와 같은 종래의 액 처리 장치(200)에서는, 노즐(240)을 지지하는 아암(241)이나 이 아암(241)을 지지하는 아암 지지부(242)가 처리실(210) 내에 설치된다. 이 때문에, 도 11 및 도 12에 도시한 바와 같은 종래의 액 처리 장치(200)에서는, 아암(241)에 부착된 오물이 처리실(210) 내의 웨이퍼(W)에 낙하하여 부착될 우려가 있다. 또한, 처리실(210) 내에서 웨이퍼(W)의 액 처리를 행할 때에 약액 등이 비산하여 아암(241)에 부착되면, 이 약액이 아암(241)에 잔존하게 되고, 그 후의 웨이퍼(W)의 처리에 있어서 이 잔존 약액의 분위기에 의해 웨이퍼(W)가 오염되는 등의 악영향을 끼칠 우려가 있다.

본 발명은, 이러한 점을 고려하여 이루어진 것으로, 노즐을 지지하는 노즐 지지 아암을 처리실로부터 후퇴시켜 아암 대기부에서 대기시킴으로써, 기판의 액 처리를 행할 때에 비산된 약액이 노즐 지지 아암에 부착하지 않도록 할 수 있고, 또한, 처리실 내로 복수의 노즐 지지 아암이 진출할 수 있는 액 처리 장치 및 액 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 액 처리 장치는, 기판을 유지하는 기판 유지부 및 이 기판 유지부의 주위에 배치되는 컵이 내부에 설치된 처리실과, 상기 기판 유지부에 유지된 기판에 대하여 유체를 공급하기 위한 노즐과, 상기 노즐을 지지하고, 상기 처리실 내로 진출한 진출 위치와 상기 처리실로부터 후퇴한 후퇴 위치의 사이에서 수평 방향으로 이동할 수 있게 되어 있는 노즐 지지 아암과, 상기 처리실에 인접하여 설치되고, 이 처리실로부터 후퇴한 상기 노즐 지지 아암이 대기하기 위한 아암 대기부와, 상기 처리실과 상기 아암 대기부의 사이에 설치되고 수직 방향으로 연장되는 벽을 구비하며, 상기 노즐 지지 아암은 복수 설치되어 있고, 적어도 하나의 노즐 지지 아암은 다른 노즐 지지 아암과 높이 레벨이 상이한 것을 특징으로 한다.

이러한 액 처리 장치에 따르면, 노즐 지지 아암은 복수 설치되어 있고, 적어도 하나의 노즐 지지 아암은 다른 노즐 지지 아암과 높이 레벨이 다르게 되어 있기 때문에, 높이 레벨이 다른 2 이상의 노즐 지지 아암이 처리실 내로 진출하더라도, 처리실 내로 진출한 2 이상의 노즐 지지 아암끼리가 서로 충돌하는 것을 방지할 수 있다.

본 발명의 액 처리 장치에 있어서는, 높이 레벨이 서로 다른 복수의 상기 노즐 지지 아암이 동시에 상기 처리실 내로 진출할 수 있게 되더라도 좋다.

구체적으로는, 제1 유체를 공급하기 위한 노즐을 지지하는 상기 노즐 지지 아암은, 상기 제1 유체와는 종류가 다른 제2 유체를 공급하기 위한 노즐을 지지하는 상기 노즐 지지 아암과 높이 레벨이 다르게 되어 있고, 상기 기판 유지부에 유지된 기판에 대하여 상기 제1 유체를 공급한 후에, 이 기판에 있어서 상기 제1 유체가 공급된 개소에 상기 제2 유체를 공급할 때에, 상기 제1 유체를 공급하기 위한 노즐을 지지하는 상기 노즐 지지 아암 및 상기 제2 유체를 공급하기 위한 노즐을 지지하는 상기 노즐 지지 아암이 동시에 상기 처리실 내로 진출하도록 되어 있어도 좋다.

이때에, 상기 제1 유체는 IPA이고, 상기 제2 유체는 가스이며, 상기 기판 유지부에 유지된 기판에 대하여 상기 제1 유체인 IPA를 공급한 후에 이 기판에 있어서 IPA가 공급된 개소에 상기 제2 유체인 가스를 공급함으로써 기판을 건조 처리하여도 좋다.

또한, 제1 유체를 공급하기 위한 노즐을 지지하는 상기 노즐 지지 아암은, 상기 제1 유체와는 종류가 다른 제2 유체를 공급하기 위한 노즐을 지지하는 상기 노즐 지지 아암과 높이 레벨이 다르게 되어 있고, 상기 기판 유지부에 유지된 기판에 대하여 상기 제1 유체를 공급한 후에 계속해서 이 기판에 상기 제2 유체를 공급할 때에, 상기 제1 유체를 공급하기 위한 노즐을 지지하는 상기 노즐 지지 아암 및 상기 제2 유체를 공급하기 위한 노즐을 지지하는 상기 노즐 지지 아암이 동시에 상기 처리실 내로 진출하도록 되어 있어도 좋다.

이때에, 상기 제1 유체는 약액이고, 상기 제2 유체는 물이며, 상기 기판 유지부에 유지된 기판에 대하여 상기 제1 유체인 약액을 공급한 후에 계속해서 이 기판에 상기 제2 유체인 물을 공급함으로써 기판의 약액 처리 및 린스 처리가 연속하여 행해지도록 하여도 좋다.

본 발명의 액 처리 장치에 있어서는, 상기 각 노즐 지지 아암은, 상기 처리실 내부와 상기 아암 대기부의 사이에서 직진 운동을 하여도 좋다.

본 발명의 액 처리 방법은, 처리실의 내부에 설치된 기판 유지부에 의해 기판을 유지시키는 공정과, 노즐을 지지하는 노즐 지지 아암을 상기 처리실 내로 진출시키는 공정과, 상기 처리실 내로 진출한 노즐 지지 아암의 노즐에 의해, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판에 유체를 공급하는 공정을 포함하며, 상기 노즐 지지 아암은 복수 설치되어 있고, 제1 유체를 공급하기 위한 노즐을 지지하는 상기 노즐 지지 아암은, 상기 제1 유체와는 종류가 다른 제2 유체를 공급하기 위한 노즐을 지지하는 상기 노즐 지지 아암과 높이 레벨이 다르게 되어 있고, 상기 기판 유지부에 유지된 기판에 대하여 상기 제1 유체를 공급할 때에, 상기 제1 유체를 공급하기 위한 노즐에 의한 유체 토출 위치의 근방에 상기 제2 유체를 공급하기 위한 노즐이 위치하도록, 상기 제1 유체를 공급하기 위한 노즐을 지지하는 상기 노즐 지지 아암 및 상기 제2 유체를 공급하기 위한 노즐을 지지하는 상기 노즐 지지 아암이 동시에 상기 처리실 내로 진출하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 액 처리 장치 및 액 처리 방법에 따르면, 처리실 내로 복수의 노즐 지지 아암을 진출시킬 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 액 처리 장치를 포함하는 액 처리 시스템을 상측으로부터 본 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 따른 액 처리 장치의 개략적인 구성을 도시하는 평면도이다.
도 3은 도 2에 도시하는 액 처리 장치의 측면도이다.
도 4는 도 2에 도시하는 액 처리 장치의 구성의 상세를 도시하는 종단면도로서, 컵 외주통이 하측 위치에 있을 때의 상태를 도시한 도면이다.
도 5는 도 2에 도시하는 액 처리 장치의 구성의 상세를 도시하는 종단면도로서, 컵 외주통이 상측 위치에 있을 때의 상태를 도시한 도면이다.
도 6A의 (a)는, 도 4 등에 도시하는 액 처리 장치에 있어서의 유지 플레이트에 설치된 유지 부재의 구성을 도시하는 확대 종단면도이며, (b)는, (a)에 도시하는 상태로부터 리프트핀 플레이트가 아래쪽으로 이동했을 때의 상태를 도시하는 확대 종단면도이며, (c)는, (b)에 도시하는 상태로부터 리프트핀 플레이트가 더 아래쪽으로 이동했을 때의 상태를 도시하는 확대 종단면도이다.
도 6B는 도 4 등에 도시하는 액 처리 장치에 있어서의 컵 외주통의 구성을 도시하는 사시도이다.
도 7은 도 2 등에 도시하는 액 처리 장치에 있어서의 처리실 및 6개의 노즐 지지 아암을 도시하는 사시도이다.
도 8은 도 7에 도시하는 노즐 지지 아암의 확대 사시도이다.
도 9는 도 7 등에 도시하는 각 노즐 지지 아암을, 이들 노즐 지지 아암의 후방으로부터 처리실을 향하여 보았을 때의 구성을 도시한 도면이다.
도 10은 도 7 등에 도시하는 노즐 지지 아암의 구성의 상세를 도시하는 측단면도이다.
도 11은 종래의 액 처리 장치의 개략적인 구성을 도시하는 측면도이다.
도 12는 도 11에 도시하는 종래의 액 처리 장치의 평면도이다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 관해서 설명한다. 도 1 내지 도 10은, 본 실시형태에 따른 액 처리 장치를 도시한 도면이다. 보다 상세하게, 도 1은, 본 발명의 실시형태에 따른 액 처리 장치를 포함하는 액 처리 시스템을 상측으로부터 본 평면도이다. 또한, 도 2는, 본 발명의 실시형태에 따른 액 처리 장치의 개략적인 구성을 도시하는 평면도이며, 도 3은, 도 2에 도시하는 액 처리 장치의 개략적인 구성을 도시하는 측면도이다. 또한, 도 4 및 도 5는, 도 2에 도시하는 액 처리 장치의 구성의 상세를 도시하는 종단면도이다. 또한, 도 6A는, 도 4 등에 도시하는 액 처리 장치에 있어서의 유지 플레이트에 설치된 유지 부재의 구성을 도시하는 확대 종단면도이며, 도 6B는, 도 4 등에 도시하는 액 처리 장치에 있어서의 컵 외주통의 구성을 도시하는 사시도이다. 또한, 도 7 내지 도 10은, 도 2 등에 도시하는 액 처리 장치에 설치된 노즐 지지 아암의 구성을 도시한 도면이다.

우선, 도 1을 이용하여, 본 실시형태에 따른 액 처리 장치를 포함하는 액 처리 시스템에 관해서 설명한다. 도 1에 도시한 바와 같이, 액 처리 시스템은, 외부에서 피처리 기판으로서의 반도체 웨이퍼 등의 기판(W)[이하, 웨이퍼(W)라고도 칭함]을 수용한 캐리어를 얹어 놓기 위한 배치대(101)와, 캐리어에 수용된 웨이퍼(W)를 취출하기 위한 반송 아암(102)과, 반송 아암(102)에 의해서 취출된 웨이퍼(W)를 얹어 놓기 위한 선반 유닛(103)과, 선반 유닛(103)에 배치된 웨이퍼(W)를 수취하고, 이 웨이퍼(W)를 액 처리 장치(10) 내에 반송하는 반송 아암(104)을 구비하고 있다. 도 1에 도시한 바와 같이, 액 처리 시스템에는, 복수(도 1에 도시하는 양태에서는 4개)의 액 처리 장치(10)가 설치된다.

