JP2652320B2 - シリコンウェーハの洗浄方法 - Google Patents
シリコンウェーハの洗浄方法Info
- Publication number
- JP2652320B2 JP2652320B2 JP5098950A JP9895093A JP2652320B2 JP 2652320 B2 JP2652320 B2 JP 2652320B2 JP 5098950 A JP5098950 A JP 5098950A JP 9895093 A JP9895093 A JP 9895093A JP 2652320 B2 JP2652320 B2 JP 2652320B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- wafer
- acid
- organic acid
- tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高清浄度が要求され
るシリコンウェーハの洗浄方法に係り、ＡＰＭ洗浄で表
面に付着している有機物等のパーティクルを除去し、Ｈ
ＰＭ洗浄でウェーハ表面の重金属除去を行うＲＣＡ洗浄
において、ＨＰＭ洗浄に代わる酸洗浄として有機酸を用
いて、ウェーハの最終仕上げ洗浄を行い、表面清浄度の
高い品質の安定したウェーハを得ることができるシリコ
ンウェーハの洗浄方法に関する。
るシリコンウェーハの洗浄方法に係り、ＡＰＭ洗浄で表
面に付着している有機物等のパーティクルを除去し、Ｈ
ＰＭ洗浄でウェーハ表面の重金属除去を行うＲＣＡ洗浄
において、ＨＰＭ洗浄に代わる酸洗浄として有機酸を用
いて、ウェーハの最終仕上げ洗浄を行い、表面清浄度の
高い品質の安定したウェーハを得ることができるシリコ
ンウェーハの洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウェーハの洗浄方法として、１
９７０年よりＲＣＡ洗浄と呼ばれる浸漬式洗浄装置が使
用されて一般化されている。ＲＣＡ洗浄は複数の洗浄槽
を並べて順番にウェーハを浸漬して一連の洗浄を行うも
ので、まず、ＡＰＭ（アンモニア／過酸化水素水）槽で
微粒子や有機物を除去し、水洗槽（ＱＤＲ槽）で洗浄液
を除去し、ＡＰＭ処理で発生した自然酸化膜及び酸化膜
に取り込まれた金属を、希フッ酸（ＨＦ／Ｈ2Ｏ：ＤＨ
Ｆ）やバッファードフッ酸（ＨＦ／ＮＨ4Ｆ／Ｈ2Ｏ：Ｂ
ＨＦ）のＨＦ槽で除去し、水洗槽で洗浄液を除去した
後、ＨＰＭ（塩酸／過酸化水素水）槽で表面の重金属の
除去を行い、再度水洗槽、最終水洗槽（ＦＲ槽）を経
て、遠心乾燥（ＳＤ）で乾燥を行う。
９７０年よりＲＣＡ洗浄と呼ばれる浸漬式洗浄装置が使
用されて一般化されている。ＲＣＡ洗浄は複数の洗浄槽
を並べて順番にウェーハを浸漬して一連の洗浄を行うも
ので、まず、ＡＰＭ（アンモニア／過酸化水素水）槽で
微粒子や有機物を除去し、水洗槽（ＱＤＲ槽）で洗浄液
を除去し、ＡＰＭ処理で発生した自然酸化膜及び酸化膜
に取り込まれた金属を、希フッ酸（ＨＦ／Ｈ2Ｏ：ＤＨ
Ｆ）やバッファードフッ酸（ＨＦ／ＮＨ4Ｆ／Ｈ2Ｏ：Ｂ
ＨＦ）のＨＦ槽で除去し、水洗槽で洗浄液を除去した
後、ＨＰＭ（塩酸／過酸化水素水）槽で表面の重金属の
除去を行い、再度水洗槽、最終水洗槽（ＦＲ槽）を経
て、遠心乾燥（ＳＤ）で乾燥を行う。
【０００３】従来、シリコンウェーハの最終洗浄ではＡ
ＰＭで表面パーティクルを除去した後に、ウェーハ表面
の重金属を除去するためにＨＰＭと呼ばれる酸洗浄が行
われる。この洗浄は高純度の塩酸、過酸化水素水、超純
粋を一定の割合に混合した溶液を用いて行われる。一般
に重金属は、酸性溶液に対して高い溶解度を示すため
に、ウェーハ上の重金属を除去することができる。この
作用を用いてＨＰＭ洗浄が行われている。
ＰＭで表面パーティクルを除去した後に、ウェーハ表面
の重金属を除去するためにＨＰＭと呼ばれる酸洗浄が行
われる。この洗浄は高純度の塩酸、過酸化水素水、超純
粋を一定の割合に混合した溶液を用いて行われる。一般
に重金属は、酸性溶液に対して高い溶解度を示すため
に、ウェーハ上の重金属を除去することができる。この
作用を用いてＨＰＭ洗浄が行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＨＰＭ洗浄では、塩酸
を使用するために、塩酸水溶液や塩酸ガスにより、洗浄
設備の洗浄室内外の金属が腐食され、洗浄時に腐食され
