JP3181900B2 - 半導体ウェハの湿式化学処理法 - Google Patents
半導体ウェハの湿式化学処理法Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明の目的は、半導体ウェ
ハを処理液で処理する半導体ウェハの湿式化学的処理
法、殊にシリコンからなる半導体ウェハの清浄化法であ
る。
ハを処理液で処理する半導体ウェハの湿式化学的処理
法、殊にシリコンからなる半導体ウェハの清浄化法であ
る。
【０００２】
【従来の技術】この種の方法は例えば M.Meuris et al.
により Solid State Technology, July 1995, p.109
に記載されている。
により Solid State Technology, July 1995, p.109
に記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体ウェ
ハから特に効果的に金属系不純物及び粒子を除去するこ
とができる方法を提供する。
ハから特に効果的に金属系不純物及び粒子を除去するこ
とができる方法を提供する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、半導体
ウェハを処理液で処理する反応ウェハの湿式化学的処理
法であり、これは半導体ウェハを先ずＨＦ水溶液で、続
いてＯ3−水溶液で、かつ最後に水又はＨＣｌ水溶液で
処理し、その際、これらの処理が処理列を形成すること
を特徴とする。
ウェハを処理液で処理する反応ウェハの湿式化学的処理
法であり、これは半導体ウェハを先ずＨＦ水溶液で、続
いてＯ3−水溶液で、かつ最後に水又はＨＣｌ水溶液で
処理し、その際、これらの処理が処理列を形成すること
を特徴とする。
【０００５】水又は他の処理液を用いての噴霧により中
断する必要がなく、かつ引き続きｐＨ７未満のｐＨ−値
で実施されるこの処理列によりこの課題は解決されるこ
とが判明した。前記の処理液を用いての本発明の処理は
処理浴中で行うことができ、その際、処理液を循環させ
るのが有利である。即ち、それを相応する処理浴から部
分的に取り出し、かつ濾過して再び戻し導入する。こう
して、必要な化学物質及び脱イオン化水の使用を節約す
る。新鮮な水又は他の液体の処理浴への供給は控える。
それというのも、バルブを開くと、圧力衝撃が生じ、パ
ーティクルが浴中に入り込みうるためである。本発明の
処理は従って、連続的に又は断続的に新たな処理液を供
給する噴霧処理とは異なる。
断する必要がなく、かつ引き続きｐＨ７未満のｐＨ−値
で実施されるこの処理列によりこの課題は解決されるこ
とが判明した。前記の処理液を用いての本発明の処理は
処理浴中で行うことができ、その際、処理液を循環させ
るのが有利である。即ち、それを相応する処理浴から部
分的に取り出し、かつ濾過して再び戻し導入する。こう
して、必要な化学物質及び脱イオン化水の使用を節約す
る。新鮮な水又は他の液体の処理浴への供給は控える。
それというのも、バルブを開くと、圧力衝撃が生じ、パ
ーティクルが浴中に入り込みうるためである。本発明の
処理は従って、連続的に又は断続的に新たな処理液を供
給する噴霧処理とは異なる。
【０００６】半導体ウェハを先ず浴中でＨＦ水溶液で、
続いて浴中でＯ3−水溶液で、かつ最後に浴中で水又は
ＨＣｌ水溶液で処理することからなる処理が処理列Ｂ2
を形成し、この処理列の前に、ＳＣ１−水溶液を用いて
の浴中での半導体ウェハの処理Ｂ1が接続していてもよ
い。ＮＨ4ＯＨ及びＨ2Ｏ2あるいはＴＭＡＨ（＝テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド）及びＨ2Ｏ2を含有す
るＳＣ１−溶液が有利である。処理列Ｂ2の後に半導体
ウェハの乾燥処理Ｂ3が接続してもよい。乾燥処理を有
利には、遠心分離、温水、イソプロパノール又はマラン
ゴニ原理により実施する。
続いて浴中でＯ3−水溶液で、かつ最後に浴中で水又は
ＨＣｌ水溶液で処理することからなる処理が処理列Ｂ2
を形成し、この処理列の前に、ＳＣ１−水溶液を用いて
の浴中での半導体ウェハの処理Ｂ1が接続していてもよ
い。ＮＨ4ＯＨ及びＨ2Ｏ2あるいはＴＭＡＨ（＝テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド）及びＨ2Ｏ2を含有す
るＳＣ１−溶液が有利である。処理列Ｂ2の後に半導体
ウェハの乾燥処理Ｂ3が接続してもよい。乾燥処理を有
利には、遠心分離、温水、イソプロパノール又はマラン
ゴニ原理により実施する。
【０００７】半導体ウェハの処理順序を式：ｍ×(Ｂ1＋
Ｂ2)＋Ｂ3で行うのが特に有利であり、その際、ｍは自
然数であり、かつ処理Ｂ1及び処理列Ｂ2を連続してｍ回
実施し、その後、乾燥処理Ｂ3を行う。
Ｂ2)＋Ｂ3で行うのが特に有利であり、その際、ｍは自
然数であり、かつ処理Ｂ1及び処理列Ｂ2を連続してｍ回
実施し、その後、乾燥処理Ｂ3を行う。
【０００８】処理列Ｂ2で使用されるＨＦ水溶液はＨＦ
を有利には０．００１〜２重量％の濃度で、かつ場合に
よりＨＣｌを２重量％までの濃度で、かつ場合により界
面活性剤を含有する。０．００１〜２重量％の濃度のア
ルキルベンゼンスルホネート及び脂肪族アミンポリグリ
コールエーテルからなる混合物が界面活性剤−添加剤と
して特に有利である。処理列Ｂ2で使用されるＯ3水溶液
はＯ3を有利には１〜３０ｐｐｍの濃度で、かつ場合に
よりＨＦを０．０００１〜２重量％の濃度で含有し、か
つ場合によりメガ音波( Megasonicwellen )を負荷され
る。処理列Ｂ2で最後に使用される液体は水又は、ＨＣ
ｌを有利には０．００１〜１０重量％の濃度で含有する
ＨＣｌ水溶液である。この液体は場合によりＯ3を含有
してよく、かつ場合によりメガ音波を負荷されてよい。
浴の温度は有利には室温〜８０℃の温度である。
を有利には０．００１〜２重量％の濃度で、かつ場合に
よりＨＣｌを２重量％までの濃度で、かつ場合により界
面活性剤を含有する。０．００１〜２重量％の濃度のア
ルキルベンゼンスルホネート及び脂肪族アミンポリグリ
コールエーテルからなる混合物が界面活性剤−添加剤と
して特に有利である。処理列Ｂ2で使用されるＯ3水溶液
はＯ3を有利には１〜３０ｐｐｍの濃度で、かつ場合に
よりＨＦを０．０００１〜２重量％の濃度で含有し、か
つ場合によりメガ音波( Megasonicwellen )を負荷され
る。処理列Ｂ2で最後に使用される液体は水又は、ＨＣ