다음으로, 본 실시형태에 따른 액 처리 장치(10)의 개략적인 구성에 관해서 도 2 및 도 3을 이용하여 설명한다.

도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 본 실시형태에 따른 액 처리 장치(10)는, 웨이퍼(W)가 수용되고, 이 수용된 웨이퍼(W)의 액 처리가 행해지는 처리실(챔버; 20)을 갖추고 있다. 도 3에 도시한 바와 같이, 처리실(20) 내에는, 웨이퍼(W)를 수평 상태로 유지하고 회전시키기 위한 유지부(21)가 설치되어 있고, 이 유지부(21)의 주위에는 링형의 회전컵(40)이 배치되어 있다. 또한, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 처리실(20) 내에서 회전컵(40)의 주위에는 원통형의 컵 외주통(50)이 배치되어 있다. 후술하는 바와 같이, 이 컵 외주통(50)은 웨이퍼(W)의 처리상황에 따라서 승강 가능하게 되어 있다. 이들 유지부(21), 회전컵(40) 및 컵 외주통(50)의 구성의 상세에 관하여는 후술한다.

또한, 액 처리 장치(10)에는, 유지부(21)에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여 웨이퍼(W)의 상측으로부터 처리액이나 N2 가스 등의 유체를 공급하기 위한 노즐(82a) 및 이 노즐(82a)을 지지하는 노즐 지지 아암(82)이 설치된다. 도 2에 도시한 바와 같이, 하나의 액 처리 장치(10)에는 복수(구체적으로는 예컨대 6개)의 노즐 지지 아암(82)이 설치되어 있고, 각 노즐 지지 아암(82)의 선단에 노즐(82a)이 설치된다. 또한, 도 3에 도시한 바와 같이, 각 노즐 지지 아암(82)에는 아암 지지부(84)가 설치되어 있고, 각 아암 지지부(84)는 후술하는 아암 구동 기구(85)에 의해서 도 3에 있어서의 좌우 방향으로 구동되도록 되어 있다. 이에 의해, 각 노즐 지지 아암(82)은, 노즐(82a)이 처리실(20) 내로 진출한 진출 위치와, 노즐(82a)이 처리실(20)로부터 후퇴한 후퇴 위치의 사이에서 수평 방향으로 직선 운동을 행하게 되어 있다[도 2 및 도 3에 있어서의 각 노즐 지지 아암(82)에 병기된 화살표 참조]. 또한, 도 3에 도시한 바와 같이, 각 노즐 지지 아암(82)에는 표면 처리액 공급관(82m)이 설치되어 있고, 각 표면 처리액 공급관(82m)은 표면 처리액 공급부(89)에 접속되어 있다. 그리고 표면 처리액 공급부(89)로부터 각 표면 처리액 공급관(82m)을 통해 각 노즐 지지 아암(82)의 노즐(82a)에 처리액이나 N2 가스 등의 유체가 공급되도록 되어 있다.

도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 액 처리 장치(10)에 있어서, 아암 대기부(80)가 처리실(20)에 인접하여 설치된다. 이 아암 대기부(80)에서, 처리실(20)로부터 후퇴한 노즐 지지 아암(82)이 대기하도록 되어 있다. 또한, 아암 대기부(80)와 처리실(20)의 사이에는 수직 방향으로 연장되는 벽(90)이 설치된다. 이 벽(90)은, 각 노즐 지지 아암(82)이 통과할 수 있는 개구(88p)가 마련된 아암 세정부(88)를 갖고 있다. 이 아암 세정부(88)에 의해 각 노즐 지지 아암(82)의 세정이 행해지게 되어 있다. 아암 세정부(88)의 구성의 상세에 관하여는 후술한다.

또한, 도 3에 도시한 바와 같이, 처리실(20)의 상측에는 FFU(팬 필터 유닛; 70)이 설치되어 있고, 이 FFU(70)로부터 N2 가스(질소 가스)나 클린 에어 등의 가스가 다운플로우로 처리실(20) 내로 보내지게 되어 있다. 또한, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 처리실(20)의 바닥부에 있어서의 컵 외주통(50)의 내측에는 배기부(54)가 설치되어 있고, 이 배기부(54)에 의해 처리실(20) 내의 분위기가 배기되게 되어 있다. 이와 같이, FFU(70)로부터 처리실(20) 내에 클린 에어 등의 가스가 다운플로우로 보내지고, 이 가스가 배기부(54)에 의해 배기됨으로써, 처리실(20) 내의 분위기의 치환이 행해지게 되어 있다.

또한, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 처리실(20)의 바닥부에 있어서의 컵 외주통(50)의 외측에는 배기부(56)가 설치되어 있고, 이 배기부(56)에 의해 처리실(20) 내의 분위기가 배기되게 되어 있다. 이 배기부(56)에 의해, 처리실(20) 내에서의 컵 외주통(50)의 외측의 분위기를 배기할 수 있게 되어 있다. 구체적으로는, 배기부(56)에 의해, 아암 대기부(80) 내의 분위기가 컵 외주통(50) 내에 들어가는 것이 방지된다. 또한, 이 배기부(56)에 의해, 컵 외주통(50) 내의 분위기가 아암 대기부(80)로 나오는 것이 억지된다.

또한, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 아암 대기부(80)의 바닥부에는 배기부(58)가 설치되어 있고, 이 배기부(58)에 의해 아암 대기부(80) 내의 분위기가 배기되게 되어 있다. 구체적으로는, 각 노즐 지지 아암(82)을 구동하기 위한 아암 구동 기구(85)(후술)로부터 발생하는 파티클을 배기부(58)에 의해 빼낼 수 있게 되어 있다.

또한, 도 2에 도시한 바와 같이, 액 처리 장치(10)의 처리실(20) 및 아암 대기부(80)의 출입구에는 각각 메인터넌스용의 셔터(60, 62)가 설치된다. 처리실(20) 및 아암 대기부(80)에 각각 메인터넌스용의 셔터(60, 62)가 설치됨으로써, 이들 처리실(20) 내나 아암 대기부(80) 내의 기기를 개별로 메인터넌스할 수 있다. 또한, 처리실(20) 내에서 웨이퍼(W)를 한창 처리하고 있는 중에도, 셔터(62)를 개방함으로써 아암 대기부(80) 내의 기기를 메인터넌스할 수 있게 된다.

또한, 도 2에 도시한 바와 같이, 액 처리 장치(10)의 측벽에는, 반송 아암(104)에 의해 처리실(20) 내로 웨이퍼(W)를 반입하거나 처리실(20)로부터 웨이퍼(W)를 반출하거나 하기 위한 개구(94a)가 마련되어 있고, 이 개구(94a)에는, 이 개구(94a)를 개폐하기 위한 셔터(94)가 설치된다.

또한, 도 2에 도시하는 액 처리 장치(10)에 있어서, 처리실(20) 내에서의 컵 외주통(50)의 내부의 영역은 클린 룸에 대하여 미세 양압으로 되어 있는 한편, 처리실(20) 내에서의 컵 외주통(50)의 외측의 영역은 클린 룸에 대하여 미세 음압으로 되어 있다. 이 때문에, 처리실(20) 내에서, 컵 외주통(50)의 내부 영역의 기압은 컵 외주통(50)의 외측 영역의 기압보다 크다.

다음으로, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같은 액 처리 장치(10)의 구성의 상세에 관해서 도 4 및 도 5를 이용하여 설명한다.

도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 유지부(21)는, 웨이퍼(W)를 유지하기 위한 원판 형상의 유지 플레이트(26)와, 유지 플레이트(26)의 상측에 설치된 원판 형상의 리프트핀 플레이트(22)를 구비하고 있다. 리프트핀 플레이트(22)의 상면에는, 웨이퍼(W)를 하측에서 지지하기 위한 리프트핀(23)이 주위 방향으로 등간격으로 3개 설치된다. 도 4 및 도 5에서는 2개의 리프트핀(23)만을 표시하고 있다. 또한, 리프트핀 플레이트(22)에는 피스톤 기구(24)가 설치되어 있고, 이 피스톤 기구(24)에 의해 리프트핀 플레이트(22)가 승강하도록 되어 있다. 보다 구체적으로는, 반송 아암(104; 도 1 참조)에 의해 웨이퍼(W)를 리프트핀(23) 상에 얹어 놓거나 리프트핀(23) 상으로부터 웨이퍼(W)를 취출하거나 할 때에는, 피스톤 기구(24)에 의해 리프트핀 플레이트(22)를 도 4 등에 도시한 바와 같은 위치로부터 상측으로 이동시켜, 이 리프트핀 플레이트(22)가 회전컵(40)보다 상측에 위치하도록 한다. 한편, 처리실(20) 내에서 웨이퍼(W)의 액 처리를 하는 때는, 피스톤 기구(24)에 의해 리프트핀 플레이트(22)를 도 4 등에 도시한 바와 같은 하측 위치로 이동시켜, 웨이퍼(W)의 주위에 회전컵(40)이 위치하도록 한다.

유지 플레이트(26)에는, 웨이퍼(W)를 측방으로부터 지지하기 위한 유지 부재(25)가 주위 방향으로 등간격으로 3개 설치된다. 도 4 및 도 5에서는 2개의 유지 부재(25)만을 표시하고 있다. 각 유지 부재(25)는, 리프트핀 플레이트(22)가 상측 위치로부터 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같은 하측 위치로 이동한 때에 이 리프트핀(23) 상의 웨이퍼(W)를 지지하고, 이 웨이퍼(W)를 리프트핀(23)으로부터 약간 이격시키도록 되어 있다.

리프트핀 플레이트(22) 및 유지 플레이트(26)의 구성에 관해서, 도 6A를 이용하여 보다 상세히 설명한다. 도 6A에서, (a)는, 리프트핀 플레이트(22)가 상측 위치로부터 도 4 등에 도시한 바와 같은 하측 위치로 이동하는 도중의 상태를 도시한 도면이며, (b)는, (a)에 도시하는 상태로부터 리프트핀 플레이트(22)가 아래쪽으로 이동했을 때의 상태를 도시한 도면이며, (c)는, (b)에 도시하는 상태로부터 리프트핀 플레이트(22)가 더 아래쪽으로 이동하여, 리프트핀 플레이트(22)가 도 4 등에 도시한 바와 같은 하측 위치에 도달했을 때의 상태를 도시한 도면이다.

도 6A에 도시한 바와 같이, 유지 부재(25)는 축(25a)을 통해 유지 플레이트(26)에 피봇 지지되어 있다. 보다 상세하게는, 도 6A에 도시한 바와 같이, 유지 플레이트(26)에는 베어링부(26a)가 부착되어 있고, 이 베어링부(26a)에 설치된 베어링 구멍(26b)에 축(25a)이 수용된다. 베어링 구멍(26b)은 수평 방향으로 연장되는 가늘고 긴 구멍으로 이루어지고, 유지 부재(25)의 축(25a)은 이 베어링 구멍(26b)을 따라서 수평 방향으로 이동할 수 있다. 이와 같이 하여, 유지 부재(25)는, 베어링부(26a)의 베어링 구멍(26b)에 수용된 축(25a)을 중심으로 요동할 수 있다.

