JP4965478B2 - ポリマー除去方法 - Google Patents
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Description
銅膜のエッチングによる微細なパターニングが困難であることから、銅配線は、いわゆるダマシン法によって形成される。すなわち、半導体ウエハの表面上に積層された絶縁膜には、上層の銅配線を埋設するための配線溝と、この配線溝の底面に接続され、絶縁膜を厚さ方向に貫通するバイアホールとが形成される。配線溝およびバイアホールには、銅が一括して埋め込まれる。これにより、配線溝に埋設された銅配線が得られ、バイアホールに埋設された銅を介して、その銅配線と絶縁膜の下方の銅配線(下層配線)との電気的な接続が達成される。
そこで、本発明の目的は、基板の全面からポリマーを良好に除去することができる、ポリマー除去方法を提供することである。
前記第1のポリマー除去液は、FPMに加えて、請求項3に記載のように、HCl(塩酸)をさらに含んでいてもよいし、請求項4に記載のように、H2SO4(硫酸)をさらに含んでいてもよい。
第2のポリマー除去液は、少なくとも基板の表面に供給されるとよく、基板の表面のみならず、基板の周端面および裏面に供給されてもよい。
図1は、本発明の一実施形態に係るポリマー除去方法を実施するためのポリマー除去装置の模式的な断面図である。
ポリマー除去装置100は、基板の一例としての半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)Wをほぼ水平な姿勢で保持するためのスピンチャック1と、スピンチャック1に保持されたウエハWの表面(上面)に第2ポリマー除去液および純水(脱イオン化された水)を選択的に供給するためのノズル3と、スピンチャック1に保持されたウエハWの表面付近の雰囲気をその周囲から遮断するための遮断板25とを備えている。
スピン軸4は、モータ6の駆動軸と一体化された中空軸である。スピン軸4の内部には、裏面供給管7が挿通されている。この裏面供給管7には、第1ポリマー除去液バルブ51、第2ポリマー除去液下バルブ52および純水下バルブ53の開閉により、第1ポリマー除去液、第2ポリマー除去液および純水が選択的に供給されるようになっている。裏面供給管7は、スピンチャック1に保持されたウエハWの裏面(下面)中央に近接する位置まで延びていて、その先端には、裏面供給管7に選択的に供給される第1ポリマー除去液、第2ポリマー除去液および純水を吐出する裏面ノズル8が設けられている。裏面ノズル8から吐出される第1ポリマー除去液、第2ポリマー除去液および純水は、たとえば、スピンチャック1に保持されたウエハWの裏面中央に対してほぼ垂直に入射する。
モータ6は、円板状のベース16上に配置され、円筒状のカバー部材17によって包囲されている。カバー部材17は、その下端がベース16の周縁部に固定され、上端がスピンベース5の下面近傍にまで及んでいる。カバー部材17の上端部には、カバー部材17から外方へほぼ水平に張り出し、さらに下方に屈曲して延びる鍔状部材18が取り付けられている。
ノズル3は、スピンチャック1の上方に設けられたアーム19の先端に取り付けられている。アーム19は、スピンチャック1の側方でほぼ鉛直に延びたアーム支持軸20に支持されており、このアーム支持軸20からほぼ水平に延びている。アーム支持軸20には、アーム駆動機構21が結合されている。アーム駆動機構21からアーム支持軸20に駆動力を入力して、アーム支持軸20を所定角度範囲内で回動させることにより、アーム19を所定角度範囲内で揺動させることができるようになっている。
遮断板25は、ウエハWとほぼ同じ径またはそれ以上の径を有する円板状に形成され、スピンチャック1の上方でほぼ水平に配置されている。遮断板25の上面には、スピンチャック1のスピン軸4と共通の鉛直軸線を中心とする回転軸26が固定されている。回転軸26の内部には、窒素ガス流通路27が形成されている。この窒素ガス流通路27には、窒素ガスバルブ28を介して窒素ガスが供給されるようになっている。窒素ガス流通路27の下端は、遮断板25の下面の中心部で開口しており、窒素ガス流通路27に供給される窒素ガスは、窒素ガス流通路27の下端の開口から吐出される。