た金属による汚染を生じる可能性がある。また、耐腐食
性構造にするために設備が大型化してしまう問題もあ
る。塩酸は人体に対してもかなり危険性の高い薬品であ
り、操作性、作業性にも問題がある。さらにウェーハ品
質面では、表面重金属除去性においてウェーハ間でのバ
ラツキが大きく、安定した品質が得られない問題があ
る。
を使用するために、塩酸水溶液や塩酸ガスにより、洗浄
設備の洗浄室内外の金属が腐食され、洗浄時に腐食され
た金属による汚染を生じる可能性がある。また、耐腐食
性構造にするために設備が大型化してしまう問題もあ
る。塩酸は人体に対してもかなり危険性の高い薬品であ
り、操作性、作業性にも問題がある。さらにウェーハ品
質面では、表面重金属除去性においてウェーハ間でのバ
ラツキが大きく、安定した品質が得られない問題があ
る。
【０００５】この発明は、ウェーハ表面の重金属を除去
でき、人体に対して危険性が少なく、腐食性の小さなＨ
ＰＭ処理に代わるシリコンウェーハの洗浄方法の提供を
目的としている。
でき、人体に対して危険性が少なく、腐食性の小さなＨ
ＰＭ処理に代わるシリコンウェーハの洗浄方法の提供を
目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】発明者らは、従来のＲＣ
Ａ洗浄において、ＨＰＭ洗浄が塩酸を用いるために、そ
のガスなどにより洗浄設備その他の金属部分を腐食し、
ウェーハ洗浄時に汚染される危険性があり、人体に対す
る危険性も高く、取扱いに特に注意を要するだけでな
く、ウェーハの品質面では表面重金属除去性にもバラツ
キが大きくＭＣＬ、ライフタイムも安定しているとは言
えないことから、ＨＰＭ洗浄に代わる酸洗浄について種
々検討した結果、有機酸を用いた洗浄を行うことによ
り、安全性、メンテナンス性で特に優れており、またウ
ェーハ品質面においてもＭＣＬ、ライフタイムのバラツ
キが少なく、安定した品質が得られることを知見し、こ
の発明を完成した。
Ａ洗浄において、ＨＰＭ洗浄が塩酸を用いるために、そ
のガスなどにより洗浄設備その他の金属部分を腐食し、
ウェーハ洗浄時に汚染される危険性があり、人体に対す
る危険性も高く、取扱いに特に注意を要するだけでな
く、ウェーハの品質面では表面重金属除去性にもバラツ
キが大きくＭＣＬ、ライフタイムも安定しているとは言
えないことから、ＨＰＭ洗浄に代わる酸洗浄について種
々検討した結果、有機酸を用いた洗浄を行うことによ
り、安全性、メンテナンス性で特に優れており、またウ
ェーハ品質面においてもＭＣＬ、ライフタイムのバラツ
キが少なく、安定した品質が得られることを知見し、こ
の発明を完成した。
【０００７】すなわち、この発明は、シリコンウェーハ
表面の有機物等のパーティクルを除去する洗浄と重金属
除去を行う洗浄を、順次洗浄液槽内にウェーハを浸漬し
て洗浄する浸漬式洗浄方法あるいは熱処理前に金属除去
洗浄液槽内にウェーハを浸漬して洗浄する浸漬式洗浄方
法において、金属洗浄液としてｐＨが３以下である有機
酸を用いて、ウェーハの金属除去洗浄を行うシリコンウ
ェーハの洗浄方法である。また、この発明は上記の洗浄
方法において、循環濾過式洗浄液槽を使用することを特
徴とするシリコンウェーハの洗浄方法である。
表面の有機物等のパーティクルを除去する洗浄と重金属
除去を行う洗浄を、順次洗浄液槽内にウェーハを浸漬し
て洗浄する浸漬式洗浄方法あるいは熱処理前に金属除去
洗浄液槽内にウェーハを浸漬して洗浄する浸漬式洗浄方
法において、金属洗浄液としてｐＨが３以下である有機
酸を用いて、ウェーハの金属除去洗浄を行うシリコンウ
ェーハの洗浄方法である。また、この発明は上記の洗浄
方法において、循環濾過式洗浄液槽を使用することを特
徴とするシリコンウェーハの洗浄方法である。
【０００８】この発明において、有機酸を用いた洗浄は
ＲＣＡ洗浄におけるＡＰＭ洗浄後のウェーハの最終仕上
げ洗浄である表面重金属除去洗浄に用いることを特徴と
し、必要に応じてＨＰＭ洗浄後に行うこともでき、ま
た、他の公知のドライ洗浄やウエット洗浄方法と組み合
わせて、ウェーハの金属除去洗浄を行うこともできる。
さらに、ＲＣＡ洗浄におけるウェーハの最終仕上げ洗浄
のみならず、熱処理前の金属除去の目的で酸洗浄として
適用することも可能である。また、有機酸を収納する洗
浄液槽は公知のいずれの構成も採用できるが、有機酸が
人体に対して危険性が少なく、腐食性の小さいことか
