JP2010010422A - 基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】第1および第2ガードの昇降状況に応じて、処理液のミストを基板の周辺から効率よく排除することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハWの周縁部に対向して第1回収口92が形成される。この状態で、ウエハWから飛散する処理液は、上位置にある中ガード34の内壁によって受け止められる。中ガード34が上位置にあるので、中排気口28が開状態にあり、かつ上排気口29が閉状態にある。排気桶30内に、第1回収口92から、中ガード34と内ガード33との間、中ガード34とカップ31との間および中排気口28を通って排気室25内に至る第2排気経路P2が形成される。一方、上排気口29が閉状態にあるので、中ガード34と外ガード35との間および上排気口29を通って排気室25内に至る経路T3は実質上閉じている。
【選択図】図5C

Description

この発明は、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の基板を処理するための基板処理装置に関する。
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板等の基板に処理液による処理を施すために、基板を1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。この種の基板処理装置の中には、処理液の消費量の低減を図るために、基板の処理に用いた後の処理液を回収して、その回収した処理液を以降の処理に再利用するように構成されたものがある。
複数種の処理液を個別回収可能な構成の基板処理装置は、たとえば、下記特許文献1に開示されている。この基板処理装置は、基板をほぼ水平に保持しつつ、その基板を回転させるスピンチャックと、このスピンチャックを収容する処理カップとを備えている。処理カップは、それぞれ独立して昇降可能な3つの構成部材(第1〜第3構成部材)を備えている。
第1構成部材(第1ガード)は、スピンチャックの周囲を取り囲む平面視円環状の底部と、この底部から立ち上がる第1案内部とを一体的に備えている。第1案内部は、中心側(基板の回転軸線に近づく方向)に向かってほぼ斜め上方に延びている。底部には、基板の処理に用いられた後の処理液などを廃液するための廃液溝が第1案内部の内方に形成されており、さらに、この廃液溝を取り囲むように、基板の処理のために用いられた後の処理液を回収するための同心2重環状の内側回収溝および外側回収溝が第1案内部の外方に形成されている。廃液溝には、廃液処理設備へと処理液を導くための廃液管が接続されており、各回収溝は、処理液を回収処理設備へと導くための回収管が接続されている。
第2構成部材(第2ガード)は、第1案内部の外側に位置する第2案内部と、第2案内部に連結されて、この第2案内部の外側に位置する円筒状の処理液分離壁とを一体的に備えている。第2案内部は、内側回収溝上に位置した円筒状の下端部と、その下端部の上端から中心側(基板の回転軸線に近づく方向)に向かってほぼ斜め上方に延びる上端部とを有している。第2案内部は、第1構成部材の第1案内部と上下方向に重なるように設けられ、第1構成部材と第2構成部材とが最も近接した状態で、第1案内部に対してごく微小な隙間を保って近接するように形成されている。処理液分離壁は、上端部の外周縁部に連結されて円筒状をなしている。そして、処理液分離壁は外側回収溝上に位置し、第1構成部材と第2構成部材とが最も近接した状態で、外側回収溝(外側の回収溝)の内壁および底部、ならびに外構成部材の内壁との間に隙間を保って近接するように、外側回収溝に収容される。
第3構成部材(第3ガード)は、第2案内部の外側に位置する第3案内部を備えている。第3案内部は、外側回収溝上に位置した下端部と、その下端部の上端から中心側(基板の回転軸線に近づく方向)に向かってほぼ斜め上方に延びる上端部とを有している。第3案内部は、第2構成部材の第2案内部と上下方向に重なるように設けられ、第2構成部材と第3構成部材とが最も近接した状態で、第2案内部に対してごく微小な隙間を保って近接するように形成されている。
第1構成部材には、第1昇降駆動機構が結合されている。第2構成部材には、第2昇降駆動機構が結合されている。第3構成部材には、第3昇降駆動機構が結合されている。第1〜第3昇降駆動機構によって、3つの構成部材を個別に昇降させることができるようになっている。
このような構成の基板処理装置では、第1〜第3案内部の各上端部を基板よりも上方に位置させ、第1案内部によって処理液を受ける状態にすることができる。また、第1案内部の上端を基板よりも下方に位置させるとともに、第2および第3案内部の各上端部を基板よりも上方に位置させることにより、第2案内部によって処理液を受ける状態(第1回収状態)とすることができる。この第1回収状態では、第1案内部の上端部と第2案内部の上端部との間に、基板の周縁部に対向する第1回収口が形成される。第1回収口から進入した処理液は、第2案内部材の案内によって内側回収溝に回収される。
さらにまた、第1および第2案内部の各上端部を基板よりも下方に位置させるとともに、第3案内部の上端部を基板よりも上方に位置させ、この第3案内部によって基板からの処理液を受ける状態(第2回収状態)とすることができる。この第2回収状態では、第2案内部の上端部と第3案内部の上端部との間に、基板の周縁部に対向する第2回収口が形成される。第2回収口から進入した処理液は、第3案内部の案内によって外側回収溝に回収される。
スピンチャックによって基板を回転させつつ、基板の表面に第1薬液を供給することにより、基板の表面に第1薬液による処理を施すことができる。基板の表面に供給された第1薬液は、基板の回転による遠心力を受けて、基板の周縁部から側方へ飛散する。このとき、第1回収口を基板の周縁部に対向させておけば、基板の周縁部から飛散する第1薬液を回収することができる。また同様に、基板の表面に第2薬液を供給するときに、第2回収口を基板の周縁部に対向させておけば、基板から飛散する第2薬液を回収することができる。こうして、第1および第2薬液を分離して回収することができる。
また、スピンチャックによって基板を回転させつつ、基板の表面にリンス液(処理液)を供給することにより、基板の表面をリンス液で洗い流すリンス処理を行うことができる。このとき、第1案内部を基板の周縁部に対向させておけば、その基板の表面を洗い流したリンス液を、廃液溝に集めることができ、廃液溝から廃液管を通して廃棄することができる。これにより、回収される第1および第2薬液に対して使用済みリンス液が混入することを防止できる。
一方、基板およびスピンチャックの回転によって、スピンチャック周辺の気流が乱れ、第1および第2薬液のミストが舞い上がるおそれがある。この第1および第2薬液のミストが処理カップ外に漏れ出ると、処理室の内壁や処理室内の部材が薬液ミストによって汚染される。薬液ミストが処理室内で乾燥すると、パーティクルとなって雰囲気中に浮遊し、以後に処理される基板を汚染するおそれがある。そこで、特許文献1では、廃液溝の底面に排気口を形成し、この排気口から排気を行うことにより、基板の周囲に廃液溝の底面へと向かう下降気流を形成し、薬液ミストの舞い上がりを防止する構成が採用されている。
特開2008−91717号公報
特許文献1の構成では、第1案内部が基板の周縁部に対向するリンス処理時には、基板から飛散するリンス液(とくにリンス液のミスト)が、処理カップ内の下降気流に乗って廃液溝に導かれる。
