JP7220537B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7220537B2 JP7220537B2 JP2018176394A JP2018176394A JP7220537B2 JP 7220537 B2 JP7220537 B2 JP 7220537B2 JP 2018176394 A JP2018176394 A JP 2018176394A JP 2018176394 A JP2018176394 A JP 2018176394A JP 7220537 B2 JP7220537 B2 JP 7220537B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sulfuric acid
- containing liquid
- spm
- tank
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 505
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 13
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 1728
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 1032
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 184
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 143
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 137
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 71
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 67
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 20
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 10
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 8
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 5
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 27
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 23
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 20
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 17
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 14
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 11
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- FHHJDRFHHWUPDG-UHFFFAOYSA-N peroxysulfuric acid Chemical compound OOS(O)(=O)=O FHHJDRFHHWUPDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
基板などの基板を処理する基板処理装置が用いられる。
下記特許文献1には、基板を1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が開示されている。この基板処理装置は、基板を水平に保持しながら回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板に向けてSPM(硫酸と過酸化水素水との混合液)を吐出するノズルとを備えている。特許文献1には、基板の処理に用いた後のSPMを回収して、その回収したSPMを以降の処理に再使用する構成が開示されている。
とくに、過酸化水素濃度の減少が著しい。すなわち、SPMの温度が高くなるに従って、SPMの除去能力(SPMがレジストを除去する能力)が高まるので、SPMは高温で使用されることが望ましい。しかしながら、過酸化水素は高温状態では水と酸素とに分解し易い。そのため、SPMの回収および再利用を繰り返すと、比較的早期に、過酸化水素濃度が再利用に適さない値まで低下するおそれがある。
そこで、この発明の目的の一つは、回収された硫酸含有液に基づいて作成されたSPMを用いて基板からレジストを効率良く除去できる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
この構成によれば、基板から排出され回収されたSPMに基づいて、SPMそのものではなく硫酸含有液が作成される。作成された硫酸含有液は、過酸化水素水と混合されることによりSPMとして再利用される。
回収されたSPMに含まれる硫酸に着目し、過酸化水素と切り離した形で硫酸含有液の硫酸濃度および温度を調整するので、求められる濃度範囲および温度範囲の双方を満たす硫酸含有液を良好に作成できる。そして、作成された硫酸含有液を過酸化水素水と混合することにより、回収された硫酸含有液に基づいて作成されたSPMを用いて基板からレジストを効率良く除去できる。
また、第2の貯液部において、第1の貯液部から送られた硫酸含有液が、第2のタンクおよび第1の配管を循環する。第2のタンクおよび第1の配管を循環する硫酸含有液が第1のヒータによって加熱される。これにより、第2のタンクおよび第1の配管を循環する硫酸含有液の温度を、求められる温度範囲に精度良く調整することが可能である。
この構成によれば、第2のタンクおよび第1の配管を循環している硫酸含有液の硫酸濃度が濃度計によって計測されるので、第2のタンクおよび第1の配管を循環している硫酸含有液の硫酸濃度を正確に求めることができる。これにより、混合部に送られる硫酸含有液の硫酸濃度を所望の濃度範囲に精度良く調整できる。
この発明の一実施形態では、前記第1の貯液部が、前記第1のタンクに両端が接続され、前記第1のタンクに貯留されている硫酸含有液が循環する第2の配管をさらに含む。そして、前記第1の貯液部には、前記第1のタンクおよび前記第2の配管を循環している硫酸含有液を加熱するためのユニットが設けられていない。
この発明の一実施形態では、前記第1の貯液部が、前記第2の配管に介装され、当該前記第2の配管を流通する硫酸含有液に含まれる異物を捕獲するフィルタをさらに含む。
第1のタンクおよび第2の配管を、仮に高温の硫酸含有液が流通する場合には、フィルタを高温の硫酸含有液が継続的に流通することに伴ってフィルタが膨張し、フィルタの各孔の径が広がるおそれがある。フィルタの各孔の径が広がると、フィルタによって捕獲可能な異物の径が大きくなる。そのため、フィルタのフィルタリング性能が低下し、第1の貯液部において硫酸含有液に含まれる異物を良好に捕獲できないおそれがある。
この発明の一実施形態では、前記硫酸含有液供給装置が、第3の貯液部をさらに含む。そして、前記第3の貯液部が、前記第1のタンクから送られる液体を貯留する第3のタンクと、前記第3のタンクに両端が接続され、前記第3のタンクに貯留されている液体が循環する第3の配管と、前記第3のタンクおよび前記第3の配管を循環している液体を加熱するための第2のヒータとを含む。そして、前記制御装置が、前記硫酸含有液作成工程において、前記第1のタンクから送られた硫酸含有液を前記第3のタンクに貯留する工程(第3の貯留工程)と、前記第3のタンクおよび前記第3の配管を循環している硫酸含有液を前記第2のヒータによって加熱する工程(第2の加熱工程)とをさらに実行する。そして、前記制御装置が、前記硫酸含有液作成工程において、前記第3のタンクおよび前記第3の配管を循環している硫酸含有液を前記第2のタンクに送る工程をさらに実行する。