ら、実施例に示す如き、循環濾過式洗浄漕を用いること
が可能で、液中のパーティクルを除去する構成とするこ
とができる。
ＲＣＡ洗浄におけるＡＰＭ洗浄後のウェーハの最終仕上
げ洗浄である表面重金属除去洗浄に用いることを特徴と
し、必要に応じてＨＰＭ洗浄後に行うこともでき、ま
た、他の公知のドライ洗浄やウエット洗浄方法と組み合
わせて、ウェーハの金属除去洗浄を行うこともできる。
さらに、ＲＣＡ洗浄におけるウェーハの最終仕上げ洗浄
のみならず、熱処理前の金属除去の目的で酸洗浄として
適用することも可能である。また、有機酸を収納する洗
浄液槽は公知のいずれの構成も採用できるが、有機酸が
人体に対して危険性が少なく、腐食性の小さいことか
ら、実施例に示す如き、循環濾過式洗浄漕を用いること
が可能で、液中のパーティクルを除去する構成とするこ
とができる。
【０００９】この発明において、有機酸としては、クエ
ン酸、ヒドロキシ酢酸、酢酸シュウ酸、乳酸、グルコン
酸などを要求される清浄度に応じて適宜選定し、単独ま
たは混合して使用するとよいが、できるだけ重金属濃度
の低い物を使用する必要がある。好ましい有機酸として
は、酒石酸、コハク酸、リンゴ酸、グルコール酸、ギ酸
等がある。また、ｐＨ調整やバクテリア発生防止のため
に混合有機酸とすることもできる。液濃度や液温も有機
酸種類に応じて適宜選定される。また、洗浄効率上、５
０℃程度に昇温させたほうが好ましく、洗浄時間も５分
程度で十分である。また、有機酸の中にはクエン酸など
のようにバクテリアが発生しやすいものもあり、これら
には防腐剤としてＩＰＡまたはＨ2Ｏ2を数％添加して使
用し、パーティクルの発生を防止するとよい。さらに、
この発明において、有機酸のｐＨはウェーハ表面重金属
ＭＣＬの低減に関与するため、ｐＨ３以下とすることに
よりＭＣＬを下げることができ、所要のｐＨとなるよう
に有機酸の濃度を調整するとよい。
ン酸、ヒドロキシ酢酸、酢酸シュウ酸、乳酸、グルコン
酸などを要求される清浄度に応じて適宜選定し、単独ま
たは混合して使用するとよいが、できるだけ重金属濃度
の低い物を使用する必要がある。好ましい有機酸として
は、酒石酸、コハク酸、リンゴ酸、グルコール酸、ギ酸
等がある。また、ｐＨ調整やバクテリア発生防止のため
に混合有機酸とすることもできる。液濃度や液温も有機
酸種類に応じて適宜選定される。また、洗浄効率上、５
０℃程度に昇温させたほうが好ましく、洗浄時間も５分
程度で十分である。また、有機酸の中にはクエン酸など
のようにバクテリアが発生しやすいものもあり、これら
には防腐剤としてＩＰＡまたはＨ2Ｏ2を数％添加して使
用し、パーティクルの発生を防止するとよい。さらに、
この発明において、有機酸のｐＨはウェーハ表面重金属
ＭＣＬの低減に関与するため、ｐＨ３以下とすることに
よりＭＣＬを下げることができ、所要のｐＨとなるよう
に有機酸の濃度を調整するとよい。
【００１０】
【作用】この発明は、ＨＰＭに代わる酸洗浄として、人
体に対して危険性が少なく、腐食性の小さい有機酸を用
いて洗浄を行うもので、有機酸溶液をｐｈ３以下にして
洗浄を行うことにより、有機酸のような比較的弱い酸で
も充分な効果が得られ、ウェーハ表面重金属ＭＣＬを低
減でき、腐食性が小さいので装置などの腐食による汚染
の心配もなく。また有機酸にはキレート効果を持つもの
も多く、重金属の再付着を防止することができる。
体に対して危険性が少なく、腐食性の小さい有機酸を用
いて洗浄を行うもので、有機酸溶液をｐｈ３以下にして
洗浄を行うことにより、有機酸のような比較的弱い酸で
も充分な効果が得られ、ウェーハ表面重金属ＭＣＬを低
減でき、腐食性が小さいので装置などの腐食による汚染
の心配もなく。また有機酸にはキレート効果を持つもの
も多く、重金属の再付着を防止することができる。
【００１１】
実施例１ 有機酸としてクエン酸を用い、濃度３〜５ｗｔ％水溶
液、温度２５℃、洗浄時間３分以上の条件で、洗浄液ｐ
Ｈを２〜３に変化させて、ＡＰＭ洗浄後のウェーハの洗
浄を行い、その後水リンス、乾燥させて洗浄を完了し、
ウェーハ表面重金属ＭＣＬを測定し、洗浄液ｐＨとウェ
ーハ表面重金属ＭＣＬの関係として図１に示す。ｐＨ３
以下の有機酸洗浄液を用いて洗浄するとＭＣＬを下げる
ことができることが分かる。
液、温度２５℃、洗浄時間３分以上の条件で、洗浄液ｐ
Ｈを２〜３に変化させて、ＡＰＭ洗浄後のウェーハの洗
浄を行い、その後水リンス、乾燥させて洗浄を完了し、