しかしながら、排気口は廃液溝の底面に形成されているだけであるので、薬液(第1または第2薬液)を用いた処理を基板に施す際にも、薬液のミストの排出は、専ら廃液溝の底面へと向かう下降気流に依らなければならず、薬液のミストを効率的に基板周辺から排除することができない。
すなわち、第1薬液による処理時には基板の周縁部に第1回収口が対向している。このため、基板から飛散する第1薬液が向かう方向と、廃液溝に向かう下降気流の方向とが交差しており、スピンチャックから飛散する第1薬液のミストが下降気流に上手く乗れずに、第1回収口の内方へと導かれて滞留する。そのため、基板の周辺に第1薬液のミストが残存し、基板処理に悪影響を与えるおそれがある。また、第1薬液のミストを含む雰囲気が舞い上がり、処理カップから漏出するおそれもある。
また、第2薬液による処理時には基板の周縁部に第2回収口が対向している。このため、基板から飛散する第2薬液が向かう方向と、廃液溝に向かう下降気流の方向とが交差しており、スピンチャックから飛散する第2薬液のミストが下降気流に上手く乗れずに、第2回収口の内方へと導かれて滞留する。そのため、基板の周辺に第2薬液のミストが残存し、基板処理に悪影響を与えるおそれがある。また、第2薬液のミストを含む雰囲気が舞い上がり、処理カップから漏出するおそれもある。
したがって、基板の周縁部に第1および第2回収口のいずれが対向する場合においても、基板の周辺から薬液のミストを効率よく排除することが望まれていた。
そこで、この発明の目的は、第1および第2ガードの昇降状況に応じて、処理液のミストを基板の周辺から効率よく排除することができる基板処理装置を提供することである。
請求項1記載の発明は、基板(W)を水平に保持して鉛直な回転軸線(C)まわりに回転させる基板回転手段(4)と、前記基板回転手段により回転される基板に対して処理液を供給するための処理液供給手段(6)と、内部に前記基板回転手段を収容する有底筒状の排気桶(30)と、前記排気桶の外側方に隣接して形成された排気室(25)と、前記排気桶の側壁に形成されて、前記排気桶内と前記排気室内とを接続する第1および第2排気口(28,29)と、前記基板回転手段の周囲を取り囲むように、前記排気桶内に昇降可能に収容されて、前記基板回転手段によって回転される基板から飛散する処理液を受ける第1ガード(34)と、前記第1ガードの周囲を取り囲むように、前記排気桶内に昇降可能に収容されて、前記基板回転手段によって回転される基板から飛散する処理液を受ける第2ガード(35)と、前記第1および第2ガードのうちの少なくとも一方の昇降と連動して、前記第1および第2排気口の一方のみを選択的に開放させる開閉手段(81,82,83)とを含む、基板処理装置である。
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、基板回転手段により回転される基板に供給された処理液は、基板の周縁部から側方に向けて飛散する。第1および/または第2ガードの昇降動作によって、第1ガードが基板から飛散する処理液を受け止めることができる状態(処理液受け止め状態)とすることにより、基板の周縁部に対向する第1開口(92)が形成される。また、第1および/または第2ガードの昇降動作によって、第2ガードが基板から飛散する処理液を受け止めることができる状態(処理液受け止め状態)とすることにより、基板の周縁部に対向する第2開口(93)が形成される。
第1および/または第2ガードの昇降と連動して、第1および第2排気口の一方のみが選択的に開放される。たとえば、第1開口が形成される状態で、開状態になるのが第1開口に連通する第1排気口である場合には、第1開口が開状態にある第1排気口を介して排気室内に接続される。この状態で排気室内が排気されると、第1開口から第1排気口を通して排気室内へと流通する気流が形成される。このとき、第2排気口が閉状態にあるので、当該排気室内に吸い込まれる気流は強い。これにより、ウエハWの周辺から第1開口に向けて比較的強い気流が流入する。
また、たとえば、第2開口が形成される状態で、開状態になるのが第2開口に連通する第2排気口である場合には、第2開口が開状態にある第2排気口を介して排気室内に接続される。この状態で排気室内が排気されると、第2開口から第2排気口を通して排気室内へと流通する気流が形成される。このとき、第1排気口が閉状態にあるので、当該排気室内に吸い込まれる気流は強い。これにより、ウエハWの周辺から第2開口に向けて比較的強い気流が流入する。
すなわち、第1および第2開口のいずれが形成される場合であっても、基板回転手段に保持された基板から、当該第1および第2開口に流入する比較的強い気流が形成される。
したがって、第1および第2ガードの昇降状況に応じて、処理液のミストを基板の周辺から効率よく排除することができる。
前記第1および第2ガードのうちの少なくとも一方を昇降させることにより、前記第1排気口に連通し、前記基板回転手段に保持された基板の周縁部に対向する第1開口(92)と、前記第2排気口に連通し、前記基板回転手段に保持された基板の周縁部に対向する第2開口(93)とを選択的に形成する開口形成手段(81,82,83)とをさらに含んでいてもよい。この開口形成手段は、前記第1ガードが前記基板回転手段により回転される基板から飛散する処理液を受ける位置にあるとき、前記第1開口を形成し、前記第2ガードが前記基板回転手段により回転される基板から飛散する処理液を受ける位置にあるとき、前記第2開口を形成するものであってもよい。
請求項2記載の発明は、前記排気室は、前記排気桶の周囲を取り囲むように形成されており、前記第1および第2排気口が、それぞれ、前記排気桶の前記側壁の周方向に間隔を隔てて複数個形成されている、請求項1記載の基板処理装置である。
この構成によれば、排気桶の周囲を取り囲む排気室内が排気されると、排気桶内の雰囲気が、第1排気口または第2排気口のいずれか一方を通って排気室内に移動する。第1および第2排気口が、それぞれ、排気桶の側壁の周方向に間隔を隔てて複数個設けられているので、排気桶内の雰囲気が排気桶の側壁に向けて放射状を描くように移動するとともに、複数の第1排気口または複数の第2排気口にほぼ均等の吸込力で吸い込まれる。これにより、排気桶内に形成される気流の強さを、排気桶の側壁の周方向に関してほぼ均一にすることができる。
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す平面図である。図2は、図1に示す切断面線A−Aから見た断面図である。
基板処理装置は、たとえば基板の一例としての半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)Wの表面に不純物を注入するイオン注入処理やドライエッチング処理の後に、そのウエハWの表面から不要になったレジストを除去するための処理に用いられる枚葉式の装置である。基板処理装置は、隔壁(図示せず)により区画された処理室2内に、そのウエハWをほぼ鉛直な回転軸線C(図2参照)まわりに回転させるための基板回転手段としてのスピンチャック4と、このスピンチャック4を収容する処理カップ5と、スピンチャック4に保持されたウエハWの表面(上面)に、複数の処理液を選択的に供給するための処理液供給手段としての処理液ノズル6(図2参照)とを備えている。この実施形態では、処理液ノズル6から、薬液(ふっ酸(HF)、SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:硫酸過酸化水素水混合液)およびSC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture:アンモニア過酸化水素水混合液))およびリンス液としてのDIW(脱イオン化された水)を、ウエハWに選択的に供給する構成になっている。