ｌを有利には０．００１〜１０重量％の濃度で含有する
ＨＣｌ水溶液である。この液体は場合によりＯ3を含有
してよく、かつ場合によりメガ音波を負荷されてよい。
浴の温度は有利には室温〜８０℃の温度である。
【０００９】
【実施例】本発明の例と比較例との次の対比は本発明の
有利な効果を示している。
有利な効果を示している。
【００１０】表には、湿式化学処理工程の後、かつ全て
の半導体ウェハに関して同じ乾燥を施した後の研磨半導
体ウェハそれぞれ２０個で実施した、一定の大きさのパ
ーティクルを常法（ＬＰＤ＝光点欠陥）で数えた結果
（３−Σ値）が記載されている。
の半導体ウェハに関して同じ乾燥を施した後の研磨半導
体ウェハそれぞれ２０個で実施した、一定の大きさのパ
ーティクルを常法（ＬＰＤ＝光点欠陥）で数えた結果
（３−Σ値）が記載されている。
【００１１】例（Ｂ）には処理列：ＨＦ−浴、脱イオン
化水／オゾン−浴、メガ音波負荷を伴うＨＣｌ浴が含ま
れる。比較例１（Ｖ１）には処理列：ＨＦ−浴、脱イオ
ン化水／オゾン浴、浴外での脱イオン化水の噴霧が含ま
れる。比較例２（Ｖ２）には処理列：ＨＦ−浴、脱イオ
ン化水／オゾン−浴、それに引き続く浴中での脱イオン
化水及びメガ音波負荷を用いての噴霧が含まれる。
化水／オゾン−浴、メガ音波負荷を伴うＨＣｌ浴が含ま
れる。比較例１（Ｖ１）には処理列：ＨＦ−浴、脱イオ
ン化水／オゾン浴、浴外での脱イオン化水の噴霧が含ま
れる。比較例２（Ｖ２）には処理列：ＨＦ−浴、脱イオ
ン化水／オゾン−浴、それに引き続く浴中での脱イオン
化水及びメガ音波負荷を用いての噴霧が含まれる。
【００１２】
【表１】
フロントページの続き (72)発明者 ヨハン ツァッハ ドイツ連邦共和国 プファールキルヒェ ン ガンバッハー ヴェーク ８ (56)参考文献 特開 平９−260328（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−308373（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−57636（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−190994（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−124889（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−113620（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304,21/306,21/308
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体ウェハを処理液で浴中で処理する
半導体ウェハの湿式化学的処理法において、半導体ウェ
ハを先ず浴中でＨＦ水溶液で、続いて浴中でＯ3−水溶
液で、かつ最後に浴中でＨＣｌ水溶液で処理し、その
際、これらの処理が、水又は他の処理液での半導体ウェ
ハのリンスにより中断されない処理列Ｂ2を形成するこ
とを特徴とする、半導体ウェハの湿式化学的処理法。 - 【請求項２】 処理列Ｂ2の前にＳＣ１−水溶液での半
導体ウェハの処理Ｂ1を接続する、請求項１に記載の方
法。 - 【請求項３】 処理列Ｂ2の後に半導体ウェハの乾燥処
理Ｂ3を接続する、請求項１又は２に記載の方法。 - 【請求項４】 半導体ウェハの処理順序を式：ｍ×(Ｂ1
＋Ｂ2)＋Ｂ3により行い、その際ｍは自然数であり、か
つ処理Ｂ1及び処理列Ｂ2を連続してｍ回実施し、その
後、乾燥処理Ｂ3を行う、請求項３に記載の方法。 - 【請求項５】 ＨＦ水溶液がＨＦを０．００１〜２重量
％の濃度で、かつ場合によりＨＣｌを２重量％までの濃
度で、かつ場合により界面活性剤を含有する、請求項１
から４までのいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項６】 水性Ｏ3溶液にＯ3を１〜３０ｐｐｍの濃
度で含有させ、かつ場合によりメガ音波を負荷する、請
求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項７】 処理列Ｂ2で最後に使用する処理液にオ
ゾンを含有させ、かつ場合によりメガ音波を負荷する、
請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項８】 遠心分離、温水、イソプロパノール又は
マランゴニ原理により乾燥処理を実施する、請求項３か
ら７までのいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項９】 ＳＣ１−水溶液がＮＨ4ＯＨ及びＨ2Ｏ2
あるいはＴＭＡＨ（＝テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド）及びＨ2Ｏ2を含有する、請求項２から８までの
いずれか１項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19853486.8 | 1998-11-19 | ||
| DE19853486A DE19853486A1 (de) | 1998-11-19 | 1998-11-19 | Verfahren zur naßchemischen Behandlung von Halbleiterscheiben |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP3181900B2 true JP3181900B2 (ja) | 2001-07-03 |
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ID=7888395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP3181900B2 (ja) |
| KR (1) | KR100351229B1 (ja) |
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| SG (1) | SG83159A1 (ja) |
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| EP1211563B1 (en) * | 2000-11-30 | 2011-12-21 | Tosoh Corporation | Resist stripper composition |