ウェーハ表面重金属ＭＣＬを測定し、洗浄液ｐＨとウェ
ーハ表面重金属ＭＣＬの関係として図１に示す。ｐＨ３
以下の有機酸洗浄液を用いて洗浄するとＭＣＬを下げる
ことができることが分かる。
【００１２】実施例２ 図２に示す洗浄装置は、石英やフッ素樹脂からなる洗浄
槽１の外周にオーバーフローした有機酸洗浄液２を回収
する回収槽３を周設してあり、回収槽３からの有機酸洗
浄液２はフッ素樹脂製配管４でベローズポンプ５でフッ
素樹脂製フイルター６へ送り液中パーティクル除去を行
った後、洗浄槽１の排水バルブ７前の排水管８に送り洗
浄槽１へと循環させる構成からなる。有機酸洗浄液は腐
食性が小さいので、循環式洗浄槽とすることができ、ま
た洗浄ドラフト、メンテナンス室洗浄室など耐食性構造
とする必要がない。有機酸洗浄においては設備及び室内
の腐食は全く発生しない。また、人体に対する危険性も
ほとんどなく、操作、作業を安全に行うことができる。
これに対して、従来のＨＰＭ処理では１年程度の使用で
室内の鉄製、部品はほとんど錆びが発生し、使用不能に
なる。
槽１の外周にオーバーフローした有機酸洗浄液２を回収
する回収槽３を周設してあり、回収槽３からの有機酸洗
浄液２はフッ素樹脂製配管４でベローズポンプ５でフッ
素樹脂製フイルター６へ送り液中パーティクル除去を行
った後、洗浄槽１の排水バルブ７前の排水管８に送り洗
浄槽１へと循環させる構成からなる。有機酸洗浄液は腐
食性が小さいので、循環式洗浄槽とすることができ、ま
た洗浄ドラフト、メンテナンス室洗浄室など耐食性構造
とする必要がない。有機酸洗浄においては設備及び室内
の腐食は全く発生しない。また、人体に対する危険性も
ほとんどなく、操作、作業を安全に行うことができる。
これに対して、従来のＨＰＭ処理では１年程度の使用で
室内の鉄製、部品はほとんど錆びが発生し、使用不能に
なる。
【００１３】実施例３ 従来のＡＰＭ（ＮＨ4ＯＨ／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ）処理及びＨ
ＰＭ（ＨＣｌ／Ｈ2Ｏ2）処理と、この発明のクエン酸処
理による洗浄効果を、表面不純物（Ｆｅ，Ａｌ，Ｚｎ，
Ｃｕ）濃度で評価した。その結果を図３に示す。図にお
いてＡＰＭ処理はＳＣ−１、ＨＰＭ処理はＳＣ−２と表
示する。この発明のクエン酸処理条件は、ｐＨ２、濃度
３ｗｔ％、温度２５℃、浸漬時間３分であり、また、Ａ
ＰＭ処理条件は、濃度 ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝
１：１：５、温度８０℃、浸漬時間１０分、ＨＰＭ処理
は濃度 ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１：１：５、温度８
０℃、浸漬時間１０分であった。図３から明らかなよう
に、ＨＰＭ洗浄と比較してＭＣＬ除去効果は同等である
ことが分かる。
ＰＭ（ＨＣｌ／Ｈ2Ｏ2）処理と、この発明のクエン酸処
理による洗浄効果を、表面不純物（Ｆｅ，Ａｌ，Ｚｎ，
Ｃｕ）濃度で評価した。その結果を図３に示す。図にお
いてＡＰＭ処理はＳＣ−１、ＨＰＭ処理はＳＣ−２と表
示する。この発明のクエン酸処理条件は、ｐＨ２、濃度
３ｗｔ％、温度２５℃、浸漬時間３分であり、また、Ａ
ＰＭ処理条件は、濃度 ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝
１：１：５、温度８０℃、浸漬時間１０分、ＨＰＭ処理
は濃度 ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１：１：５、温度８
０℃、浸漬時間１０分であった。図３から明らかなよう
に、ＨＰＭ洗浄と比較してＭＣＬ除去効果は同等である
ことが分かる。
【００１４】実施例４ 実施例３のＡＰＭ処理及びＨＰＭ処理と、この発明のク
エン酸処理による洗浄効果をウェーハのライフタイムで
評価した。その結果を図４に示す。この発明のクエン酸
処理条件は、ｐＨ２、濃度３ｗｔ％、温度２５℃、浸漬
時間３分であった。図４から明らかなように、ＨＰＭ洗
浄と比較してＭＣＬライフタイムにおいて安定した品質
が得られることが分かる。
エン酸処理による洗浄効果をウェーハのライフタイムで
評価した。その結果を図４に示す。この発明のクエン酸
処理条件は、ｐＨ２、濃度３ｗｔ％、温度２５℃、浸漬
時間３分であった。図４から明らかなように、ＨＰＭ洗