処理室2の天面には、処理室2内にクリーンエアのダウンフローを供給するための図示しないファンフィルタユニット(FFU)が設けられている。このファンフィルタユニットは、ファンおよびフィルタを上下に積層し、ファンによる送風をフィルタで浄化して処理室2内に供給する構成になっている。
スピンチャック4は、ほぼ鉛直に配置された回転軸(図示しない)の上端に固定された円盤状のスピンベース7と、スピンベース7の下方に配置されて、回転軸を駆動するためのモータ8と、モータ8の周囲を包囲する筒状のカバー部材10とを備えている。スピンベース7の上面には、その周縁部にほぼ等角度間隔で複数(たとえば6つ)の挟持部材9が配置されている。なお、図2では、スピンチャック4は断面形状を示さず、その側面形状を示している。カバー部材10は、その下端が排気桶30の底壁に固定され、上端がスピンベース7の近傍にまで及んでいる。
処理液ノズル6は、スピンチャック4の上方でほぼ水平に延びるノズルアーム11の先端部に取り付けられている。このノズルアーム11は、処理カップ5の側方でほぼ鉛直に延びたアーム支持軸12に支持されている。アーム支持軸12には、モータ(図示せず)を含むノズル駆動機構13が結合されている。ノズル駆動機構13からアーム支持軸12に回転力を入力して、アーム支持軸12を回動させることにより、スピンチャック4の上方でノズルアーム11を揺動させることができる。処理液ノズル6は、処理液の供給が行われないときには、処理カップ5の側方の退避位置に退避しており、処理液の供給時には、ウエハWの上面に対向する位置へと移動する。
処理液ノズル6には、ふっ酸供給源からのふっ酸が供給されるふっ酸供給管14と、SPM供給源からSPMが供給されるSPM供給管15と、SC1供給源からSC1が供給されるSC1供給管16と、DIW供給源からのDIWが供給されるDIW供給管17とが接続されている。ふっ酸供給管14の途中部には、ふっ酸供給管14を開閉するためのふっ酸バルブ18が介装されている。SPM供給管15の途中部には、SPM供給管15を開閉するためのSPMバルブ19が介装されている。SC1供給管16の途中部には、SC1供給管16を開閉するためのSC1バルブ20が介装されている。DIW供給管17の途中部には、DIW供給管17を開閉するためのDIWバルブ21が介装されている。
SPMバルブ19、SC1バルブ20およびDIWバルブ21が閉じられた状態で、ふっ酸バルブ18が開かれることにより、ふっ酸供給管14からのふっ酸が処理液ノズル6に供給されて、処理液ノズル6から下方に向けてふっ酸が吐出される。
ふっ酸バルブ18、SC1バルブ20およびDIWバルブ21が閉じられた状態で、SPMバルブ19が開かれることにより、SPM供給管15からのSPMが処理液ノズル6に供給されて、処理液ノズル6から下方に向けてSPMが吐出される。
ふっ酸バルブ18、SPMバルブ19およびDIWバルブ21が閉じられた状態で、SC1バルブ20が開かれることにより、SC1供給管16からのSC1が処理液ノズル6に供給されて、処理液ノズル6から下方に向けてSC1が吐出される。
ふっ酸バルブ18、SPMバルブ19およびSC1バルブ20が閉じられた状態で、DIWバルブ21が開かれることにより、DIW供給管17からのDIWが処理液ノズル6に供給されて、処理液ノズル6から下方に向けてDIWが吐出される。
なお、図2では、処理液ノズル6として、ノズルアーム11の揺動によりウエハWの表面における処理液の供給位置がスキャンされる、いわゆるスキャンノズルの形態が採用されているが、処理液ノズル6がスピンチャック4のほぼ斜め上方や、ウエハWの回転軸線C上に固定的に配置されて、ウエハWの表面に対して上方から処理液を供給する構成が採用されてもよい。また、後述するスピンドライ処理においてウエハWの表面に近接して対向配置される遮断板が備えられる場合には、遮断板の中央部に処理液供給口が形成されて、この処理液供給口からウエハWの表面に処理液が供給されるようにしてもよい。
処理カップ5は、ほぼ有底円筒状をなす排気桶30と、排気桶30の側壁と間隔を隔てて、当該側壁の周囲を取り囲む外筒22と、排気桶30内に固定的に収容されたカップ31と、排気桶30内に収容されて、互いに独立して昇降可能な内ガード33、中ガード(第1ガード)34および上ガード(第2ガード)35とを備えている。
排気桶30の底部の最も低い箇所には、ウエハWの処理に使用された処理液(たとえば、SC1およびDIW)を廃棄するための廃液管40の一端が接続されている。廃液管40の他端は、図示しない廃液設備に接続されている。排気桶30の底部に溜められた処理液は、廃液管40を通して廃液処理設備へ導かれる。
外筒22は、排気桶30の側壁と同軸円筒状に形成されている。外筒22の上部と排気桶30との上部との間、および外筒22の下部と排気桶30との下部との間は、それぞれ上カバー23および下カバー24によって閉塞されている。そのため、排気桶30の側壁、外筒22、上カバー23および下カバー24によって、平面視円環状の排気室25が区画されている。すなわち、排気桶30の外側方に隣接して排気室25が形成されている。外筒22には、排気室25内の雰囲気を排気するための外排気口26が形成されている。外排気口26は、図示しない排気液設備に接続されている。
排気桶30の側壁には、排気桶30の側壁の内外を貫通して、排気桶30内と排気室25内とを接続する下排気口27、中排気口(第1排気口)28および上排気口(第2排気口)29が形成されている。下排気口27は、排気桶30の底部付近の側壁に形成されて、周方向に等角度間隔で複数個(図1では3個)設けられている。上排気口29は、排気桶30の頂部付近の側壁に形成されて、排気桶30の周方向に等間隔を隔てて複数個(図1では3個)設けられている。中排気口28は、排気桶30の側壁に、下排気口27および上排気口29の上下方向途中部に形成されて、排気桶30の周方向に等間隔を隔てて複数個(図1では3個)設けられている。
排気桶30には、後述する第1〜第3シリンダ81,82,83を収容するための収容部32が設けられている。収容部32は、排気桶30の周方向に間隔を隔てて複数個(図1では3個)設けられており、各収容部32に第1シリンダ81、第2シリンダ82および第3シリンダ83が1つずつ収容されている。各収容部32は排気桶30の側壁より径方向外方に突出して、外筒22の外側まで張り出した空間であり、収容部32の外壁は排気桶30の側壁と同軸円筒状に形成されている。
カップ31は、スピンチャック4を取り囲み、スピンチャック4によるウエハWの回転軸線Cに対してほぼ回転対称な形状を有している。このカップ31は、排気桶30の側壁に重なるように固定された円筒状の外壁部53と、外壁部53の下端縁部から径方向内方に向けて水平に突出した平面視円環状の底部51と、この底部51の内周縁部から上方に立ち上がった円筒状の内壁部52とを一体的に備えている。カップ31は、排気桶30の底部から間隔を隔てて配置されており、カップ31の下方領域には、下排気口27に連通している。底部51、内壁部52および外壁部53は、断面U字状をなしており、これらの底部51、内壁部52および外壁部53によって、ウエハWの処理に使用された処理液(たとえば、SPM)を集めて回収するための下回収溝54が区画されている。下回収溝54の底部の最も低い箇所には、この下回収溝54に集められた処理液を図示しない回収タンクに回収するための第1回収ライン55が接続されている。