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| DE10239773B3 (de) * | 2002-08-29 | 2004-02-26 | Wacker Siltronic Ag | Halbleiterscheibe und Verfahren zur Reinigung einer Halbleiterscheibe |
| ATE353475T1 (de) * | 2002-10-11 | 2007-02-15 | Soitec Silicon On Insulator | Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer haftenden substratoberfläche |
| FR2864457B1 (fr) * | 2003-12-31 | 2006-12-08 | Commissariat Energie Atomique | Procede de nettoyage par voie humide d'une surface notamment en un materiau de type silicium germanium. |
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|---|---|---|---|---|
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| JP3076202B2 (ja) * | 1994-07-12 | 2000-08-14 | 三菱マテリアルシリコン株式会社 | Ｅｇ用ポリシリコン膜の被着方法 |
| US5516730A (en) * | 1994-08-26 | 1996-05-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Pre-thermal treatment cleaning process of wafers |
| JP3575859B2 (ja) * | 1995-03-10 | 2004-10-13 | 株式会社東芝 | 半導体基板の表面処理方法及び表面処理装置 |
| EP0731495B1 (de) * | 1995-03-10 | 2000-09-27 | ASTEC Halbleitertechnologie GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Siliziumscheiben |
| US5593538A (en) * | 1995-09-29 | 1997-01-14 | Motorola, Inc. | Method for etching a dielectric layer on a semiconductor |
| US6132522A (en) * | 1996-07-19 | 2000-10-17 | Cfmt, Inc. | Wet processing methods for the manufacture of electronic components using sequential chemical processing |
| US5803980A (en) * | 1996-10-04 | 1998-09-08 | Texas Instruments Incorporated | De-ionized water/ozone rinse post-hydrofluoric processing for the prevention of silicic acid residue |
| US5919311A (en) * | 1996-11-15 | 1999-07-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Control of SiO2 etch rate using dilute chemical etchants in the presence of a megasonic field |
| US6296714B1 (en) * | 1997-01-16 | 2001-10-02 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Washing solution of semiconductor substrate and washing method using the same |
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1998
- 1998-11-19 DE DE19853486A patent/DE19853486A1/de not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-10-18 SG SG9905190A patent/SG83159A1/en unknown
- 1999-10-22 US US09/425,694 patent/US7172975B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-10-28 DE DE59900712T patent/DE59900712D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-10-28 EP EP99120902A patent/EP1005072B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-15 KR KR1019990050533A patent/KR100351229B1/ko active IP Right Grant
- 1999-11-16 JP JP32522899A patent/JP3181900B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-18 TW TW088120123A patent/TW444292B/zh not_active IP Right Cessation
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