この発明の一実施形態では、前記第1の貯液部が、前記第1のタンクおよび前記第2の配管を循環している硫酸含有液を冷却するためのクーラーをさらに含む。そして、前記制御装置が、前記硫酸含有液作成工程において、前記第1のタンクおよび前記第2の配管を循環している硫酸含有液を前記クーラーによって冷却する冷却工程をさらに実行する。
この場合、前記第1の貯液部が、前記フィルタをさらに含んでいることが好ましい。
この構成によれば、フィルタを通過する硫酸含有液の温度を、室温または室温未満まで下げることができるから、フィルタリング性能の低下をより一層効果的に抑制できる。そのため、第1の貯液部において硫酸含有液に含まれる異物を、より一層良好に捕獲できる。これにより、より一層清浄な硫酸含有液を混合部に供給することが可能である。
この構成によれば、コストアップを招くことなく、硫酸含有液を冷却できる。
この発明の一実施形態では、前記第1のヒータによる加熱温度である第1の加熱温度が、前記第2のヒータによる加熱温度である第2の加熱温度よりも高い。
SPMの除去能力を高める観点から、作成される硫酸含有液の硫酸濃度は、所定の濃度範囲であることが求められる。そして、同様の観点から、作成される硫酸含有液の温度は所定の温度範囲であることが求められる。
また、第2の貯液部において、第1の貯液部から送られた硫酸含有液が、第2のタンクおよび第1の配管を循環する。第2のタンクおよび第1の配管を循環する硫酸含有液が第1のヒータによって加熱される。これにより、第2のタンクおよび第1の配管を循環する硫酸含有液の温度を、求められる温度範囲に精度良く調整することが可能である。
図1は、この発明の第1の実施形態に係る基板処理装置1を上から見た模式図である。
基板処理装置1は、半導体ウエハなどの円板状の基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1は、クリーンルーム内に配置された装置本体2と、装置本体2に結合されたインデクサユニット3と、処理液供給装置と、基板処理装置1を制御する制御装置4とを含む。
装置本体2は、搬送室5と、複数のロードポートLPから搬送された基板Wを処理液や処理ガスなどの処理流体で処理する複数の処理ユニット6とを含む。複数の処理ユニット6は、水平に離れた6つの位置にそれぞれ配置された6つの塔を形成している。各塔は、上下に積層された複数(たとえば3つ)の処理ユニット6を含む。6つの塔は、搬送室5の両側に3つずつ配置されている。処理ユニット6は、装置本体2の外壁7の中に配置されており、すなわち外壁7に取り囲まれている。
第2の硫酸含有液供給装置10には、対応する第1の硫酸含有液供給装置9から硫酸含有液が送られる。第2の硫酸含有液供給装置10は、第1の貯液部11から送られる硫酸含有液を貯留し、所定の硫酸濃度および温度に調整する第2の貯液部12を含む。第2の貯液部12によって調整された硫酸含有液が、処理ユニット6のSPMノズル(ノズル)13(図2および図4参照)に供給される。SPMノズル13には、過酸化水素水供給ユニット122(図4参照)から過酸化水素水が供給される。SPMノズル13に供給された硫酸含有液および過酸化水素水は、SPMノズル13の内部(混合部)で混合され、これによってSPMが生成される。そして、SPMノズル13の下部に形成されている吐出口13a(図5参照)からSPMが吐出される。吐出口13aは、SPMノズル13の内部に連通している。そして、処理ユニット6において、吐出口13aから吐出されるSPMが基板Wに供給される。これにことにより、基板Wからレジストが除去される。
SPMの除去能力を高める観点から、作成される硫酸含有液の硫酸濃度は、所定の濃度範囲であることが求められる。そして、同様の観点から、作成される硫酸含有液の温度は所定の温度範囲であることが求められる。
そして、作成後の硫酸含有液をSPMノズル13において過酸化水素水と混合することによりSPMを生成し、生成されたSPMをSPMノズル13から吐出して基板Wに供給する(SPM吐出工程)。これにより、回収された硫酸含有液に基づいて作成されたSPMによって基板Wからレジストを効率良く除去できる。
図2に示すように、第1の硫酸含有液供給装置9に含まれる第1の貯液部11は、リクレームタンク(reclaim tank)21と、第1の循環タンク(第1のタンク)22と、第1の循環配管(第2の配管)23と、第1の循環ヒータ(第2のヒータ)24と、硫酸補充ユニット25とを含む。
図2に示すように、リクレームタンク21には、第1の循環タンク22に下流端が接続された移送配管28の上流端が接続されている。移送配管28には、リクレームタンク21内の硫酸含有液を汲み出すためのポンプ等の第1の送液装置29、および移送配管28を流通する硫酸含有液中に含まれる比較的小さな異物を捕捉して除去するための第2の捕獲フィルタ30が介装されている。第2の捕獲フィルタ30は、次に述べる第3の捕獲フィルタ37と同等の構成である。第2の捕獲フィルタ30は、第3の捕獲フィルタ37と同等の孔71(図3参照)の径を有する。図2に示すように、第1の送液装置29および第2の捕獲フィルタ30は、リクレームタンク21側からこの順で並んでいる。そのため、第1の送液装置29による汲み出し力によって、移送配管28を流通する硫酸含有液が第2の捕獲フィルタ30に押し付けられる。これにより、第2の捕獲フィルタ30によって異物を捕捉できる。リクレームタンク21から第1の循環タンク22に移送配管28を介して硫酸含有液が送られ、この硫酸含有液が第1の循環タンク22に貯留される(第1の貯留工程)。
図2に示すように、第1の導液配管31には、開閉バルブ38と第3の捕獲フィルタ37との間において、リターン配管40が分岐接続されている。リターン配管40の下流端は第1の循環タンク22へ延びている。リターン配管40の途中部には、リターンバルブ41が介装されている。第1の導液配管31におけるリターン配管40の分岐位置42の上流側部分と、リターン配管40とによって、第1の循環配管23が構成されている。
第2の硫酸含有液供給装置10に含まれる第2の貯液部12は、第2の循環タンク(第2のタンク)51と、第2の循環ヒータ(第1のヒータ)52と、第2の循環配管53と、ヒータ(第3のヒータ)54とを含む。
第2の循環タンク51には、高さの異なる複数の位置にそれぞれセンサ部を有する液量計65が取り付けられており、これらの液量計65によって、第2の循環タンク51に貯留されている硫酸含有液の液面高さが検出される。
第2の循環タンク51および共通配管51Aには、3つの硫酸含有液流通配管51Bが接続されている。具体的には、共通配管51Aの下流端に、対応するタワーにそれぞれ硫酸含有液を供給するための3つの硫酸含有液流通配管51Bの上流端が接続されている。第2の循環タンク51には、これら3つの硫酸含有液流通配管51Bの下流端が接続されている。共通配管51Aおよび硫酸含有液流通配管51Bによって第2の循環配管53が構成されている。硫酸含有液流通配管51Bの途中部には、共通配管51A内の硫酸含有液を汲み出すためのポンプ等の第4の送液装置56が介装されている。第4の送液装置56によって第2の循環配管53に汲み出された硫酸含有液は、硫酸含有液流通配管51Bを上流端から下流端まで流通し、第2の循環タンク51に戻る。これにより、硫酸含有液が、第2の循環タンク51ならびに第2の循環配管53(共通配管51Aおよび硫酸含有液流通配管51B)を循環する。
第2の循環ヒータ52は、第2の循環タンク51ならびに第2の循環配管53(共通配管51Aおよび硫酸含有液流通配管51B)を循環する硫酸含有液を加熱する(第1の加熱工程)。第2の循環ヒータ52の加熱温度は、所定の第2の温度(>第1の温度。第1の加熱温度。たとえば約160℃)に設定されている。第2の循環タンク51ならびに第2の循環配管53(共通配管51Aおよび硫酸含有液流通配管51B)を硫酸含有液が循環することにより、硫酸含有液が、それまでの第1の温度から第2の温度に調整される。
