JP2010010422A - 基板処理装置 - Google Patents
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
【解決手段】ウエハWの周縁部に対向して第1回収口92が形成される。この状態で、ウエハWから飛散する処理液は、上位置にある中ガード34の内壁によって受け止められる。中ガード34が上位置にあるので、中排気口28が開状態にあり、かつ上排気口29が閉状態にある。排気桶30内に、第1回収口92から、中ガード34と内ガード33との間、中ガード34とカップ31との間および中排気口28を通って排気室25内に至る第2排気経路P2が形成される。一方、上排気口29が閉状態にあるので、中ガード34と外ガード35との間および上排気口29を通って排気室25内に至る経路T3は実質上閉じている。
【選択図】図5C
Description
このような構成の基板処理装置では、第1〜第3案内部の各上端部を基板よりも上方に位置させ、第1案内部によって処理液を受ける状態にすることができる。また、第1案内部の上端を基板よりも下方に位置させるとともに、第2および第3案内部の各上端部を基板よりも上方に位置させることにより、第2案内部によって処理液を受ける状態(第1回収状態)とすることができる。この第1回収状態では、第1案内部の上端部と第2案内部の上端部との間に、基板の周縁部に対向する第1回収口が形成される。第1回収口から進入した処理液は、第2案内部材の案内によって内側回収溝に回収される。
しかしながら、排気口は廃液溝の底面に形成されているだけであるので、薬液(第1または第2薬液)を用いた処理を基板に施す際にも、薬液のミストの排出は、専ら廃液溝の底面へと向かう下降気流に依らなければならず、薬液のミストを効率的に基板周辺から排除することができない。
そこで、この発明の目的は、第1および第2ガードの昇降状況に応じて、処理液のミストを基板の周辺から効率よく排除することができる基板処理装置を提供することである。
この構成によれば、基板回転手段により回転される基板に供給された処理液は、基板の周縁部から側方に向けて飛散する。第1および/または第2ガードの昇降動作によって、第1ガードが基板から飛散する処理液を受け止めることができる状態(処理液受け止め状態)とすることにより、基板の周縁部に対向する第1開口(92)が形成される。また、第1および/または第2ガードの昇降動作によって、第2ガードが基板から飛散する処理液を受け止めることができる状態(処理液受け止め状態)とすることにより、基板の周縁部に対向する第2開口(93)が形成される。
したがって、第1および第2ガードの昇降状況に応じて、処理液のミストを基板の周辺から効率よく排除することができる。
前記第1および第2ガードのうちの少なくとも一方を昇降させることにより、前記第1排気口に連通し、前記基板回転手段に保持された基板の周縁部に対向する第1開口(92)と、前記第2排気口に連通し、前記基板回転手段に保持された基板の周縁部に対向する第2開口(93)とを選択的に形成する開口形成手段(81,82,83)とをさらに含んでいてもよい。この開口形成手段は、前記第1ガードが前記基板回転手段により回転される基板から飛散する処理液を受ける位置にあるとき、前記第1開口を形成し、前記第2ガードが前記基板回転手段により回転される基板から飛散する処理液を受ける位置にあるとき、前記第2開口を形成するものであってもよい。
この構成によれば、排気桶の周囲を取り囲む排気室内が排気されると、排気桶内の雰囲気が、第1排気口または第2排気口のいずれか一方を通って排気室内に移動する。第1および第2排気口が、それぞれ、排気桶の側壁の周方向に間隔を隔てて複数個設けられているので、排気桶内の雰囲気が排気桶の側壁に向けて放射状を描くように移動するとともに、複数の第1排気口または複数の第2排気口にほぼ均等の吸込力で吸い込まれる。これにより、排気桶内に形成される気流の強さを、排気桶の側壁の周方向に関してほぼ均一にすることができる。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す平面図である。図2は、図1に示す切断面線A−Aから見た断面図である。
基板処理装置は、たとえば基板の一例としての半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)Wの表面に不純物を注入するイオン注入処理やドライエッチング処理の後に、そのウエハWの表面から不要になったレジストを除去するための処理に用いられる枚葉式の装置である。基板処理装置は、隔壁(図示せず)により区画された処理室2内に、そのウエハWをほぼ鉛直な回転軸線C(図2参照)まわりに回転させるための基板回転手段としてのスピンチャック4と、このスピンチャック4を収容する処理カップ5と、スピンチャック4に保持されたウエハWの表面(上面)に、複数の処理液を選択的に供給するための処理液供給手段としての処理液ノズル6(図2参照)とを備えている。この実施形態では、処理液ノズル6から、薬液(ふっ酸(HF)、SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:硫酸過酸化水素水混合液)およびSC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture:アンモニア過酸化水素水混合液))およびリンス液としてのDIW(脱イオン化された水)を、ウエハWに選択的に供給する構成になっている。