内ガード33は、スピンチャック4の周囲を取り囲み、スピンチャック4によるウエハWの回転軸線Cに対してほぼ回転対称な形状を有している。この内ガード33は、ほぼ円筒状の第1案内部61と、この第1案内部61に連結された円筒状の処理液分離壁62とを備えている。
第1案内部61は、スピンチャック4の周囲を取り囲む円筒部61cと、円筒部61cの下端から中心側(ウエハWの回転軸線Cに近づく方向)ほぼ斜め下方に延びる下端部61aと、円筒部61cの上端から中心側(ウエハWの回転軸線Cに近づく方向)ほぼ斜め上方に延びる上端部61bとを有している。第1案内部61の下端部61aは、カップ31の内壁部52の内方に、内壁部52との間にごく微小な隙間を保って配置されており、内ガード33が上位置にある状態においても、カップ31の内壁部52の一部と左右方向に重なるような長さに形成されている。第1案内部61の下端部61aによって案内された処理液は、排気桶30の底部上に導かれる。
処理液分離壁62は、円筒部61cの下端から鉛直方向に垂下して、カップ31の下回収溝54上に位置し、内ガード33が後述する下位置にある状態で、カップ31の底部51、内壁部52および外壁部53の間に微小な隙間を保って、下回収溝54に収容されるような長さに形成されている。
中ガード34は、内ガード33の周囲を取り囲み、スピンチャック4によるウエハWの回転軸線Cに対してほぼ回転対称な形状を有している。この中ガード34は、第2案内部63と、カップ部64とを一体的に備えている。
第2案内部63は、内ガード33の第1案内部61の外側において、第1案内部61の円筒部61cと同軸円筒状をなす円筒部63aと、この円筒部63aの上端から中心側(ウエハWの回転軸線Cに近づく方向)ほぼ斜め上方に延びる上端部63bとを有している。円筒部63aは、上回収溝65上に位置し、中ガード34が下位置にある状態で、カップ31の底部51および外壁部53、ならびに処理液分離壁50との間に十分な間隔を保って、下回収溝54に収容される。一方、上端部63bは、内ガード33の第1案内部61の上端部61bと上下方向に重なるように設けられ、内ガード33と中ガード34とが最も近接した状態で、第1案内部61の上端部61bに対してごく微小な隙間を保って近接する。
カップ部64は、第2案内部63の円筒部63aの途中部から、径方向外方に向けて突出した平面視円環状の底部65と、この底部65の内周縁部から上方に立ち上がる円筒状の外壁部67とを備えている。外壁部67は、排気桶30の側壁との間にごく微小な隙間を保って当該側壁に沿うように設けられており、中排気口28および上排気口29の一方を選択的に閉塞することができる大きさに形成されている。底部65、外壁部67および円筒部63aは、断面U字状をなしており、これら底部65、外壁部67および円筒部63aによって、ウエハWの処理に使用された処理液(たとえば、ふっ酸)を集めて回収するための上回収溝68が区画されている。上回収溝68の底部の最も低い箇所には、この上回収溝68に集められた処理液を図示しない回収タンクに回収するための第2回収ライン69が接続されている。
外ガード35は、中ガード34の第2案内部63の外側において、スピンチャック4の周囲を取り囲み、スピンチャック4によるウエハWの回転軸線Cに対してほぼ回転対称な形状を有している。この外ガード35は、第2案内部63の円筒部63aと同軸円筒状をなす円筒部35aと、円筒部35aの上端から中心側(ウエハWの回転軸線Cに近づく方向)ほぼ斜め上方に延びる上端部35bと、円筒部35aの途中部から径方向外方に突出して、カップ部64の外壁部67の上方を覆う突起35cとを有している。
突起35cは、中ガード34と外ガード35とが最も近接した状態で、中ガード34のカップ部64の外壁部67に当接しないような高さ位置に形成されている。突起35cの外壁(先端)は、排気桶30の側壁との間にごく微小な隙間を保って当該側壁に沿うように設けられている。
上端部35bは、中ガード34の第2案内部63の上端部63bと上下方向に重なるように設けられ、中ガード34と外ガード35とが最も近接した状態で、第2案内部63の上端部63bに対してごく微小な隙間を保って近接するように形成されている。
また、基板処理装置は、内ガード33を昇降させるための第1シリンダ(開閉手段、開口形成手段)81と、中ガード34を昇降させるための第2シリンダ(開閉手段、開口形成手段)82(図1にのみ図示)と、外ガード35を昇降させるための第3シリンダ(開閉手段、開口形成手段)83(図1にのみ図示)と備えている。第3シリンダ83のロッド85の上端部には、外ガード35の突起35cと連結する連結部材86の一端が固定されており、このロッド85がシリンダ本体87に対して出没することにより、外ガード35が昇降するようになっている。また、第1シリンダ81の図示しないロッドの上端部には、内ガード33の円筒部33aと連結する連結部材88の一端が固定されており、第1シリンダ81のロッドが図示しないシリンダ本体に対して出没することにより、内ガード33が昇降するようになっている。さらに、第2シリンダ82の図示しないロッドの上端部には、中ガード34の外壁部67と連結する連結部材89の一端が固定されており、第2シリンダ82のロッドが図示しないシリンダ本体に対して出没することにより、中ガード34が昇降するようになっている。シリンダ81,82,83は、排気桶30の周方向に等角度間隔で3つ配置された収容部32内に1つずつ収容されている。収容部32の上方は、上カバー23から延設されたカバー90によって覆われている。
図3は、図1に示す基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
基板処理装置は、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置80を備えている。この制御装置80には、制御対象として、モータ8、ノズル駆動機構13、第1シリンダ81、第2シリンダ82、第3シリンダ83、ふっ酸バルブ18、SPMバルブ19、SC1バルブ20およびDIWバルブ21などが接続されている。
図4は、図1に示す基板処理装置で行われる処理例を説明するためのフローチャートである。また、図5A〜図5Dは、ウエハW処理中における基板処理装置の図解的な部分断面図である。
ウエハWに対する処理が行われている間、図示しない排気液設備によって外排気口26内が強制的に排気されている。これにより、排気桶30の周囲を取り囲む排気室25内も排気されて、排気桶30内の雰囲気が下排気口27、中排気口28または上排気口29を通って排気室25内に移動するので、排気桶30内が陰圧になる。また、ファンフィルタユニットから処理室2内にクリーンエアが供給される。このため、処理室2内に、上方から下方に向けて流れるクリーンエアのダウンフローが形成され、このクリーンエアのダウンフローが、排気桶30内に取り込まれるようになる。
レジスト除去処理に際しては、図示しない搬送ロボットによって、処理室2内にイオン注入処理後のウエハWが搬入されてくる(ステップS1)。このウエハWは、イオン注入時のマスクとして用いられたレジストに対してアッシング(灰化)処理を施していない状態のものであり、その表面にはレジストが存在している。その表面を上方に向けた状態で、ウエハWがスピンチャック4に保持される。なお、このウエハWの搬入前は、その搬入の妨げにならないように、図2に示すように、内ガード33、中ガード34および外ガード35が下位置(最も下方位置)に下げられることにより、第1案内部61、第2案内部63および外ガード35の上端部61b,63b,35bがいずれも、スピンチャック4によるウエハWの保持位置よりも下方に位置している。
