JPS5830135A - 半導体ウエハの洗浄方法 - Google Patents
半導体ウエハの洗浄方法Info
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- JPS5830135A JPS5830135A JP12844781A JP12844781A JPS5830135A JP S5830135 A JPS5830135 A JP S5830135A JP 12844781 A JP12844781 A JP 12844781A JP 12844781 A JP12844781 A JP 12844781A JP S5830135 A JPS5830135 A JP S5830135A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体ウェハの洗浄方法に関する。
従来、半導体ウェハの洗浄方法は、例えばペース拡散の
前処理として行う場合、脱脂と重金属類の除去に主眼を
おいた■硫酸＋過酸化水素水（８Ｈ）処理、■水洗、■
重金属類の除去と半導体ウニへのエツチング（破削層の
除去）を主眼においた台酸によるエツチング処理、■水
洗。
前処理として行う場合、脱脂と重金属類の除去に主眼を
おいた■硫酸＋過酸化水素水（８Ｈ）処理、■水洗、■
重金属類の除去と半導体ウニへのエツチング（破削層の
除去）を主眼においた台酸によるエツチング処理、■水
洗。
■乾燥の各々の工程Ｖ＊次経て行われている。
しかしながら、このような半導体ウニへの洗浄方法では
、８Ｈ処理工程と混酸エツチング処理工程にて、高価な
薬品を多量Ｉ：使用するため経済性が悪いと共■：、処
理時間が長く多くの手間を要する問題があった。
、８Ｈ処理工程と混酸エツチング処理工程にて、高価な
薬品を多量Ｉ：使用するため経済性が悪いと共■：、処
理時間が長く多くの手間を要する問題があった。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので。
経済性に優れ、しかも処理時間を短縮せしめて作業性の
向上を図った半導体ウニへの洗浄方法を見出したもので
ある。
向上を図った半導体ウニへの洗浄方法を見出したもので
ある。
以下８本発明の実施例について説明する。
本発明方法は、まず、被処理体である半導体ウェハを弗
酸と、硫酸と過酸化水素水からなる混合溶液で洗浄する
。次いで、これを水洗いした後乾燥せしめるものである
。
酸と、硫酸と過酸化水素水からなる混合溶液で洗浄する
。次いで、これを水洗いした後乾燥せしめるものである
。
ここで、混合溶液１：よる洗浄は、半導体ウェハの気相
成長工程、絶縁膜形成工程、不純物導入工程、電極金属
形成工程等の工程で行う洗浄に適用することができるも
のである。
成長工程、絶縁膜形成工程、不純物導入工程、電極金属
形成工程等の工程で行う洗浄に適用することができるも
のである。
また、混合溶液は、被処理体である半導体クエへに脱脂
処理１重金属の除去処理及びエツチング処理と同時Ｉ：
施すものである。混合溶液中の弗酸の混合割合は、１．
５−以下の範囲で適宜設定するのが望ましい、弗酸の混
合割合が１．５−を越えると半導体クエへのエツチング
量は。
処理１重金属の除去処理及びエツチング処理と同時Ｉ：
施すものである。混合溶液中の弗酸の混合割合は、１．
５−以下の範囲で適宜設定するのが望ましい、弗酸の混
合割合が１．５−を越えると半導体クエへのエツチング
量は。
半導体ウニへの各部でバラツクため１．５ Ｓ以下の値
で適宜設定するのが望ましい。
で適宜設定するのが望ましい。
このようτ二弗酸を混合させた８Ｈの溶液で半尋体つェ
八を洗浄するので、８Ｈ溶液中のＨ！ Ｏｔが半導体ウ
ニ八を酸化し１次いで、弗酸がエツチング作用を呈する
ので、混合溶液による洗浄によって半導体ウニ八に脱脂
処理、を金属類の除去及びエツチング処理を一度に施す
ことができる。
八を洗浄するので、８Ｈ溶液中のＨ！ Ｏｔが半導体ウ
ニ八を酸化し１次いで、弗酸がエツチング作用を呈する
ので、混合溶液による洗浄によって半導体ウニ八に脱脂
処理、を金属類の除去及びエツチング処理を一度に施す
ことができる。
その結果、洗浄処理に使用する高価な薬品の使用量を減
して経済性を良くすることができると共に、処理時間の
短縮を図って作業性を向ｔさせることができる。
して経済性を良くすることができると共に、処理時間の
短縮を図って作業性を向ｔさせることができる。
以を説明した如く１本発明に係る半導体ウヱハの洗浄方
法Ｉ：よれば、経済性の向上を図り。
法Ｉ：よれば、経済性の向上を図り。
しかも作業性を為めることかできる岬顕著な効果を奏す
るものである。
るものである。
チック量との関係を示す特性図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被処理体である半導体ウェハを弗酸、硫酸。 過酸化水素の混合液で洗浄する工程を具備することを特
徴とする半導体ウェハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12844781A JPS5830135A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12844781A JPS5830135A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5830135A true JPS5830135A (ja) | 1983-02-22 |
Family
ID=14984937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12844781A Pending JPS5830135A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5830135A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61271829A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-02 | Kanto Kasei Kogyo Kk | シリコンウエハ−の表面処理方法 |
| JPH03120719A (ja) * | 1989-10-03 | 1991-05-22 | Nec Corp | 半導体基板の処理液及び処理方法 |
| JPH03208899A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Nippon Steel Corp | シリコンウェハの洗浄方法 |
| JPH03208900A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Nippon Steel Corp | シリコンウェハの洗浄方法 |
| US6110834A (en) * | 1997-10-29 | 2000-08-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method thereof for removing reaction products of dry etching |
| JP2009194087A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ポリマー除去方法 |
-
1981
- 1981-08-17 JP JP12844781A patent/JPS5830135A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61271829A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-02 | Kanto Kasei Kogyo Kk | シリコンウエハ−の表面処理方法 |
| JPH03120719A (ja) * | 1989-10-03 | 1991-05-22 | Nec Corp | 半導体基板の処理液及び処理方法 |
| JPH03208899A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Nippon Steel Corp | シリコンウェハの洗浄方法 |
| JPH03208900A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Nippon Steel Corp | シリコンウェハの洗浄方法 |
| JPH0583520B2 (ja) * | 1990-01-12 | 1993-11-26 | Nippon Steel Corp | |
| US6110834A (en) * | 1997-10-29 | 2000-08-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method thereof for removing reaction products of dry etching |
| JP2009194087A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ポリマー除去方法 |
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