유지 부재(25)의 축(25a)에는, 토션 스프링 등의 스프링 부재(25d)가 감겨져 있다. 이 스프링 부재(25d)는, 유지 부재(25)를 축(25a)을 중심으로 도 6A에서의 시계 방향으로 회전시키는 힘을 유지 부재(25)에 가하도록 되어 있다. 이에 따라, 유지 부재(25)에 아무런 힘이 가해지지 않을 경우에는, 유지 부재(25)가 유지 플레이트(26)에 대하여 경사진 상태로 되어, 웨이퍼(W)를 측방으로부터 지지하기 위한 유지 부재(25)의 지지 부분(25b; 후술)은 유지 플레이트(26)의 중심으로부터 멀어진 상태로 된다.

또한, 축(25a)에 감겨진 스프링 부재(25d)로부터는 선형 부분이 연장되고, 이 선형 부분은 베어링부(26a)의 내벽면(26c)에 계지되어, 축(25a)을 유지 플레이트(26)의 중심을 향하여 되돌린다. 이와 같이, 스프링 부재(25d)의 선형 부분에 의해, 축(25a)은 유지 플레이트(26)의 중심을 향하여(즉, 도 6A에서의 좌측 방향을 향해서) 항상 압박된다. 이 때문에, 비교적 직경이 작은 웨이퍼(W)가 유지 부재(25)에 의해 유지되는 경우에는, 축(25a)은, 도 6A에 도시한 바와 같이, 베어링 구멍(26b)에서의 유지 플레이트(26)의 중심에 가까운 위치(즉, 도 6A에서의 좌측의 위치)에 위치한다. 한편, 비교적 직경이 큰 웨이퍼(W)가 유지 부재(25)에 의해 지지되는 경우에는, 스프링 부재(25d)의 선형 부분에 의한 힘에 대항하여, 축(25a)은 베어링 구멍(26b)을 따라서 도 6A에 도시하는 위치로부터 우측 방향으로 이동한다. 여기서의 웨이퍼(W)의 직경의 대소는, 허용 치수 오차 내에서의 웨이퍼(W)의 직경의 대소를 의미한다.

또한, 유지 부재(25)는, 웨이퍼(W)를 측방으로부터 지지하는 지지 부분(25b)과, 축(25a)에 대해서 지지 부분(25b)과 반대측에 설치된 피압박 부재(25c)를 갖고 있다. 피압박 부재(25c)는, 리프트핀 플레이트(22)와 유지 플레이트(26)의 사이에 설치되어 있고, 이 피압박 부재(25c)는, 도 6A에 도시한 바와 같이 리프트핀 플레이트(22)가 하측 위치 또는 그 근방 위치에 있는 때에 해당 리프트핀 플레이트(22)의 하면에 의해 아래쪽을 향해서 압박된다.

도 6A에 도시한 바와 같이, 유지 부재(25)는, 리프트핀 플레이트(22)가 상측 위치로부터 하측 위치로 이동한 때에, 해당 리프트핀 플레이트(22)의 하면에 의해 피압박 부재(25c)가 아래쪽으로 압박됨으로써 축(25a)을 중심으로 도 6A에서의 반시계 방향(도 6A에서의 화살표 방향)으로 회전한다. 그리고 유지 부재(25)가 축(25a)을 중심으로 회전함으로써, 지지 부분(25b)이 웨이퍼(W)를 향하여 이 웨이퍼(W)의 측방으로부터 이동한다. 이에 따라, 리프트핀 플레이트(22)가 하측 위치에 도달한 때에, 도 6A의 (c)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)가 유지 부재(25)에 의해 측방으로부터 지지된다. 여기서, 도 6A의 (c)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)가 유지 부재(25)에 의해 측방으로부터 지지된 때에, 이 웨이퍼(W)는 리프트핀(23)의 선단으로부터 상측으로 이격되어, 리프트핀(23)으로부터 상측에 부유한 상태로 된다. 또한, 상술한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 크기에 따라서는, 스프링 부재(25d)의 선형 부분에 의한 힘에 대항하여 축(25a)이 베어링 구멍(26b)을 따라서 도 6A에 도시하는 위치로부터 우측 방향으로 이동하는 경우도 있다. 이 때문에, 비교적 큰 웨이퍼(W)가 유지 부재(25)에 의해 지지되는 경우에도, 유지 부재(25)가 수평 방향으로 이동 가능하기 때문에, 웨이퍼(W)를 변형시키거나 파손시키거나 하지 않고 웨이퍼(W)를 측방으로부터 지지할 수 있다.

또한, 리프트핀 플레이트(22) 및 유지 플레이트(26)의 중심 부분에는 각각 관통 구멍이 형성되어 있고, 이들 관통 구멍을 통하도록 처리액 공급관(28)이 설치된다. 이 처리액 공급관(28)은, 유지 플레이트(26)의 각 유지 부재(25)에 의해 유지된 웨이퍼(W)의 이면에 약액이나 순수 등의 처리액을 공급하도록 되어 있다. 또한, 처리액 공급관(28)은 리프트핀 플레이트(22)와 연동하여 승강하도록 되어 있다. 처리액 공급관(28)의 상단에는, 리프트핀 플레이트(22)의 관통 구멍을 막도록 설치된 헤드 부분(28a)이 형성되어 있다. 또한, 도 4 등에 도시한 바와 같이, 처리액 공급관(28)에는 처리액 공급부(29)가 접속되어 있고, 이 처리액 공급부(29)에 의해 처리액 공급관(28)에 처리액이 공급되도록 되어 있다.

도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 유지부(21)의 주위에는 링형의 회전컵(40)이 배치되어 있다. 이 회전컵(40)은 유지 플레이트(26)에 부착되어 있고, 유지 플레이트(26)와 일체적으로 회전하도록 되어 있다. 보다 상세하게는, 회전컵(40)은, 유지 플레이트(26)의 각 유지 부재(25)에 의해 지지된 웨이퍼(W)를 측방으로부터 둘러싸도록 설치되어 있고, 웨이퍼(W)의 액 처리를 실시할 때에 이 웨이퍼(W)로부터 측방으로 비산한 처리액을 받게 되어 있다.

또한, 회전컵(40)의 주위에는, 드레인컵(42), 제1 안내컵(43), 제2 안내컵(44) 및 제3 안내컵(45)이 상측으로부터 순서대로 설치된다. 드레인컵(42) 및 각 안내컵(43, 44, 45)은 각각 링형으로 형성되어 있다. 여기서, 드레인컵(42)은 처리실(20)에서 고정되어 있다. 한편, 각 안내컵(43, 44, 45)에는 각각 승강 실린더(도시 생략)가 연결되어 있고, 이들 안내컵(43, 44, 45)은 대응하는 승강 실린더에 의해 상호 독립적으로 승강 가능하게 되어있다.

도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 드레인컵(42)이나 각 안내컵(43, 44, 45)의 아래쪽에는, 제1 처리액 회수용 탱크(46a), 제2 처리액 회수용 탱크(46b), 제3 처리액 회수용 탱크(46c) 및 제4 처리액 회수용 탱크(46d)가 각각 설치된다. 그리고 각 안내컵(43, 44, 45)의 상하 방향에 있어서의 위치에 따라, 웨이퍼(W)의 액 처리를 실시할 때에 이 웨이퍼(W)로부터 측방으로 비산한 처리액이, 이 처리액의 종류에 기초하여, 4개의 처리액 회수용 탱크(46a, 46b, 46c, 46d) 중 어느 하나의 처리액 회수용 탱크에 선택적으로 보내지게 되어 있다. 구체적으로는, 모든 안내컵(43, 44, 45)이 전부 상측 위치에 있는 때에는(도 4 및 도 5에 도시한 바와 같은 상태), 웨이퍼(W)로부터 측방으로 비산한 처리액은 제4 처리액 회수용 탱크(46d)로 보내지게 되어 있다. 한편, 제3 안내컵(45)만이 하측 위치에 있는 때에는, 웨이퍼(W)로부터 측방으로 비산한 처리액은 제3 처리액 회수용 탱크(46c)로 보내지게 되어 있다. 또한, 제2 안내컵(44) 및 제3 안내컵(45)이 하측 위치에 있는 때에는, 웨이퍼(W)로부터 측방으로 비산한 처리액은 제2 처리액 회수용 탱크(46b)로 보내지게 되어 있다. 또한, 모든 안내컵(43, 44, 45)이 하측 위치에 있는 때에는, 웨이퍼(W)로부터 측방으로 비산한 처리액은 제1 처리액 회수용 탱크(46a)로 보내지게 되어 있다.

또한, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 제4 처리액 회수용 탱크(46d)의 내측에는 배기부(48)가 설치된다. 그리고 각 안내컵(43, 44, 45)의 상하 방향에 있어서의 위치가 소정의 위치로 됨으로써, 웨이퍼(W)의 주위의 분위기가, 배기부(48)에 의해 배기되도록 되어 있다.

또한, 본 실시형태의 액 처리 장치(10)에 있어서는, 처리실(20) 내에서 드레인컵(42)이나 각 안내컵(43, 44, 45)의 주위에 컵 외주통(50)이 설치된다. 이 컵 외주통(50)은, 도 4에 도시한 바와 같은 하측 위치와 도 5에 도시한 바와 같은 상측 위치의 사이에서 승강 가능하게 되어 있다. 또한, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 컵 외주통(50)에는, 노즐 지지 아암(82)이 통과할 수 있는 개구(50m)가 마련된다. 컵 외주통(50)은, 도 5에 도시한 바와 같은 상측 위치에 있는 때에, 컵 외주통(50) 내의 영역을 외부에 대하여 격리하도록 되어 있다.

이러한 컵 외주통(50)의 구성의 상세에 관해서 도 6B를 이용하여 설명한다. 도 6B는, 컵 외주통(50)의 구성을 도시하는 사시도이다. 도 6B에 도시한 바와 같이, 컵 외주통(50)의 측면에는, 노즐 지지 아암(82)이 통과할 수 있는 개구(50m)가, 노즐 지지 아암(82)의 개수에 따라서 마련된다[예컨대 노즐 지지 아암(82)이 6개인 경우, 6개의 개구(50m)가 마련된다]. 또한, 컵 외주통(50)의 상부에는, 이 컵 외주통(50)을 지지하기 위한 지지 부재(50a)가 연결되어 있고, 지지 부재(50a)에는 이 지지 부재(50a)를 승강시키는 구동 기구(50b)가 설치된다. 그리고 구동 기구(50b)에 의해 지지 부재(50a)를 승강시킴으로써, 이 지지 부재(50a)에 지지되는 컵 외주통(50)도 승강하도록 되어 있다.