ウエハWがスピンチャック4に保持されると、制御装置80はモータ8を制御して、スピンチャック4によるウエハWの回転(スピンベース7の回転)を開始させる(ステップS2)。また、制御装置80が第3シリンダ83を制御して、外ガード35だけを上位置(最も上方の位置)まで上昇させて、外ガード35の上端部35bがスピンチャック4に保持されたウエハWの上方に配置される。外ガード35が上位置にあり、中ガード34が下位置にあるとき、外ガード35の内壁で、ウエハWから飛散する処理液を受け止めることができる(外ガード35の処理液受け止め状態)。
これにより、第2案内部63の上端部63bと外ガード35の上端部35bとの間に、ウエハWの周縁部に対向する第2回収口(第2開口)93が形成される(図5A参照)。さらに、ノズル駆動機構13が制御されてノズルアーム11が回動し、処理液ノズル6が、スピンチャック4の側方の退避位置からウエハWの上方位置へと移動される。
中ガード34のカップ部64の外壁部67は、中ガード34が上位置にあるときは上排気口29を閉塞し、中ガード34が下位置にあるときは中排気口28を閉塞する。つまり、中ガード34が上位置に位置するときは、上排気口29は開状態にあるが、中排気口28は閉状態にあり、また、中ガード34が下位置にあるときは、中排気口28は開状態にあるが、上排気口29は閉状態にある。
さらに、外ガード35が上位置にあるときは、外ガード35の突起35cが排気桶30の側壁と左右方向に重なっている。そのため、処理室2内の雰囲気が、外ガード35と排気桶30の側壁との間の隙間を通って排気桶30内に進入することを阻止することができる。一方、外ガード35が下位置にあるときは、外ガード35の突起35cが上排気口29の下方に退避するので、処理室2内の雰囲気が、外ガード35と排気桶30の側壁との間の隙間を通って排気桶30内に進入することを防止することができない。
第2案内部63の上端部63bと外ガード35の上端部35bとの間に第2回収口93が形成された状態(第2回収状態)では、中ガード34が下位置にあるので、上排気口29は開状態にあるが、中排気口28は閉状態にある。
排気桶30内に、第2回収口93から、中ガード34と外ガード35との間および上排気口29を通って排気室25に至る第3排気経路P3が形成される。下位置にある中ガード34と上位置に位置する外ガード35との間には大空間が形成されているので、第3排気経路P3の圧力損失は極めて小さい。
一方、この第2回収状態では、中排気口28が閉状態にあり、しかも、内ガード33および中ガード34が内ガード33の第1案内部61の上端部61bと中ガード34の第2案内部63の上端部63bとの間にごく微小な隙間を保った状態で近接している。そのため、中ガード34と内ガード33との間、中ガード34とカップ31との間および中排気口28を通って排気室25内に至る経路T2は実質上閉じている。
また、第1案内部61および第2案内部63の上端部61b,63bの先端がスピンチャック4のスピンベース7に微小の隙間を隔てて配置されているので、内ガード33の内側領域、カップ31の下方領域および下排気口27を通って排気室25内に至る経路T1は、圧力損失が比較的高い。
さらに、この第2回収状態では、外ガード35が上位置にあるので、処理室2内の雰囲気が外ガード35と排気桶30の側壁との間の隙間を通って排気桶30内に進入することが、突起35cによって阻止されている。
したがって、外排気口26内が強制的に排気されることにより、処理室2内を流下するダウンフローが、スピンチャック4と処理カップ5の内縁部(外ガード35の上端部35b)との間の隙間を通って排気桶30内に取り込まれ、スピンチャック4に保持されたウエハWの側方に導かれた後、専ら第3排気経路P3を流通して排気室25内に導かれる。このように、第2回収口93を通って第3排気経路P3に流入する気流が形成される。上排気口29が排気桶30の周方向に間隔を隔てて複数設けられているので、ダウンフローは、排気桶30内を平面視で放射状を描くように移動し、複数の上排気口29にほぼ均等な吸込力で吸い込まれる。
ウエハWの回転速度が1500rpmに達すると、制御装置80がふっ酸バルブ18を開いて、処理液ノズル6から回転中のウエハWの表面に向けてふっ酸が吐出される(S3:ふっ酸処理)。
このふっ酸処理では、制御装置80はノズル駆動機構13を制御して、ノズルアーム11を所定の角度範囲内で揺動している。これによって、処理液ノズル6からのふっ酸が導かれるウエハWの表面上の供給位置は、ウエハWの回転中心からウエハWの周縁部に至る範囲内を、ウエハWの回転方向と交差する円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。また、ウエハWの表面に供給されたふっ酸は、ウエハWの表面の全域に拡がる。これにより、ウエハWの表面の全域に、ふっ酸がむらなく供給される。処理液ノズル6からウエハWの表面にふっ酸が供給されることにより、そのふっ酸の化学的能力により、ウエハWの表面に形成された自然酸化膜などを除去することができる。ウエハWの表面にふっ酸が供給されることにより、ふっ酸のミストが発生する。ウエハWの表面に供給されたふっ酸は、ウエハWの周縁部からウエハWの側方に向けて飛散する。
ウエハWの周縁部から振り切られて側方に飛散するふっ酸は、第2回収口93に捕獲されて、外ガード35の内面を伝って流下し、上回収溝68に集められ、上回収溝68から第2回収ライン69を通して回収タンクに回収される。
このとき、内ガード33および中ガード34が内ガード33の第1案内部61の上端部61bと中ガード34の第2案内部63の上端部63bとの間にごく微小な隙間を保った状態で近接しているので、第1案内部61と第2案内部63との間へのふっ酸の進入が防止される。
また、ふっ酸のミストを含む雰囲気は、第2回収口93から第3排気経路P3を通って排気口37に排気される。ウエハWの周縁部に対向する第2回収口93を介して、ウエハWの周辺のふっ酸のミストを含む雰囲気が排気される。このため、ウエハWの周辺からふっ酸のミストを効率良く排除することができる。
ウエハWへのふっ酸の供給開始から所定のふっ酸処理時間が経過すると、制御装置80がふっ酸バルブ18を閉じて、処理液ノズル6からのふっ酸の供給が停止される。また、制御装置80が第1および第2シリンダ81,82を駆動して、内ガード33および中ガード34を上位置まで上昇させて、第1案内部61、第2案内部63および外ガード35の上端部61b,63b,35bが、スピンチャック4に保持されたウエハWよりも上方に配置される。これにより、第1案内部61の上端部61bと下端部61aとの間に、ウエハWの周縁部に対向する廃液口91が形成される(図5B参照)。また、制御装置80はノズル駆動機構13を駆動して、ノズルアーム11の揺動を停止させて、処理液ノズル6がウエハW上で停止される。
第1案内部61の上端部61bと下端部61aとの間に廃液口91が形成された状態(廃液状態)では、中ガード34が上位置にあるので、中排気口28は開状態にあるが、上排気口29は閉状態にある。