浄と比較してＭＣＬライフタイムにおいて安定した品質
が得られることが分かる。
【００１５】
【発明の効果】この発明による洗浄方法は、ＲＣＡ洗浄
において、ＨＰＭ洗浄に代わる酸洗浄として有機酸を用
いて、ウェーハの最終仕上げ洗浄である表面重金属除去
洗浄を行うもので、低腐食性の有機酸を使用するため
に、耐腐食性構造を必要としないので設備が小型化で
き、スペースの少ない所でも容易に設備化できる。ま
た、人体に対する危険性も少なく操作性、メンテナンス
性に優れている。さらに、ウェーハ品質面では、ＨＰＭ
洗浄と比較してＭＣＬ除去効果は同等であるが、腐食性
が小さいので装置などの腐食による汚染の心配もない。
また有機酸にはキレート効果を持つため、重金属の再付
着を防止することができ、ＭＣＬライフタイムにおいて
安定した品質が得られる。
において、ＨＰＭ洗浄に代わる酸洗浄として有機酸を用
いて、ウェーハの最終仕上げ洗浄である表面重金属除去
洗浄を行うもので、低腐食性の有機酸を使用するため
に、耐腐食性構造を必要としないので設備が小型化で
き、スペースの少ない所でも容易に設備化できる。ま
た、人体に対する危険性も少なく操作性、メンテナンス
性に優れている。さらに、ウェーハ品質面では、ＨＰＭ
洗浄と比較してＭＣＬ除去効果は同等であるが、腐食性
が小さいので装置などの腐食による汚染の心配もない。
また有機酸にはキレート効果を持つため、重金属の再付
着を防止することができ、ＭＣＬライフタイムにおいて
安定した品質が得られる。
【図１】洗浄液ｐＨとウェーハ表面重金属ＭＣＬとの関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
【図２】この発明の洗浄方法に使用する洗浄装置の構成
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図３】洗浄方法とウェーハ表面不純物濃度との関係を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図４】洗浄方法とＭＣＬライフタイムとの関係を示す
グラフである。
グラフである。
１ 洗浄槽 ２ 有機酸洗浄液 ３ 回収槽 ４ 配管 ５ ベローズポンプ ６ フイルター ７ 排水バルブ ８ 排水管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米原 弘昭 佐賀県杵島郡江北町大字上小田2201番地 住友シチックス株式会社 九州事業所 内 (72)発明者 岡 安則 佐賀県杵島郡江北町大字上小田2201番地 住友シチックス株式会社 九州事業所 内 (56)参考文献 特開 平５−67601（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−33338（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−179225（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−196461（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】 シリコンウェーハ表面の有機物等のパー
ティクルを除去する洗浄と重金属除去を行う洗浄を、順
次洗浄液槽内にウェーハを浸漬して洗浄する浸漬式洗浄
方法において、重金属洗浄液としてｐＨが３以下である
有機酸を用いて、ウェーハの重金属除去洗浄を行うシリ
コンウェーハの洗浄方法。 - 【請求項２】 熱処理前に金属除去洗浄液槽内にウェー
ハを浸漬して洗浄する浸漬式洗浄方法において、洗浄液
としてｐＨが３以下である有機酸を用いて、ウェーハの
金属除去洗浄を行うシリコンウェーハの洗浄方法。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２において、金属除
去洗浄液槽として循環濾過式洗浄液槽を使用するシリコ
ンウェーハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5098950A JP2652320B2 (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | シリコンウェーハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5098950A JP2652320B2 (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | シリコンウェーハの洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06291099A JPH06291099A (ja) | 1994-10-18 |