또한, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, FFU(70)에는 가이드 부재(51)가 부착되어 있다. 이 가이드 부재(51)는, 도 5에 도시한 바와 같이 컵 외주통(50)이 상측 위치에 있는 때에, 이 컵 외주통(50)으로부터 내측으로 약간 거리를 두고 위치하도록 배치되어 있다. 또한, 본 실시형태의 액 처리 장치(10)에 있어서는, 도 5에 도시한 바와 같이 컵 외주통(50)이 상측 위치에 있는 때에는, 컵 외주통(50) 내의 기압은 컵 외주통(50)의 외측의 기압보다 크게 되어 있다. 이 때문에, 컵 외주통(50)이 상측 위치에 있는 때에는, FFU(70)에 의해 생기는 처리실(20) 내의 다운플로우의 가스가, 가이드 부재(51)에 의해 컵 외주통(50)의 상단 근방에서 해당 컵 외주통(50)의 내측으로부터 외측으로 안내되도록 되어 있다.

또한, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 처리실(20) 내에는, 컵 외주통(50)을 세정하기 위한 세정부(52)가 설치된다. 이 세정부(52)는, 순수 등의 세정액을 저류하기 위한 저류 부분(52a)을 갖고 있고, 도 4에 도시한 바와 같이 컵 외주통(50)이 하측 위치에 있는 때에 이 컵 외주통(50)이 저류 부분(52a)에 저류된 세정액에 침지되게 되어 있다. 세정부(52)는, 저류 부분(52a)에 저류된 세정액에 컵 외주통(50)이 침지됨으로써, 이 컵 외주통(50)을 세정하게 되어 있다. 저류 부분(52a)에 저류되는 세정액으로서는, 예컨대 실온 이상, 바람직하게는 40℃ 이상, 더욱 바람직하게는 60℃ 이상의 순수 등이 이용된다. 저류 부분(52a)에 저류되는 세정액의 온도가 높은 경우에는, 컵 외주통(50)에 대한 세정 효과가 더욱 커진다.

도 4에 도시한 바와 같이, 컵 외주통(50)이 하측 위치에 있는 때에는, 이 컵 외주통(50)의 대부분이 저류 부분(52a)에 저류된 세정액에 침지되게 된다. 또한, 도 5에 도시한 바와 같이, 컵 외주통(50)이 상측 위치에 있는 때에도, 이 컵 외주통(50)의 하부가 저류 부분(52a)에 저류된 세정액에 침지되게 된다. 이 때문에, 컵 외주통(50)이 상측 위치에 있는 때에는, 저류 부분(52a)에 저류된 세정액과 컵 외주통(50)의 하부의 사이에서 워터 시일을 행하고, 컵 외주통(50)의 상부와 가이드 부재(51)의 사이가 좁게 되기 때문에, 컵 외주통(50) 내의 영역을 외부로부터 격리할 수 있게 된다.

또한, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 처리실(20) 내에서, 세정부(52)의 내측에는 처리실(20) 내의 분위기를 배기하기 위한 배기부(54)가 설치되어 있고, 또한, 세정부(52)의 외측에는 처리실(20) 내의 분위기를 배기하기 위한 배기부(56)가 설치된다. 이러한 배기부(54) 및 배기부(56)가 설치됨으로써, 컵 외주통(50)이 도 4에 도시한 바와 같은 하측 위치에 있는 때에는, 이들 배기부(54) 및 배기부(56)에 의해 처리실(20)내 전체의 분위기를 배기할 수 있다. 한편, 컵 외주통(50)이 도 5에 도시한 바와 같은 상측 위치에 있는 때에는, 컵 외주통(50) 내의 영역이 외부로부터 격리되기 때문에, 배기부(54)에 의해 컵 외주통(50)의 내부의 분위기를 배기할 수 있고, 또한, 배기부(56)에 의해 컵 외주통(50)의 외측의 분위기를 배기할 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 하나의 액 처리 장치(10)에 복수(구체적으로는 예컨대 6개)의 노즐 지지 아암(82)이 설치되어 있고, 각 노즐 지지 아암(82)의 선단에 노즐(82a)이 설치된다. 구체적으로는, 각 노즐(82a)은, 각각, 제1 약액(구체적으로는, 예컨대 산성 약액), 제2 약액(구체적으로는, 예컨대 알칼리성 약액), 순수, N2 가스, IPA(이소프로필알콜), 순수의 미스트를 웨이퍼(W)의 상면에 공급하도록 되어 있다.

이하, 본 실시형태에 있어서의 노즐 지지 아암(82)의 구성에 관해서 도 7 내지 도 10을 이용하여 상세하게 설명한다. 여기서, 도 7은, 도 2 등에 도시하는 액 처리 장치(10)에 있어서의 처리실(20) 및 6개의 노즐 지지 아암(82p 내지 82u)을 도시하는 사시도이며, 도 8은, 도 7에 도시하는 각 노즐 지지 아암(82p 내지 82u)의 확대 사시도이다. 또한, 도 9는, 도 7 등에 도시하는 각 노즐 지지 아암(82p 내지 82u)을, 이들 노즐 지지 아암(82p 내지 82u)의 후방으로부터 처리실(20)을 향하여 보았을 때의 구성을 도시한 도면이며, 도 10은, 도 7 등에 도시하는 각 노즐 지지 아암(82p 내지 82u)의 구성의 상세를 도시하는 측단면도이다.

도 7에 도시한 바와 같이, 6개의 노즐 지지 아암(82)은, 예컨대 순수 공급용 아암(82p), 제1 약액 공급용 아암(82q), N2 가스 공급용 아암(82r), 제2 약액 공급용 아암(82s), 순수의 미스트 공급용 아암(82t) 및 IPA 공급용 아암(82u)으로 구성되어 있다. 상술한 바와 같이, 이들 아암(82p 내지 82u)의 선단에는 노즐(82a)이 설치된다. 이와 같이 하여, 순수 공급용 아암(82p)의 선단에 설치된 노즐(82a)에서는 순수가 웨이퍼(W)의 상면에 공급되고, 제1 약액 공급용 아암(82q)의 선단에 설치된 노즐(82a)에서는 제1 약액(구체적으로는, 예컨대 산성 약액)이 웨이퍼(W)의 상면에 공급되며, N2 가스 공급용 아암(82r)의 선단에 설치된 노즐(82a)에서는 N2 가스가 웨이퍼의 상면에 공급되도록 되어 있다. 또한, 제2 약액 공급용 아암(82s)의 선단에 설치된 노즐(82a)에서는 제2 약액(구체적으로는, 예컨대 알칼리성 약액)이 웨이퍼(W)의 상면에 공급되고, 순수의 미스트 공급용 아암(82t)의 선단에 설치된 노즐(82a)에서는 순수의 미스트가 웨이퍼(W)의 상면에 공급되며, IPA 공급용 아암(82u)의 선단에 설치된 노즐(82a)에서는 IPA가 웨이퍼(W)의 상면에 공급되도록 되어 있다.

도 8 및 도 10에 도시한 바와 같이, 각 노즐 지지 아암(82)에는, 이 노즐 지지 아암(82)을 직진 운동시키기 위한 아암 구동 기구(85)가 설치된다. 아암 구동 기구(85)는, 베이스 부재(85d)에 부착되고 정역 양방향으로 회전하는 모터(85a)와, 모터(85a)에 대향하도록 베이스 부재(85d)에 부착된 풀리(85b)와, 모터(85a) 및 풀리(85b)에 감겨진 순환 벨트(85c)와, 순환 벨트(85c)에 부착된 벨트 부착 부재(85e)를 갖고 있다. 여기서, 벨트 부착 부재(85e)는, 노즐 지지 아암(82)을 지지하는 아암 지지부(84)의 하부에 부착되어 있고, 벨트 부착 부재(85e) 및 아암 지지부(84)는 일체적으로 이동하도록 되어 있다. 그리고 이러한 아암 구동 기구(85)에 있어서, 모터(85a)가 회전함으로써 순환 벨트(85c)가 도 10에 있어서의 우측 방향 또는 좌측 방향으로 이동하여, 이 순환 벨트(85c)에 부착된 벨트 부착 부재(85e)가 도 10에 있어서의 우측 방향 또는 좌측 방향으로 이동함으로써, 아암 지지부(84)가 도 10에 있어서의 좌우 방향으로 직진 운동을 하게 된다. 이와 같이 하여, 아암 지지부(84)에 지지되는 노즐 지지 아암(82)도 도 10에 있어서의 좌우 방향으로 직진 운동을 한다.

본 실시형태의 액 처리 장치(10)에 있어서는, 아암 구동 기구(85)가 처리실(20)의 외부에 설치됨으로써, 이 아암 구동 기구(85)로부터 발생하는 먼지 등이 처리실(20) 내로 들어가는 것을 억제할 수 있다. 또한, 처리실(20) 내의 분위기가 아암 구동 기구(85)에 도달하는 것을 억제할 수 있다.

또한, 도 9에 도시한 바와 같이, 상술한 6개의 아암(82p 내지 82u) 중, 순수 공급용 아암(82p), N2 가스 공급용 아암(82r) 및 순수의 미스트 공급용 아암(82t)은 동일한 높이 레벨에 설치되어 있다. 보다 구체적으로는, 도 9에 있어서, 이들 아암(82p, 82r, 82t)은, 도 9에 있어서의 이점쇄선 A로 둘러싸이는 영역의 높이 레벨에 설치되어 있다. 한편, 상술한 6개의 아암(82p 내지 82u) 중에서, 제1 약액 공급용 아암(82q), 제2 약액 공급용 아암(82s) 및 IPA 공급용 아암(82u)도 동일한 높이 레벨에 설치되어 있다. 보다 구체적으로는, 도 9에 있어서, 이들 아암(82q, 82s, 82u)은, 도 9에 있어서의 이점쇄선 B로 둘러싸이는 영역의 높이 레벨에 설치되어 있다. 그리고 도 9에 도시한 바와 같이, 순수 공급용 아암(82p), N2 가스 공급용 아암(82r) 및 순수의 미스트 공급용 아암(82t)은, 각각 제1 약액 공급용 아암(82q), 제2 약액 공급용 아암(82s) 및 IPA 공급용 아암(82u)보다 높은 위치에 설치되어 있다.

또한, 본 실시형태의 액 처리 장치(10)에 있어서는, 높이 레벨이 서로 다른 복수의 아암(82p 내지 82u)이 동시에 처리실(20) 내에 진출한 때에 아암끼리 서로 충돌하거나 간섭하지 않게 되어 있다.

본 실시형태의 액 처리 장치(10)에 있어서는, 웨이퍼(W)의 건조 처리를 실시하는데 있어서, 처리실(20) 내에서 유지부(21)에 의해 유지된 웨이퍼(W)에 대하여 IPA를 공급한 후, 이 웨이퍼(W)에 있어서 IPA가 공급된 개소에 N2 가스를 공급하도록 되어 있다. 이 경우, N2 가스 공급용 아암(82r) 및 IPA 공급용 아암(82u)이 동시에 처리실(20) 내로 진출한다. 여기서, 전술한 바와 같이, N2 가스 공급용 아암(82r) 및 IPA 공급용 아암(82u)은 상호 높이 레벨이 다르게 되어 있다. 보다 상세하게는, N2 가스 공급용 아암(82r)은 도 9에 있어서의 이점쇄선 A로 둘러싸이는 영역의 높이 레벨에 설치되어 있는데 대하여, IPA 공급용 아암(82u)은 도 9에 있어서의 이점쇄선 B로 둘러싸이는 영역의 높이 레벨에 설치되어 있다.