スピンチャック4は、ほぼ鉛直に配置された回転軸(図示しない)の上端に固定された円盤状のスピンベース7と、スピンベース7の下方に配置されて、回転軸を駆動するためのモータ8と、モータ8の周囲を包囲する筒状のカバー部材10とを備えている。スピンベース7の上面には、その周縁部にほぼ等角度間隔で複数(たとえば6つ)の挟持部材9が配置されている。なお、図2では、スピンチャック4は断面形状を示さず、その側面形状を示している。カバー部材10は、その下端が排気桶30の底壁に固定され、上端がスピンベース7の近傍にまで及んでいる。
ふっ酸バルブ18、SC1バルブ20およびDIWバルブ21が閉じられた状態で、SPMバルブ19が開かれることにより、SPM供給管15からのSPMが処理液ノズル6に供給されて、処理液ノズル6から下方に向けてSPMが吐出される。
ふっ酸バルブ18、SPMバルブ19およびSC1バルブ20が閉じられた状態で、DIWバルブ21が開かれることにより、DIW供給管17からのDIWが処理液ノズル6に供給されて、処理液ノズル6から下方に向けてDIWが吐出される。
排気桶30の底部の最も低い箇所には、ウエハWの処理に使用された処理液(たとえば、SC1およびDIW)を廃棄するための廃液管40の一端が接続されている。廃液管40の他端は、図示しない廃液設備に接続されている。排気桶30の底部に溜められた処理液は、廃液管40を通して廃液処理設備へ導かれる。
第1案内部61は、スピンチャック4の周囲を取り囲む円筒部61cと、円筒部61cの下端から中心側(ウエハWの回転軸線Cに近づく方向)ほぼ斜め下方に延びる下端部61aと、円筒部61cの上端から中心側(ウエハWの回転軸線Cに近づく方向)ほぼ斜め上方に延びる上端部61bとを有している。第1案内部61の下端部61aは、カップ31の内壁部52の内方に、内壁部52との間にごく微小な隙間を保って配置されており、内ガード33が上位置にある状態においても、カップ31の内壁部52の一部と左右方向に重なるような長さに形成されている。第1案内部61の下端部61aによって案内された処理液は、排気桶30の底部上に導かれる。
中ガード34は、内ガード33の周囲を取り囲み、スピンチャック4によるウエハWの回転軸線Cに対してほぼ回転対称な形状を有している。この中ガード34は、第2案内部63と、カップ部64とを一体的に備えている。
上端部35bは、中ガード34の第2案内部63の上端部63bと上下方向に重なるように設けられ、中ガード34と外ガード35とが最も近接した状態で、第2案内部63の上端部63bに対してごく微小な隙間を保って近接するように形成されている。
基板処理装置は、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置80を備えている。この制御装置80には、制御対象として、モータ8、ノズル駆動機構13、第1シリンダ81、第2シリンダ82、第3シリンダ83、ふっ酸バルブ18、SPMバルブ19、SC1バルブ20およびDIWバルブ21などが接続されている。
ウエハWに対する処理が行われている間、図示しない排気液設備によって外排気口26内が強制的に排気されている。これにより、排気桶30の周囲を取り囲む排気室25内も排気されて、排気桶30内の雰囲気が下排気口27、中排気口28または上排気口29を通って排気室25内に移動するので、排気桶30内が陰圧になる。また、ファンフィルタユニットから処理室2内にクリーンエアが供給される。このため、処理室2内に、上方から下方に向けて流れるクリーンエアのダウンフローが形成され、このクリーンエアのダウンフローが、排気桶30内に取り込まれるようになる。
中ガード34のカップ部64の外壁部67は、中ガード34が上位置にあるときは上排気口29を閉塞し、中ガード34が下位置にあるときは中排気口28を閉塞する。つまり、中ガード34が上位置に位置するときは、上排気口29は開状態にあるが、中排気口28は閉状態にあり、また、中ガード34が下位置にあるときは、中排気口28は開状態にあるが、上排気口29は閉状態にある。
排気桶30内に、第2回収口93から、中ガード34と外ガード35との間および上排気口29を通って排気室25に至る第3排気経路P3が形成される。下位置にある中ガード34と上位置に位置する外ガード35との間には大空間が形成されているので、第3排気経路P3の圧力損失は極めて小さい。
さらに、この第2回収状態では、外ガード35が上位置にあるので、処理室2内の雰囲気が外ガード35と排気桶30の側壁との間の隙間を通って排気桶30内に進入することが、突起35cによって阻止されている。
