CN114695190A - 用于处理基板的设备和方法 - Google Patents

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drying chamber
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Abstract

本发明构思提供了一种基板处理设备。在实施例中，基板处理设备包括：液体处理室，用于在其中对基板进行液体处理；干燥室，用于对经液体处理的基板进行干燥处理；转移装置，用于在所述液体处理室与所述干燥室之间转移所述基板；以及控制器，用于控制所述液体处理室和所述转移装置，其中所述转移装置包括：转移机器人，其具有用于将所述基板放置在其上的手；以及加热构件，用于加热所述基板，并且其中所述控制器控制所述转移装置，使得在所述转移装置将从所述液体处理室取出的所述基板转移到所述干燥室之前，所述转移装置的所述加热构件将所述基板上的液体加热到第一温度。

Description

用于处理基板的设备和方法
技术领域
本文描述的本发明构思的实施例涉及流体供应单元和基板处理设备，更具体地，涉及供应超临界流体的流体供应单元和具有所述流体供应单元的基板处理设备。
背景技术
一般地，半导体装置由诸如圆晶的基板制造成。具体地，通过执行诸如沉积、光刻、清洁、干燥和蚀刻等过程在基板的上表面上形成精细电路图案来制造半导体装置。由于在执行上述过程时各种异物附着到其上形成有电路图案的基板的顶表面，因此在过程之间执行去除基板上的异物的清洁过程。
一般地，清洁过程包括通过向基板供应化学物来从基板去除异物的化学处理、通过向基板供应纯净水来从基板去除残留的化学物的冲洗处理、以及从基板去除残留的纯净水的干燥处理。
使用超临界流体来干燥基板。例如，用有机溶剂取代基板上的纯净水，并且向高压室中的基板的顶表面供应超临界流体，以溶解并去除基板上残留的有机溶剂。如果将异丙醇(IPA)用作有机溶剂，则将二氧化碳(CO2)用作超临界流体，因为它具有相对低的临界温度和临界压力并且很好地溶解IPA。
使用超临界流体对基板的处理如下。当将基板放入高压室中时，将超临界二氧化碳供应到高压室中以对高压室的内部进行加压，并且然后在重复地供应超临界流体并对高压室进行排气时用超临界流体处理基板。在处理基板之后，对高压室进行排气并且减压。
需要在高温下使用IPA以增加二氧化碳和IPA之间的反应性。然而，如果在将IPA供应到基板上时提供高温度的IPA，则存在IPA可能在供应期间蒸发并在基板上留下污渍的问题。
发明内容
本发明构思的目的是提供在使用超临界流体处理基板时能够容易地更换在其中使用超临界流体处理基板的处理室中的气氛的基板处理设备和基板处理方法。
本发明构思的目的不限于此，并且本领域技术人员根据以下陈述将清楚地理解未提及的其他目的。
本发明构思的实施例提供了一种基板处理设备。在实施例中，所述设备包括：液体处理室，用于在其中对基板进行液体处理；干燥室，用于对经液体处理的基板进行干燥处理；转移装置，用于在所述液体处理室与所述干燥室之间转移所述基板；以及控制器，用于控制所述液体处理室和所述转移装置，其中所述转移装置包括：转移机器人，其具有用于将所述基板放置在其上的手；以及加热构件，用于加热所述基板，并且其中所述控制器控制所述转移装置，使得在所述转移装置将从所述液体处理室取出的所述基板转移到所述干燥室之前，所述转移装置的所述加热构件将所述基板上的液体加热到第一温度。
在实施例中，所述加热构件是设置在所述手处的加热器。
在实施例中，所述加热构件设置为在所述液体处理室与所述干燥室之间的加热室，并且所述加热室包括：具有允许所述手进出的开口的壳体；用于在其上放置所述基板的支撑单元；以及用于向所述壳体的内部空间供应高温气体的气体供应装置。
在实施例中，所述加热构件设置为其中具有加热器并且设置在所述液体处理室与所述干燥室之间的加热板。
在实施例中，所述控制器控制所述液体处理室以便在所述液体处理室内将处于第二温度的所述液体供应到所述基板，并控制所述转移装置以使所述加热构件将所述基板上的所述液体加热到所述第一温度，所述第一温度高于所述第二温度。
在实施例中，所述第二温度是高于室温的温度。
在实施例中，所述液体是有机溶剂，并且超临界流体被供应到所述干燥室的内部。