그리고 처리실(20) 내에서, IPA 공급용 아암(82u)에 설치된 노즐(82a)로부터 IPA가 분사되는 웨이퍼(W) 상의 영역에 대하여, N2 가스 공급용 아암(82r)에 설치된 노즐(82a)로부터 N2 가스가 분사되는 웨이퍼(W) 상의 영역이 뒤를 따르도록, 이들 IPA 공급용 아암(82u) 및 N2 가스 공급용 아암(82r)을 처리실(20) 내에서 이동시킨다. 이 때에, N2 가스 공급용 아암(82r) 및 IPA 공급용 아암(82u)은 상호 높이 레벨이 다르기 때문에, 이들 아암(82r, 82u)이 서로 간섭하는 일은 없다. 이와 같이 하여, 처리실(20) 내로 진출한 IPA 공급용 아암(82u)에 설치된 노즐(82a)로부터 웨이퍼(W)에 대하여 IPA를 공급한 후에, 이 웨이퍼(W)에서의 IPA가 공급된 개소에 대하여 처리실(20) 내로 진출한 N2 가스 공급용 아암(82r)에 설치된 노즐(82a)로부터 N2 가스를 공급할 수 있게 된다.

또한, 다른 예로서는, 웨이퍼(W)에 대하여 산성이나 알칼리성의 약액에 의해 처리를 하는 데에 있어서는, 처리실(20) 내에서 유지부(21)에 의해 유지된 웨이퍼(W)에 대하여 약액을 공급한 후에 중단하지 않고 계속해서 이 웨이퍼(W)에 순수를 공급하여 린스 처리를 하게 되어 있다. 이 경우, 제1 약액 공급용 아암(82q)[또는 제2 약액 공급용 아암(82s)] 및 순수 공급용 아암(82p)이 동시에 처리실(20) 내로 진출한다. 여기서, 전술한 바와 같이, 순수 공급용 아암(82p) 및 제1 약액 공급용 아암(82q)[또는 제2 약액 공급용 아암(82s)]은 상호 높이 레벨이 다르게 되어 있다. 보다 상세하게는, 순수 공급용 아암(82p)은 도 9에 있어서의 이점쇄선 A로 둘러싸이는 영역의 높이 레벨에 설치되어 있는데 대하여, 제1 약액 공급용 아암(82q)[또는 제2 약액 공급용 아암(82s)]은 도 9에 있어서의 이점쇄선 B로 둘러싸이는 영역의 높이 레벨에 설치되어 있다.

그리고 처리실(20) 내에서, 유지부(21)에 의해 유지된 웨이퍼(W)에 대하여 약액을 공급한 후에 중단하지 않고 계속해서, 이 웨이퍼(W)에 순수를 공급하도록, 순수 공급용 아암(82p) 및 제1 약액 공급용 아암(82q)[또는 제2 약액 공급용 아암(82s)]을 처리실(20) 내에서 이동시킨다. 이 때에, 순수 공급용 아암(82p) 및 제1 약액 공급용 아암(82q)[또는 제2 약액 공급용 아암(82s)]은 상호 높이 레벨이 다르게 되어 있기 때문에, 이들 아암(82p, 82q)[또는 아암(82p, 82s)]이 서로 간섭하는 일은 없다. 이와 같이 하여, 처리실(20) 내로 진출한 제1 약액 공급용 아암(82q)[또는 제2 약액 공급용 아암(82s)]에 설치된 노즐(82a)로부터 웨이퍼(W)에 대하여 약액을 공급한 후에, 처리실(20) 내로 진출한 순수 공급용 아암(82p)에 설치된 노즐(82a)로부터 순수를 중단하지 않고 계속해서 공급하여 린스 처리를 할 수 있게 된다.

도 10에 도시한 바와 같이, 각 아암(82p 내지 82u)은 이중 배관 구조로 되어 있다. 보다 상세하게는, 각 아암(82p 내지 82u)은 내부 배관(82b) 및 외부 배관(82c)으로 구성되어 있다. 내부 배관(82b)은 노즐(82a)에 연통하고 있어, 이 내부 배관(82b)으로부터 노즐(82a)에 유체가 보내지게 되어 있다. 내부 배관(82b)은 예컨대 불소계 수지로 구성되어 있다. 또한, 내부 배관(82b)은 외부 배관(82c)으로 덮어지게 되어 있고, 이 외부 배관(82c)은 예컨대 스테인리스강 파이프에 불소계 수지를 코팅한 것으로 이루어진다.

또한, 도 8 및 도 10 등에 도시한 바와 같이, 각 아암(82p 내지 82u)의 후단측에 있어서 이들 아암(82p 내지 82u)의 외측에는, 각 내부 배관(82b)에 연통하는 스파이럴 형상 배관(83p 내지 83u)이 각각 설치된다. 각 스파이럴 형상 배관(83p 내지 83u)은 가요성 재료로 형성되어 있다. 구체적으로는, 각 스파이럴 형상 배관(83p 내지 83u)은 예컨대 불소계 수지 등의 튜브가 스파이럴 형상으로 구부려짐으로써 형성되어 있다. 도 7, 도 8 및 도 10에 도시한 바와 같이, 각 스파이럴 형상 배관(83p 내지 83u)은, 대응하는 아암(82p 내지 82u)이 후퇴 위치에 있는 때에, 이들 아암(82p 내지 82u)이 연장되는 방향에 직교하는 평면(즉, 수직 방향으로 연장되는 평면) 위에서 스파이럴 형상으로 되도록 구성되어 있다. 그리고 각 스파이럴 형상 배관(83p 내지 83u)에 약액 등의 유체가 보내짐으로써, 각 아암(82p 내지 82u)의 내부에 설치된 내부 배관(82b)을 지나서 노즐(82a)로부터 유체가 아래쪽으로 분사되도록 되어 있다. 또한, 각 스파이럴 형상 배관(83p 내지 83u)은 가요성 재료로 형성되어 있기 때문에, 대응하는 아암(82p 내지 82u)이 처리실(20) 내로 진출한 경우에는, 스파이럴 형상 배관(83p 내지 83u)은 도 8에 도시한 바와 같은 스파이럴 형상으로부터 변형되어 원추나선 형상(선단이 서서히 가늘게 되는 것과 유사한 나선형상)으로 된다.

또한, 본 실시형태의 액 처리 장치(10)에 있어서는, 각 아암(82p 내지 82u)은, 해당 아암(82p 내지 82u)의 이동 방향을 따른 길이방향 축을 중심으로 하여 회전 가능하게 되어 있다. 구체적으로는, 도 8에 도시한 바와 같이, 각 아암(82p 내지 82u)에는 회전 기구(86)가 설치되어 있고, 이 회전 기구(86)에 의해 각 아암(82p 내지 82u)은 도 8에 있어서의 화살표 방향으로 회전하도록 되어 있다. 각 아암(82p 내지 82u)을 회전시킴으로써, 노즐(82a)의 방향을 도 10에 도시한 바와 같은 하향으로부터 다른 방향으로 바꿀 수 있게 된다. 또한, 각 스파이럴 형상 배관(83p 내지 83u)은 스파이럴 형상으로 되어 있고, 아울러 가요성 재료로 형성되어 있기 때문에, 회전 기구(86)에 의해 각 아암(82p 내지 82u)을 회전시킨 경우에도, 대응하는 스파이럴 형상 배관(83p 내지 83u)은 아암(82p 내지 82u)의 회전에 맞추어 원활하게 변형되어, 아암(82p 내지 82u)의 회전이 각 스파이럴 형상 배관(83p 내지 83u)에 의해 방해받는 일은 없다.

회전 기구(86)는, 유지부(21)에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여 노즐(82a)에 의해 유체를 공급할 때에, 이 노즐(82a)을 지지하는 아암(82p 내지 82u)을 선택적으로 길이방향 축을 중심으로 하여 회전시키게 되어 있다. 구체적으로는, 유지부(21)에 유지된 웨이퍼(W)의 주연부에 노즐(82a)이 근접하면, 이 노즐(82a)의 방향은 하향으로부터 비스듬히 경사지도록 아암(82p 내지 82u)이 회전하게 되어 있다. 이에 의해, 유지부(21)에 유지된 웨이퍼(W)의 주연부에 있어서, 노즐(82a)로부터 경사 하방으로 유체가 분사됨으로써, 노즐(82a)로부터 웨이퍼(W)에 공급된 유체, 구체적으로는 약액 등의 액체에 관해서, 웨이퍼(W)의 주연부 상에서 액이 튀는 것을 억제할 수 있게 된다. 이와 같이, 회전 기구(86)는, 노즐(82a)이 웨이퍼(W)의 중심에 위치하는 경우와 노즐(82a)이 웨이퍼(W)의 주연부에 위치하는 경우에, 노즐(82a)의 방향을 바꿀 수 있게 되어 있다.

또한, 회전 기구(86)는, 각 아암(82p 내지 82u)이 진출 위치와 후퇴 위치의 사이에서 이동할 때에, 노즐(82a)이 하향 이외의 방향, 구체적으로는 예컨대 상향으로 되도록, 길이방향 축을 중심으로 하여 아암(82p 내지 82u)을 회전시키게 되어 있다. 이에 의해, 아암(82p 내지 82u)을 이동시킬 때에 노즐(82a)로부터 약액 등의 액체가 흘러내리는 것을 방지할 수 있다.

또한, 도 7 및 도 10에 도시한 바와 같이, 각 아암(82p 내지 82u)에는, 이들 아암(82p 내지 82u)을 세정하기 위한 아암 세정부(88)가 아암(82p 내지 82u)마다 위치 고정되게 설치된다. 각 아암 세정부(88)는, 각각 대응하는 아암(82p 내지 82u)이 이동할 때에 해당 아암(82p 내지 82u)을 세정하게 되어 있다. 이러한 각 아암 세정부(88)에 의한 각 아암(82p 내지 82u)의 세정 타이밍은 자유롭게 설정할 수 있게 되어 있으며, 구체적으로는, 각 아암(82p 내지 82u)의 세정은, 예컨대 처리할 때마다, 또는 하루 1회, 또는 한달에 1회 행하도록 되어 있다.