このとき、排気桶30内に、廃液口91から、内ガード33の内側領域、カップ31の下方領域、下排気口27および排気室25内を通って外排気口26に至る第1排気経路P1が形成される。第1案内部61、第2案内部63および外ガード35の上端部61b,63b,35bがスピンチャック4に保持されたウエハWよりも上方にあるので、第1排気経路P1の圧力損失は極めて小さい。
一方、この廃液状態では、内ガード33および中ガード34が内ガード33の第1案内部61の上端部61bと中ガード34の第2案内部63の上端部63bとの間にごく微小な隙間を保った状態で近接している。そのため、中ガード34と内ガード33との間、中ガード34とカップ31との間および中排気口28を通って排気室25内に至る経路T2は、圧力損失が比較的高い。
また、上排気口29が閉状態にあり、しかも、中ガード34および外ガード35が第2案内部63の上端部63bと外ガード35の上端部35bとの間にごく微小な隙間を保った状態で近接している。そのため、中ガード34と外ガード35との間および上排気口29を通って排気室25内に至る経路T3は実質上閉じている。
さらに、この廃液状態では、外ガード35が上位置にあるので、処理室2内の雰囲気が外ガード35と排気桶30の側壁との間の隙間を通って排気桶30内に進入することが、突起35cによって阻止されている。
したがって、外排気口26内が強制的に排気されることにより、処理室2内を流下するダウンフローがスピンチャック4と処理カップ5の内縁部(外ガード35の上端部35b)との間の隙間を通って排気桶30内に取り込まれ、スピンチャック4に保持されたウエハWの側方に導かれた後、専ら第1排気経路P1を流通して排気室25内に導かれる。このように、廃液口91を通って第1排気経路P1に流入する気流が形成される。
このとき、カップ31の内壁部52との間にごく微小な隙間を保って配置された下端部61aがカップ31の内壁部52の一部と左右方向に重なっているので、内ガード33の内側領域からカップ31の下方領域へと流れるDIWのミストを含む雰囲気が、SPMが回収される下回収溝54に進入することを阻止することができる。これにより、異なる処理液同士の混触を防止することができる。
ウエハWの周縁部に対向して廃液口91が形成された後、制御装置80は、ウエハWの回転を継続したまま、DIWバルブ21を開く。これにより、回転中のウエハWの表面の中央部に向けて処理液ノズル6からDIWが吐出される(S4:中間リンス処理)。処理液ノズル6からDIWが吐出されることにより、DIWのミストが発生する。この中間リンス処理では、ウエハWの表面上に供給されたDIWが、ウエハWの表面の全域に拡がり、ウエハWの表面に付着しているふっ酸がDIWによって洗い流される。そして、ふっ酸を含むDIWは、ウエハWの回転によって振り切られて、その周縁部から側方に飛散する。ウエハWの周縁部から飛散するDIW(ふっ酸を含むDIW)は、廃液口91に捕獲されて、内ガード33の第1案内部61の内壁に受け止められる。そして、第1案内部61の内壁を伝って流下した後に落液し、排気桶30の底部に集められ、排気桶30の底部から廃液管40を通して廃液処理設備へ導かれる。
このとき、内ガード33、中ガード34および外ガード35が各上端部61b,63b,35b間にごく微小な隙間を保った状態で近接することによって、第1案内部61と第2案内部63との間、および第2案内部63と外ガード35との間へのDIWの進入が防止される。
この中間リンス処理時には、ウエハWの周辺に、ふっ酸のミストが残存しているおそれがある。DIWのミストおよびふっ酸のミストを含む雰囲気は、廃液口91から第1排気経路P1を通って排気口37に排気される。
DIWの供給開始から所定の中間リンス時間が経過すると、制御装置80がDIWバルブ21を閉じて、処理液ノズル6からのDIWの供給が停止される。また、第1シリンダ81を駆動して内ガード33だけを下位置まで下降させて、内ガード33の第1案内部61の上端部61bがスピンチャック4に保持されたウエハWの下方に配置される。これにより、第1案内部61の上端部61bと第2案内部63の上端部63bとの間に、ウエハWの周縁部に対向する第1回収口(第1開口)92が形成される(図5C参照)。
第1案内部61の上端部61bと第2案内部63の上端部63bとの間に第1回収口92が形成された状態(第1回収状態)では、中ガード34が上位置にあり、内ガードが下位置にあるので、中ガード34の内壁でウエハWから飛散する処理液を受け止めることができる(中ガード34の処理液受け止め状態)。また、中ガード34が上位置にあるので、中排気口28は開状態にあるが、上排気口29は閉状態にある。
このとき、排気桶30内に、第1回収口92から、中ガード34と内ガード33との間、中ガード34とカップ31との間および中排気口28を通って排気室25内に至る第2排気経路P2が形成される。下位置にある内ガード33と上位置に位置する中ガード34との間には大空間が形成されているので、第2排気経路P2の圧力損失は極めて小さい。
一方、この第1回収状態では、上排気口29が閉状態にあり、しかも、中ガード34および外ガード35が、第2案内部63の上端部63bと外ガード35の上端部35bとの間にごく微小な隙間を保った状態で近接している。そのため、中ガード34と外ガード35との間および上排気口29を通って排気室25内に至る経路T3は実質上閉じている。
また、第1案内部61の上端部61bの先端がスピンチャック4のスピンベース7に微小の隙間を隔てて配置されているので、内ガード33の内側領域、カップ31の下方領域および中排気口28を通って排気室25内に至る経路T1は、圧力損失が比較的高い。
さらに、この第1回収状態では、外ガード35が上位置にあるので、処理室2内の雰囲気が外ガード35と排気桶30の側壁との間の隙間を通って排気桶30内に進入することが、突起35cによって阻止されている。
したがって、外排気口26内が強制的に排気されることにより、処理室2内を流下するダウンフローが、スピンチャック4と処理カップ5の内縁部(外ガード35の上端部35b)との間の隙間を通って排気桶30内に取り込まれ、スピンチャック4に保持されたウエハWの側方に導かれた後、専ら第2排気経路P2を流通して排気室25内に導かれる。このように、第1回収口92を通って第2排気経路P2に流入する気流が形成される。中排気口28が排気桶30の周方向に間隔を隔てて複数設けられているので、ダウンフローは、排気桶30内を平面視で放射状を描くように移動し、複数の中排気口28にほぼ均等な吸込力で吸い込まれる。
ウエハWの周縁部に対向して第1回収口92が形成された後、制御装置80は、ウエハWの回転を継続したままSPMバルブ19を開く。これにより、処理液ノズル6から回転中のウエハWの表面に向けてSPMが吐出される(S5:SPM処理)。
このSPM処理では、制御装置80はノズル駆動機構13を制御して、ノズルアーム11が所定の角度範囲内で揺動される。これによって、処理液ノズル6からのSPMが導かれるウエハWの表面上の供給位置は、ウエハWの回転中心からウエハWの周縁部に至る範囲内を、ウエハWの回転方向と交差する円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。また、ウエハWの表面に供給されたSPMは、ウエハWの表面の全域に拡がる。これにより、ウエハWの表面の全域に、SPMがむらなく供給される。SPMがウエハWの表面に供給されると、SPMに含まれるペルオキソ一硫酸の強酸化力がレジストに作用し、ウエハWの表面からレジストが除去される。ウエハWの表面にSPMが供給されることにより、SPMのミストが発生する。ウエハWの表面に供給されたSPMは、ウエハWの周縁部からウエハWの側方に向けて飛散する。