在实施例中，所述第一温度低于所述液体的沸点。
本发明构思的实施例提供了一种基板处理方法。在实施例中，所述方法包括：将基板从所述液体处理室转移到干燥室，其中所述基板已经在所述液体处理室中通过将液体供应到所述基板上而进行了液体处理；以及通过将流体供应到所述干燥室中来对经液体处理的基板进行干燥处理，其中在对经液体处理的基板进行所述干燥处理之前，将所述基板上的所述液体加热到第一温度。
在实施例中，在将所述基板放入所述干燥室之前，将所述基板上的所述液体加热到所述第一温度。
在实施例中，在将所述基板基本上从所述液体处理室中取出之后且在基本上放入所述干燥室之前的时间段期间，将所述基板上的所述液体加热到所述第一温度。
在实施例中，在所述液体处理室与所述干燥室之间转移所述基板的转移装置上将所述基板上的所述液体加热到所述第一温度。
在实施例中，在设置于所述液体处理室与所述干燥室之间的加热室内，将所述基板上的所述液体加热到所述第一温度。
在实施例中，在第二温度下供应所述液体处理室内的所述液体，在将所述基板基本上从所述液体处理室中取出之后且在基本上放入所述干燥室之前的时间段期间，将所述基板上的所述液体加热到所述第一温度，并且所述第一温度高于所述第二温度。
在实施例中，所述第二温度高于室温。
在实施例中，所述第一温度低于所述液体的沸点。
在实施例中，所述液体是有机溶剂并且所述流体提供为超临界流体。
本发明构思的实施例提供了一种基板处理方法。在实施例中，所述方法包括：通过在液体处理室内将有机溶剂供应到所述基板上来对基板进行液体处理；在对基板进行所述液体处理之后，将所述基板转移到干燥室，以及通过向所述干燥室的内部供应超临界流体来对所述基板进行干燥处理，并且其中在将所述基板放入所述干燥室之前，将所述基板上的所述有机溶剂加热至低于所述有机溶剂的沸点。
在实施例中，在所述液体处理室与所述干燥室之间转移所述基板的转移装置上将所述基板上的所述液体加热到所述第一温度。
在实施例中，在设置于所述液体处理室与所述干燥室之间的加热室内，将所述基板上的所述液体加热到所述第一温度。
根据本发明构思的实施例，可以容易去除附接到所述处理室的所述粘合剂层。
另外，根据本发明构思的实施例，有可能防止在去除附接到所述处理室的所述粘合剂层时废物被分散。
本发明构思的效果不限于以上所述的效果，并且未提及的效果可以根据本说明书和附图而被本发明构思所属技术领域的普通技术人员清楚地理解。
附图说明
根据以下参考附图的描述，上述和其他目的和特征将变得显而易见，其中，除非另有说明，否则相同附图标记在各个附图中是指相同部分，并且其中：
图1是示意性地示出根据本发明构思的实施例的基板处理设备的俯视图。
图2是示意性地示出图1的液体处理装置的视图。
图3是示意性地示出图1的超临界装置的实施例的视图。
图4是示意性地示出图1的手的实施例的视图。
图5是示意性地示出根据本发明构思的实施例的加热板的视图。
图6是示意性地示出根据本发明构思的实施例的加热室的视图。
图7至图10是示出根据本发明构思的实施例的基板处理方法的流程图的每个视图。
具体实施方式
本发明构思可以不同地修改且可以具有各种形式，并且将在附图中示出并详细地描述本发明构思的具体实施例。然而，根据本发明构思的实施例不意图限制具体公开的形式，并且应理解，本发明构思包括本发明构思的精神和技术范围中所包括的所有变形、等效物的替换。在本发明构思的描述中，当可能使本发明构思的本质不清楚时，可以省略对相关已知技术的详细描述。
本文中使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，而不意图限制本发明构思。如本文所使用，未指明具体数量时也旨在包括复数形式，除非上下文清楚地指出。还应理解，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprise)”和/或“包括(comprising)”指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或添加。如本文所使用，术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项目的任何和所有组合。另外，术语“示例性”旨在指代示例或说明。