아암 세정부(88)의 구성의 상세에 관해서 도 10을 이용하여 설명한다. 도 10에 도시한 바와 같이, 아암 세정부(88)에는, 노즐 지지 아암(82)(82p 내지 82u)이 통과하는 관통 구멍이 수평 방향(도 10에 있어서의 좌우 방향)으로 연장되도록 마련된다. 이 관통 구멍의 단면은, 노즐 지지 아암(82)의 단면보다 약간 크게 되어 있다. 또한, 이 관통 구멍에는, 세정액이 수용되는 수용 부분(88a)이 설치된다. 또한, 수용 부분(88a)에는 세정액 공급관(88b)이 접속되어 있고, 세정액 공급관(88b)으로부터 수용 부분(88a)에 세정액이 공급되도록 되어 있다. 수용 부분(88a)에 세정액이 공급되면, 이 수용 부분(88a) 내에서 노즐 지지 아암(82)의 외주면 상에 액막이 퍼지게 되어 있다. 그리고 아암 세정부(88)에 있어서, 수용 부분(88a)에 수용된 세정액에 노즐 지지 아암(82)(82p 내지 82u)의 일부가 접촉하면서 해당 노즐 지지 아암(82)이 이동함으로써 노즐 지지 아암(82)의 세정이 행해지게 되어 있다.

또한, 아암 세정부(88)에 있어서, 노즐 지지 아암(82)의 이동 방향(도 10에서의 좌우 방향)에 있어서의 수용 부분(88a)보다도 처리실(20)에 가까운 전방 위치 및 수용 부분(88a)보다도 처리실(20)로부터 먼 후방 위치에는 각각 흡인 기구(88c, 88d)가 설치된다. 이들 흡인 기구(88c, 88d)는, 수용 부분(88a)에 수용된 세정액이 이 수용 부분(88a)으로부터 외부로 누설된 때에 누설된 분만큼의 세정액을 흡인하여 배액하도록 되어 있다. 또한, 흡인 기구가 반드시 노즐 지지 아암(82)의 이동 방향으로 수용 부분(88a)보다도 전방 위치 및 후방 위치의 양방에 설치되어야 하는 것은 아니고, 그 대신에, 노즐 지지 아암(82)의 이동 방향으로 수용 부분(88a)보다도 전방 위치 또는 후방 위치 중 어느 한쪽에만 흡인 기구가 설치되어 있더라도 좋다.

또한, 흡인 기구(88c, 88d)는, 노즐 지지 아암(82)이 세정된 후에, 이 노즐 지지 아암(82)에 부착된 액적을 흡인함으로써, 노즐 지지 아암(82)을 건조하게 되어 있다.

또한, 아암 세정부(88)에 있어서, 노즐 지지 아암(82)의 이동 방향으로 수용 부분(88a)보다도 후방 위치에는, 노즐 지지 아암(82)의 내부 배관(82b)에 잔류한 약액 등의 액체를 배출하기 위한 배액 부분(88e)이 설치된다. 또한, 배액 부분(88e)에는 드레인관(88f)이 접속되어 있고, 배액 부분(88e)으로 보내진 액체는 드레인관(88f)에 의해 배출되도록 되어 있다. 그리고 노즐(82a)이 배액 부분(88e)의 바로 위에 위치하도록 노즐 지지 아암(82)이 이동하여, 노즐 지지 아암(82)의 내부 배관(82b)에 잔류한 약액 등의 액체가 노즐(82a)로부터 배액 부분(88e)으로 토출되도록 되어 있다. 이러한 배액 부분(88e)이 설치됨으로써, 웨이퍼(W)의 액 처리가 종료한 후, 노즐 지지 아암(82)의 내부 배관(82b)에 액체가 잔류하고 있는 경우에도, 이 노즐 지지 아암(82)에 설치된 노즐(82a)을 이용하여 다음의 액 처리를 실시할 때에, 내부 배관(82b)에 잔류한 액체를 미리 이 내부 배관(82b)으로부터 배출할 수 있게 된다. 특히, 웨이퍼(W)에 고온의 약액 등을 노즐(82a)로부터 공급할 때에는, 노즐 지지 아암(82)의 내부 배관(82b)에 잔류하고 있는 액체가 식어 있는 경우가 많기 때문에, 이 식어 있는 잔류 액체를 배액 부분(88e)에 의해 미리 내부 배관(82b)으로부터 배출하는 것이 바람직하다.

또한, 배액 부분(88e)은, 노즐 지지 아암(82)의 이동 방향으로 수용 부분(88a)보다도 후방 위치가 아니라 수용 부분(88a)보다도 전방 위치에 설치되더라도 좋다. 이 경우에도, 노즐(82a)이 배액 부분(88e)의 바로 위에 위치하도록 노즐 지지 아암(82)이 이동하여, 노즐(82a)로부터 약액을 토출함으로써, 노즐 지지 아암(82)의 내부 배관(82b)에 잔류한 약액 등의 액체가 노즐(82a)로부터 배액 부분(88e)으로 보내지게 된다.

도 7 및 도 10에 도시한 바와 같이, 각 아암(82p 내지 82u)에 대응하는 각 아암 세정부(88)는, 처리실(20)과 아암 대기부(80)의 사이에 설치된 벽(90)의 외측에 부착되게 되어 있다. 이 때문에, 각 아암 세정부(88)는 컵 외주통(50)의 외측에 설치되게 된다. 또한, 각 아암 세정부(88)는 벽(90)의 외측에 부착되는 대신에, 벽(90)의 내측에 부착되더라도 좋다. 이 경우에는, 각 아암 세정부(88)는, 회전컵(40)과 아암 대기부(80)의 사이의 영역에 위치하게 된다.

본 실시형태의 액 처리 장치(10)에 있어서는, 아암 세정부(88)는 노즐 지지 아암(82)의 전체를 세정하도록 되어 있어도 좋고, 또는 노즐 지지 아암(82)의 일부분만을 세정하도록 되어 있어도 좋다. 또한, 아암 세정부(88)는 노즐 지지 아암(82)의 전체 둘레를 세정하도록 되어 있지만, 이것으로 특별히 한정되는 것은 아니다.

또한, 본 실시형태의 액 처리 장치(10)에 있어서는, 도 2나 도 10에 도시한 바와 같이, 각 아암(82p 내지 82u)은, 아암 대기부(80)에 대기하고 있는 때에, 처리실(20)과 아암 대기부(80)의 사이에 설치된 벽(90)의 아암 세정부(88)의 개구(88p)를 막게 되어 있다. 이에 의해, 각 아암(82p 내지 82u)은, 벽(90)의 아암 세정부(88)의 개구(88p)를 막는 덮개로서 기능하여, 처리실(20) 내의 영역과 아암 대기부(80)의 영역을 격리할 수 있게 된다.

또한, 각 아암(82p 내지 82u)은, 도 5에 도시한 바와 같은 상측 위치에 있는 컵 외주통(50)의 개구(50m)도 막을 수 있게 되어 있다. 이에 의해, 컵 외주통(50) 내의 영역과 아암 대기부(80)의 영역을 격리할 수 있게 된다.

다음으로, 이러한 구성으로 이루어지는 액 처리 장치(10)의 동작에 관해서 설명한다.

우선, 유지부(21)에 있어서의 리프트핀 플레이트(22) 및 처리액 공급관(28)을 도 4에 도시하는 위치로부터 상측으로 이동시키고, 처리실(20)의 개구(94a)에 설치된 셔터(94)를 이 개구(94a)로부터 후퇴시킴으로써 개구(94a)를 개방한다. 그리고 웨이퍼(W)가 액 처리 장치(10)의 외부로부터 반송 아암(104)에 의해 개구(94a)를 통해 처리실(20) 내로 반송되고, 이 웨이퍼(W)가 리프트핀 플레이트(22)의 리프트핀(23) 상에 배치된 후, 반송 아암(104)은 처리실(20)로부터 후퇴한다. 이 때에, 컵 외주통(50)은 도 4에 도시한 바와 같은 하측 위치에 위치하고 있다. 또한, 각 노즐 지지 아암(82)은 처리실(20)로부터 후퇴한 후퇴 위치에 위치하고 있다. 즉, 각 노즐 지지 아암(82)은 아암 대기부(80)에 대기하고 있다. 또한, FFU(70)로부터 처리실(20) 내에 클린 에어 등의 가스가 항상 다운플로우로 보내지고, 이 가스가 배기부(54)에 의해 배기됨으로써, 처리실(20) 내의 분위기의 치환이 행해지게 되어 있다.

다음으로, 리프트핀 플레이트(22) 및 처리액 공급관(28)을 아래쪽으로 이동시켜, 이들 리프트핀 플레이트(22) 및 처리액 공급관(28)을 도 4에 도시한 바와 같은 하측 위치에 위치시킨다. 이 때에, 유지 플레이트(26)에 설치된 각 유지 부재(25)가, 리프트핀(23) 상의 웨이퍼(W)를 지지하여, 이 웨이퍼(W)를 리프트핀(23)으로부터 약간 이격시킨다.

그 후에, 또는 리프트핀 플레이트(22)의 하강 중에, 컵 외주통(50)에 설치된 구동 기구(50b)에 의해, 상기 컵 외주통(50)을 상측으로 이동시켜, 컵 외주통(50)을 도 5에 도시한 바와 같은 상측 위치에 위치시킨다. 그리고 컵 외주통(50)이 상측 위치로 이동한 후, 아암 대기부(80)에 대기하고 있는 6개의 노즐 지지 아암(82) 중 하나 또는 복수의 노즐 지지 아암(82)이 벽(90)의 아암 세정부(88)의 개구(88p) 및 컵 외주통(50)의 개구(50m)를 통해 처리실(20) 내로 진출한다(도 5의 이점쇄선 참조). 이 때에, 아암 구동 기구(85)에 의해 노즐 지지 아암(82)이 직선 운동을 한다.

그리고 유지부(21)에 있어서의 유지 플레이트(26) 및 리프트핀 플레이트(22)를 회전시킨다. 이에 의해, 유지 플레이트(26)의 각 유지 부재(25)에 의해 지지되어 있는 웨이퍼(W)도 회전한다.

그 후, 우선, 유지 플레이트(26)의 각 유지 부재(25)에 의해 지지되어 있는 웨이퍼(W)를 산성 약액으로 처리하고, 이어서 린스 처리를 행한다. 구체적으로는, 도 5에 도시한 바와 같은 상태에서, 아암 대기부(80)에 대기하고 있는 6개의 노즐 지지 아암(82) 중 제1 약액 공급용 아암(82q) 및 순수 공급용 아암(82p)이 각각 벽(90)의 아암 세정부(88)의 개구(88p) 및 컵 외주통(50)의 개구(50m)를 통해 처리실(20) 내로 동시에 진출한다. 이 때에, 제1 약액 공급용 아암(82q) 및 순수 공급용 아암(82p)은 서로 높이 레벨이 다르게 되어 있기 때문에, 이들 아암(82q, 82p)이 서로 간섭하는 일은 없다.

