JP2008091717A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】回収溝に回収される処理液への他の種類の処理液の混入を防止することができる基板処理装置、高さ方向における小型化を図ることができる基板処理装置、大幅なコストアップを招くことなく、回収される処理液の種類の増加に対応できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】内構成部材１９は、スピンチャック１の周囲を取り囲むように設けられ、第１案内部２５、廃棄溝２６、内側回収溝２７および外側回収溝５２を一体的に有している。中構成部材２０は、内構成部材１９の外側においてスピンチャック１の周囲を取り囲むように設けられ、第２案内部４８を有している。外構成部材２１は、中構成部材２０の第２案内部４８の外側においてスピンチャック１の周囲を取り囲むように設けられている。そして、内構成部材１９、中構成部材２０および外構成部材２１は、互いに独立して昇降可能にされている。
【選択図】図１
【解決手段】内構成部材１９は、スピンチャック１の周囲を取り囲むように設けられ、第１案内部２５、廃棄溝２６、内側回収溝２７および外側回収溝５２を一体的に有している。中構成部材２０は、内構成部材１９の外側においてスピンチャック１の周囲を取り囲むように設けられ、第２案内部４８を有している。外構成部材２１は、中構成部材２０の第２案内部４８の外側においてスピンチャック１の周囲を取り囲むように設けられている。そして、内構成部材１９、中構成部材２０および外構成部材２１は、互いに独立して昇降可能にされている。
【選択図】図１
Description
この発明は、基板を処理するための基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板等の基板に処理液による処理を施すために、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。この種の基板処理装置の中には、処理液の消費量の低減を図るために、基板の処理に用いた後の処理液を回収して、その回収した処理液を以降の処理に再利用するように構成されたものがある。
処理液を再利用可能な構成の基板処理装置は、たとえば、基板をほぼ水平な姿勢で挟持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックを収容した有底円筒形状のカップと、カップに対して昇降可能に設けられたスプラッシュガードとを備えている。
カップには、スピンチャックの周囲を取り囲むように、円環状の廃棄溝が形成されており、さらに、この廃棄溝を取り囲むように、同心円環状の回収溝が３重に形成されている。廃棄溝は、処理液を廃棄するための廃棄ドレンに接続されており、各回収溝は、処理液を回収タンクに導くための回収ドレンに接続されている。
カップには、スピンチャックの周囲を取り囲むように、円環状の廃棄溝が形成されており、さらに、この廃棄溝を取り囲むように、同心円環状の回収溝が３重に形成されている。廃棄溝は、処理液を廃棄するための廃棄ドレンに接続されており、各回収溝は、処理液を回収タンクに導くための回収ドレンに接続されている。
スプラッシュガードは、４つのガードを上下および内外に重ね合わせた構成を有している。各ガードは、基板の回転軸線に対してほぼ回転対称な形状に形成され、上端部が上方ほど基板の回転軸線に近づくように傾斜している。そして、各ガードの上端縁は、基板の回転軸線を中心軸線とする同一円筒面上に、各上端縁間に所定の間隔を空けて配置されている。また、各ガードは、回収溝または廃棄溝に対応づけられており、各ガードの下端部は、それぞれ対応する回収溝または廃棄溝に入り込んでいる。すなわち、最上の第１のガードは、最外周の第１の回収溝に対応づけられて設けられ、その下端部が第１の回収溝に入り込んでいる。第１のガードの直下の第２のガードは、第１の回収溝の内側に隣接する第２の回収溝に対応づけられ、その下端部が第２の回収溝に入り込んでいる。第２のガードの直下の第３のガードは、最内周の第３の回収溝（第２の回収溝の内側に隣接する回収溝）に対応づけられ、その下端部が第３の回収溝に入り込んでいる。最下の第４のガードは、廃棄溝に対応づけられており、その下端部が廃棄溝に入り込んでいる。
第１のガードの上端縁と第２のガードの上端縁との間は、基板から飛散する処理液を第１の回収溝に導くための第１の回収口とされている。また、第２のガードの上端縁と第３のガードの上端縁との間は、基板から飛散する処理液を第２の回収溝に導くための第２の回収口とされ、第３のガードの上端縁と第４のガードの上端縁との間は、基板から飛散する処理液を第３の回収溝に導くための第３の回収口とされている。さらに、第４のガードとカップの底面との間は、基板から飛散する処理液を廃棄溝に導くための廃棄口とされている。
また、スプラッシュガードには、たとえば、ボールねじ機構などを含む昇降駆動機構が結合されており、この昇降駆動機構によって、４つのガードを一体的に昇降させることができるようになっている。
このような構成の基板処理装置では、基板の表面に複数種の処理液を順次に供給して、その基板の表面に対して複数種の処理液による処理を順次に施すことができ、また、処理に用いた複数種の処理液を分別して回収することができる。
このような構成の基板処理装置では、基板の表面に複数種の処理液を順次に供給して、その基板の表面に対して複数種の処理液による処理を順次に施すことができ、また、処理に用いた複数種の処理液を分別して回収することができる。
すなわち、スピンチャックによって基板を回転させつつ、基板の表面に第１の処理液を供給することにより、基板の表面に第１の処理液による処理を施すことができる。基板の表面に供給された第１の処理液は、基板の回転による遠心力を受けて、基板の周縁から側方へ飛散する。したがって、このとき、スプラッシュガードを昇降させて、第１の回収口を基板の端面に対向させておけば、基板の周縁から飛散する第１の処理液を、第１の回収口へ飛入させることができ、さらに第１の回収溝から回収ドレンを通して回収タンクに回収することができる。また同様に、基板の表面に第２の処理液を供給するときに、第２の回収口を基板の端面に対向させておけば、基板から飛散する第２の処理液を回収することができ、基板の表面に第３の処理液を供給するときに、第３の回収口を基板の端面に対向させておけば、基板から飛散する第３の処理液を回収することができる。
また、スピンチャックによって基板を回転させつつ、基板の表面に純水（処理液）を供給することにより、基板の表面を純水で洗い流すリンス処理を行うことができる。このとき、廃棄口を基板の端面に対向させておけば、その基板の表面を洗い流した純水を、廃棄溝に集めることができ、廃棄溝から廃棄ドレンを通して廃棄することができる。
特開２００４−１５３０７８号公報
ところが、各回収口が常に開放されているため、所定の回収口または廃棄口を基板の端面に対向させていても、基板から飛散する処理液が所定の回収口または廃棄口以外の回収口（とくに、所定の回収口または廃棄口に隣接する回収口）に飛入し、各回収溝に回収される処理液に他の種類の処理液が混入するおそれがある。たとえば、第１の処理液による処理時に、第１の回収口を基板の端面に対向させていても、第１の処理液の飛沫の一部が第２の回収口に飛入し、第２の回収溝に回収される第２の処理液に第１の処理液が混入するおそれがある。
さらに、最下段の廃棄口を基板の端面に対向させるときには、スプラッシュガードを大きく上昇させなければならないため、カップの上方に大きなスペースを確保する必要があり、装置の高さ方向のサイズが大きいという問題もある。
また、回収される処理液の種類を増やす場合には、既存のスプラッシュガードをより多くのガードからなるスプラッシュガードに交換しなければならないため、大幅なコストアップを余儀なくされる。しかも、スプラッシュガードの高さ方向の寸法が大きくなり、これに伴って、スプラッシュガードの昇降量がさらに大きくなるため、高さ方向における装置の大型化も招いてしまう。
また、回収される処理液の種類を増やす場合には、既存のスプラッシュガードをより多くのガードからなるスプラッシュガードに交換しなければならないため、大幅なコストアップを余儀なくされる。しかも、スプラッシュガードの高さ方向の寸法が大きくなり、これに伴って、スプラッシュガードの昇降量がさらに大きくなるため、高さ方向における装置の大型化も招いてしまう。
そこで、この発明の目的は、回収溝に回収される処理液への他の種類の処理液（回収溝に回収されるべきでない処理液）の混入を防止することができる基板処理装置を提供することである。
また、この発明の他の目的は、高さ方向における小型化を図ることができる基板処理装置を提供することである。
また、この発明の他の目的は、高さ方向における小型化を図ることができる基板処理装置を提供することである。
この発明のさらに他の目的は、大幅なコストアップを招くことなく、回収される処理液の種類の増加に対応することができる基板処理装置を提供することである。