应理解，尽管在本文中术语第一、第二、第三等可用于描述各种元件、部件、区域、层和/或区段，但这些元件、部件、区域、层和/或区段应不受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或区段与另一个区域、层或区段区分开来。因此，在不脱离本发明构思的情况下，可以将以下论述的第一元件、第一部件、第一区域、第一层或第一区段称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二区段。
图1示出了根据本发明构思的实施例的基板处理设备。参考图1，基板处理设备包括转位模块10、处理模块20和控制器(未示出)。根据实施例，转位模块10和处理模块20按顺序布置。在下文中，布置转位模块10和处理模块20的方向将称为第一方向92。当从上方观察时垂直于第一方向92的方向将称为第二方向，并且垂直于第一方向92和第二方向94两者的方向将称为第三方向96。
转位模块10将基板W从存储有基板W的容器80返回到处理模块20，并且从处理模块20得到经处理的基板W以储存在容器80中。转位模块10设置为使其长度沿着第二方向94延伸。转位模块10具有装载端口12和转位框架14。转位框架14设置在装载端口12与处理模块20之间。存储有基板W的容器80放置在装载端口12上。可以提供多个装载端口12，并且多个装载端口12可以沿着第二方向94设置。
对于容器80，可以使用关闭型容器，诸如前开式统一吊舱(FOUP)。容器80可以通过高处转移装置、高处输送器、自动引导载具或由操作员放置在装载端口12上。
转位框架14设置有转位机器人120。在转位框架14中，导轨140设置为使其长度沿着第二方向94延伸，并且转位机器人120可以设置为可在导轨140上移动。转位机器人120包括在其上放置有基板W的手122，并且手122可以设置为可前后移动，可以第三方向96作为轴线进行旋转，并且可沿着第三方向96移动。多个手122竖直地分开放置，并且手122可以彼此独立地前后移动。
处理模块20包括缓冲单元200、转移装置300、液体处理室400和干燥室500。缓冲单元200为被带到处理模块20中的基板W以及被从处理模块20取出的基板W提供临时空间。液体处理室400将液体供应到基板W以在基板W上执行液体处理过程。干燥室500执行干燥过程以去除基板W上残留的液体。转移装置300在缓冲单元200、液体处理室400与干燥室500之间转移基板W。
转移装置300可以布置为使其长度沿着第一方向92延伸。缓冲单元200可以放置在转位模块10与转移装置300之间。液体处理室400和干燥室500可以设置在转移单元300的侧面上。液体处理室400和转移装置300可以沿第二方向94设置。干燥室500和转移装置300可以沿第二方向94设置。缓冲单元200可以位于转移装置300的一端处。
在实施例中，液体处理室400可以设置在转移装置300的两侧上，干燥室500可以设置在转移装置300的两侧上，并且液体处理室400可以设置成比干燥室500更靠近缓冲单元200。在转移装置300的一侧上，液体处理室400可以分别沿着第一方向92和第三方向96设置成A×B的阵列(A、B分别是大于1的自然数或1)。另外，在转移装置300的一侧上，干燥室500可以分别沿着第一方向92和第三方向96设置成C×D的阵列(C、D分别是大于1的自然数或1)。不同于前述内容，只有液体处理室400可以设置在转移装置300的一侧上，并且只有干燥室500可以设置在另一侧上。
转移装置300具有转移机器人320和加热装置。在转移装置300内，导轨340设置为使其长度沿着第一方向92延伸，并且转移机器人320可以设置为可在导轨340上移动。转移机器人320包括在其上放置有基板W的手322，并且手322可以设置为可前后移动，可以第三方向96作为轴线进行旋转，并且可沿着第三方向96移动。多个手122竖直地分开放置，并且手122可以彼此独立地前后移动。加热装置在液体处理室400处加热经液体处理的基板。稍后将描述加热装置。
缓冲单元200具有在其上放置有基板W的多个缓冲器220。缓冲器220可以沿着第三方向96彼此分开放置。缓冲单元200具有开放的前侧和开放的后侧。前侧面向转位模块10，并且后侧面向转移装置300。转位机器人120可以通过前侧接近缓冲单元200，并且转移机器人320可以通过后侧接近缓冲单元200。