ヒータ(第3のヒータ)54が、各硫酸含有液供給配管57の途中部に介装されている。また、各硫酸含有液供給配管57の途中部には、ヒータ54の下流側において、ヒータ54側から順に、流量計58、硫酸含有液流量調整バルブ(混合比変更ユニット)59および硫酸含有液バルブ60が介装されている。
硫酸含有液流量調整バルブ59は、硫酸含有液供給配管57の開度を調整して、SPMノズル13に供給される硫酸含有液の流量を調整するためのバルブである。硫酸含有液流量調整バルブ59は、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む構成であってもよい。
硫酸含有液供給配管57には、硫酸含有液バルブ60と硫酸含有液流量調整バルブ59との間において、リターン配管61が分岐接続されている。リターン配管61の下流端は硫酸含有液流通配管51Bに接続されている。硫酸含有液供給配管57における分岐位置63の上流側部分の圧力損失が、リターン配管61での圧力損失よりも大きい。
基板処理装置1の運転中(基板Wの処理を停止している期間を含む)において、第4の送液装置56および第2の循環ヒータ52が常に駆動されている。そのため、基板処理装置1の運転中は、第2の循環タンク51ならびに第2の循環配管53(共通配管51Aおよび硫酸含有液流通配管51B)を、第2の温度に温度調整された硫酸含有液が循環している。
一方で、硫酸含有液バルブ60が開かれた状態では、硫酸含有液流通配管51Bを流れる硫酸含有液は、第2の循環配管53から硫酸含有液供給配管57に流れ、SPMノズル13に供給される。つまり、第3の温度に調整された硫酸含有液がSPMノズル13に供給される。
3つの硫酸含有液流通配管51Bのうち1つには、第4の送液装置56の下流側に、硫酸含有液流通配管51Bを流れる硫酸含有液(つまりは、第2の循環タンク51および第2の循環配管53を循環している硫酸含有液)の硫酸濃度を計測する硫酸濃度計64が介装されている。3つの第2の循環配管53を流れる硫酸含有液の硫酸濃度は互いに同一であると考えられるため、硫酸濃度計64は、3つの第2の循環配管53のうち1つに介装すれば足りる。
処理ユニット6は、内部空間を有する箱形のチャンバ107と、チャンバ107内で1枚の基板Wを水平な姿勢で保持して、基板Wの中心を通る鉛直な回転軸線A1まわりに基板Wを回転させるスピンチャック(基板保持ユニット)108と、SPMノズル13と、スピンチャック108に保持されている基板Wの上面にリンス液を供給するためのリンス液供給ユニット110と、スピンチャック108を取り囲む筒状の処理カップ111とを含む。
スピンベース116は、基板Wの外径よりも大きな外径を有する水平な円形の上面116aを含む。上面116aには、その周縁部に複数個(3個以上。たとえば6個)の挟持部材117が配置されている。複数個の挟持部材117は、スピンベース116の上面周縁部において、基板Wの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けて配置されている。
制御装置4は、たとえばコンピュータである。制御装置4は、CPU等の演算ユニットと、固定メモリデバイス、ハードディスクドライブ等の記憶ユニットと、情報の入力および出力が行われる入出力ユニットとを有している。記憶ユニットは、演算ユニットによって実行されるコンピュータプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を含む。記録媒体には、制御装置4に後述するレジスト除去処理を実行させるようにステップ群が組み込まれている。
以下では、図1~図7を参照しながら、基板Wの処理の一例について説明する。この基板Wの処理の一例は、基板Wの上面(主面)からレジストを除去するレジスト除去処理である。レジストは、たとえば、炭素を含む化合物によって形成されたフォトレジストである。
次いで、リンス液を基板Wに供給するリンス工程(図7のS4)が行われる。具体的には、制御装置4は、リンス液バルブ149を開いて、基板Wの上面中央部に向けてリンス液ノズル147にリンス液を吐出させる。リンス液ノズル147から吐出されたリンス液は、SPMによって覆われている基板Wの上面中央部に着液する。基板Wの上面中央部に着液したリンス液は、基板Wの回転による遠心力を受けて基板Wの上面上を基板Wの周縁部に向けて流れる。これにより、基板W上のSPMが、リンス液によって外方に押し流され、基板Wの周囲に排出される。その結果、SPMおよびレジスト(レジスト残渣)が基板Wの上面の全域から洗い流される。リンス工程S4の開始から予め定める期間が経過すると、制御装置4は、リンス液バルブ149を閉じて、リンス液ノズル147にリンス液の吐出を停止させる。
図8は、SPM工程(図7のS3)における、硫酸含有液および過酸化水素水の混合比の推移と、第1のガード143および第2のガード144の動作等を示すタイミングチャートである。図8において、回収のONは、基板Wから排出されたSPMが第2のガード144を介して回収配管156に流入することを表し、回収のOFFは、回収配管156へのSPMの流入が停止されていることを表す。図8において、排液のONは、基板Wから排出されたSPMが第1のガード143を介して第1の排液配管152に流入することを表し、排液のOFFは、第1の排液配管152へのSPMの流入が停止されていることを表す。以下では、図5および図8を参照する。以下の動作等は、制御装置4が基板処理装置1を制御することにより実行される。言い換えると、制御装置4は、以下の動作等を実行するようにプログラムされている。
図8に示すように、処理カップ111は、SPMノズル13が第1のSPMの吐出を開始する前に(図8に示す時刻T1の前に)、3つのガード143~145の中で最も内側の第1のガード143が基板Wの周端面に対向する第1の対向状態に設定されている。したがって、基板Wから排出された第1のSPMは、第1のガード143の内壁143aによって受け止められ、第1のカップ141に案内される(第1のSPM捕獲工程)。そして、第1のカップ141内の第1のSPMは、第1の排液配管152に排出される(図8に示す排液のON。排液工程)。
図11は、本発明の第2の実施形態に係る第1の硫酸含有液供給装置209を、水平方向から見た図である。図11において、前述の図1~図10に示された構成と同等の構成については、図1等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
また、第1の貯液部211は、第1の循環ヒータ24が廃止されている点で、第1の実施形態に係る第1の貯液部11と相違している。また、第1の貯液部211は、排液タンク50を備えていない。すなわち、第1の貯液部211には、第1の循環タンク22および第1の循環配管23を循環している硫酸含有液を加熱するためのユニットが設けられていない。
第3の循環タンク222には、第1の導液配管31の下流端が接続されている。第3の循環タンク222には、第1の貯液部211において第4の温度(たとえば約40℃~約60℃)の硫酸含有液が導かれる。そして、導かれた硫酸含有液が第3の循環タンク222に貯留される(第3の貯留工程)。
第2の導液配管231には、開閉バルブ238と第4の捕獲フィルタ237との間において、リターン配管240が分岐接続されている。リターン配管240の下流端は第3の循環タンク222へ延びている。リターン配管240の途中部には、リターンバルブ241が介装されている。第2の導液配管231におけるリターン配管240の分岐位置242の上流側部分と、リターン配管240とによって、第3の循環配管223が構成されている。
すなわち、第1の貯液部211には、第1の循環タンク22および第1の循環配管23を循環している硫酸含有液を加熱するためのユニットが設けられていない。すなわち、第1の貯液部211において硫酸含有液の加熱が行われない。そのため、第1の循環タンク22および第1の循環配管23を循環している硫酸含有液は、比較的低温(約40℃から約60℃)を有している。そのため、第3の捕獲フィルタ37を通過する硫酸含有液が比較的低温である。
図12は、本発明の第3の実施形態に係る第1の硫酸含有液供給装置309を、水平方向から見た図である。図12において、前述の図1~図10に示された構成と同等の構成については、図1等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