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）をほぼ水平に保持して、その基板をほぼ鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板保持手段（１）と、前記基板保持手段に保持された基板に対して、処理液を供給するための処理液供給手段（３，８）と、前記基板保持手段の周囲を取り囲み、上記回転軸線に向けて延びる上端部を有し、前記基板保持手段によって回転されている基板から飛散する処理液を当該処理液が流下するように案内するための第１案内部（２５）と、前記第１案内部の外側において前記基板保持手段の周囲を取り囲み、上記回転軸線に向けて延びる上端部を有し、その上端部が前記第１案内部の上端部と上下方向に重なるように設けられ、前記基板保持手段によって回転されている基板から飛散する処理液を当該処理液が流下するように案内するための第２案内部（４８）と、前記第２案内部の外側において前記基板保持手段の周囲を取り囲み、上記回転軸線に向けて延びる上端部を有し、その上端部が前記第２案内部の上端部と上下方向に重なるように設けられ、前記基板保持手段によって回転されている基板から飛散する処理液を当該処理液が流下するように案内するための第３案内部（２１）と、前記第１案内部の外側に前記第１案内部と一体的に設けられ、前記第２案内部に案内される処理液を回収するための第１回収溝（２７）と、この第１回収溝の外側に前記第１案内部と一体的に設けられ、前記第３案内部に案内される処理液を回収するための第２回収溝（５２）と、前記第１、第２および第３案内部をそれぞれ独立して昇降させるための駆動機構（６６，６７，６８）とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、第１案内部、第２案内部および第３案内部が、基板保持手段の周囲を３重に取り囲んでいる。そして、第２案内部は、第１案内部の外側において、その上端部が第１案内部の上端部と上下方向に重なるように配置されている。また、第３案内部は、第２案内部の外側において、その上端部が第２案内部の上端部と上下方向に重なるように配置されている。さらに、第１案内部の外側には、第２案内部に案内される処理液を回収するための第１回収溝と、第３案内部に案内される処理液を回収するための第２回収溝とが、第１案内部と一体的に設けられている。
この構成によれば、第１案内部、第２案内部および第３案内部が、基板保持手段の周囲を３重に取り囲んでいる。そして、第２案内部は、第１案内部の外側において、その上端部が第１案内部の上端部と上下方向に重なるように配置されている。また、第３案内部は、第２案内部の外側において、その上端部が第２案内部の上端部と上下方向に重なるように配置されている。さらに、第１案内部の外側には、第２案内部に案内される処理液を回収するための第１回収溝と、第３案内部に案内される処理液を回収するための第２回収溝とが、第１案内部と一体的に設けられている。
第１、第２および第３案内部は、駆動機構によって、それぞれ独立に昇降させることができる。これにより、まず、第１〜第３案内部の各上端部を基板よりも下方に位置させて、第１〜第３案内部いずれによっても基板からの処理液が受けられない状態とすることができる。また、第１〜第３案内部の上端部を基板よりも上方に位置させ、第１案内部によって処理液を受ける状態とすることができる。さらにまた、第１案内部の上端を基板よりも下方に位置させるとともに、第２および第３案内部の各上端部を基板よりも上方に位置させることにより、第２案内部によって処理液を受ける状態（第１回収状態）とすることができる。さらに、第１および第２案内部の各上端部を基板よりも下方に位置させるとともに、第３案内部の上端部を基板よりも上方に位置させ、この第３案内部によって基板からの処理液を受ける状態（第２回収状態）とすることができる。
前記第１回収状態では、第１案内部の上端部と第２案内部の上端部との間に、基板の端面に対向する開口が形成される。そのため、基板から飛散する処理液を、第１案内部の上端部と第２案内部の上端部との間に飛入させることができ、その飛入した処理液を第２案内部の案内によって第１回収溝に回収することができる。また、その状態から、第２および第３案内部を動かさずに、第１案内部を上昇させて、第１〜第３案内部の各上端部を基板よりも上方に位置させれば、第１案内部を基板の端面に対向させることができ、基板から飛散する処理液を第１案内部によって案内して流下させることができる。
また、前記第２回収状態では、第２案内部の上端部と第３案内部の上端部との間に、基板の端面に対向する開口が形成される。そのため、基板から飛散する処理液を、第２案内部の上端部と第３案内部の上端部との間に飛入させることができ、その飛入した処理液を第３案内部の案内によって第２回収溝に回収することができる。また、その状態から、第第３案内部を動かさずに、第１および第２案内部を（好ましくは同期状態で）上昇させて、第１〜第３案内部の各上端部を基板よりも上方に位置させれば、第１案内部を基板の端面に対向させることができ、基板から飛散する処理液を第１案内部によって案内して流下させることができる。
前記第１回収状態と第２回収状態との切り換えは、第１および第３案内部を動かさず、第２案内部を上昇または下降させることによって行える。
第１案内部によって処理液が案内されるときは、この第１案内部をその上端部が第２案内部の上端部に対して微小な隙間を形成して近接する位置まで上昇させ、また、第２および第３案内部の各上端部同士を微小な間隔を形成して近接させれば、基板から飛散する処理液が第１および第２案内部の各上端部間や、第２および第３案内部の各上端部間に飛入することを防止しながら、その基板から飛散する処理液を第１案内部の案内によって流下させることができる。同様に、第２案内部によって処理液が案内されるときは、第２および第３案内部の各上端部同士を微小な間隔を形成して近接させれば、基板から飛散する処理液が第２および第３案内部の各上端部間に飛入することを防止しながら、その飛散する処理液を第２案内部によって案内して回収できる。さらに、第３案内部によって処理液が案内されるときは、第１および第２案内部の各上端部同士を微小な間隔を形成して近接させれば、基板から飛散する処理液が第１および第２案内部に飛入することを防止しながら、その飛散する処理液を第３案内部によって案内して回収できる。さらにまた、いずれの案内部によっても基板からの処理液を受けないときには、第１〜第３案内部の上端部を基板よりも下方に位置させるとともに、第１および第２案内部の各上端部同士を微小な間隔を形成して近接させ、第２および第３案内部の各上端部同士を微小な間隔を形成して近接させれば、とくに、第１または第２回収溝に不所望な処理液が入り込むことを抑制または防止できる。これにより、各回収溝に回収される処理液の純度を向上させることができる。しかも、上述のようにすれば、第１、第２および第３案内部の間での接触を回避できるから、それらの接触によるパーティクルの発生の問題を招くこともない。
第１案内部によって処理液が案内されるときは、この第１案内部をその上端部が第２案内部の上端部に対して微小な隙間を形成して近接する位置まで上昇させ、また、第２および第３案内部の各上端部同士を微小な間隔を形成して近接させれば、基板から飛散する処理液が第１および第２案内部の各上端部間や、第２および第３案内部の各上端部間に飛入することを防止しながら、その基板から飛散する処理液を第１案内部の案内によって流下させることができる。同様に、第２案内部によって処理液が案内されるときは、第２および第３案内部の各上端部同士を微小な間隔を形成して近接させれば、基板から飛散する処理液が第２および第３案内部の各上端部間に飛入することを防止しながら、その飛散する処理液を第２案内部によって案内して回収できる。さらに、第３案内部によって処理液が案内されるときは、第１および第２案内部の各上端部同士を微小な間隔を形成して近接させれば、基板から飛散する処理液が第１および第２案内部に飛入することを防止しながら、その飛散する処理液を第３案内部によって案内して回収できる。さらにまた、いずれの案内部によっても基板からの処理液を受けないときには、第１〜第３案内部の上端部を基板よりも下方に位置させるとともに、第１および第２案内部の各上端部同士を微小な間隔を形成して近接させ、第２および第３案内部の各上端部同士を微小な間隔を形成して近接させれば、とくに、第１または第２回収溝に不所望な処理液が入り込むことを抑制または防止できる。これにより、各回収溝に回収される処理液の純度を向上させることができる。しかも、上述のようにすれば、第１、第２および第３案内部の間での接触を回避できるから、それらの接触によるパーティクルの発生の問題を招くこともない。
また、第１案内部によって処理液が案内されるときに、第２および第３案内部をとくに上昇させる必要はなく、第２および第３案内部の位置は、これらの第２、第３案内部によって処理液が案内されるときの位置と同じでよい。同様に、第２案内部によって処理液が案内されるときに、第３案内部をとくに上昇させる必要はなく、この第３案内部の位置は、この第３案内部によって処理液が案内されるときの位置と同じでよい。そのため、回収溝の上方に大きなスペースを必要としないので、その分、装置の高さ方向の小型化を図ることができる。
また、回収される処理液の種類を増やす場合には、第３案内部のさらに外側に、第３案内部を取り囲むように新たな案内部を追加するとともに、その新たな案内部に案内される処理液を回収するための回収溝を、第１案内部と一体的に設けて前記第２回収溝の外側に配置すればよく、第２および第３案内部は既存のものを利用することができる。そのため、大幅なコストアップを回避することができる。すなわち、大幅なコストアップを招くことなく、回収される処理液の種類の増加に対応することができる。さらに、その新たな案内部よりも内側の案内部によって処理液が案内されるときに、その新たな案内部をとくに上昇させる必要がないので、高さ方向における装置の大型化も回避することができる。