このふっ酸処理では、制御装置80はノズル駆動機構13を制御して、ノズルアーム11を所定の角度範囲内で揺動している。これによって、処理液ノズル6からのふっ酸が導かれるウエハWの表面上の供給位置は、ウエハWの回転中心からウエハWの周縁部に至る範囲内を、ウエハWの回転方向と交差する円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。また、ウエハWの表面に供給されたふっ酸は、ウエハWの表面の全域に拡がる。これにより、ウエハWの表面の全域に、ふっ酸がむらなく供給される。処理液ノズル6からウエハWの表面にふっ酸が供給されることにより、そのふっ酸の化学的能力により、ウエハWの表面に形成された自然酸化膜などを除去することができる。ウエハWの表面にふっ酸が供給されることにより、ふっ酸のミストが発生する。ウエハWの表面に供給されたふっ酸は、ウエハWの周縁部からウエハWの側方に向けて飛散する。
このとき、内ガード33および中ガード34が内ガード33の第1案内部61の上端部61bと中ガード34の第2案内部63の上端部63bとの間にごく微小な隙間を保った状態で近接しているので、第1案内部61と第2案内部63との間へのふっ酸の進入が防止される。
ウエハWへのふっ酸の供給開始から所定のふっ酸処理時間が経過すると、制御装置80がふっ酸バルブ18を閉じて、処理液ノズル6からのふっ酸の供給が停止される。また、制御装置80が第1および第2シリンダ81,82を駆動して、内ガード33および中ガード34を上位置まで上昇させて、第1案内部61、第2案内部63および外ガード35の上端部61b,63b,35bが、スピンチャック4に保持されたウエハWよりも上方に配置される。これにより、第1案内部61の上端部61bと下端部61aとの間に、ウエハWの周縁部に対向する廃液口91が形成される(図5B参照)。また、制御装置80はノズル駆動機構13を駆動して、ノズルアーム11の揺動を停止させて、処理液ノズル6がウエハW上で停止される。
このとき、排気桶30内に、廃液口91から、内ガード33の内側領域、カップ31の下方領域、下排気口27および排気室25内を通って外排気口26に至る第1排気経路P1が形成される。第1案内部61、第2案内部63および外ガード35の上端部61b,63b,35bがスピンチャック4に保持されたウエハWよりも上方にあるので、第1排気経路P1の圧力損失は極めて小さい。
さらに、この廃液状態では、外ガード35が上位置にあるので、処理室2内の雰囲気が外ガード35と排気桶30の側壁との間の隙間を通って排気桶30内に進入することが、突起35cによって阻止されている。
この中間リンス処理時には、ウエハWの周辺に、ふっ酸のミストが残存しているおそれがある。DIWのミストおよびふっ酸のミストを含む雰囲気は、廃液口91から第1排気経路P1を通って排気口37に排気される。
一方、この第1回収状態では、上排気口29が閉状態にあり、しかも、中ガード34および外ガード35が、第2案内部63の上端部63bと外ガード35の上端部35bとの間にごく微小な隙間を保った状態で近接している。そのため、中ガード34と外ガード35との間および上排気口29を通って排気室25内に至る経路T3は実質上閉じている。
さらに、この第1回収状態では、外ガード35が上位置にあるので、処理室2内の雰囲気が外ガード35と排気桶30の側壁との間の隙間を通って排気桶30内に進入することが、突起35cによって阻止されている。
このSPM処理では、制御装置80はノズル駆動機構13を制御して、ノズルアーム11が所定の角度範囲内で揺動される。これによって、処理液ノズル6からのSPMが導かれるウエハWの表面上の供給位置は、ウエハWの回転中心からウエハWの周縁部に至る範囲内を、ウエハWの回転方向と交差する円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。また、ウエハWの表面に供給されたSPMは、ウエハWの表面の全域に拡がる。これにより、ウエハWの表面の全域に、SPMがむらなく供給される。SPMがウエハWの表面に供給されると、SPMに含まれるペルオキソ一硫酸の強酸化力がレジストに作用し、ウエハWの表面からレジストが除去される。ウエハWの表面にSPMが供給されることにより、SPMのミストが発生する。ウエハWの表面に供給されたSPMは、ウエハWの周縁部からウエハWの側方に向けて飛散する。
このとき、中ガード34および外ガード35が、中ガード34および外ガード35が第2案内部63の上端部63bと外ガード35の上端部35bとの間にごく微小な隙間を保った状態で近接しているので、第2案内部63と外ガード35との間へのSPMの進入が防止される。
ウエハWへのSPMの供給開始から所定のSPM処理時間が経過すると、制御装置80がSPMバルブ19を閉じて、処理液ノズル6からのSPMの供給が停止される。また、第1シリンダ81を駆動して内ガード33を上位置まで上昇させて、ウエハWの周縁部に対向して廃液口91を形成する(図5B参照)。また、制御装置80はノズル駆動機構13を駆動して、ノズルアーム11の揺動を停止させて、処理液ノズル6がウエハW上で停止される。