前述のように、リクレームタンク21に回収されるSPMは、基板Wに供給されるSPMの温度(約190℃~約220℃)よりもかなり低いが、それでも約80℃~約90℃という高い液温を有している。前述のように、第1の循環タンク22および第1の循環配管23を循環する硫酸含有液は、第1の循環配管23の管壁との熱平衡により、室温(約23℃~約25℃)よりも高いが、リクレームタンク21に貯留されている硫酸含有液よりも低い第4の温度(約40℃~約60℃)に保たれている。そして、第1の循環タンク22および第1の循環配管23を循環する第4の硫酸含有液が、第2の硫酸含有液供給装置10の第2の貯液部12に送られる。
第3の実施形態では、第3の捕獲フィルタ37を通過する硫酸含有液が比較的低温(約40~約60℃)であるので、第3の捕獲フィルタ37のフィルタリング性能の低下を抑制できる。そのため、第1の貯液部311において硫酸含有液に含まれる異物を良好に捕獲できる。これにより、清浄な硫酸含有液をSPMノズル13に供給することが可能である。
たとえば、前述の第2および第3の実施形態において、図11および図12に破線で示すように、第1の貯液部211,311が、第1の循環タンク22および第1の循環配管23を循環している硫酸含有液を冷却するクーラー401をさらに備えていてもよい。クーラー401は、たとえば、第1の導液配管31の途中部において、第2の送液装置32の上流側に介装されている。この場合、第1の循環タンク22および第1の循環配管23のおける硫酸含有液の循環により、硫酸含有液が冷却される。クーラー401による冷却温度の設定次第で、第1の循環タンク22および第1の循環配管23を循環している硫酸含有液を室温(約23℃~約25℃)や、室温未満の低温にまで下げることも可能である。
また、硫酸含有液と過酸化水素水とをSPMノズル13の内部で混合させるノズル内混合方式を採用する場合について説明したが、硫酸含有液と過酸化水素水とを、ノズルに接続された処理液配管内、または当該処理液配管に連結された混合配管において混合させる配管内混合方式が採用されていてもよい。
また、硫酸濃度計64を、各タワーに対応する硫酸含有液流通配管51Bの1つのみではなく全てに配置するようにしてもよい。また、硫酸濃度計64を、硫酸含有液流通配管51Bではなく、第2の循環タンク51および/または共通配管51Aに配置するようにしてもよい。硫酸含有液供給装置8において作成された硫酸含有液の硫酸濃度を、第2の循環タンク51および第2の循環配管53を循環する硫酸含有液の硫酸濃度の計測に代えてまたは併せて、第1の循環タンク22および第1の循環配管23を循環している硫酸含有液の硫酸濃度を計測することによって行ってもよい。
ある。
4 :制御装置
6 :処理ユニット
8 :硫酸含有液供給装置
11 :第1の貯液部
12 :第2の貯液部
13 :SPMノズル(ノズル)
13a :SPMノズルの内部(混合部)
22 :第1の循環タンク(第1のタンク)
23 :第1の循環配管(第2の配管)
24 :第1の循環ヒータ(第2のヒータ)
25 :硫酸補充ユニット
37 :第3の捕獲フィルタ(フィルタ)
51 :第2の循環タンク(第2のタンク)
52 :第2の循環ヒータ(第1のヒータ)
53 :第2の循環配管(第1の配管)
54 :ヒータ(第3のヒータ)
59 :硫酸含有液流量調整バルブ(混合比変更ユニット)
64 :硫酸濃度計
108 :スピンチャック(基板保持ユニット)
122 :過酸化水素水供給ユニット
137 :過酸化水素水流量調整バルブ(混合比変更ユニット)
143 :第1のガード
144 :第2のガード
146 :ガード昇降ユニット(ガード切り換えユニット)
156 :回収配管
157 :第2の排液配管(排液配管)
209 :第1の硫酸含有液供給装置
211 :第1の貯液部
213 :第3の貯液部
222 :第3の循環タンク(第3のタンク)
223 :第3の循環配管(第3の配管)
224 :第3の循環ヒータ(第2のヒータ)
248 :導出配管
309 :第1の硫酸含有液供給装置
311 :第1の貯液部
401 :クーラー
W :基板
Claims (18)
- 硫酸および過酸化水素水の混合液であるSPMで基板からレジストを除去する基板処理装置であって、
基板を保持する基板保持ユニットと、
吐出口を有し、前記基板保持ユニットに保持されている基板に向けて前記吐出口からSPMを吐出するノズルと、
前記吐出口に連通する混合部と、
前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体を回収し、回収した液体に基づいて硫酸含有液を作成し、作成後の硫酸含有液を前記混合部に供給するための硫酸含有液供給装置と、
過酸化水素水を前記混合部に供給するための過酸化水素水供給ユニットと、
前記硫酸含有液供給装置および前記過酸化水素水供給ユニットを制御する制御装置とを含み、
前記硫酸含有液供給装置が、第1の貯液部と、第2の貯液部とを含み、
前記第1の貯液部が、
回収した液体を貯留する第1のタンクと、
回収した液体とは別の硫酸を、前記第1のタンクに補充するための硫酸補充ユニットとを含み、
前記第2の貯液部が、
前記第1のタンクから送られた液体を貯留する第2のタンクと、
前記第2のタンクに両端が接続され、前記第2のタンクに貯留されている液体が循環する第1の配管と、
前記第2のタンクおよび前記第1の配管を循環している液体を加熱するための第1のヒータとを含み、
前記制御装置が、
前記基板に供給され当該基板から排出されたSPMを回収して硫酸含有液を作成する硫酸含有液作成工程と、
作成後の硫酸含有液および過酸化水素水を前記混合部に供給して前記混合部において硫酸含有液および過酸化水素水を混合することによりSPMを生成し、生成されたSPMを前記吐出口から吐出するSPM吐出工程とを実行し、
前記制御装置が、前記硫酸含有液作成工程において、
前記基板から排出されたSPMを回収して、硫酸含有液として前記第1のタンクに貯留する第1の貯留工程と、
回収したSPMとは別の硫酸を、前記硫酸補充ユニットによって前記第1のタンクに補充する硫酸補充工程と、
前記第1のタンクから送られた硫酸含有液を前記第2のタンクに貯留する第2の貯留工程と、
前記第2のタンクおよび前記第1の配管を循環している硫酸含有液を前記第1のヒータによって加熱する第1の加熱工程とを実行し、
前記制御装置が、前記SPM吐出工程において、前記第2のタンクおよび前記第1の配管を循環している硫酸含有液を前記混合部に供給する工程を実行する、基板処理装置。 - 硫酸および過酸化水素水の混合液であるSPMで基板からレジストを除去する基板処理装置であって、
基板を保持する基板保持ユニットと、
吐出口を有し、前記基板保持ユニットに保持されている基板に向けて前記吐出口からSPMを吐出するノズルと、
前記吐出口に連通する混合部と、
前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体を回収し、回収した液体に基づいて硫酸含有液を作成し、作成後の硫酸含有液を前記混合部に供給するための硫酸含有液供給装置と、
過酸化水素水を前記混合部に供給するための過酸化水素水供給ユニットと、
前記硫酸含有液供給装置および前記過酸化水素水供給ユニットを制御する制御装置とを含み、
前記硫酸含有液供給装置が、第1の貯液部と、第2の貯液部と、第3の貯液部とを含み、
前記第1の貯液部が、
回収した液体を貯留する第1のタンクと、
前記第1のタンクに硫酸を補充するための硫酸補充ユニットとを含み、
前記第2の貯液部が、
第2のタンクと、
前記第2のタンクに両端が接続され、前記第2のタンクに貯留されている液体が循環する第1の配管と、
前記第2のタンクおよび前記第1の配管を循環している液体を加熱するための第1のヒータとを含み、
前記第3の貯液部が、
前記第1のタンクから送られる液体を貯留する第3のタンクと、
前記第3のタンクに両端が接続され、前記第3のタンクに貯留されている液体が循環する第3の配管と、
前記第3のタンクおよび前記第3の配管を循環している液体を加熱するための第2のヒータとを含み、