請求項２記載の発明は、前記第２案内部に一体的に設けられ、前記第２案内部の上端部と前記第３案内部の上端部との間に導かれた処理液が前記第１回収溝へと入り込むことを防ぎ、その処理液を前記第２回収溝へと案内する処理液分離壁（５０）をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置である。
この構成により、第１および第２案内部の各上端部間を近接させるとともに、第２および第３案内部間に開口を形成し、第３案内部で基板からの処理液を受けて第２回収溝に導くときに、その処理液が第１回収溝へと混入することを抑制または防止できる。
この構成により、第１および第２案内部の各上端部間を近接させるとともに、第２および第３案内部間に開口を形成し、第３案内部で基板からの処理液を受けて第２回収溝に導くときに、その処理液が第１回収溝へと混入することを抑制または防止できる。
請求項３記載の発明は、前記基板保持手段によって回転されている基板から飛散する処理液が前記第１案内部によって案内されるときに、前記第１案内部と前記第２案内部との間、および前記第２案内部と前記第３案内部との間に処理液が進入することをそれぞれ防止するための第１進入防止部（４８ｃ）および第２進入防止部（２１ｃ）をさらに含むことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第１および第２進入防止部が備えられているので、基板から飛散する処理液が第１および第２案内部間または第２および第３案内部間に進入することを確実に防止しながら、その基板から飛散する処理液を第１案内部の案内によって流下させることができる。そのため、回収溝に回収されるべき処理液と異なる種類の処理液が回収溝に混入することを確実に防止でき、回収溝に回収される処理液の純度をさらに向上させることができる。また、第１および第２案内部の上端部間に開口を形成して基板からの処理液を第２案内部で受けるときに、前記第２進入防止部は第２および第３案内部の上端部間を塞ぎ、第２回収溝への処理液の混入を防ぐ。さらに、第２および第３案内部の上端部間に開口を形成して基板からの処理液を第２案内部で受けるときに、前記第１進入防止部は前記第１および第２案内部の上端部間を塞ぎ、第１回収溝への処理液の混入を防ぐ。
請求項４記載の発明は、前記第１進入防止部は前記第２案内部の上端部を下方に折り返して形成されており、前記第２進入防止部は前記第３案内部の上端部を下方に折り返して形成されていることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第１進入防止部が第２案内部の上端部から下方に向けて延びるので、基板から飛散する処理液が、その第１進入防止部を回り込んで、第１案内部と第２案内部との間に進入することを防止することができる。同様に、第２進入防止部が第３案内部の上端部から下方に向けて延びるので、基板から飛散する処理液が、その第２進入防止部を回り込んで、第２案内部と第３案内部との間に進入することを防止することができる。そのため、第２または第３案内部によって案内される処理液を回収する場合に、その処理液に他の種類の処理液が混入するのを確実に防止することができる。その結果、回収される処理液の純度をさらに向上させることができる。そのうえ、第１および第２進入防止部を第２および第３案内部にそれぞれ一体的に設けることができ、装置の構成の簡素化を図ることもできる。
この構成によれば、第１進入防止部が第２案内部の上端部から下方に向けて延びるので、基板から飛散する処理液が、その第１進入防止部を回り込んで、第１案内部と第２案内部との間に進入することを防止することができる。同様に、第２進入防止部が第３案内部の上端部から下方に向けて延びるので、基板から飛散する処理液が、その第２進入防止部を回り込んで、第２案内部と第３案内部との間に進入することを防止することができる。そのため、第２または第３案内部によって案内される処理液を回収する場合に、その処理液に他の種類の処理液が混入するのを確実に防止することができる。その結果、回収される処理液の純度をさらに向上させることができる。そのうえ、第１および第２進入防止部を第２および第３案内部にそれぞれ一体的に設けることができ、装置の構成の簡素化を図ることもできる。
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す断面図である。この基板処理装置は、基板の一例であるウエハＷに処理液としての第１薬液、第２薬液および純水（脱イオン化された水）を所定の順序で供給して、そのウエハＷに洗浄処理を施すための装置であり、ウエハＷをほぼ水平に保持して、そのウエハＷをほぼ鉛直な回転軸線Ｃまわりに回転させるためのスピンチャック１と、このスピンチャック１を収容するカップ２と、スピンチャック１に保持されたウエハＷの表面（上面）に第１薬液、第２薬液および純水を選択的に供給するためのノズル３とを備えている。図１には、前記回転軸線Ｃに対して右側と左側とに、異なる切断面でとった断面が示されている。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す断面図である。この基板処理装置は、基板の一例であるウエハＷに処理液としての第１薬液、第２薬液および純水（脱イオン化された水）を所定の順序で供給して、そのウエハＷに洗浄処理を施すための装置であり、ウエハＷをほぼ水平に保持して、そのウエハＷをほぼ鉛直な回転軸線Ｃまわりに回転させるためのスピンチャック１と、このスピンチャック１を収容するカップ２と、スピンチャック１に保持されたウエハＷの表面（上面）に第１薬液、第２薬液および純水を選択的に供給するためのノズル３とを備えている。図１には、前記回転軸線Ｃに対して右側と左側とに、異なる切断面でとった断面が示されている。
ノズル３は、たとえば、スピンチャック１の斜め上方に固定的に配置されて、ウエハＷの表面に対して斜め上方から処理液を供給する構成であってもよく、また、ノズル３がスピンチャック１によるウエハＷの回転軸線上に固定的に配置されて、ウエハＷの表面に対して鉛直上方から処理液を供給する構成であってもよい。また、スピンチャック１（カップ２）の上方において水平面内で揺動可能なアームにノズル３が取り付けられて、アームの揺動によりウエハＷの表面における処理液の供給位置がスキャンされる、いわゆるスキャンノズルの形態が採用されてもよい。さらにまた、後述する乾燥工程時においてウエハＷの表面に近接して対向配置される遮断板が備えられる場合には、遮断板の中央部に処理液供給口が形成されて、この処理液供給口からウエハＷの表面に処理液が供給されるようにしてもよい。
スピンチャック１は、ほぼ鉛直に配置された回転軸４と、この回転軸４の上端に固定された円盤状のスピンベース５と、スピンベース５の下方に配置されたモータ６とを備えている。
回転軸４は、モータ６の駆動軸と一体化された中空軸であり、その内部には、裏面処理液供給管７が挿通されている。この裏面処理液供給管７には、第１薬液、第２薬液および純水が選択的に供給されるようになっている。また、裏面処理液供給管７の上端部には、裏面処理液供給管７に選択的に供給される処理液（第１薬液、第２薬液および純水）を吐出する裏面ノズル８が形成されている。この裏面ノズル８は、処理液をほぼ鉛直上向きに吐出し、裏面ノズル８から吐出された処理液は、スピンチャック１に保持されたウエハＷの裏面中央に対してほぼ垂直に入射する。
回転軸４は、モータ６の駆動軸と一体化された中空軸であり、その内部には、裏面処理液供給管７が挿通されている。この裏面処理液供給管７には、第１薬液、第２薬液および純水が選択的に供給されるようになっている。また、裏面処理液供給管７の上端部には、裏面処理液供給管７に選択的に供給される処理液（第１薬液、第２薬液および純水）を吐出する裏面ノズル８が形成されている。この裏面ノズル８は、処理液をほぼ鉛直上向きに吐出し、裏面ノズル８から吐出された処理液は、スピンチャック１に保持されたウエハＷの裏面中央に対してほぼ垂直に入射する。
スピンベース５は、平面視円板状の上カバー９と、同じく平面視円板状の下カバー１０とを備えている。上カバー９と下カバー１０とは、ボルトを用いて互いに固定されており、それらの間に後述するリンク機構を収容するための収容空間１１を形成している。また、スピンベース５の中央部（上カバー９および下カバー１０の各中央部）には、回転軸４の内径とほぼ同じ径を有する挿通孔１２が形成されており、この挿通孔１２の周囲に、回転軸４の上端が結合されることによって、回転軸４の内面と挿通孔１２の周面とが段差なく連続している。そして、回転軸４の上端から裏面処理液供給管７が突出し、その裏面処理液供給管７の突出した部分が挿通孔１２に挿通されている。
スピンベース５の上面には、その周縁部にほぼ等角度間隔で複数（たとえば３つ）の挟持部材１３が配置されている。各挟持部材１３は、ウエハＷを下方から支持する支持部１４と、ウエハＷの端面を規制するための規制部１５とを備えている。これらの挟持部材１３は、スピンベース５内に収容されたリンク機構（図示せず）によって連動され、各支持部１４に支持されたウエハＷの周縁部に各規制部１５を当接させて、ウエハＷを協働して挟持し、また、各規制部１５をウエハＷの周縁部から退避させて、そのウエハＷの挟持を解除する。