그리고 웨이퍼(W)가 회전한 상태에서, 처리실(20) 내로 진출한 제1 약액 공급용 아암(82q)의 노즐(82a)로부터 웨이퍼(W)의 상면에 산성 약액을 공급한다. 또한, 이 때에, 웨이퍼(W)의 하면(이면)을 향하여 처리액 공급관(28)으로부터 산성 약액을 공급하더라도 좋다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(W)의 적어도 상면에 산성 약액이 공급되어, 웨이퍼(W)의 약액 처리가 행해진다. 웨이퍼(W)에 공급된 산성 약액은, 4개의 처리액 회수용 탱크(46a, 46b, 46c, 46d) 중 예컨대 제1 처리액 회수용 탱크(46a)로 보내져 회수된다. 또한, 전술한 바와 같이 약액 처리가 행해질 때에, 순수 공급용 아암(82p)은, 제1 약액 공급용 아암(82q)의 노즐(82a)에 의한 산성 약액의 토출 위치로부터 약간 후퇴한 위치에 해당 순수 공급용 아암(82p)의 노즐(82a)이 위치하도록, 처리실(20) 내에서 대기하고 있다. 여기서, 순수 공급용 아암(82p)이 대기하고 있는 때에, 노즐(82a)이 하향 이외의 방향, 구체적으로는 예컨대 상향으로 되도록 순수 공급용 아암(82p)을 회전시켜 두면, 약액 처리 중에 순수 공급용 아암(82p)의 노즐(82a)로부터의 흘러내림을 방지할 수 있다.

그리고 유지 플레이트(26)의 각 유지 부재(25)에 의해 지지되어 있는 웨이퍼(W)에 대하여 산성 약액이 공급된 후에 중단하지 않고 계속해서 이 웨이퍼(W)에 순수가 공급된다. 구체적으로는, 처리실(20) 내로 진출한 제1 약액 공급용 아암(82q)에 설치된 노즐(82a)로부터 웨이퍼(W)에 대하여 산성 약액을 공급한 후에, 처리실(20) 내에 진출한 순수 공급용 아암(82p)에 설치된 노즐(82a)로부터 순수를 중단하지 않고 계속해서 웨이퍼(W)에 공급한다. 웨이퍼(W)에 공급된 순수는, 4개의 처리액 회수용 탱크(46a, 46b, 46c, 46d) 중 예컨대 제3 처리액 회수용 탱크(46c)로 보내져 회수된다. 이와 같이 하여, 컵 외주통(50) 내에서 웨이퍼(W)가 산성 약액으로 처리되고, 이어서 린스 처리가 행해지게 된다. 이 때에, 처리실(20) 내에서 순수 공급용 아암(82p)과 제1 약액 공급용 아암(82q)은 서로 높이 레벨이 다르기 때문에, 이들 아암(82p, 82q)이 서로 간섭하는 일은 없다. 그리고 웨이퍼(W)에 대하여 산성 약액에 의한 처리 및 린스 처리가 종료하면, 처리실(20)에 진출한 제1 약액 공급용 아암(82q)은 이 처리실(20)로부터 후퇴하여 아암 대기부(80)에 대기하게 된다. 한편, 순수 공급용 아암(82p)은 처리실(20) 내에 남은 채로 있다. 또한, 린스 처리가 행해지는 사이에, 제2 약액 공급용 아암(82s)이 벽(90)의 아암 세정부(88)의 개구(88p) 및 컵 외주통(50)의 개구(50m)를 통해 처리실(20) 내로 진출한다. 보다 상세하게는, 상술한 바와 같이 린스 처리가 행해질 때에, 제2 약액 공급용 아암(82s)은, 순수 공급용 아암(82p)의 노즐(82a)에 의한 순수의 토출 위치로부터 약간 후퇴한 위치에 해당 제2 약액 공급용 아암(82s)의 노즐(82a)이 위치하도록, 처리실(20) 내에서 대기하고 있다.

그 후, 유지 플레이트(26)의 각 유지 부재(25)에 의해 지지되어 있는 웨이퍼(W)를 알칼리성 약액으로 처리하고, 이어서 린스 처리를 한다. 구체적으로는, 처리실(20) 내에 진출하고 있는 제2 약액 공급용 아암(82s) 및 순수 공급용 아암(82p)에 의해, 웨이퍼(W)에 대하여 알칼리성 약액에 의한 처리 및 린스 처리가 행해진다. 이 때에, 제2 약액 공급용 아암(82s) 및 순수 공급용 아암(82p)은 서로 높이 레벨이 다르게 되어 있기 때문에, 이들 아암(82s, 82p)이 서로 간섭하는 일은 없다.

구체적으로 설명하면, 웨이퍼(W)가 회전한 상태에서, 처리실(20) 내에 진출한 제2 약액 공급용 아암(82s)의 노즐(82a)로부터 웨이퍼(W)의 상면에 알칼리성 약액을 공급한다. 또한, 이 때에, 웨이퍼(W)의 하면(이면)을 향하여 처리액 공급관(28)으로부터 알칼리성 약액을 공급하더라도 좋다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(W)의 적어도 상면에 알칼리성 약액이 공급되어, 웨이퍼(W)의 약액 처리가 행해진다. 웨이퍼(W)에 공급된 알칼리성 약액은, 4개의 처리액 회수용 탱크(46a, 46b, 46c, 46d) 중 예컨대 제2 처리액 회수용 탱크(46b)로 보내져 회수된다. 또한, 전술한 바와 같이 약액 처리가 행해질 때에, 순수 공급용 아암(82p)은, 제2 약액 공급용 아암(82s)의 노즐(82a)에 의한 알칼리성 약액의 토출 위치로부터 약간 후퇴한 위치에 해당 순수 공급용 아암(82p)의 노즐(82a)이 위치하도록, 처리실(20) 내에서 대기하고 있다.

그리고 유지 플레이트(26)의 각 유지 부재(25)에 의해 지지되어 있는 웨이퍼(W)에 대하여 알칼리성 약액이 공급된 후에 중단하지 않고 계속해서, 이 웨이퍼(W)에 순수가 공급된다. 구체적으로는, 처리실(20) 내로 진출한 제2 약액 공급용 아암(82s)에 설치된 노즐(82a)로부터 웨이퍼(W)에 대하여 알칼리성 약액을 공급한 후에, 처리실(20) 내에 진출하고 있는 순수 공급용 아암(82p)에 설치된 노즐(82a)로부터 순수를 중단하지 않고 계속해서 웨이퍼(W)에 공급한다. 웨이퍼(W)에 공급된 순수는, 4개의 처리액 회수용 탱크(46a, 46b, 46c, 46d) 중 예컨대 제3 처리액 회수용 탱크(46c)로 보내져 회수된다. 이와 같이 하여, 컵 외주통(50) 내에서 웨이퍼(W)가 알칼리성의 약액으로 처리되고, 이어서 린스 처리가 행해지게 된다. 그리고 웨이퍼(W)에 대하여 알칼리성 약액에 의한 처리 및 린스 처리가 종료하면, 처리실(20)에 진출한 제2 약액 공급용 아암(82s) 및 순수 공급용 아암(82p)은 이 처리실(20)로부터 후퇴하여 아암 대기부(80)에 대기하게 된다. 또한, 전술한 바와 같이 린스 처리가 행해지는 사이에, IPA 공급용 아암(82u)이 벽(90)의 아암 세정부(88)의 개구(88p) 및 컵 외주통(50)의 개구(50m)를 통해 처리실(20) 내에 진출한다. 보다 상세하게는, 전술한 바와 같이 린스 처리가 행해질 때에, IPA 공급용 아암(82u)은, 순수 공급용 아암(82p)의 노즐(82a)에 의한 순수의 토출 위치로부터 약간 후퇴한 위치에 해당 IPA 공급용 아암(82u)의 노즐(82a)이 위치하도록, 처리실(20) 내에서 대기하고 있다.

그 후, 유지 플레이트(26)의 각 유지 부재(25)에 의해 지지되어 있는 웨이퍼(W)에 대하여 IPA에 의해 건조 처리가 행해진다. 구체적으로는, 아암 대기부(80)에 대기하고 있는 6개의 노즐 지지 아암(82) 중 N2 가스 공급용 아암(82r)이 벽(90)의 아암 세정부(88)의 개구(88p) 및 컵 외주통(50)의 개구(50m)를 통해 처리실(20) 내에 진출한다. 이와 같이 하여, 처리실(20) 내에 N2 가스 공급용 아암(82r) 및 IPA 공급용 아암(82u)이 각각 진출한 상태로 된다. 이 때에, N2 가스 공급용 아암(82r) 및 IPA 공급용 아암(82u)은 서로 높이 레벨이 다르게 되어 있기 때문에, 이들 아암(82r, 82u)이 서로 간섭하는 일은 없다.

그리고 웨이퍼(W)가 회전한 상태에서, 처리실(20) 내에 진출한 IPA 공급용 아암(82u)에 설치된 노즐(82a)로부터 웨이퍼(W)에 대하여 IPA를 공급한 후에, 이 웨이퍼(W)에서의 IPA가 공급된 개소에 대하여 처리실(20) 내에 진출한 N2 가스 공급용 아암(82r)에 설치된 노즐(82a)로부터 N2 가스를 공급한다. 구체적으로는, 처리실(20) 내에서, IPA 공급용 아암(82u)에 설치된 노즐(82a)에 의해 웨이퍼(W)의 중심에 IPA가 공급된다. 그 후, IPA 공급용 아암(82u)이 웨이퍼(W)의 중심으로부터 주연부로 이동하고, IPA가 공급된 후의 웨이퍼(W) 상의 영역에 대하여, N2 가스 공급용 아암(82r)에 설치된 노즐(82a)에 의해 가스가 분사되는 웨이퍼(W) 상의 영역이 뒤를 따르도록, 이들 IPA 공급용 아암(82u) 및 N2 가스 공급용 아암(82r)을 웨이퍼(W) 상에서 이동시킨다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서, IPA가 공급된 개소에 N2 가스가 즉시 공급되게 되어, 웨이퍼(W)의 건조 처리를 적절히 행할 수 있게 된다. 또한, 웨이퍼(W)에 공급된 IPA는, 4개의 처리액 회수용 탱크(46a, 46b, 46c, 46d) 중 예컨대 제4 처리액 회수용 탱크(46d)로 보내져 회수된다. 웨이퍼(W)의 건조 처리가 종료하면, 처리실(20)에 진출한 IPA 공급용 아암(82u) 및 N2 가스 공급용 아암(82r)은 이 처리실(20)로부터 후퇴하여 아암 대기부(80)에 대기하게 된다.

웨이퍼의 건조 처리가 종료하면, 컵 외주통(50)에 설치된 구동 기구(50b)에 의해, 이 컵 외주통(50)을 아래쪽으로 이동시켜, 컵 외주통(50)을 도 4에 도시한 바와 같은 하측 위치에 위치시킨다.