ウエハWの周縁部から振り切られて側方に飛散するSPMは、第1回収口92に捕獲される。そして、SPMは第1案内部61の内面を伝って流下し、下回収溝54に集められ、下回収溝54から第1回収ライン55を通して回収タンクに回収される。
このとき、中ガード34および外ガード35が、中ガード34および外ガード35が第2案内部63の上端部63bと外ガード35の上端部35bとの間にごく微小な隙間を保った状態で近接しているので、第2案内部63と外ガード35との間へのSPMの進入が防止される。
また、SPMのミストを含む雰囲気は、第1回収口92から第2排気経路P2を通って排気口37に排気される。ウエハWの周縁部に対向する第1回収口92を介して、ウエハWの周辺のSPMのミストを含む雰囲気が排気されるので、ウエハWの周辺からSPMのミストを効率良く排除することができる。
ウエハWへのSPMの供給開始から所定のSPM処理時間が経過すると、制御装置80がSPMバルブ19を閉じて、処理液ノズル6からのSPMの供給が停止される。また、第1シリンダ81を駆動して内ガード33を上位置まで上昇させて、ウエハWの周縁部に対向して廃液口91を形成する(図5B参照)。また、制御装置80はノズル駆動機構13を駆動して、ノズルアーム11の揺動を停止させて、処理液ノズル6がウエハW上で停止される。
ウエハWの周縁部に対向して廃液口91が形成された後、制御装置80は、ウエハWの回転を継続したまま、DIWバルブ21を開く。これにより、回転中のウエハWの表面の中央部に向けて処理液ノズル6からDIWが吐出される(S6:中間リンス処理)。この中間リンス処理では、ウエハWの表面上に供給されたDIWによって、ウエハWの表面に付着しているSPMが洗い流される。そして、ウエハWの表面上に供給されたDIWは、ウエハWの周縁部から側方へ飛散して排気桶30の底部に集められ、排気桶30の底部から廃液管40を通して廃液処理設備へ導かれる。
この中間リンス処理時には、ウエハWの周辺に、SPMのミストが残存しているおそれがある。DIWのミストおよびSPMのミストを含む雰囲気は、廃液口91から第1排気経路P1を通って排気口37に排気される。
DIWの供給開始から所定の中間リンス時間が経過すると、制御装置80は、DIWバルブ21を閉じて、処理液ノズル6からのDIWの供給を停止する。また、制御装置80は、SC1バルブ20を開いて、ウエハWの表面に処理液ノズル6からのSC1が吐出される(S7:SC1処理)。
このSC1処理では、制御装置80はノズル駆動機構13を制御して、ノズルアーム11が所定の角度範囲内で揺動される。これによって、処理液ノズル6からのSC1が導かれるウエハWの表面上の供給位置は、ウエハWの回転中心からウエハWの周縁部に至る範囲内を、ウエハWの回転方向と交差する円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。また、ウエハWの表面に供給されたSC1は、ウエハWの表面の全域に拡がる。これにより、ウエハWの表面の全域に、SC1がむらなく供給される。処理液ノズル6からウエハWの表面にSC1が供給されることにより、そのSC1の化学的能力により、ウエハWの表面に付着しているレジスト残渣およびパーティクルなどの異物を除去することができる。ウエハWの表面にSC1が供給されることにより、SC1のミストが発生する。ウエハWの表面に供給されたSC1は、ウエハWの周縁部からウエハWの側方に向けて飛散する。
ウエハWの周縁部から飛散するSC1は、廃液口91に捕獲されて、内ガード33の第1案内部61の内壁に受け止められる。そして、第1案内部61の内壁を伝って流下した後に落液し、排気桶30の底部に集められ、排気桶30の底部から廃液管40を通して廃液処理設備へ導かれる。
ウエハWへのSC1の供給開始から所定のSC1処理時間が経過すると、制御装置80がSC1バルブ20を閉じて、処理液ノズル6からのSC1の供給が停止される。また、制御装置80はノズル駆動機構13を駆動して、ノズルアーム11の揺動を停止させて、処理液ノズル6がウエハW上で停止される。
さらに、制御装置80は、ウエハWの回転を継続したまま、DIWバルブ21を開く。これにより、回転中のウエハWの表面の中央部に向けて処理液ノズル6からDIWが吐出される(S8:最終リンス処理)。
この最終リンス処理では、ウエハWの表面上に供給されたDIWによって、ウエハWの表面に付着しているSC1が洗い流される。そして、ウエハWの周縁部に向けて流れるDIWが、ウエハWの周縁部から側方へ飛散して廃液口91に捕獲されて、内ガード33の第1案内部61の内壁に受け止められる。そして、第1案内部61の内壁を伝って流下した後に落液し、排気桶30の底部に集められ、排気桶30の底部から廃液管40を通して廃液処理設備へ導かれる。
このとき、内ガード33、中ガード34および外ガード35が各上端部61b,63b,35b間にごく微小な隙間を保った状態で近接することによって、第1案内部61と第2案内部63との間、および第2案内部63と外ガード35との間へのDIWの進入が防止される。
この中間リンス処理時には、ウエハWの周辺に、SC1のミストが残存しているおそれがある。DIWのミストおよびSC1のミストを含む雰囲気は、廃液口91から第1排気経路P1を通って排気口37に排気される。
DIWの供給開始から所定の最終リンス時間が経過すると、制御装置80がDIWバルブ21を閉じて、処理液ノズル6からのDIWの供給が停止される。その後、制御装置80がウエハWの回転速度をスピンドライ回転速度(たとえば3000rpm)まで加速させる(S9:スピンドライ処理)。また、制御装置80は、第1〜3シリンダ81〜83を駆動して、内ガード33、中ガード34および外ガード35を下位置まで下降させることにより、第1案内部61の上端部61b、第2案内部63の上端部63b、および外ガード35の上端部35bが、スピンチャック4により保持されたウエハWよりも下方に配置される(図5D参照)。
このとき、内ガード33、中ガード34および外ガード35は、第1案内部61の上端部61bと第2案内部63の上端部63bとの間、第2案内部63の上端部63bと外ガード35の上端部35bとの間にごく微小な隙間を保った状態(内ガード33、中ガード34および外ガード35の相対的な位置関係を保った状態)で同期をとって上位置まで上昇される。これにより、スピンチャック4によるウエハWの回転が継続されていても、ウエハWから飛散するDIWが第1案内部61と第2案内部63との間、および第2案内部63と外ガード35との間に進入することを防止することができる。
このスピンドライ処理時には、内ガード33および中ガード34が内ガード33の第1案内部61の上端部61bと中ガード34の第2案内部63の上端部63bとの間にごく微小な隙間を保った状態で近接している。そのため、中ガード34と内ガード33との間、中ガード34とカップ31との間および中排気口28を通って排気室25内に至る経路T2は実質上閉じている。
また、スピンドライ処理時には、中ガード34が下位置にあるので中排気口28が閉状態にあり、しかも、中ガード34および外ガード35が第2案内部63の上端部63bと外ガード35の上端部35bとの間にごく微小な隙間を保った状態で近接している。そのため、中ガード34と外ガード35との間および上排気口29を通って排気室25内に至る経路T3は実質上閉じている。