モータ６は、水平に延びるベース１６上に配置され、筒状のカバー部材１７によって包囲されている。カバー部材１７は、その下端がベース１６に固定され、上端がスピンベース５の下カバー１０の近傍にまで及んでいる。カバー部材１７の上端部には、カバー部材１７から外方へほぼ水平に張り出し、さらに下方に屈曲して延びる鍔状部材１８が取り付けられている。
カップ２は、互いに独立して昇降可能な内構成部材１９、中構成部材２０および外構成部材２１を備えている。
内構成部材１９は、スピンチャック１の周囲を取り囲み、スピンチャック１によるウエハＷの回転軸線Ｃに対してほぼ回転対称な形状を有している。この内構成部材１９は、平面視円環状の底部２２と、この底部２２の内周縁から上方に立ち上がる円筒状の内壁部２３と、底部２２の外周縁から上方に立ち上がる円筒状の外壁部５１と、内壁部２３と外壁部５１との間から立ち上がり、上端部が滑らかな円弧を描きつつ中心側（ウエハＷの回転軸線Ｃに近づく方向）斜め上方に延びる第１案内部２５と、第１案内部２５と外壁部５１との間から上方に立ち上がった円筒状の中壁部２４とを一体的に備えている。
内構成部材１９は、スピンチャック１の周囲を取り囲み、スピンチャック１によるウエハＷの回転軸線Ｃに対してほぼ回転対称な形状を有している。この内構成部材１９は、平面視円環状の底部２２と、この底部２２の内周縁から上方に立ち上がる円筒状の内壁部２３と、底部２２の外周縁から上方に立ち上がる円筒状の外壁部５１と、内壁部２３と外壁部５１との間から立ち上がり、上端部が滑らかな円弧を描きつつ中心側（ウエハＷの回転軸線Ｃに近づく方向）斜め上方に延びる第１案内部２５と、第１案内部２５と外壁部５１との間から上方に立ち上がった円筒状の中壁部２４とを一体的に備えている。
内壁部２３は、内構成部材１９が最も上昇された状態（図４示す状態）で、カバー部材１７と鍔状部材１８との間に隙間を保って、そのカバー部材１７と鍔状部材１８との間に収容されるような長さに形成されている。
中壁部２４は、内構成部材１９と中構成部材２０とが最も近接した状態で、中構成部材２０の後述する第２案内部４８および処理液分離壁５０との間に隙間を保って、その第２案内部４８（下端部４８ａ）と処理液分離壁５０との間に収容されるような長さに形成されている。
中壁部２４は、内構成部材１９と中構成部材２０とが最も近接した状態で、中構成部材２０の後述する第２案内部４８および処理液分離壁５０との間に隙間を保って、その第２案内部４８（下端部４８ａ）と処理液分離壁５０との間に収容されるような長さに形成されている。
第１案内部２５は、滑らかな円弧を描きつつ中心側（ウエハＷの回転軸線Ｃに近づく方向）斜め上方に延びる上端部２５ｂを有している。また、内壁部２３と第１案内部２５との間は、ウエハＷの処理に使用された処理液を集めて廃棄するための廃棄溝２６とされている。また、第１案内部２５と中壁部２４との間は、ウエハＷの処理に使用された処理液を集めて回収するための円環状の内側回収溝２７（第１回収溝）とされている。さらに、中壁部２４と外壁部５１との間は、ウエハＷの処理に使用された別の種類の処理液を回収するための円環状の外側回収溝５２（第２回収溝）とされている。なお、内側回収溝２７および外側回収溝５２の底部は、水平に対して微小角度だけ傾斜しており、後述の第１回収機構３５および第２回収機構５３が接続される箇所が最も低くなるように設けられている。これにより内側回収溝２７および外側回収溝５２に流下した処理液がスムーズに回収されるようになっている。
廃棄溝２６には、この廃棄溝２６に集められた処理液を排出するとともに、廃棄溝２６内を強制的に排気するための排気液機構２８が接続されている。この排気液機構２８は、たとえば、廃棄溝２６の周方向に関して等間隔で４つ設けられている。
各排気液機構２８は、ベース１６に挿通された固定筒部材２９と、この固定筒部材２９の上端に固定された円環状のスペーサ３０と、上端部が内構成部材１９の底部２２に結合されるとともに、下端部がスペーサ３０および固定筒部材２９内に挿入された移動筒部材３１と、この移動筒部材３１内と廃棄溝２６とを連通する連通孔３２と、上端部が内構成部材１９の底部２２に固定されるとともに、下端部がスペーサ３０に固定され、移動筒部材３１の外周を被覆するベローズ３３とを備えている。
各排気液機構２８は、ベース１６に挿通された固定筒部材２９と、この固定筒部材２９の上端に固定された円環状のスペーサ３０と、上端部が内構成部材１９の底部２２に結合されるとともに、下端部がスペーサ３０および固定筒部材２９内に挿入された移動筒部材３１と、この移動筒部材３１内と廃棄溝２６とを連通する連通孔３２と、上端部が内構成部材１９の底部２２に固定されるとともに、下端部がスペーサ３０に固定され、移動筒部材３１の外周を被覆するベローズ３３とを備えている。
固定筒部材２９の下端部には、図示しない負圧源から延びる配管３４が接続されている。負圧源が発生する負圧によって、配管３４を介して固定筒部材２９内が排気されると、廃棄溝２６内の雰囲気が移動筒部材３１を介して固定筒部材２９に吸い込まれ、これにより廃棄溝２６内の排気が達成される。また、ウエハＷの処理に使用された処理液が廃棄溝２６に集められるときには、この廃棄溝２６に集められた処理液が、廃棄溝２６内の雰囲気とともに、連通孔３２、移動筒部材３１、固定筒部材２９および配管３４を介して排出される。雰囲気とともに排出される処理液は、配管３４の途中部に介装された気液分離器（図示せず）によって雰囲気から分離され、たとえば、この基板処理装置が設置される工場の廃棄ラインに廃棄される。
内側回収溝２７の底部の最も低い箇所には、この内側回収溝２７に集められた処理液を図示しない第１回収タンクに回収するための第１回収機構３５が接続されている。
各第１回収機構３５は、ベース１６に挿通された円筒状の挿通部材３６と、この挿通部材３６の上端に固定された円環状のスペーサ３７と、スペーサ３７の上面に上端部が固定されて、挿通部材３６およびスペーサ３７に挿通して下方へ延びる固定筒部材３８と、内構成部材１９の底部２２に固定された保持部材３９と、この保持部材３９に上端部が保持されて、下端部が固定筒部材３８内に挿入された移動筒部材４０と、この移動筒部材４０内と内側回収溝２７とを連通する連通孔４１と、上端部が保持部材３９に固定されるとともに、下端部が固定筒部材３８に固定され、移動筒部材４０の外周を被覆するベローズ４２と、固定筒部材３８の下端部にねじ込まれた継手４３と、挿通部材３６の下端部から下方に延び、継手４３の周囲を取り囲む筒状の接続部包囲部材４４と、この接続部包囲部材４４の下端開口を閉鎖するように設けられた閉鎖部材４５とを備えている。
各第１回収機構３５は、ベース１６に挿通された円筒状の挿通部材３６と、この挿通部材３６の上端に固定された円環状のスペーサ３７と、スペーサ３７の上面に上端部が固定されて、挿通部材３６およびスペーサ３７に挿通して下方へ延びる固定筒部材３８と、内構成部材１９の底部２２に固定された保持部材３９と、この保持部材３９に上端部が保持されて、下端部が固定筒部材３８内に挿入された移動筒部材４０と、この移動筒部材４０内と内側回収溝２７とを連通する連通孔４１と、上端部が保持部材３９に固定されるとともに、下端部が固定筒部材３８に固定され、移動筒部材４０の外周を被覆するベローズ４２と、固定筒部材３８の下端部にねじ込まれた継手４３と、挿通部材３６の下端部から下方に延び、継手４３の周囲を取り囲む筒状の接続部包囲部材４４と、この接続部包囲部材４４の下端開口を閉鎖するように設けられた閉鎖部材４５とを備えている。
閉鎖部材４５には、接続口４６が形成されており、この接続口４６を介して、第１回収タンクから延びる回収配管４７が継手４３に接続されている。内側回収溝２７に集められる処理液は、連通孔４１、移動筒部材４０、固定筒部材３８、継手４３および回収配管４７を介して第１回収タンクに回収される。
外側回収溝５２の底部の最も低い箇所にも同様に、この外側回収溝５２に集められた処理液を図示しない第２回収タンクに回収するための第２回収機構５３が接続されている。第２回収機構５３の構成は、第１回収機構３５の構成と実質的に同様であるので、図１には図解的にのみ示し、詳細な説明は省略する。
外側回収溝５２の底部の最も低い箇所にも同様に、この外側回収溝５２に集められた処理液を図示しない第２回収タンクに回収するための第２回収機構５３が接続されている。第２回収機構５３の構成は、第１回収機構３５の構成と実質的に同様であるので、図１には図解的にのみ示し、詳細な説明は省略する。
中構成部材２０は、スピンチャック１の周囲を取り囲み、スピンチャック１によるウエハＷの回転軸線Ｃに対してほぼ回転対称な形状を有している。この中構成部材２０は、第２案内部４８と、この第２案内部４８に連結された円筒状の処理液分離壁５０とを一体的に備えている。
第２案内部４８は、内構成部材１９の第１案内部２５の外側において、第１案内部２５の下端部と同軸円筒状をなす下端部４８ａと、この下端部４８ａの上端から滑らかな円弧を描きつつ中心側（ウエハＷの回転軸線Ｃに近づく方向）斜め上方に延びる上端部４８ｂと、上端部４８ｂの先端部を下方に折り返して形成される折返し部４８ｃとを有している。下端部４８ａは、内側回収溝２７上に位置し、内構成部材１９と中構成部材２０とが最も近接した状態で、内側回収溝２７の底部４９、中壁部２４および第１案内部２５との間に隙間を保って、内側回収溝２７に収容される。一方、上端部４８ｂは、内構成部材１９の第１案内部２５の上端部２５ｂと上下方向に重なるように設けられ、内構成部材１９と中構成部材２０とが最も近接した状態で、第１案内部２５の上端部２５ｂに対してごく微小な隙間を保って近接する。また、上端部４８ｂの先端には、折返し部４８ｃがその先端部を下方に折り返すことにより形成されており、内構成部材１９と中構成部材２０とが最も近接した状態で、その折返し部４８ｃが第１案内部２５の上端部２５ｂと水平方向において重なるようになっている。