图2示出了图1中的液体处理室400的实施例。参考图2，液体处理室400具有壳体410、杯420、支撑构件440、液体供应单元460、提升/下降单元480和控制器40。控制器40控制液体供应单元460、支撑构件440和提升/下降单元480的操作。壳体410一般设置为长方体形状。杯420、支撑构件440和液体供应单元460位于壳体410中。
杯420具有带开放的上部部分的处理空间，并且基板W在处理空间内经受液体处理。支撑构件440在处理空间内支撑基板W。液体供应单元460将液体供应到由支撑构件440支撑的基板W上。可以提供多种类型的液体并且相继地供应到基板W上。提升/下降单元480调节杯420与支撑构件440之间的相对水平高度。
在实施例中，杯420具有多个收集碗422、424和426。收集碗422、424和426中的每一个具有收集空间以收集用于处理基板的液体。每个收集碗422、424和426设置为包围支撑构件440的环形形状。当执行液体处理过程时，由于基板W的旋转而分散的处理液体通过每个收集碗422、424和426的入口422a、424a和426a流入收集空间中。在实施例中，杯420具有第一收集碗422、第二收集碗424和第三收集碗426。第一收集碗422设置成包围支撑构件440，第二收集碗424设置成包围第一收集碗422，并且第三收集碗426设置成包围第二收集碗424。使液体流入第二收集碗424中的第二入口424a可以位于使液体流入第一收集碗422中的第一入口422a的上方，并且使液体流入第三收集碗426的第三入口426a可以位于第二入口424a的上方。
支撑构件440具有支撑板442和驱动轴444。支撑板442的上表面一般设置为圆盘形状，并且可以具有大于基板W的直径。在支撑板442的中心处，提供支撑销442a以支撑基板W的底表面，并且支撑销442a的上端设置为从支撑板442突出，使得基板W与支撑板442分开放置。卡盘销442b设置在支撑板442的边缘处。
卡盘销442b设置为从支撑板442向上突出，从而支撑(邻接)基板W的侧面，使得当基板W旋转时，基板W不会从支撑构件440脱离。驱动轴444由驱动构件446驱动，并且连接到基板W的底表面的中心并使支撑板442相对于其中心轴线旋转。
在实施例中，液体供应单元460具有第一喷嘴462、第二喷嘴464和第三喷嘴466。第一喷嘴462将第一液体供应到基板W上。第一液体可以是去除基板W上残留的层或异物的液体。第二喷嘴464将第二液体供应到基板W上。第二液体可以在第三液体中很好地溶解。例如，第二液体可以在第三液体中比在第一液体中更好地溶解。第二液体可以中和在基板W上供应的第一液体。另外，第二液体可以中和第一液体，并且同时与第一液体相比，在第三液体中更好地溶解。
在实施例中，第二液体可以是水。第三喷嘴466将第三液体供应到基板W上。第三液体可以在干燥室500中使用的超临界流体中很好地溶解。例如，第三液体可以在干燥室500中使用的超临界流体中比在第二液体中更好地溶解。在实施例中，第三液体可以是有机溶剂。有机溶剂可以是异丙醇(IPA)。在实施例中，超临界流体可以是二氧化碳。
第一喷嘴462、第二喷嘴464和第三喷嘴466由不同的臂461支撑，并且这些臂461可以独立地移动。任选地，第一喷嘴462、第二喷嘴464和第三喷嘴466可以安装在相同的臂上并且同时移动。
提升/下降单元480使杯420在上/下方向上移动。杯420与基板W之间的相对水平高度通过杯420的竖直移动来改变。因此，收集处理液体的收集碗422、424和426根据供应到基板W的液体的类型而改变，因此可以分别地收集液体。不同于前述内容，杯420固定地安装，并且提升/下降单元480可以竖直地移动支撑构件440。
图3示出了图1中的干燥室500的实施例。根据实施例，干燥室500使用超临界流体来从基板W去除液体。根据一个实施例，基板W上的液体是异丙醇(IPA)。干燥室500将超临界流体供应到基板上并且将基板W上的IPA溶解在超临界流体中，以从基板W去除IPA。