内構成部材31は、スピンチャック1の周囲を取り囲み、スピンチャック1によるウエハWの回転軸線Cに対してほぼ回転対称な形状を有している。この内構成部材31は、平面視円環状の底部34と、この底部34の内周縁から上方に立ち上がる円筒状の内壁部35と、底部34の外周縁から上方に立ち上がる円筒上の外壁部36と、内壁部35と外壁部36との間から立ち上がり、上端部が滑らかな円弧を描きつつ中心側(ウエハWの回転軸線Cに近づく方向)斜め上方に延びる第1案内部37と、第1案内部37と外壁部36との間から上方に立ち上がった円筒状の中壁部38とを一体的に備えている。
中壁部38は、内構成部材31と中構成部材32とが最も近接した状態で、中構成部材32の後述する第2案内部39および処理液分離壁40との間に隙間を保って、その第2案内部39(下端部39a)と処理液分離壁40との間に収容されるような長さに形成されている。
中構成部材32は、スピンチャック1の周囲を取り囲み、スピンチャック1によるウエハWの回転軸線Cに対してほぼ回転対称な形状を有している。この中構成部材32は、第2案内部39と、この第2案内部39に連結された円筒状の処理液分離壁40とを一体的に備えている。
外構成部材33は、中構成部材32の第2案内部39の外側において、スピンチャック1の周囲を取り囲み、スピンチャック1によるウエハWの回転軸線Cに対してほぼ回転対称な形状を有し、第3案内部としての働きを有する。この外構成部材33は、第2案内部39の下端部39aと同軸円筒状をなす下端部33aと、下端部33aの上端から滑らかな円弧を描きつつ中心側(ウエハWの回転軸線Cに近づく方向)斜め上方に延びる上端部33bと、上端部33bの先端部を下方に折り返して形成される折返し部33cとを有している。
上端部33bは、中構成部材32の第2案内部39の上端部39bと上下方向に重なるように設けられ、中構成部材32と外構成部材33とが最も近接した状態で、第2案内部39の上端部39bに対してごく微小な隙間を保って近接するように形成されている。
また、外構成部材33には、外構成部材33を昇降させるための外昇降駆動機構47が結合されている。
図2は、ポリマー除去装置の電気的構成を示すブロック図である。
制御装置50には、モータ6、アーム駆動機構21、遮断板昇降駆動機構29、遮断板回転駆動機構30、内昇降駆動機構45、中昇降駆動機構46、外昇降駆動機構47、窒素ガスバルブ28、第1ポリマー除去液バルブ51、第2ポリマー除去液上バルブ23、第2ポリマー除去液下バルブ52、純水上バルブ24および純水下バルブ53などが制御対象として接続されている。
ウエハWの表面上には、層間絶縁膜61が形成されている。層間絶縁膜61には、下配線溝62がその上面から掘り下げて形成されている。下配線溝62には、銅配線63が埋設されている。層間絶縁膜61上には、エッチストッパ膜64を介して、被加工膜の一例としての低誘電率絶縁膜65が積層されている。低誘電率絶縁膜65には、上配線溝66がその上面から掘り下げて形成されている。さらに、低誘電率絶縁膜65には、上配線溝66の底面から銅配線63の表面に達するバイアホール67が形成されている。上配線溝66およびバイアホール67には、銅が一括して埋め込まれる。
ポリマー除去の対象となるウエハWは、図示しない搬送ハンドにより、ポリマー除去装置100内に搬入される。
次に、ウエハWの表面および裏面を水洗するための第1リンス処理工程が行われる(ステップS2)。この第1リンス処理工程では、純水上バルブ24および純水下バルブ53が開かれて、ノズル3からウエハWの表面に純水が供給されるとともに、裏面ノズル8からウエハWの裏面に純水が供給される。ウエハWは、第1リンス処理工程の開始前から引き続き回転されている。このとき、アーム19は、所定の角度範囲内で揺動される。これにより、ウエハWの表面における純水の着液位置が、ウエハWの回転中心からウエハWの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。