第２案内部４８は、内構成部材１９の第１案内部２５の外側において、第１案内部２５の下端部と同軸円筒状をなす下端部４８ａと、この下端部４８ａの上端から滑らかな円弧を描きつつ中心側（ウエハＷの回転軸線Ｃに近づく方向）斜め上方に延びる上端部４８ｂと、上端部４８ｂの先端部を下方に折り返して形成される折返し部４８ｃとを有している。下端部４８ａは、内側回収溝２７上に位置し、内構成部材１９と中構成部材２０とが最も近接した状態で、内側回収溝２７の底部４９、中壁部２４および第１案内部２５との間に隙間を保って、内側回収溝２７に収容される。一方、上端部４８ｂは、内構成部材１９の第１案内部２５の上端部２５ｂと上下方向に重なるように設けられ、内構成部材１９と中構成部材２０とが最も近接した状態で、第１案内部２５の上端部２５ｂに対してごく微小な隙間を保って近接する。また、上端部４８ｂの先端には、折返し部４８ｃがその先端部を下方に折り返すことにより形成されており、内構成部材１９と中構成部材２０とが最も近接した状態で、その折返し部４８ｃが第１案内部２５の上端部２５ｂと水平方向において重なるようになっている。
また、第２案内部４８の上端部４８ｂは、下方ほど厚肉に形成されており、処理液分離壁５０は、その上端部４８ｂの外周縁部に連結されて円筒状をなしている。そして、処理液分離壁５０は、外側回収溝５２上に位置し、内構成部材１９と中構成部材２０とが最も近接した状態で、外側回収溝５２の底部、中壁部２４および外構成部材２１との間に隙間を保って、外側回収溝５２に収容される。
外構成部材２１は、中構成部材２０の第２案内部４８の外側において、スピンチャック１の周囲を取り囲み、スピンチャック１によるウエハＷの回転軸線Ｃに対してほぼ回転対称な形状を有し、第３案内部としての働きを有する。この外構成部材２１は、第２案内部４８の下端部４８ａと同軸円筒状をなす下端部２１ａと、下端部２１ａの上端から滑らかな円弧を描きつつ中心側（ウエハＷの回転軸線Ｃに近づく方向）斜め上方に延びる上端部２１ｂと、上端部２１ｂの先端部を下方に折り返して形成される折返し部２１ｃとを有している。
下端部２１ａは、外側回収溝５２上に位置し、内構成部材１９と外構成部材２１とが最も近接した状態で、中構成部材２０の処理液分離壁５０および外壁部５１ならびに外側回収溝５２の底部との間に隙間を保って、当該外側回収溝５２に収容されるような長さに形成されている。
上端部２１ｂは、中構成部材２０の第２案内部４８の上端部４８ｂと上下方向に重なるように設けられ、中構成部材２０と外構成部材２１とが最も近接した状態で、第２案内部４８の上端部４８ｂに対してごく微小な隙間を保って近接するように形成されている。
上端部２１ｂは、中構成部材２０の第２案内部４８の上端部４８ｂと上下方向に重なるように設けられ、中構成部材２０と外構成部材２１とが最も近接した状態で、第２案内部４８の上端部４８ｂに対してごく微小な隙間を保って近接するように形成されている。
折返し部２１ｃは、中構成部材２０と外構成部材２１とが最も近接した状態で、第２案内部４８の上端部４８ｂと水平方向において重なるように形成されている。
また、内構成部材１９を昇降させるための第１昇降機構６６と、中構成部材２０を昇降させるための第２昇降機構６７と、外構成部材２１を昇降させるための第３昇降機構６８とが備えられている。
また、内構成部材１９を昇降させるための第１昇降機構６６と、中構成部材２０を昇降させるための第２昇降機構６７と、外構成部材２１を昇降させるための第３昇降機構６８とが備えられている。
第１昇降機構６６は、たとえば、ベース１６に取り付けられたボールねじ機構と、このボールねじ機構の駆動部を内構成部材１９の底部２２に結合する連結部材とを含む。第２昇降機構６７および第３昇降機構６８も同様の構成で実現できる。第２昇降機構６７と中構成部材２０とを結合するために、たとえば、処理液分離壁５０の下端縁の適所（１箇所または周方向に間隔を開けた複数箇所）から外構成部材２１の下端部２１ａの下側を通って当該下端部２１ａの外側に至る連結部と、この連結部に連設された取り付けブロックとを、中構成部材２０と一体的に形成しておくようにしてもよい。この場合に、内構成部材１９の外壁部５１には、前記取り付けブロックを収容できるように外方に膨出した膨出部を形成しておくことが好ましい。
この基板処理装置には、マイクロコンピュータを含む構成の制御部８０が備えられている。制御部８０は、ウエハＷに対する処理の各工程において、内構成部材１９、中構成部材２０および外構成部材２１がそれぞれ適切な位置に配置されるように、第１、第２および第３昇降機構６６，６７，６８を制御する。
図２ないし図５は、ウエハＷに対する処理の各工程における内構成部材１９、中構成部材２０および外構成部材２１の位置を図解的に示す断面図である。ウエハＷの搬入前は、図２に示すように、内構成部材１９、中構成部材２０および外構成部材２１が最も下方まで下げられることにより、内構成部材１９の第１案内部２５の上端部２５ｂ、中構成部材２０の第２案内部４８の上端部４８ｂおよび外構成部材２１の上端部２１ｂがいずれも、スピンチャック１によるウエハＷの保持位置よりも下方に位置している。
図２ないし図５は、ウエハＷに対する処理の各工程における内構成部材１９、中構成部材２０および外構成部材２１の位置を図解的に示す断面図である。ウエハＷの搬入前は、図２に示すように、内構成部材１９、中構成部材２０および外構成部材２１が最も下方まで下げられることにより、内構成部材１９の第１案内部２５の上端部２５ｂ、中構成部材２０の第２案内部４８の上端部４８ｂおよび外構成部材２１の上端部２１ｂがいずれも、スピンチャック１によるウエハＷの保持位置よりも下方に位置している。
ウエハＷが搬入されてきて、そのウエハＷがスピンチャック１に保持されると、図３に示すように、外構成部材２１のみが上昇されて、外構成部材２１の上端部２１ｂがスピンチャック１に保持されたウエハＷの上方に配置される。これにより、中構成部材２０の第２案内部４８の上端部４８ｂと外構成部材２１の上端部２１ｂとの間に、ウエハＷの端面に対向する開口が形成される。
その後、ウエハＷ（スピンチャック１）が回転されて、その回転しているウエハＷの表面および裏面に対して、それぞれノズル３および裏面ノズル８から第１薬液が供給される。ウエハＷの表面および裏面に供給される第１薬液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面および裏面を伝って流れ、ウエハＷの周縁から側方へと飛散する。これにより、ウエハＷの表面および裏面に第１薬液が行き渡り、ウエハＷの表面および裏面に対する第１薬液による処理が達成される。
ウエハＷの周縁から振り切られて側方に飛散する第１薬液は、中構成部材２０の第２案内部４８の上端部４８ｂと外構成部材２１の上端部２１ｂとの間に飛入する。そして、外構成部材２１の内面を伝って流下し、外側回収溝５２に集められ、外側回収溝５２から第２回収機構５３を通して第２回収タンクに回収される。このとき、内構成部材１９および中構成部材２０が内構成部材１９の第１案内部２５の上端部２５ｂと中構成部材２０の第２案内部４８の上端部４８ｂとの間にごく微小な隙間を保った状態で近接し、さらに、第２案内部４８の折返し部４８ｃが第１案内部２５の上端部２５ｂと水平方向において重なることにより、第１案内部２５と第２案内部４８との間への処理液の進入が防止される。また、中構成部材２０に備えられた処理液分離壁５０は、中構成部材２０の第２案内部４８の上端部４８ｂと外構成部材２１の上端部２１ｂとの間に飛入した第１薬液が内側回収溝２７に入り込むことを防ぎ、その第１薬液を外側回収溝５２へと案内する。
ウエハＷへの第１薬液の供給が所定時間にわたって行われると、内構成部材１９および中構成部材２０が上昇されて、図４に示すように、内構成部材１９の第１案内部２５の上端部２５ｂ、中構成部材２０の第２案内部４８の上端部４８ｂおよび外構成部材２１の上端部２１ｂが、スピンチャック１に保持されたウエハＷよりも上方に配置される。このとき、内構成部材１９および中構成部材２０は、内構成部材１９の第１案内部２５の上端部２５ｂと中構成部材２０の第２案内部４８の上端部４８ｂとの間にごく微小な隙間を保った状態（内構成部材１９と中構成部材２０の相対的な位置関係を保った状態）で、同期をとって上昇される。これにより、スピンチャック１によるウエハＷの回転および第１薬液の供給が継続されていても、ウエハＷから飛散する処理液が第１案内部２５と第２案内部４８との間に進入することを防止することができる。
その後、ノズル３および裏面ノズル８からの第１薬液の供給が停止される。そして、ウエハＷの表面および裏面に対して、それぞれノズル３および裏面ノズル８から純水が供給されることにより、ウエハＷの表面および裏面を水洗するためのリンス工程が行われる。ウエハＷの表面および裏面に供給される純水は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面および裏面を伝って流れ、このときウエハＷの表面および裏面に付着している第１薬液を洗い流す。そして、第１薬液を含む純水は、ウエハＷの周縁から振り切られて飛散する。