さらに、第1案内部61、第2案内部63および外ガード35の上端部61b,63b,35bの先端がスピンチャック4のスピンベース7に微小の隙間を隔てて配置されているので、内ガード33の内側領域、カップ31の下方領域および下排気口27を通って排気室25内に至る経路T1は、圧力損失が比較的高い。
一方、スピンドライ処理時には、外ガード35が下位置にあり、外ガード35の突起35cが上排気口29の下方に退避している。
したがって、外排気口26内が強制的に排気されることにより、処理室2内を流下するダウンフローが、外ガード35と排気桶30の側壁との間の隙間を通って排気桶30内に進入するとともに、上排気口29を通って排気室25内に導かれる。
スピンドライ処理では、ウエハWがスピンドライ回転速度で回転されることにより、最終リンス処理後のウエハWの表面に付着しているDIWが遠心力で振り切って乾燥される。
スピンドライ処理後には、制御装置80がモータ8を制御して、ウエハWの回転が停止される(ステップS10)。その後、図示しない搬送ロボットによってウエハWが搬出される(ステップS11)。
以上のようにこの実施形態によれば、スピンチャック4により回転されるウエハWに供給された処理液は、ウエハWの周縁部から側方に向けて飛散する。中ガード34が上位置に位置することによって、ウエハWの周縁部に対向する第1回収口92が形成される。また、外ガード35が上位置に位置されるとともに、中ガード34が下位置にあることによって、ウエハWの周縁部に対向する第2回収口93が形成される。
中ガード34の昇降と連動して、上排気口29および中排気口28の一方のみが選択的に開放される。第1回収状態で、第1回収口92に連通する中排気口28だけが開状態になるとすると、第1回収口92が、開状態にある中排気口28を介して排気室25内に接続される。また、第2回収状態で、第2回収口93に連通する上排気口29が開状態になるので、また、第2回収口93が、開状態にある上排気口29を介して排気室25内に接続される。
第1回収状態で、外排気口26内が排気されると、第1回収口92から中排気口28を通して排気室25内へと流通する気流が形成される。このとき、上排気口29が閉状態にあるので、当該気流は強い。これにより、ウエハWの周辺から第1回収口92に向けて比較的強い気流が流入する。
第2回収状態で、外排気口26内が排気されると、第2回収口93から上排気口29を通して排気室25内へと流通する気流が形成される。このとき、中排気口28が閉状態にあるので、当該気流は強い。これにより、ウエハWの周辺から第2回収口93に向けて比較的強い気流が流入する。
すなわち、第1回収口92が形成される場合および第2回収口93が形成される場合のいずれであっても、スピンチャック4により保持されたウエハWから、当該回収口92,93に流入する比較的強い気流が形成される。
したがって、外ガード35が上位置にある場合および中ガード34が上位置にある場合のいずれであっても、処理液のミストをウエハWの周辺から効率よく排除することができる。
また、外排気口26内が排気されることにより、排気桶30の周囲を取り囲む排気室25内が排気されて、排気桶30内の雰囲気が、中排気口28または上排気口29を通って排気室25内に移動する。中排気口28および上排気口29が、排気桶30の側壁の周方向に間隔を隔ててそれぞれ複数個設けられているので、排気桶30内の雰囲気が排気桶30の側壁に向けて放射状を描くように移動するとともに、ほぼ均等な吸込力で複数の中排気口28または複数の上排気口29に吸い込まれる。これにより、排気桶30内に形成される気流の強さを、排気桶30の側壁の周方向に関してほぼ均一にすることができる。
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。
たとえば、前述の実施形態では、各ガード33,34,35を昇降させるための駆動機構として、シリンダ81,82,83を採用しているが、これに限らず、シリンダ81,82,83に代えて、モータを駆動源とするボールねじ機構等を採用してもよい。
また、たとえば、前述の実施形態では、SPMを用いてウエハWの表面から不要になったレジストを除去するためのレジスト除去処理が実施されるとして説明したが、ウエハWに対して他の処理液(薬液またはリンス液)による処理が施されていてもよい。この場合、薬液として、前述のふっ酸およびSC1に加え、SC2(塩酸過酸化水素水混合液)、バファードフッ酸(Buffered HF:フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合液)などを例示することができる。
さらに、前述の実施形態では、リンス液としてDIWを用いる場合を例にとって説明したが、これに代えて、炭酸水、電解イオン水、水素水、磁気水や、希釈濃度(たとえば、1ppm程度)のアンモニア水などを用いることもできる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す平面図である。 図1に示す切断面線A−Aから見た断面図である。 図1に示す基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。 図1に示す基板処理装置で行われる処理例を説明するためのフローチャートである。 ふっ酸処理中における基板処理装置の図解的な部分断面図である。 SC1処理、中間リンス処理および最終リンス処理中における基板処理装置の図解的な部分断面図である。 SPM処理中における基板処理装置の図解的な部分断面図である。 スピンドライ処理中における基板処理装置の図解的な部分断面図である。
符号の説明
4 スピンチャック(基板回転手段)
6 処理液ノズル(処理液供給手段)
25 排気室
28 中排気口(第1排気口)
29 上排気口(第2排気口)
30 排気桶
34 中ガード(第1ガード)
35 外ガード(第2ガード)
81 第1シリンダ(開閉手段、開口形成手段)
82 第2シリンダ(開閉手段、開口形成手段)
83 第3シリンダ(開閉手段、開口形成手段)
92 第1回収口(第1開口)
93 第2回収口(第2開口)
C 回転軸線
W ウエハ(基板)

Claims (2)

  1. 基板を水平に保持して鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板回転手段と、
    前記基板回転手段により回転される基板に対して処理液を供給するための処理液供給手段と、
    内部に前記基板回転手段を収容する有底筒状の排気桶と、
    前記排気桶の外側方に隣接して形成された排気室と、
    前記排気桶の側壁に形成されて、前記排気桶内と前記排気室内とを接続する第1および第2排気口と、
    前記基板回転手段の周囲を取り囲むように、前記排気桶内に昇降可能に収容されて、前記基板回転手段によって回転される基板から飛散する処理液を受ける第1ガードと、
    前記第1ガードの周囲を取り囲むように、前記排気桶内に昇降可能に収容されて、前記基板回転手段によって回転される基板から飛散する処理液を受ける第2ガードと、
    前記第1および第2ガードのうちの少なくとも一方の昇降と連動して、前記第1および第2排気口の一方のみを選択的に開放させる開閉手段とを含む、基板処理装置。
  2. 前記排気室は、前記排気桶の周囲を取り囲むように形成されており、
    前記第1および第2排気口が、それぞれ、前記排気桶の前記側壁の周方向に間隔を隔てて複数個形成されている、請求項1記載の基板処理装置。
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