参考图3，干燥室500包括处理室520、液体供应单元560、排气单元550。处理室520提供在其中执行清洁基板的清洁过程的处理空间502。处理室520具有第一主体522和第二主体524。第一主体522和第二主体524进行组合以提供处理空间502。在实施例中，第一主体522设置在第二主体524的上方。在实施例中，处理室520在打开位置和关闭位置之间移动。打开位置为第一主体522和第二主体524间隔开的位置，并且关闭位置为第一主体522或第二主体524中的至少一个朝向彼此移动并彼此附着以密封处理空间502的位置。在实施例中，第一主体522的位置可以是固定的，并且第二主体524可以通过诸如气缸的驱动构件590提升或下降。在一个实施例中，当第二主体524与第一主体522间隔开时，处理空间502打开，并且此时，基板W被放入或取出。选择性地，第二主体524的位置可以是固定的，并且第一主体522可以通过诸如气缸的驱动构件590提升或下降。
在清洁处理空间502内的基板W的清洁过程中，第二主体524与第一主体522紧密接触，使得处理空间502与外界形成密封。加热器525设置在处理室520的壁内。加热器525对处理室520的处理空间502进行加热，使得供应到处理室520的内部空间中的流体保持超临界。在处理空间502的内部，由超临界流体形成气氛。
支撑单元580在处理室520的处理空间502内支撑基板W。被带入处理室520的处理空间502中的基板W放置在支撑单元580上。在实施例中，基板W由支撑单元580支撑，其中基板W的图案表面朝上。
流体供应单元560向处理室520的处理空间502供应用于基板处理的清洁流体。根据实施例，流体供应单元560具有主供应管线562、顶部供应管线564和底部供应管线566。主供应管线562连接到流体供应源(未示出)以将超临界流体供应到处理空间502。顶部供应管线564和底部供应管线566从主供应管线562分岔。顶部供应管线564连接到顶部供应管565。底部供应管线566连接到底部供应管567。在实施例中，顶部供应管565形成在第一主体522的中心处，并且底部供应管567形成在偏离第二主体524的中心的偏心位置处。因此，顶部供应管线564可以联接到第一主体522的中心，并且底部供应管线566可以联接到偏离第二主体524的中心的偏心位置。顶部供应阀563安装在顶部供应管线564处。顶部供应阀563控制是否供应通过顶部供应管线564供应到处理空间502的超临界流体和供应流速。底部供应阀568安装在底部供应管线566处。底部供应阀568控制是否供应通过底部供应管线566供应到处理空间502的超临界流体和供应流速。
排气单元550包括排气管551和排气管线552。在实施例中，排气管线552联接到第二主体524。排气管线552连接到排气管551。在实施例中，排气管551可以形成于第二主体524的中心处。处理室520的处理空间502中的超临界流体通过排气管线552排到处理室520的外部。排气阀555安装在排气管线552处。排气阀555控制排气管线552是否被排气。
在下文中，提供至图1的转移装置300的加热构件将参考图4至图6描述。
图4是示意性地示出图1的手322的实施例的视图，图5是示出根据本发明构思的实施例的加热板610的视图，并且图6是示出根据本发明构思的实施例的加热室700的视图。
在实施例中，加热构件设置在手322中，如图4所示。例如，加热构件可以是设置在手322内的加热器321。
在实施例中，加热构件600提供为其中具有加热器612的加热板610，如图5所示。加热板610设置有在其上可以放置有基板W的安装表面。在实施例中，加热板610可以设置在液体处理室400与干燥室500之间。在实施例中，加热板610可以位于转移装置将基板W从液体处理室400转移到干燥室500所通过的路径上。例如，加热板610可以基于第二方向位于干燥室500之间。基板W藉由转移机器人320通过形成在干燥室500的壳体510中的开口515而在加热板610与干燥室500之间转移。
在实施例中，加热构件可以以如图6所示的加热室700的形式设置。在实施例中，加热室700可以设置在液体处理室400与干燥室500之间，或在干燥室500、如加热板610之间。在实施例中，加热室700可以位于转移装置将基板W从液体处理室400转移到干燥室500所通过的路径上。例如，加热室700可以基于第二方向位于干燥室500之间。