| JP2652320B2 true JP2652320B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=14233384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5098950A Expired - Lifetime JP2652320B2 (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | シリコンウェーハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2652320B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5632667A (en) * | 1995-06-29 | 1997-05-27 | Delco Electronics Corporation | No coat backside wafer grinding process |
| US6296714B1 (en) * | 1997-01-16 | 2001-10-02 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Washing solution of semiconductor substrate and washing method using the same |
| US5837662A (en) * | 1997-12-12 | 1998-11-17 | Memc Electronic Materials, Inc. | Post-lapping cleaning process for silicon wafers |
| US6173720B1 (en) * | 1998-12-02 | 2001-01-16 | International Business Machines Corporation | Process for treating a semiconductor substrate |
| US6423200B1 (en) * | 1999-09-30 | 2002-07-23 | Lam Research Corporation | Copper interconnect seed layer treatment methods and apparatuses for treating the same |
| JP4221191B2 (ja) * | 2002-05-16 | 2009-02-12 | 関東化学株式会社 | Ｃｍｐ後洗浄液組成物 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3135551B2 (ja) * | 1990-05-30 | 2001-02-19 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH07114191B2 (ja) * | 1990-11-14 | 1995-12-06 | 株式会社荏原総合研究所 | 洗浄方法 |
| JPH0567601A (ja) * | 1991-09-06 | 1993-03-19 | Hitachi Ltd | 液中異物付着制御法 |
-
1993
- 1993-03-31 JP JP5098950A patent/JP2652320B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06291099A (ja) | 1994-10-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2760418B2 (ja) | 半導体ウエーハの洗浄液及びこれを用いた半導体ウエーハの洗浄方法 | |
| US5837662A (en) | Post-lapping cleaning process for silicon wafers | |