前記第1の貯液部には、前記第1のタンクおよび前記第1のタンクに両端が接続された第2の配管を循環している硫酸含有液を加熱するためのユニットが設けられておらず、
前記制御装置が、
前記基板に供給され当該基板から排出されたSPMを回収して硫酸含有液を作成する硫酸含有液作成工程と、
作成後の硫酸含有液および過酸化水素水を前記混合部に供給して前記混合部において硫酸含有液および過酸化水素水を混合することによりSPMを生成し、生成されたSPMを前記吐出口から吐出するSPM吐出工程とを実行し、
前記制御装置が、前記硫酸含有液作成工程において、
前記基板から排出されたSPMを回収して、硫酸含有液として前記第1のタンクに貯留する第1の貯留工程と、
前記硫酸補充ユニットによって前記第1のタンクに硫酸を補充する硫酸補充工程と、
前記第1のタンクから送られた硫酸含有液を前記第3のタンクに貯留する工程と、
前記第3のタンクおよび前記第3の配管を循環している硫酸含有液を前記第2のヒータによって加熱する工程と、
前記第3のタンクおよび前記第3の配管を循環している硫酸含有液を、前記第2のタンクに送り、前記第2のタンクに貯留する第2の貯留工程と、
前記第2のタンクおよび前記第1の配管を循環している硫酸含有液を前記第1のヒータによって加熱する第1の加熱工程と実行し、
前記制御装置が、前記SPM吐出工程において、前記第2のタンクおよび前記第1の配管を循環している硫酸含有液を前記混合部に供給する工程とを実行する、基板処理装置。 - 硫酸および過酸化水素水の混合液であるSPMで基板からレジストを除去する基板処理装置であって、
基板を保持する基板保持ユニットと、
吐出口を有し、前記基板保持ユニットに保持されている基板に向けて前記吐出口からSPMを吐出するノズルと、
前記吐出口に連通する混合部と、
前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体を回収し、回収した液体に基づいて硫酸含有液を作成し、作成後の硫酸含有液を前記混合部に供給するための硫酸含有液供給装置と、
過酸化水素水を前記混合部に供給するための過酸化水素水供給ユニットと、
前記硫酸含有液供給装置および前記過酸化水素水供給ユニットを制御する制御装置と、を含み、
前記硫酸含有液供給装置が、第1の貯液部と、第2の貯液部とを含み、
前記第1の貯液部が、
回収した液体を貯留する第1のタンクと、
前記第1のタンクに硫酸を補充するための硫酸補充ユニットとを含み、
前記第2の貯液部が、
前記第1のタンクから送られた液体を貯留する第2のタンクと、
前記第2のタンクに両端が接続され、前記第2のタンクに貯留されている液体が循環する第1の配管と、
前記第2のタンクおよび前記第1の配管を循環している液体を加熱するための第1のヒータとを含み、
前記第1の貯液部が、
前記第1のタンクに両端が接続され、前記第1のタンクに貯留されている硫酸含有液が循環する第2の配管と、
前記第1のタンクおよび前記第2の配管を循環している硫酸含有液を加熱する第2のヒータとをさらに含み、
前記制御装置が、
前記基板に供給され当該基板から排出されたSPMを回収して硫酸含有液を作成する硫酸含有液作成工程と、
作成後の硫酸含有液および過酸化水素水を前記混合部に供給して前記混合部において硫酸含有液および過酸化水素水を混合することによりSPMを生成し、生成されたSPMを前記吐出口から吐出するSPM吐出工程とを実行し、
前記制御装置が、前記硫酸含有液作成工程において、
前記基板から排出されたSPMを回収して、硫酸含有液として前記第1のタンクに貯留する第1の貯留工程と、
前記硫酸補充ユニットによって前記第1のタンクに硫酸を補充する硫酸補充工程と、
前記第1のタンクから送られた硫酸含有液を前記第2のタンクに貯留する第2の貯留工程と、
前記第2のタンクおよび前記第1の配管を循環している硫酸含有液を前記第1のヒータによって加熱する第1の加熱工程とを実行し、
前記制御装置が、前記SPM吐出工程において、前記第2のタンクおよび前記第1の配管を循環している硫酸含有液を前記混合部に供給する工程を実行し、
前記制御装置が、前記硫酸含有液作成工程において、前記第1のタンクおよび前記第2の配管を循環している硫酸含有液を前記第2のヒータによって加熱する第2の加熱工程をさらに実行する、基板処理装置。 - 前記第2の貯液部が、
前記第2のタンクおよび前記第1の配管を循環している硫酸含有液の硫酸濃度を計測する硫酸濃度計をさらに含み、
前記制御装置が、前記硫酸濃度計による計測値が所定の判定値未満である場合に、前記硫酸補充工程を実行する、請求項1~3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記第1の貯液部が、
前記第1のタンクに両端が接続され、前記第1のタンクに貯留されている硫酸含有液が循環する第2の配管と、
前記第1のタンクおよび前記第2の配管を循環している硫酸含有液を加熱する第2のヒータとをさらに含み、
前記制御装置が、前記硫酸含有液作成工程において、前記第1のタンクおよび前記第2の配管を循環している硫酸含有液を前記第2のヒータによって加熱する第2の加熱工程をさらに実行する、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記第1の貯液部が、
前記第1のタンクに両端が接続され、前記第1のタンクに貯留されている硫酸含有液が循環する第2の配管をさらに含み、
前記第1の貯液部には、前記第1のタンクおよび前記第2の配管を循環している硫酸含有液を加熱するためのユニットが設けられていない、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記第1の貯液部が、
前記第2の配管に介装され、当該前記第2の配管を流通する硫酸含有液に含まれる異物を捕獲するフィルタをさらに含む、請求項2または6に記載の基板処理装置。 - 前記硫酸含有液供給装置が、第3の貯液部をさらに含み、
前記第3の貯液部が、
前記第1のタンクから送られる液体を貯留する第3のタンクと、
前記第3のタンクに両端が接続され、前記第3のタンクに貯留されている液体が循環する第3の配管と、
前記第3のタンクおよび前記第3の配管を循環している液体を加熱するための第2のヒータとを含み、
前記制御装置が、前記硫酸含有液作成工程において、
前記第1のタンクから送られた硫酸含有液を前記第3のタンクに貯留する第3の貯留工程と、
前記第3のタンクおよび前記第3の配管を循環している硫酸含有液を前記第2のヒータによって加熱する第2の加熱工程と、
前記第3のタンクおよび前記第3の配管を循環している硫酸含有液を前記第2のタンクに送る工程とをさらに実行する、請求項6に記載の基板処理装置。 - 前記第1の貯液部が、
前記第1のタンクおよび前記第2の配管を循環している硫酸含有液を冷却するためのクーラーをさらに含み、
前記制御装置が、前記硫酸含有液作成工程において、前記第1のタンクおよび前記第2の配管を循環している硫酸含有液を前記クーラーによって冷却する冷却工程をさらに実行する、請求項2および6~8のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記第1のタンクおよび前記第2の配管を循環している硫酸含有液が自然冷却のみによって冷却される、請求項2および6~8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記第1のヒータによる加熱温度である第1の加熱温度が、前記第2のヒータによる加熱温度である第2の加熱温度よりも高い、請求項2、5および8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記第2のタンクまたは前記第1の配管と前記混合部とを接続する硫酸含有液供給配管と、
前記硫酸含有液供給配管を流通している硫酸含有液を加熱するための第3のヒータとをさらに含み、
前記制御装置が、前記硫酸含有液作成工程において、前記硫酸含有液供給配管を流通している硫酸含有液を前記第3のヒータによって加熱する第3の加熱工程をさらに実行する、請求項1~11のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 硫酸および過酸化水素水の混合液であるSPMで基板からレジストを除去する基板処理装置であって、