加热室700具有壳体710、支撑单元720和气体供应装置730。壳体710具有内部空间。在壳体710中形成有手322可以通过其进入和离开的开口712。手322通过开口712将基板W从加热室700中取出。支撑单元720设置在壳体710内。支撑单元720设置有在其上放置有基板W的安装表面。气体供应装置730向壳体710的内部空间供应高温气体。气体供应装置730具有气体供应源732、气体供应管线734和供应阀736。在实施例中，气体可以空气提供。高温气体储存在气体供应源732中。气体通过气体供应管线734供应到壳体710中。供应阀736控制是否供应供应到壳体710中的气体和供应流速。
在下文中，将参考图7至图10描述本发明构思的基板处理方法。图7是示意性地示出本发明构思的基板处理方法的视图，并且图8至图10分别示出图7的基板处理方法的不同实施例。在下文中，基板W的液体处理将被描述为在图1的液体处理室400中将诸如异丙醇的有机溶剂供应到基板W上。
参考图7，在本发明构思的基板处理方法中，在对基板W进行液体处理之后且在对基板W进行干处理之前，将基板W转移并加热。在实施例中，在本发明构思的基板处理方法中，在将基板W带入干燥室500之前，将基板W上的有机溶剂加热到第一温度。
1)实施例1(参见图8)
首先，在液体处理室400中通过将有机溶剂供应到基板W上来对基板W进行液体处理。此后，将基板W从液体处理室400中取出。当转移机器人320将基板W从液体处理室400转移到干燥室500时，将基板W上的有机溶剂加热到第一温度。在实施例中，基板W在被转移到干燥室500的同时在手322上被加热。在实施例中，第一温度低于有机溶剂的沸点。一旦基板W上的有机溶剂被加热到第一温度，就将基板W带入干燥室500。
2)实施例2(参见图9)
首先，通过在液体处理室400中将有机溶剂供应到基板W上来对基板W进行液体处理。此后，将基板W从液体处理室400中取出。转移机器人320将基板W从液体处理室400中取出并将基板带入加热室700。将高温气体供应到加热室700中以将基板W上的有机溶剂加热至第一温度。选择性地，转移机器人320将基板W从液体处理室400中取出并将基板W定位在加热板610上。放置在加热板610上的基板W被加热器加热，直到基板W上的有机溶剂达到第一温度。一旦基板W上的有机溶剂被加热到第一温度，就将基板W带入干燥室500。
3)实施例3(参见图10)
在液体处理室400中将具有第二温度的有机溶剂供应到基板W。在实施例中，第二温度高于室温并低于第一温度。在高于室温的温度下将有机溶剂供应到基板W上，使得有机溶剂和超临界流体可以在干燥室500中容易地混合。然而，当在过高的温度下供应有机溶剂时，在将有机溶剂供应到基板W上的同时发生蒸发，并且因此有机溶剂的温度不会太高于室温。在实施例中，当有机溶剂为异丙醇时，第二温度可以设置在35至45摄氏度。
在对基板W进行液体处理之后，将基板W从液体处理室400中取出。此后，如实施例1或实施例2所述，在将基板W带入干燥室500之前，将基板W上的有机溶剂加热到第一温度。
根据本发明构思，存在的优点在于在将基板W引入干燥室500之前通过加热基板W上的有机溶剂使有机溶剂与超临界流体容易地混合。因此，存在的优点在于可以缩短在干燥室500中处理基板W的时间，并且可以容易地用超临界流体去除有机溶剂。
另外，根据本发明构思，不是在液体处理室400中将高温有机溶剂供应到基板W上，而是加热从液体处理室400取出的有机溶剂。因此，存在防止在将有机溶剂供应到基板W上时发生有机溶剂蒸发的优点。因此，存在防止在基板W上出现污渍的问题的优点。
另外，根据本发明构思，将有机溶剂加热至沸点或更低，例如刚好低于沸点。因此，存在防止有机溶剂在过程中蒸发的优点。
本发明构思的效果不限于上述效果，并且未提及的效果可以根据本说明书和附图而被本发明构思所涉及的领域的技术人员清楚地理解。
尽管直到现在一直在示出和描述本发明构思的优选实施例，但本发明构思不限于上述具体实施例，并且应注意，在不脱离权利要求书中要求的本发明构思的本质的情况下，本发明构思所涉及领域的普通技术人员可以不同地执行本发明构思，并且不应与本发明构思的技术精神或前景分开解释修改。

Claims (20)

1.一种基板处理设备，包括：
液体处理室，用于在其中对基板进行液体处理；
干燥室，用于对经液体处理的所述基板进行干燥处理；
转移装置，用于在所述液体处理室与所述干燥室之间转移所述基板；以及
控制器，用于控制所述液体处理室和所述转移装置，
其中所述转移装置包括：