| JP3219020B2 (ja) | 洗浄処理剤 | |
| US4116714A (en) | Post-polishing semiconductor surface cleaning process | |
| WO2001013418A1 (en) | A single-operation method of cleaning semiconductors after final polishing | |
| EP0718873A2 (en) | Cleaning process for hydrophobic silicon wafers | |
| US20020119245A1 (en) | Method for etching electronic components containing tantalum | |
| CN112928017A (zh) | 有效去除硅片表面金属的清洗方法 | |
| JP6575643B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
| JP2652320B2 (ja) | シリコンウェーハの洗浄方法 | |
| CN111211042A (zh) | 一种提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗工艺 | |
| CN211265420U (zh) | 一种提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗系统 | |
| JP6529715B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
| JP3181900B2 (ja) | 半導体ウェハの湿式化学処理法 | |
| US20050045202A1 (en) | Method for wafer surface cleaning using hydroxyl radicals in deionized water | |
| US20020023664A1 (en) | Process for the chemical treatment of semiconductor wafers | |
| TW417182B (en) | Wet processing methods for the manufacture of electronic components using liquids of varying temperature | |
| US20050189321A1 (en) | Method for removing organic material from a substrate and for oxidizing oxidizable material thereon | |
| EP1132951A1 (en) | Process of cleaning silicon prior to formation of the gate oxide | |
| KR20010032446A (ko) | 전자 부품 제조를 위한 습식 공정 방법 | |
| JP2003500537A (ja) | 銅含有表面を有する電子部品を湿式処理する方法 | |
| JP3489329B2 (ja) | シリコンウエーハ表面の処理方法 | |
| JP2005210075A (ja) | 半導体ウエハの洗浄方法 | |
| JPH07321080A (ja) | シリコンウェハーの洗浄方法 | |
| JP3505998B2 (ja) | ウエーハ洗浄方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100523 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100523 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120523 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120523 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130523 Year of fee payment: 16 |