DIWの供給開始から所定の中間リンス時間が経過すると、制御装置80は、DIWバルブ21を閉じて、処理液ノズル6からのDIWの供給を停止する。また、制御装置80は、SC1バルブ20を開いて、ウエハWの表面に処理液ノズル6からのSC1が吐出される(S7:SC1処理)。
ウエハWへのSC1の供給開始から所定のSC1処理時間が経過すると、制御装置80がSC1バルブ20を閉じて、処理液ノズル6からのSC1の供給が停止される。また、制御装置80はノズル駆動機構13を駆動して、ノズルアーム11の揺動を停止させて、処理液ノズル6がウエハW上で停止される。
この最終リンス処理では、ウエハWの表面上に供給されたDIWによって、ウエハWの表面に付着しているSC1が洗い流される。そして、ウエハWの周縁部に向けて流れるDIWが、ウエハWの周縁部から側方へ飛散して廃液口91に捕獲されて、内ガード33の第1案内部61の内壁に受け止められる。そして、第1案内部61の内壁を伝って流下した後に落液し、排気桶30の底部に集められ、排気桶30の底部から廃液管40を通して廃液処理設備へ導かれる。
この中間リンス処理時には、ウエハWの周辺に、SC1のミストが残存しているおそれがある。DIWのミストおよびSC1のミストを含む雰囲気は、廃液口91から第1排気経路P1を通って排気口37に排気される。
一方、スピンドライ処理時には、外ガード35が下位置にあり、外ガード35の突起35cが上排気口29の下方に退避している。
スピンドライ処理では、ウエハWがスピンドライ回転速度で回転されることにより、最終リンス処理後のウエハWの表面に付着しているDIWが遠心力で振り切って乾燥される。
以上のようにこの実施形態によれば、スピンチャック4により回転されるウエハWに供給された処理液は、ウエハWの周縁部から側方に向けて飛散する。中ガード34が上位置に位置することによって、ウエハWの周縁部に対向する第1回収口92が形成される。また、外ガード35が上位置に位置されるとともに、中ガード34が下位置にあることによって、ウエハWの周縁部に対向する第2回収口93が形成される。
第2回収状態で、外排気口26内が排気されると、第2回収口93から上排気口29を通して排気室25内へと流通する気流が形成される。このとき、中排気口28が閉状態にあるので、当該気流は強い。これにより、ウエハWの周辺から第2回収口93に向けて比較的強い気流が流入する。
したがって、外ガード35が上位置にある場合および中ガード34が上位置にある場合のいずれであっても、処理液のミストをウエハWの周辺から効率よく排除することができる。
たとえば、前述の実施形態では、各ガード33,34,35を昇降させるための駆動機構として、シリンダ81,82,83を採用しているが、これに限らず、シリンダ81,82,83に代えて、モータを駆動源とするボールねじ機構等を採用してもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
6 処理液ノズル(処理液供給手段)
25 排気室
28 中排気口(第1排気口)
29 上排気口(第2排気口)
30 排気桶
34 中ガード(第1ガード)
35 外ガード(第2ガード)
81 第1シリンダ(開閉手段、開口形成手段)
82 第2シリンダ(開閉手段、開口形成手段)
83 第3シリンダ(開閉手段、開口形成手段)
92 第1回収口(第1開口)
93 第2回収口(第2開口)
C 回転軸線
W ウエハ(基板)
Claims (2)
- 基板を水平に保持して鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板回転手段と、
前記基板回転手段により回転される基板に対して処理液を供給するための処理液供給手段と、
内部に前記基板回転手段を収容する有底筒状の排気桶と、
前記排気桶の外側方に隣接して形成された排気室と、
前記排気桶の側壁に形成されて、前記排気桶内と前記排気室内とを接続する第1および第2排気口と、
前記基板回転手段の周囲を取り囲むように、前記排気桶内に昇降可能に収容されて、前記基板回転手段によって回転される基板から飛散する処理液を受ける第1ガードと、
前記第1ガードの周囲を取り囲むように、前記排気桶内に昇降可能に収容されて、前記基板回転手段によって回転される基板から飛散する処理液を受ける第2ガードと、
前記第1および第2ガードのうちの少なくとも一方の昇降と連動して、前記第1および第2排気口の一方のみを選択的に開放させる開閉手段とを含む、基板処理装置。 - 前記排気室は、前記排気桶の周囲を取り囲むように形成されており、
前記第1および第2排気口が、それぞれ、前記排気桶の前記側壁の周方向に間隔を隔てて複数個形成されている、請求項1記載の基板処理装置。
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