基板を保持する基板保持ユニットと、
吐出口を有し、前記基板保持ユニットに保持されている基板に向けて前記吐出口からSPMを吐出するノズルと、
前記吐出口に連通する混合部と、
前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体を回収し、回収した液体に基づいて硫酸含有液を作成し、作成後の硫酸含有液を前記混合部に供給するための硫酸含有液供給装置と、
過酸化水素水を前記混合部に供給するための過酸化水素水供給ユニットと、
前記混合部における過酸化水素水に対する硫酸含有液の比を変更する混合比変更ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体を回収して前記硫酸含有液供給装置に送るための回収配管と、
前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体が流入する排液配管と、
前記基板保持ユニットに保持されている基板から排出された液体が流入する配管を、前記排液配管および前記回収配管の間で切り換える切り換えユニットと、
前記硫酸含有液供給装置、前記過酸化水素水供給ユニット、前記混合比変更ユニットおよび前記切り換えユニットを制御する制御装置とを含み、
前記制御装置が、
前記基板に供給され当該基板から排出されたSPMを回収して硫酸含有液を作成する硫酸含有液作成工程と、
作成後の硫酸含有液および過酸化水素水を前記混合部に供給して前記混合部において硫酸含有液および過酸化水素水を混合することによりSPMを生成し、生成されたSPMを前記吐出口から吐出するSPM吐出工程と、
前記混合比変更ユニットを制御することにより、過酸化水素水に対する硫酸含有液の比を表す第1の混合比で硫酸含有液および過酸化水素水を混合して第1のSPMを作成し、作成された前記第1のSPMを、前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給する第1のSPM供給工程と、
前記混合比変更ユニットを制御することにより、過酸化水素水に対する硫酸含有液の比を表し、前記第1の混合比よりも大きい第2の混合比で硫酸含有液および過酸化水素水を混合して第2のSPMを作成し、作成された前記第2のSPMを、前記第1のSPM供給工程において前記第1のSPMの供給が停止された後に、前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給する第2のSPM供給工程と、
前記切り換えユニットを制御することにより、前記第1のSPM供給工程において前記基板に供給され前記基板から排出された前記第1のSPMを、前記排液配管に流入させる排液工程と、
前記切り換えユニットを制御することにより、前記第2のSPM供給工程において前記基板に供給され前記基板から排出された前記第2のSPMを、前記回収配管に流入させる回収工程とを実行する、基板処理装置。 - 前記排液配管に接続されて、前記基板保持ユニットに保持されている基板を取り囲む第1のガードと、
前記回収配管に接続されて、前記基板保持ユニットに保持されている基板を取り囲む第2のガードとをさらに含み、
前記切り換えユニットが、前記第1のガードおよび前記第2のガードの状態を、前記基板から排出された液体を前記第1のガードが受け止める第1状態と、前記基板から排出された液体を前記第2のガードが受け止める第2状態との間で切り換えるガード切り換えユニットを含み、
前記制御装置が、
前記ガード切り換えユニットを制御することにより、前記第1のSPM供給工程において前記基板から排出された前記第1のSPMを、前記第1のガードに受け止めさせる第1のSPM捕獲工程と、
前記ガード切り換えユニットを制御することにより、前記第2のSPM供給工程において前記基板から排出された前記第2のSPMを、前記第2のガードに受け止めさせる第2のSPM捕獲工程とをさらに実行する、請求項13に記載の基板処理装置。 - 基板保持ユニットに保持されている基板に向けて吐出口から、硫酸および過酸化水素水の混合液であるSPMを吐出するノズルと、前記吐出口に連通する混合部と、第1のタンクを有する第1の貯液部と、前記第1のタンクとは異なる第2のタンクを有する第2の貯液部とを含む基板処理装置において実行される基板処理方法であって、
前記基板保持ユニットに保持されている、少なくとも一部がレジストで覆われた基板に供給され、当該基板から排出されたSPMを回収して硫酸含有液を作成する硫酸含有液作成工程と、
作成後の硫酸含有液および過酸化水素水を前記混合部に供給することにより、前記混合部において硫酸含有液および過酸化水素水を混合してSPMを生成し、生成されたSPMを前記吐出口から吐出するSPM吐出工程とを含み、
前記硫酸含有液作成工程が、
前記基板から排出されたSPMを回収して硫酸含有液として前記第1の貯液部の前記第1のタンクに貯留する工程と、
回収したSPMとは別の硫酸を前記第1のタンクに補充する硫酸補充工程と、
前記第1のタンクから送られた硫酸含有液を、前記第2の貯液部の前記第2のタンクに貯留する工程と、
前記第2のタンク、および前記第2のタンクに両端が接続された第1の配管を循環している硫酸含有液を、前記第2の貯液部の第1のヒータによって加熱する加熱工程とを含み、
前記SPM吐出工程が、前記第2のタンクおよび前記第1の配管を循環している硫酸含有液を前記混合部に供給する工程を含む、基板処理方法。 - 基板保持ユニットに保持されている基板に向けて吐出口から、硫酸および過酸化水素水の混合液であるSPMを吐出するノズルと、前記吐出口に連通する混合部と、第1のタンクを有する第1の貯液部と、前記第1のタンクとは異なる第2のタンクと第1のヒータとを有する第2の貯液部と、前記第1のタンクおよび前記第2のタンクとは異なる第3のタンクと第2のヒータとを有する第3の貯液部とを含む基板処理装置において実行される基板処理方法であって、
前記基板保持ユニットに保持されている、少なくとも一部がレジストで覆われた基板に供給され、当該基板から排出されたSPMを回収して硫酸含有液を作成する硫酸含有液作成工程と、
作成後の硫酸含有液および過酸化水素水を前記混合部に供給することにより、前記混合部において硫酸含有液および過酸化水素水を混合してSPMを生成し、生成されたSPMを前記吐出口から吐出するSPM吐出工程とを含み、
前記硫酸含有液作成工程が、
前記基板から排出されたSPMを回収して硫酸含有液として前記第1の貯液部の前記第1のタンクに貯留する工程と、
前記第1のタンクに硫酸を補充する硫酸補充工程と、
前記第1のタンクから送られた硫酸含有液を、前記第3の貯液部の前記第3のタンクに貯留する工程と、
前記第3のタンクおよび前記第3のタンクに両端が接続された第3の配管を循環している硫酸含有液を、前記第3の貯液部の前記第2のヒータによって加熱する工程と、
前記第3のタンクおよび前記第3の配管を循環している硫酸含有液を、前記第2の貯液部の前記第2のタンクに送り、前記第2の貯液部の前記第2のタンクに貯留する工程と、
前記第2のタンク、および前記第2のタンクに両端が接続された第1の配管を循環している硫酸含有液を、前記第2の貯液部の前記第1のヒータによって加熱する加熱工程とを含み、
前記第1の貯液部において、前記第1のタンクおよび前記第1のタンクに両端が接続された第2の配管を循環している硫酸含有液を加熱しておらず、
前記SPM吐出工程が、
前記第2のタンクおよび前記第1の配管を循環している硫酸含有液を前記混合部に供給する工程を含む、基板処理方法。 - 基板保持ユニットに保持されている基板に向けて吐出口から、硫酸および過酸化水素水の混合液であるSPMを吐出するノズルと、前記吐出口に連通する混合部とを含む基板処理装置において実行される基板処理方法であって、
前記基板保持ユニットに保持されている、少なくとも一部がレジストで覆われた基板に供給され、当該基板から排出されたSPMを回収して硫酸含有液を作成する硫酸含有液作成工程と、
作成後の硫酸含有液および過酸化水素水を前記混合部に供給することにより、前記混合部において硫酸含有液および過酸化水素水を混合してSPMを生成し、生成されたSPMを前記吐出口から吐出するSPM吐出工程と、