그 후, 유지부(21)에 있어서의 리프트핀 플레이트(22) 및 처리액 공급관(28)을 도 4에 도시하는 위치로부터 상측으로 이동시킨다. 이 때에, 유지 플레이트(26)의 유지 부재(25)에 의해 지지된 웨이퍼(W)가 리프트핀 플레이트(22)의 리프트핀(23) 상에 전달된다. 다음으로, 처리실(20)의 개구(94a)에 설치된 셔터(94)를 이 개구(94a)로부터 후퇴시킴으로써 개구(94a)를 개방하고, 액 처리 장치(10)의 외부로부터 개구(94a)를 통해 반송 아암(104)을 처리실(20) 내에 진출시켜, 이 반송 아암(104)에 의해 리프트핀 플레이트(22)의 리프트핀(23) 상의 웨이퍼(W)를 취출한다. 반송 아암(104)에 의해 취출된 웨이퍼(W)는 액 처리 장치(10)의 외부로 반송된다. 이와 같이 하여, 일련의 웨이퍼(W)의 액 처리가 완료된다.

또, 각 노즐 지지 아암(82)의 세정은, 노즐 지지 아암(82)이 처리실(20)로부터 아암 대기부(80)에 있어서의 후퇴 위치로 이동할 때에 아암 세정부(88)에 의해 행해지더라도 좋다. 또한, 각 노즐 지지 아암(82)의 세정은, 웨이퍼(W)에 대한 각 처리 후에 행하여도 좋고, 또는 정기적으로 행하더라도 좋다.

이상과 같이 본 실시형태의 액 처리 장치(10)에 따르면, 노즐 지지 아암(82p 내지 82u)은 복수 설치되어 있고, 노즐 지지 아암(82p, 82r, 82t)은 노즐 지지 아암(82q, 82s, 82u)과는 높이 레벨이 다르게 되어 있다. 이 때문에, 2 이상의 노즐 지지 아암(82p 내지 82u)이 처리실(20) 내로 진출하여도, 처리실(20) 내로 진출한 2 이상의 노즐 지지 아암(82p 내지 82u)들이 서로 충돌하는 것을 방지할 수 있다.

또한, 본 실시형태의 액 처리 장치(10)에 있어서는, 복수의 노즐 지지 아암(82p 내지 82u)이 동시에 처리실(20) 내로 진출할 수 있게 되어 있다.

구체적으로는, 유지부(21)에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여 IPA를 공급한 후에 이 웨이퍼(W)에 있어서 IPA가 공급된 개소에 N2 가스를 공급할 때에, IPA 공급용 아암(82u) 및 N2 가스 공급용 아암(82r)이 동시에 처리실(20) 내로 진출하도록 되어 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서, IPA 가스가 공급된 개소에 N2 가스가 즉시 공급되게 되어, 웨이퍼(W)의 건조 처리를 적절히 행할 수 있게 된다.

또한, 유지부(21)에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여 산성이나 알카리성의 약액을 공급한 후에 계속해서 이 웨이퍼(W)에 순수를 공급할 때에는, 제1 약액 공급용 아암(82q)[또는 제2 약액 공급용 아암(82s)] 및 순수 공급용 아암(82p)이 동시에 처리실(20) 내로 진출하게 되어 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 대하여 약액에 의해 처리를 한 후에 린스 처리를 이어서 행할 수 있게 된다.

또한, 유지부(21)에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여 순수를 공급한 후에 계속해서 이 웨이퍼(W)를 건조 처리할 때에, 순수 공급용 아암(82p) 및 IPA 공급용 아암(82u)이 동시에 처리실(20) 내로 진출하도록 되어 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 대하여 린스 처리를 한 후에 건조 처리를 이어서 행할 수 있게 된다.

또, 본 실시형태에 의한 액 처리 장치는, 상기한 양태로 한정되지 않고, 다양하게 변경될 수 있다. 예컨대, 처리실(20) 내에 진출한 노즐 지지 아암(82)의 노즐(82a) 및 처리액 공급관(28)에 의해 웨이퍼(W)의 상면 및 하면의 양방에 처리액을 공급하지 않고, 노즐 지지 아암(82)의 노즐(82a)에 의해 웨이퍼(W)의 상면에만 처리액을 공급하도록 하여도 좋다.

또한, 하나의 노즐 지지 아암(82)에 대하여 복수의 노즐(82a)이 설치되어 있더라도 좋다.

10 액 처리 장치
20 처리실
21 유지부
22 리프트핀 플레이트
23 리프트핀
24 피스톤 기구
25 유지 부재
25a 축
25b 지지 부분
25c 피압박 부재
25d 스프링 부재
26 유지 플레이트
26a 베어링부
26b 베어링 구멍
26c 내면벽
28 처리액 공급관
28a 헤드 부분
29 처리액 공급부
40 회전컵
42 드레인컵
43 제1 안내컵
44 제2 안내컵
45 제3 안내컵
46a 제1 처리액 회수용 탱크
46b 제2 처리액 회수용 탱크
46c 제3 처리액 회수용 탱크
46d 제4 처리액 회수용 탱크
48 배기부
50 컵 외주통
50a 지지 부재
50b 구동 기구
50m 개구
51 가이드 부재
52 세정부
52a 저류 부분
54 배기부
56 배기부
58 배기부
60 셔터
62 셔터
70 FFU
80 아암 대기부
82 노즐 지지 아암
82a 노즐
82b 내부 배관
82c 외부 배관
82p 순수 공급용 아암
82q 제1 약액 공급용 아암
82r N2 가스 공급용 아암
82s 제2 약액 공급용 아암
82t 순수의 미스트 공급용 아암
82u IPA 공급용 아암
83p∼83u 스파이럴 형상 배관
84 아암 지지부
85 아암 구동 기구
85a 모터
85b 풀리
85c 순환벨트
85d 베이스 부재
85e 벨트 부착 부재
86 회전 기구
88 아암 세정부
88a 수용 부분
88b 세정액 공급관
88c 흡인 기구
88d 흡인 기구
88e 배액 부분
88f 드레인관
88p 개구
89 표면 처리액 공급부
90 벽
94 셔터
94a 개구
101 배치대
102 반송 아암
103 선반 유닛
104 반송 아암
200 액 처리 장치
210 처리실
220 유지부
230 컵
240 노즐
241 아암
242 아암 지지부
250 FFU
260 배기부

Claims (8)

1. 기판을 유지하는 기판 유지부 및 이 기판 유지부의 주위에 배치되는 컵이 내부에 설치된 처리실과,
   상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판에 대하여 각각 유체를 공급하기 위한 복수의 노즐과,
   수평 방향으로 마련되고, 상기 복수의 노즐 중 하나를 각각 지지하고, 상기 처리실 내로 진출한 진출 위치와 상기 처리실로부터 후퇴한 후퇴 위치의 사이에서 수평 방향으로 이동할 수 있는 복수의 노즐 지지 아암과,
   수평 방향으로 마련되고, 상기 복수의 노즐 지지 아암 각각에 대하여 서로 독립적으로 상기 복수의 노즐 지지 아암 중 하나를 선형으로 상기 진출 위치와 상기 후퇴 위치 사이에서 각각 이동시키는 복수의 아암 구동 기구로서, 오직 상기 복수의 아암 구동 기구의 선형 이동에 의해 상기 복수의 노즐 지지 아암 각각은 상기 진출 위치와 상기 후퇴 위치 사이에서 독립되게 이동하도록 구성되는 복수의 아암 구동 기구와,
   상기 처리실에 인접하여 설치되고, 이 처리실로부터 후퇴한 상기 복수의 노즐 지지 아암이 대기함으로써, 상기 복수의 노즐 지지 아암이 상기 처리실로부터 후퇴한 이후 상기 처리실로부터 완전히 격리되는 아암 대기부와,
   상기 처리실과 상기 아암 대기부의 사이에 설치되고 수직 방향으로 연장되는 벽을 구비하며,
   상기 아암 대기부에서의 상기 후퇴 위치와 상기 처리실에서의 상기 진출 위치 모두에서 적어도 하나의 노즐 지지 아암은 다른 노즐 지지 아암과 높이 레벨이 다르게 되어, 오직 상기 복수의 아암 구동 기구의 선형 이동에 의해 상기 복수의 노즐 지지 아암 각각이 상기 처리실에서 상기 기판상에 동시에 놓이도록 상기 처리실로 동시에 이동한 때에, 상기 적어도 하나의 노즐 지지 아암과 상기 다른 노즐 지지 아암 사이의 간섭을 피할 수 있는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
2. 제1항에 있어서, 제1 유체를 공급하기 위한 제1 노즐을 지지하는 제1 노즐 지지 아암은, 상기 제1 유체와는 종류가 다른 제2 유체를 공급하기 위한 제2 노즐을 지지하는 제2 노즐 지지 아암과 높이 레벨이 다르게 되어 있고,
   상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판에 대하여 상기 제1 유체를 공급한 후에 이 기판에 있어서 상기 제1 유체가 공급된 개소에 상기 제2 유체를 공급할 때에, 상기 제1 노즐 지지 아암 및 상기 제2 노즐 지지 아암이 동시에 상기 처리실 내로 진출하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
3. 제2항에 있어서, 상기 제1 유체는 IPA이고, 상기 제2 유체는 가스이며, 상기 제1 노즐 지지 아암 및 상기 제2 노즐 지지 아암이 동시에 상기 기판상으로 이동하는 동안 상기 IPA가 분사되는 상기 기판상의 영역에 대하여 상기 가스가 분사되는 상기 기판상의 영역이 뒤를 따르도록, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판에 대하여 상기 제1 유체인 IPA를 공급한 후에 이 기판에 있어서 IPA가 공급된 개소에 상기 제2 유체인 가스를 공급함으로써 기판의 건조 처리가 행해지는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
4. 제1항에 있어서, 제1 유체를 공급하기 위한 제1 노즐을 지지하는 제1 노즐 지지 아암은, 상기 제1 유체와는 종류가 다른 제2 유체를 공급하기 위한 제2 노즐을 지지하는 제2 노즐 지지 아암과 높이 레벨이 다르게 되어 있고,
   상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판에 대하여 상기 제1 유체를 공급한 후에 계속해서 이 기판에 상기 제2 유체를 공급할 때에, 상기 제1 노즐 지지 아암 및 상기 제2 노즐 지지 아암이 동시에 상기 처리실 내로 진출하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
5. 제4항에 있어서, 상기 제1 유체는 약액이고, 상기 제2 유체는 물이며, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판에 대하여 상기 약액을 공급한 후에 계속해서 이 기판에 상기 물을 공급함으로써 기판의 약액 처리 및 린스 처리가 연속하여 행해지게 되어 있는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
6. 제1항에 있어서, 상기 복수의 노즐 지지 아암은, 상기 처리실 내부와 상기 아암 대기부의 사이에서 직진 운동을 하게 되어 있는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
7. 제4항에 있어서, 상기 제1 노즐 지지 아암 및 상기 제2 노즐 지지 아암은 오직 선형 이동에 의해 상기 처리실로 진출하고, 상기 제2 노즐 지지 아암은 상기 기판상에서 상기 제1 노즐 지지 아암의 토출 위치로부터 후퇴한 위치에 위치되며, 상기 제1 유체 및 상기 제2 유체는 각각 상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐로부터 계속해서 공급되고, 상기 제2 노즐이 상기 처리실 내에서 상기 제2 유체를 공급하는 동안 상기 제1 노즐 지지 아암은 상기 처리실로부터 후퇴하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
8. 삭제

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