转移机器人，其具有用于将所述基板放置在其上的手；以及
加热构件，用于加热所述基板，并且
其中所述控制器控制所述转移装置，使得在所述转移装置将从所述液体处理室取出的所述基板转移到所述干燥室之前，所述转移装置的所述加热构件将所述基板上的液体加热到第一温度。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述加热构件是设置在所述手处的加热器。
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述加热构件设置为在所述液体处理室与所述干燥室之间的加热室，并且
所述加热室包括：
具有允许所述手进出的开口的壳体；
用于在其上放置所述基板的支撑单元；以及
用于向所述壳体的内部空间供应高温气体的气体供应装置。
4.根据权利要求1所述的设备，其中所述加热构件设置为其中具有加热器并且设置在所述液体处理室与所述干燥室之间的加热板。
5.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器控制所述液体处理室以便在所述液体处理室内将处于第二温度的所述液体供应到所述基板，并且控制所述转移装置以使所述加热构件将所述基板上的所述液体加热到所述第一温度，所述第一温度高于所述第二温度。
6.根据权利要求5所述的设备，其中所述第二温度是高于室温的温度。
7.根据权利要求1所述的设备，其中所述液体是有机溶剂，并且超临界流体被供应到所述干燥室的内部。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的设备，其中所述第一温度低于所述液体的沸点。
9.一种基板处理方法，包括：
将基板从液体处理室转移到干燥室，其中所述基板已经在所述液体处理室中通过将液体供应到所述基板上而进行了液体处理；以及
通过将流体供应到所述干燥室中来对经液体处理的所述基板进行干燥处理，
其中在对经液体处理的所述基板进行所述干燥处理之前，将所述基板上的所述液体加热到第一温度。
10.根据权利要求9所述的方法，其中在将所述基板放入所述干燥室之前，将所述基板上的所述液体加热到所述第一温度。
11.根据权利要求10所述的方法，其中在将所述基板基本上从所述液体处理室中取出之后且在基本上放入所述干燥室之前的时间段期间，将所述基板上的所述液体加热到所述第一温度。
12.根据权利要求11所述的方法，其中在转移装置上将所述基板上的所述液体加热到所述第一温度，其中所述转移装置在所述液体处理室与所述干燥室之间转移所述基板。
13.根据权利要求10所述的方法，其中在设置于所述液体处理室与所述干燥室之间的加热室内将所述基板上的所述液体加热到所述第一温度。
14.根据权利要求10所述的方法，其中在第二温度下供应所述液体处理室内的所述液体，在将所述基板基本上从所述液体处理室中取出之后且在基本上放入所述干燥室之前的时间段期间，将所述基板上的所述液体加热到所述第一温度，并且所述第一温度高于所述第二温度。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第二温度高于室温。
16.根据权利要求9至15中任一项所述的方法，其中所述第一温度低于所述液体的沸点。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述液体是有机溶剂并且所述流体提供为超临界流体。
18.一种使用根据权利要求1所述的基板处理设备的基板处理方法，所述方法包括：
通过在液体处理室内将有机溶剂供应到所述基板上来对基板进行液体处理；
在对基板进行所述液体处理之后，将所述基板转移到干燥室，并且通过向所述干燥室的内部供应超临界流体来对所述基板进行干燥处理，并且
其中在将所述基板放入所述干燥室之前，将所述基板上的所述有机溶剂加热至低于所述有机溶剂的沸点。
19.根据权利要求17所述的方法，其中在转移装置上将所述基板上的所述液体加热到所述第一温度，其中所述转移装置在所述液体处理室与所述干燥室之间转移所述基板。
20.根据权利要求17所述的方法，其中在设置于所述液体处理室与所述干燥室之间的加热室内将所述基板上的所述液体加热到所述第一温度。
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