その後、第1種のポリマーを除去する工程が行われる(ステップS3)。この工程では、内昇降駆動機構45が駆動されて、内構成部材31、中構成部材32および外構成部材33が最上方に位置している状態から、内構成部材31が下降される。これにより、図8に示すように、内構成部材31の第1案内部37の上端部37bのみが、スピンチャック1に保持されたウエハWよりも下方に配置される。その結果、内構成部材31の上端部と中構成部材32の第2案内部39の上端部39bとの間に、ウエハWの端面に対向する開口が形成される。また、遮断板昇降駆動機構29が駆動されて、遮断板25がスピンチャック1に保持されたウエハWの上面に近接する近接位置まで下降される。そして、遮断板回転駆動機構30が駆動されて、遮断板25がウエハWと同方向に同じ回転速度で回転される。その一方で、窒素ガスバルブ28が開かれて、窒素ガス流通路27の下端の開口から、ウエハWと遮断板25との間の空間に窒素ガスが供給される。これにより、ウエハWの表面が窒素ガスの気流で覆われた状態となる。
そして、遮断板昇降駆動機構29が駆動されて、遮断板25がウエハWの表面に近接する位置からスピンチャック1の上方に大きく離間した位置に上昇される。その一方で、窒素ガスバルブ28が閉じられて、窒素ガス流通路27の下端の開口からウエハWと遮断板25との間の空間に供給されていた窒素ガスが停止される。
ウエハWへの純水の供給が所定時間にわたって行われると、純水上バルブ24および純水下バルブ53が閉じられ、ノズル3および裏面ノズル8からの純水の供給が停止される。その後、内昇降駆動機構45、中昇降駆動機構46および外昇降駆動機構47が駆動されて、内構成部材31、中構成部材32および外構成部材33が最下方まで下げられる。これにより、図5に示すように、内構成部材31の第1案内部37の上端部37b、中構成部材32の第2案内部39の上端部39bおよび外構成部材33の上端部33bが、ウエハWよりも下方に配置される。また、アーム駆動機構21が駆動されて、ノズル3がスピンチャック1の側方の退避位置に退避される。
また、第2ポリマー除去液としては、DHFが用いられている。これにより、アッシング時に生じた第2種のポリマーをウエハWから良好に除去することができる。
また、図4に示すように、第2種のポリマーを除去する工程(ステップS1)、第1リンス処理工程(ステップS2)、第1種のポリマーを除去する工程(ステップS3)、第2リンス処理工程(ステップS4)およびスピンドライ処理工程(ステップS5)がこの順に実施される場合を例に挙げた。しかしながら、第2種のポリマーを除去する工程と、第1種のポリマーを除去する工程とが入れ替えて実施されてもよい。すなわち、図9に示すように、第1種のポリマーを除去する工程(ステップS11)、第1リンス処理工程(ステップS12)、第2種のポリマーを除去する工程(ステップS13)、第2リンス処理工程(ステップS14)およびスピンドライ処理工程(ステップS15)がこの順に実施されてもよい。
W ウエハ(基板)
Claims (5)
- 被加工膜をパターニングするためのドライエッチング処理および前記ドライエッチング処理に使用されたハードマスクを除去するためのアッシング処理を受けた基板から、前記ドライエッチング処理時に生じた第1種のポリマーと、前記アッシング処理時に生じた第2種のポリマーとを除去するためのポリマー除去方法であって、
前記第1種のポリマーを除去可能な第1のポリマー除去液を、基板における前記被加工膜が形成された表面の周縁部、周端面および前記表面と反対側の裏面に供給する工程と、
前記第2種のポリマーを除去可能な第2のポリマー除去液を、基板における前記表面に供給する工程とを含む、ポリマー除去方法。 - 前記第1のポリマー除去液は、FPMを含む、請求項1に記載のポリマー除去方法。
- 前記第1のポリマー除去液は、HClを含む、請求項2に記載のポリマー除去方法。
- 前記第1のポリマー除去液は、H2SO4を含む、請求項2に記載のポリマー除去方法。
- 前記第2のポリマー除去液は、有機アルカリ液を含む液体、有機酸を含む液体、無機酸を含む液体、フッ化アンモン系物質を含む液体のうちの少なくともいずれか1つを含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載のポリマー除去方法。
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