前記混合部における過酸化水素水に対する硫酸含有液の比を変更することにより、過酸化水素水に対する硫酸含有液の比を表す第1の混合比で硫酸含有液および過酸化水素水を混合して第1のSPMを作成し、作成された前記第1のSPMを、前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給する第1のSPM供給工程と、
前記混合部における過酸化水素水に対する硫酸含有液の比を変更することにより、過酸化水素水に対する硫酸含有液の比を表し、前記第1の混合比よりも大きい第2の混合比で硫酸含有液および過酸化水素水を混合して第2のSPMを作成し、作成された前記第2のSPMを、前記第1のSPM供給工程において前記第1のSPMの供給が停止された後に、前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給する第2のSPM供給工程と、
前記第1のSPM供給工程において前記基板に供給され前記基板から排出された前記第1のSPMを、前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体を回収するための回収配管とは異なる配管である排液配管に流入させる排液工程と、
前記第2のSPM供給工程において前記基板に供給され前記基板から排出された前記第2のSPMを、前記回収配管に流入させる回収工程とを含む、基板処理方法。 - 前記第1のSPM供給工程において前記基板から排出された前記第1のSPMを、前記基板を取り囲んでおり、前記排液配管に接続された第1のガードに受け止めさせる第1のSPM捕獲工程と、
前記第2のSPM供給工程において前記基板から排出された前記第2のSPMを、前記基板を取り囲んでおり、前記回収配管に接続された第2のガードに受け止めさせる第2のSPM捕獲工程とをさらに含む、請求項17に記載の基板処理方法。
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018176394A JP7220537B2 (ja) | 2018-09-20 | 2018-09-20 | 基板処理装置および基板処理方法 |
TW110127049A TW202141615A (zh) | 2018-09-20 | 2019-07-12 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
TW111148494A TWI839024B (zh) | 2018-09-20 | 2019-07-12 | 基板處理裝置 |
TW108124597A TWI736934B (zh) | 2018-09-20 | 2019-07-12 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
CN201980061522.3A CN112740361A (zh) | 2018-09-20 | 2019-07-18 | 衬底处理装置及衬底处理方法 |
US17/273,123 US11318504B2 (en) | 2018-09-20 | 2019-07-18 | Substrate processing device and substrate processing method |
KR1020217007433A KR102525270B1 (ko) | 2018-09-20 | 2019-07-18 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
PCT/JP2019/028345 WO2020059280A1 (ja) | 2018-09-20 | 2019-07-18 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US17/704,343 US11883858B2 (en) | 2018-09-20 | 2022-03-25 | Substrate processing device and substrate processing method |
US18/544,298 US20240116087A1 (en) | 2018-09-20 | 2023-12-18 | Substrate processing device and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018176394A JP7220537B2 (ja) | 2018-09-20 | 2018-09-20 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020047857A JP2020047857A (ja) | 2020-03-26 |
JP7220537B2 true JP7220537B2 (ja) | 2023-02-10 |
Family
ID=69888685
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018176394A Active JP7220537B2 (ja) | 2018-09-20 | 2018-09-20 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US11318504B2 (ja) |
JP (1) | JP7220537B2 (ja) |
KR (1) | KR102525270B1 (ja) |
CN (1) | CN112740361A (ja) |
TW (2) | TWI736934B (ja) |
WO (1) | WO2020059280A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7382164B2 (ja) * | 2019-07-02 | 2023-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP7321052B2 (ja) * | 2019-10-17 | 2023-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および装置洗浄方法 |
KR102622445B1 (ko) * | 2020-04-24 | 2024-01-09 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 액 공급 방법 |
JPWO2023026828A1 (ja) * | 2021-08-27 | 2023-03-02 | ||
JP7470759B2 (ja) * | 2022-09-22 | 2024-04-18 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008095144A (ja) | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Kurita Water Ind Ltd | 高温高濃度過硫酸溶液の生成方法および生成装置 |
JP2010010422A (ja) | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2013021198A (ja) | 2011-07-13 | 2013-01-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 薬液温調装置および薬液温調方法 |
JP2013074090A (ja) | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2016072613A (ja) | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
WO2017135064A1 (ja) | 2016-02-03 | 2017-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2018056293A (ja) | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および処理液供給方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006024793A (ja) | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 薬液回収方法および基板処理装置 |