ウエハＷの周縁から振り切られて側方に飛散する純水（第１薬液を含む純水）は、内構成部材１９の第１案内部２５の内面に捕獲される。そして、内構成部材１９の内面を伝って流下し、廃棄溝２６に集められ、排気液機構２８によって、廃棄溝２６内の雰囲気とともに排出される。このとき、内構成部材１９、中構成部材２０および外構成部材２１が各上端部間にごく微小な隙間を保った状態で近接し、さらに、外構成部材２１の折返し部２１ｃが第２案内部４８の上端部４８ｂと水平方向において重なり、第２案内部４８の折返し部４８ｃが第１案内部２５の上端部２５ｂと水平方向において重なることによって、第１案内部２５と第２案内部４８との間および第２案内部４８と外構成部材２１との間への処理液の進入が防止される。
ウエハＷへの純水の供給が所定時間にわたって行われると、ノズル３および裏面ノズル８からの純水の供給が停止される。そして、内構成部材１９、中構成部材２０および外構成部材２１が最も下方まで下げられることにより、図２に示すように、内構成部材１９の第１案内部２５の上端部２５ｂ、中構成部材２０の第２案内部４８の上端部４８ｂおよび外構成部材２１の上端部２１ｂが、ウエハＷよりも下方に配置される。この後、ウエハＷ（スピンチャック１）の回転速度が予め定める高回転速度に上げられて、リンス工程後のウエハＷの表面に付着しているリンス液を遠心力で振り切って乾燥させる乾燥工程が所定時間にわたって行われる。乾燥工程が終了すると、スピンチャック１によるウエハＷの回転が止められて、スピンチャック１から処理後のウエハＷが搬出されていく。
また、第１薬液による処理後のリンス工程に引き続いて、ウエハＷに対して第２薬液による処理が行われる場合には、ノズル３および裏面ノズル８からの純水の供給が停止された後、内構成部材１９、中構成部材２０および外構成部材２１が最上方に位置している状態から、内構成部材１９が下降されて、図５に示すように、内構成部材１９の第１案内部２５の上端部２５ｂのみが、スピンチャック１に保持されたウエハＷよりも下方に配置される。これにより、内構成部材１９の上端部と中構成部材２０の第２案内部４８の上端部４８ｂとの間に、ウエハＷの端面に対向する開口が形成される。
そして、リンス工程時から引き続いて回転しているウエハＷの表面および裏面に対して、それぞれノズル３および裏面ノズル８から第２薬液が供給される。ウエハＷの表面および裏面に供給される第２薬液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面および裏面を伝って流れ、ウエハＷの周縁から側方へと飛散する。これにより、ウエハＷの表面および裏面に第２薬液が行き渡り、ウエハＷの表面および裏面に対する第２薬液による処理が達成される。
ウエハＷの周縁から振り切られて側方に飛散する第２薬液は、内構成部材１９の第１案内部２５の上端部２５ｂと中構成部材２０の第２案内部４８の上端部４８ｂとの間に飛入する。そして、第２案内部４８の内面を伝って流下し、内側回収溝２７に集められ、内側回収溝２７から第１回収機構３５を通して第１回収タンクに回収される。このとき、中構成部材２０および外構成部材２１が中構成部材２０の第２案内部４８の上端部４８ｂと外構成部材２１の上端部２１ｂとの間にごく微小な隙間を保った状態で近接し、さらに、外構成部材２１の折返し部２１ｃが第２案内部４８の上端部４８ｂと水平方向において重なることにより、第２案内部４８と外構成部材２１との間への処理液の進入が防止される。
ウエハＷへの第２薬液の供給が所定時間にわたって行われると、内構成部材１９が上昇されて、図４に示すように、再び、内構成部材１９の第１案内部２５の上端部２５ｂ、中構成部材２０の第２案内部４８の上端部４８ｂおよび外構成部材２１の上端部２１ｂが、スピンチャック１に保持されたウエハＷよりも上方に配置される。
その後、ノズル３および裏面ノズル８からの第２薬液の供給が停止される。そして、ウエハＷの表面および裏面に対して、それぞれノズル３および裏面ノズル８から純水が供給され、ウエハＷの表面および裏面に付着した第２薬液を洗い流すためのリンス工程が行われる。このリンス工程では、第１薬液による処理後に行われるリンス工程の場合と同様に、ウエハＷの周縁から振り切られて側方に飛散する純水（第２薬液を含む純水）は、廃棄溝２６に集められて排出される。また、内構成部材１９、中構成部材２０および外構成部材２１は、各上端部間にごく微小な隙間を保った状態で近接し、さらに、外構成部材２１の折返し部２１ｃが第２案内部４８の上端部４８ｂと水平方向において重なり、第２案内部４８の折返し部４８ｃが第１案内部２５の上端部２５ｂと水平方向において重なることにより、第１案内部２５と第２案内部４８との間および第２案内部４８と外構成部材２１との間への処理液の進入が防止される。
その後、ノズル３および裏面ノズル８からの第２薬液の供給が停止される。そして、ウエハＷの表面および裏面に対して、それぞれノズル３および裏面ノズル８から純水が供給され、ウエハＷの表面および裏面に付着した第２薬液を洗い流すためのリンス工程が行われる。このリンス工程では、第１薬液による処理後に行われるリンス工程の場合と同様に、ウエハＷの周縁から振り切られて側方に飛散する純水（第２薬液を含む純水）は、廃棄溝２６に集められて排出される。また、内構成部材１９、中構成部材２０および外構成部材２１は、各上端部間にごく微小な隙間を保った状態で近接し、さらに、外構成部材２１の折返し部２１ｃが第２案内部４８の上端部４８ｂと水平方向において重なり、第２案内部４８の折返し部４８ｃが第１案内部２５の上端部２５ｂと水平方向において重なることにより、第１案内部２５と第２案内部４８との間および第２案内部４８と外構成部材２１との間への処理液の進入が防止される。
ウエハＷへの純水の供給が所定時間にわたって行われると、ノズル３および裏面ノズル８からの純水の供給が停止される。そして、内構成部材１９、中構成部材２０および外構成部材２１が最も下方まで下げられることにより、図２に示すように、内構成部材１９の第１案内部２５の上端部２５ｂ、中構成部材２０の第２案内部４８の上端部４８ｂおよび外構成部材２１の上端部２１ｂが、ウエハＷよりも下方に配置される。この後、ウエハＷ（スピンチャック１）の回転速度が予め定める高回転速度に上げられて、リンス工程後のウエハＷの表面に付着しているリンス液を遠心力で振り切って乾燥させる乾燥工程が所定時間にわたって行われる。乾燥工程が終了すると、スピンチャック１によるウエハＷの回転が止められて、スピンチャック１から処理後のウエハＷが搬出されていく。
以上のように、この基板処理装置では、内構成部材１９、中構成部材２０および外構成部材２１を、それぞれ独立に昇降させることができる。これにより、これらを昇降させて、内構成部材１９、中構成部材２０および外構成部材２１の各上端部をスピンチャック１に保持されたウエハＷの上方に位置させたり、外構成部材２１の上端部２１ｂのみをスピンチャック１に保持されたウエハＷの上方に位置させたり、内構成部材１９の第１案内部２５の上端部２５ｂのみをスピンチャック１に保持されたウエハＷの下方に位置させたり、内構成部材１９、中構成部材２０および外構成部材２１の各上端部をスピンチャック１に保持されたウエハＷの下方に位置させたりすることができる。
ウエハＷに対する第１薬液の供給時に、外構成部材２１の上端部２１ｂのみをスピンチャック１に保持されたウエハＷの上方に位置させることによって、中構成部材２０の第２案内部４８の上端部４８ｂと外構成部材２１の上端部２１ｂとの間に、ウエハＷの端面に対向する開口を形成することができ、ウエハＷの周縁から振り切られて側方に飛散する第１薬液を中構成部材２０と外構成部材２１との間に飛入させることができる。そして、その飛入した第１薬液を、外構成部材２１の案内によって外側回収溝５２に集めることができ、外側回収溝５２から第２回収機構５３を通して第２回収タンクに回収することができる。
また、ウエハＷに対する第２薬液の供給時に、内構成部材１９の第１案内部２５の上端部２５ｂのみをスピンチャック１に保持されたウエハＷの下方に位置させることによって、内構成部材１９の上端部と中構成部材２０の第２案内部４８の上端部４８ｂとの間に、ウエハＷの端面に対向する開口を形成することができ、ウエハＷの周縁から振り切られて側方に飛散する第２薬液を内構成部材１９と中構成部材２０との間に飛入させることができる。そして、その飛入した第２薬液を、中構成部材２０の案内によって内側回収溝２７に集めることができ、内側回収溝２７から第１回収機構３５を通して第１回収タンクに回収することができる。
さらに、ウエハＷに対する純水の供給時に、内構成部材１９、中構成部材２０および外構成部材２１の各上端部をスピンチャック１に保持されたウエハＷの上方に位置させることによって、ウエハＷの側方に飛散する純水を、内構成部材１９の第１案内部２５の内面に捕獲し、この第１案内部２５の案内によって廃棄溝２６に集めることができる。このとき、内構成部材１９、中構成部材２０および外構成部材２１は、各上端部間にごく微小な隙間を保った状態で近接することにより、第１案内部２５と第２案内部４８との間および第２案内部４８と外構成部材２１との間に処理液が進入することを防止することができる。また、内構成部材１９、中構成部材２０および外構成部材２１が相互に接触しないので、それらの接触によるパーティクルの発生（接触による部材の削れ等によるパーティクルの発生）の問題を招くことはない。
また、ウエハＷに対する第２薬液の供給時および純水の供給時に、外構成部材２１をとくに上昇させる必要はなく、外構成部材２１の位置は、外構成部材２１の案内によって第１薬液を回収するときの位置と同じでよい。そのため、スピンチャック１の上方に大きなスペースを必要としないので、その分、装置の高さ方向の小型化を図ることができる。
さらには、中構成部材２０の第２案内部４８の折返し部４８ｃによって、第２案内部４８と外構成部材２１との間に第１薬液と異なる種類の処理液が進入することを防止することができる。また、外構成部材２１の折返し部２１ｃによって、第１案内部２５と第２案内部４８との間に第２薬液と異なる種類の処理液が進入することを防止することができる。そのため、外側回収溝５２に回収される第１薬液の純度および内側回収溝２７に回収される第２薬液の純度をさらに向上させることができる。しかも、折返し部２１ｃおよび折返し部４８ｃは、それぞれ外構成部材２１および中構成部材２０に一体的に形成されているので、部品点数の増加を招くことを防止することができ、装置の構成を簡素化することができる。
さらには、中構成部材２０の第２案内部４８の折返し部４８ｃによって、第２案内部４８と外構成部材２１との間に第１薬液と異なる種類の処理液が進入することを防止することができる。また、外構成部材２１の折返し部２１ｃによって、第１案内部２５と第２案内部４８との間に第２薬液と異なる種類の処理液が進入することを防止することができる。そのため、外側回収溝５２に回収される第１薬液の純度および内側回収溝２７に回収される第２薬液の純度をさらに向上させることができる。しかも、折返し部２１ｃおよび折返し部４８ｃは、それぞれ外構成部材２１および中構成部材２０に一体的に形成されているので、部品点数の増加を招くことを防止することができ、装置の構成を簡素化することができる。
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は、他の形態で実施することも可能である。たとえば、上記の実施形態では、第１薬液、第２薬液および純水を用いた処理を例にとったが、第１薬液および第２薬液とは種類の異なる第３薬液をさらに追加して用いて、ウエハＷに対して第３薬液を用いた処理を行い、この処理に用いられた後の第３薬液を回収するようにしてもよい。この場合、外構成部材２１のさらに外側に、外構成部材２１と同様な構成を有する新たな構成部材を追加するとともに、その新たな構成部材に案内される第３薬液を回収するための回収溝を内構成部材１９に一体的に設ければよく、既存の中構成部材２０および外構成部材２１を利用することができる。そのため、大幅なコストアップを回避することができる。これと同様に、４種以上の薬液をウエハＷの処理に用いて、各薬液を回収する場合についても、大幅なコストアップを回避することができる。すなわち、大幅なコストアップを招くことなく、回収される処理液の種類の増加に対応することができる。さらに、内構成部材１９や中構成部材２０によって処理液が案内されるときに、新たに設けた最外側の構成部材をとくに上昇させる必要がないので、高さ方向における装置の大型化も回避することができる。
また、上記の実施形態では、ウエハＷに対して洗浄処理を行う装置を例にとったが、この発明は、洗浄処理に限らず、たとえば、ウエハＷの表面から不要な薄膜をエッチング液を用いて除去するエッチング処理装置、ウエハＷの表面から不要なポリマー残渣をポリマー除去液を用いて除去するポリマー除去装置、ウエハＷの表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置、あるいはウエハＷの表面に現像液を供給してレジスト膜を現像する現像装置などに適用することもできる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能で
ある。
ある。
Ｃ 回転軸線
Ｗ ウエハ
１ スピンチャック
２ カップ
３ ノズル
４ 回転軸
５ スピンベース
６ モータ
７ 裏面処理液供給管
８ 裏面ノズル
１９ 内構成部材
２０ 中構成部材
２１ 外構成部材
２１ａ 下端部
２１ｂ 上端部
２１ｃ 折返し部
２３ 内壁部
２４ 中壁部
２５ 第１案内部
２５ｂ 上端部
２６ 廃棄溝
２７ 内側回収溝
２８ 排気液機構
３５ 第１回収機構
４８ 第２案内部
４８ａ 下端部
４８ｂ 上端部
４８ｃ 折返し部
５０ 処理液分離壁
５１ 外壁部
５２ 外側回収溝
５３ 第２回収機構
６６ 第１昇降機構
６７ 第２昇降機構
６８ 第３昇降機構
８０ 制御部
Ｗ ウエハ
１ スピンチャック
２ カップ
３ ノズル
４ 回転軸
５ スピンベース
６ モータ
７ 裏面処理液供給管
８ 裏面ノズル
１９ 内構成部材
２０ 中構成部材
２１ 外構成部材
２１ａ 下端部
２１ｂ 上端部
２１ｃ 折返し部
２３ 内壁部
２４ 中壁部
２５ 第１案内部
２５ｂ 上端部
２６ 廃棄溝
２７ 内側回収溝
２８ 排気液機構
３５ 第１回収機構
４８ 第２案内部
４８ａ 下端部
４８ｂ 上端部
４８ｃ 折返し部
５０ 処理液分離壁
５１ 外壁部
５２ 外側回収溝
５３ 第２回収機構
６６ 第１昇降機構
６７ 第２昇降機構
６８ 第３昇降機構
８０ 制御部
Claims (4)
- 基板をほぼ水平に保持して、その基板をほぼ鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板に対して、処理液を供給するための処理液供給手段と、
前記基板保持手段の周囲を取り囲み、上記回転軸線に向けて延びる上端部を有し、前記基板保持手段によって回転されている基板から飛散する処理液を当該処理液が流下するように案内するための第１案内部と、
前記第１案内部の外側において前記基板保持手段の周囲を取り囲み、上記回転軸線に向けて延びる上端部を有し、その上端部が前記第１案内部の上端部と上下方向に重なるように設けられ、前記基板保持手段によって回転されている基板から飛散する処理液を当該処理液が流下するように案内するための第２案内部と、
前記第２案内部の外側において前記基板保持手段の周囲を取り囲み、上記回転軸線に向けて延びる上端部を有し、その上端部が前記第２案内部の上端部と上下方向に重なるように設けられ、前記基板保持手段によって回転されている基板から飛散する処理液を当該処理液が流下するように案内するための第３案内部と、
前記第１案内部の外側に前記第１案内部と一体的に設けられ、前記第２案内部に案内される処理液を回収するための第１回収溝と、
この第１回収溝の外側に前記第１案内部と一体的に設けられ、前記第３案内部に案内される処理液を回収するための第２回収溝と、
前記第１、第２および第３案内部をそれぞれ独立して昇降させるための駆動機構とを含むことを特徴とする基板処理装置。 - 前記第２案内部に一体的に設けられ、前記第２案内部の上端部と前記第３案内部の上端部との間に導かれた処理液が前記第１回収溝へと入り込むことを防ぎ、その処理液を前記第２回収溝へと案内する処理液分離壁をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
- 前記基板保持手段によって回転されている基板から飛散する処理液が前記第１案内部によって案内されるときに、前記第１案内部と前記第２案内部との間、および前記第２案内部と前記第３案内部との間に処理液が進入することをそれぞれ防止するための第１進入防止部および第２進入防止部をさらに含むことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
- 前記第１進入防止部は前記第２案内部の上端部を下方に折り返して形成されており、前記第２進入防止部は前記第３案内部の上端部を下方に折り返して形成されていることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010010421A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2013033922A (ja) * | 2011-07-06 | 2013-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
| JP2013214744A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-17 | Semes Co Ltd | 基板処理装置 |
| KR20150140612A (ko) | 2011-07-20 | 2015-12-16 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| KR101787197B1 (ko) * | 2015-01-22 | 2017-11-15 | 사이언테크 코포레이션 | 유체공정 처리장치 |
| CN111211066A (zh) * | 2018-11-22 | 2020-05-29 | 辛耘企业股份有限公司 | 流体收集装置 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100752246B1 (ko) * | 2005-03-31 | 2007-08-29 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| JP5084639B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2012-11-28 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | スピン処理装置 |
| EP2372749B1 (de) * | 2010-03-31 | 2021-09-29 | Levitronix GmbH | Behandlungsvorrichtung zur Behandlung einer Oberfläche eines Körpers |
| JP5890108B2 (ja) | 2011-04-27 | 2016-03-22 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 洗浄処理方法 |
| US8899246B2 (en) | 2011-11-23 | 2014-12-02 | Lam Research Ag | Device and method for processing wafer shaped articles |
| JP6053528B2 (ja) * | 2013-01-11 | 2016-12-27 | 株式会社荏原製作所 | 基板把持装置 |
| JP6148475B2 (ja) | 2013-01-25 | 2017-06-14 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
| US10707099B2 (en) | 2013-08-12 | 2020-07-07 | Veeco Instruments Inc. | Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle |
| US9768041B2 (en) | 2013-08-12 | 2017-09-19 | Veeco Precision Surface Processing Llc | Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle |
| KR101570168B1 (ko) | 2014-06-30 | 2015-11-19 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| CN105161442B (zh) * | 2015-07-21 | 2018-02-23 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 一种清洗液体收集装置 |
| JP6713893B2 (ja) * | 2016-09-26 | 2020-06-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| US11342215B2 (en) | 2017-04-25 | 2022-05-24 | Veeco Instruments Inc. | Semiconductor wafer processing chamber |
| CN112053970A (zh) * | 2019-06-05 | 2020-12-08 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置 |
| CN111701929B (zh) * | 2020-06-24 | 2021-11-02 | 严景 | 一种便于清洗的电子摄像机镜片清洗设备及其使用方法 |
| KR102616061B1 (ko) * | 2021-08-24 | 2023-12-20 | (주)디바이스이엔지 | 바울 조립체를 포함하는 기판 처리장치 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001035828A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-09 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
| JP2004031400A (ja) * | 2002-06-21 | 2004-01-29 | Sipec Corp | 基板処理装置及びその処理方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW504776B (en) * | 1999-09-09 | 2002-10-01 | Mimasu Semiconductor Ind Co | Wafer rotary holding apparatus and wafer surface treatment apparatus with waste liquid recovery mechanism |
| JP4018958B2 (ja) * | 2001-10-30 | 2007-12-05 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP4078163B2 (ja) * | 2002-09-13 | 2008-04-23 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| US7584760B2 (en) | 2002-09-13 | 2009-09-08 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| JP2004265910A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-09-24 | Personal Creation Ltd | 基板の処理液の分別回収装置及び該装置を備えた基板の処理装置、並びに基板の処理液の分別回収方法 |
| JP2005079219A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| JP3966848B2 (ja) * | 2003-11-07 | 2007-08-29 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| CN100466190C (zh) * | 2004-03-12 | 2009-03-04 | 禧沛股份有限公司 | 基片处理装置 |
| KR100752246B1 (ko) | 2005-03-31 | 2007-08-29 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
-
2006
- 2006-10-03 JP JP2006272147A patent/JP4763567B2/ja active Active
-
2007
- 2007-09-27 KR KR1020070097290A patent/KR100921601B1/ko active IP Right Grant
- 2007-09-28 CN CNB2007101531879A patent/CN100521085C/zh active Active
- 2007-09-28 US US11/864,081 patent/US7958898B2/en active Active
- 2007-10-03 TW TW096137002A patent/TWI383443B/zh active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001035828A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-09 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
| JP2004031400A (ja) * | 2002-06-21 | 2004-01-29 | Sipec Corp | 基板処理装置及びその処理方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010010421A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| TWI485792B (zh) * | 2008-06-27 | 2015-05-21 | Screen Holdings Co Ltd | 基板處理裝置 |
| JP2013033922A (ja) * | 2011-07-06 | 2013-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
| KR20150140612A (ko) | 2011-07-20 | 2015-12-16 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| US9378988B2 (en) | 2011-07-20 | 2016-06-28 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method using processing solution |
| JP2013214744A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-17 | Semes Co Ltd | 基板処理装置 |
| KR101787197B1 (ko) * | 2015-01-22 | 2017-11-15 | 사이언테크 코포레이션 | 유체공정 처리장치 |
| CN111211066A (zh) * | 2018-11-22 | 2020-05-29 | 辛耘企业股份有限公司 | 流体收集装置 |
Also Published As
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