JP5668914B2 (ja) | 2010-08-27 | 2015-02-12 | 栗田工業株式会社 | 洗浄方法および洗浄システム |
JP2012076979A (ja) | 2010-10-06 | 2012-04-19 | Tokyo Electron Ltd | 硫酸再生装置、硫酸再生方法および記憶媒体 |
JP2013207207A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Tokyo Electron Ltd | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
US9966282B2 (en) | 2014-09-30 | 2018-05-08 | Shibaura Mechatronics Corporation | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP6815873B2 (ja) | 2017-01-18 | 2021-01-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP6839990B2 (ja) * | 2017-01-31 | 2021-03-10 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法 |
-
2018
- 2018-09-20 JP JP2018176394A patent/JP7220537B2/ja active Active
-
2019
- 2019-07-12 TW TW108124597A patent/TWI736934B/zh active
- 2019-07-12 TW TW110127049A patent/TW202141615A/zh unknown
- 2019-07-18 US US17/273,123 patent/US11318504B2/en active Active
- 2019-07-18 CN CN201980061522.3A patent/CN112740361A/zh active Pending
- 2019-07-18 WO PCT/JP2019/028345 patent/WO2020059280A1/ja active Application Filing
- 2019-07-18 KR KR1020217007433A patent/KR102525270B1/ko active IP Right Grant
-
2022
- 2022-03-25 US US17/704,343 patent/US11883858B2/en active Active
-
2023
- 2023-12-18 US US18/544,298 patent/US20240116087A1/en active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008095144A (ja) | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Kurita Water Ind Ltd | 高温高濃度過硫酸溶液の生成方法および生成装置 |
JP2010010422A (ja) | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2013021198A (ja) | 2011-07-13 | 2013-01-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 薬液温調装置および薬液温調方法 |
JP2013074090A (ja) | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2016072613A (ja) | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
WO2017135064A1 (ja) | 2016-02-03 | 2017-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2018056293A (ja) | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および処理液供給方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020047857A (ja) | 2020-03-26 |
US11318504B2 (en) | 2022-05-03 |
TW202314925A (zh) | 2023-04-01 |
CN112740361A (zh) | 2021-04-30 |
KR20210042380A (ko) | 2021-04-19 |
KR102525270B1 (ko) | 2023-04-24 |
US20220219209A1 (en) | 2022-07-14 |
WO2020059280A1 (ja) | 2020-03-26 |
TWI736934B (zh) | 2021-08-21 |
TW202013491A (zh) | 2020-04-01 |
US20210252560A1 (en) | 2021-08-19 |
TW202141615A (zh) | 2021-11-01 |
US11883858B2 (en) | 2024-01-30 |
US20240116087A1 (en) | 2024-04-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7181764B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP7220537B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
US7063094B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP5645796B2 (ja) | 液処理装置及び液処理方法 | |
KR102189980B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP7128099B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
TWI839024B (zh) | 基板處理裝置 | |
JP4995237B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP7066471B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
US11052432B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210618 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220714 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220912 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230112 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230131 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7220537 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |