JPH0831784A - シリコンウェーハの表面上の金属汚染の減少法および変性された洗浄液 - Google Patents
シリコンウェーハの表面上の金属汚染の減少法および変性された洗浄液Info
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- JPH0831784A JPH0831784A JP7159663A JP15966395A JPH0831784A JP H0831784 A JPH0831784 A JP H0831784A JP 7159663 A JP7159663 A JP 7159663A JP 15966395 A JP15966395 A JP 15966395A JP H0831784 A JPH0831784 A JP H0831784A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 シシリコンウェーハからの半導体デバイスの
二次加工の間の洗浄順序に引続くシリコンウェーハの表
面上の金属汚染を減少させる方法。 【構成】 半導体製造のための改善された“ＲＣＡ洗
浄”の洗浄順序の場合に、洗浄液中の金属錯体結合の０
保持のために錯体形成剤を“ＳＣ１”の湿式洗浄混合物
または調製物に添加する。
二次加工の間の洗浄順序に引続くシリコンウェーハの表
面上の金属汚染を減少させる方法。 【構成】 半導体製造のための改善された“ＲＣＡ洗
浄”の洗浄順序の場合に、洗浄液中の金属錯体結合の０
保持のために錯体形成剤を“ＳＣ１”の湿式洗浄混合物
または調製物に添加する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般的には、半導体の
二次加工に関するものであり、更に詳細には、最終的な
半導体製品、例えば集積回路の製造過程における半導体
またはシリコンウェーハの洗浄に関するものであり、こ
の場合、中間洗浄工程により、より以前の製造工程の間
で、結合したシリコンウェーハの表面上に堆積した汚染
物質は除去される。
二次加工に関するものであり、更に詳細には、最終的な
半導体製品、例えば集積回路の製造過程における半導体
またはシリコンウェーハの洗浄に関するものであり、こ
の場合、中間洗浄工程により、より以前の製造工程の間
で、結合したシリコンウェーハの表面上に堆積した汚染
物質は除去される。
【０００２】
【従来の技術】典型的には、集積回路デバイスのような
複合半導体製品を製造する場合、製造工程の多くは、組
合わせ製品を得ることを必要とする。利潤性を増大させ
るためには、加工の間に単独シリコンウェーハから得ら
れた有用な集積回路デバイスの収率または個数を最大に
することが重要である。従って、半導体製造業者は、半
導体デバイスの製造の間に徹底して最大の収率を得よう
としている。このようなデバイスは、典型的には、加工
の間にシリコンウェーハの表面に達し、かつ収率を減少
させる全ての空中の汚染を実質的に除去するためにクリ
ーン・ルーム条件下で製造される。また、シリコンウェ
ーハの実際の加工の間に、一定の他の加工工程は、それ
自体、所定の加工工程が完結した後に、製造されるデバ
イスの可能な限りの高い収率を保証するための二次加工
または製造工程を用いる方法の前にウェーハの表面を洗
浄することを必要にする、ウェーハ表面上に沈積するこ
とになる汚染を生じ得る。
複合半導体製品を製造する場合、製造工程の多くは、組
合わせ製品を得ることを必要とする。利潤性を増大させ
るためには、加工の間に単独シリコンウェーハから得ら
れた有用な集積回路デバイスの収率または個数を最大に
することが重要である。従って、半導体製造業者は、半
導体デバイスの製造の間に徹底して最大の収率を得よう
としている。このようなデバイスは、典型的には、加工
の間にシリコンウェーハの表面に達し、かつ収率を減少
させる全ての空中の汚染を実質的に除去するためにクリ
ーン・ルーム条件下で製造される。また、シリコンウェ
ーハの実際の加工の間に、一定の他の加工工程は、それ
自体、所定の加工工程が完結した後に、製造されるデバ
イスの可能な限りの高い収率を保証するための二次加工
または製造工程を用いる方法の前にウェーハの表面を洗
浄することを必要にする、ウェーハ表面上に沈積するこ
とになる汚染を生じ得る。
【０００３】半導体製品の製造の間の典型的な洗浄作業
周期は、通常、多数の洗浄工程を含める湿式ウェーハ洗
浄を含んでいる。第一工程は、典型的には、化学薬品と
水との混合物をウェーハの表面上に噴霧塗布するかまた
はウェーハをこの種の混合物中に浸漬し、次に、水です
すぐ工程および乾燥工程を続け、この後、シリコンウェ
ーハに、更にデバイス加工を続けることを含める。“Ｒ
ＣＡ洗浄”として従来技術で一般に知られた洗浄順序
は、半導体製造の場合にしばしば使用される。“ＲＣＡ
洗浄”の場合に使用される工程の１つは、加工されるシ
リコンウェーハの表面から粒子を除去するための“ＳＣ
１”工程として一般に知られている。しかしながら、
“ＳＣ１”工程は、ウェーハの表面上の金属汚染を増大
させる傾向があり、この場合、より以前の“ＳＣ１”工
程からの金属汚染を減少させることを含める“ＳＣ２”
として一般に知られた引続く洗浄工程を必要とする。残
念ながら、この付加的な“ＳＣ２”工程を用いた場合で
さえも、半導体シリコンウェーハの表面上の残留金属濃
度は、しばしば、十分に低い水準にまで減少されず、こ
の場合、残留金属濃度は、例えば６４Ｍ ＤＲＡＭおよ
び２５６Ｍ ＤＲＡＭのようなデバイスの収率を減少さ
せる傾向があることが確認された。従って、半導体製造
業者は、洗浄順序の後にシリコンウェーハの上に残留す
る金属濃度を更に減少させる方法を見出そうと継続的に
研究計画を実施している。
周期は、通常、多数の洗浄工程を含める湿式ウェーハ洗
浄を含んでいる。第一工程は、典型的には、化学薬品と
水との混合物をウェーハの表面上に噴霧塗布するかまた
はウェーハをこの種の混合物中に浸漬し、次に、水です
すぐ工程および乾燥工程を続け、この後、シリコンウェ
ーハに、更にデバイス加工を続けることを含める。“Ｒ
ＣＡ洗浄”として従来技術で一般に知られた洗浄順序
は、半導体製造の場合にしばしば使用される。“ＲＣＡ
洗浄”の場合に使用される工程の１つは、加工されるシ
リコンウェーハの表面から粒子を除去するための“ＳＣ
１”工程として一般に知られている。しかしながら、
“ＳＣ１”工程は、ウェーハの表面上の金属汚染を増大
させる傾向があり、この場合、より以前の“ＳＣ１”工
程からの金属汚染を減少させることを含める“ＳＣ２”
として一般に知られた引続く洗浄工程を必要とする。残
念ながら、この付加的な“ＳＣ２”工程を用いた場合で
さえも、半導体シリコンウェーハの表面上の残留金属濃
度は、しばしば、十分に低い水準にまで減少されず、こ
の場合、残留金属濃度は、例えば６４Ｍ ＤＲＡＭおよ
び２５６Ｍ ＤＲＡＭのようなデバイスの収率を減少さ
せる傾向があることが確認された。従って、半導体製造
業者は、洗浄順序の後にシリコンウェーハの上に残留す
る金属濃度を更に減少させる方法を見出そうと継続的に
研究計画を実施している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、シシ
リコンウェーハからの半導体デバイスの二次加工の間の
洗浄順序に引続きシリコンウェーハの表面上の金属の濃
度を減少させることである。
リコンウェーハからの半導体デバイスの二次加工の間の
洗浄順序に引続きシリコンウェーハの表面上の金属の濃
度を減少させることである。
【０００５】本発明の別の課題は、“ＲＣＡ洗浄”とし
て知られた洗浄順序を、かかる順序の場合に洗浄された
ウェーハの表面上の金属汚染を実質的に減少させるため
に改善することである。
て知られた洗浄順序を、かかる順序の場合に洗浄された
ウェーハの表面上の金属汚染を実質的に減少させるため
に改善することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題および他の課題
を考慮し、かつ従来技術の問題を克服するために、本発
明者らは、洗浄順序の“ＳＣ１”工程の際に、ＥＤＴＡ
（四酢酸エチレンジアミン）またはＤＥＱＵＥＳＴ（ア
ミンを含有する有機鎖を有する燐酸塩）を含める群から
選択された所定の濃度の錯体形成剤を、洗浄液中の金属
錯体結合の保持のために“ＳＣ１”の湿式洗浄混合物ま
たは調製物に添加し、これによって、洗浄順序の間にシ
リコンウェーハの表面の金属汚染が減少する、半導体製
造のための改善された“ＲＣＡ洗浄”の洗浄順序を開発
した。
を考慮し、かつ従来技術の問題を克服するために、本発
明者らは、洗浄順序の“ＳＣ１”工程の際に、ＥＤＴＡ
（四酢酸エチレンジアミン）またはＤＥＱＵＥＳＴ（ア
ミンを含有する有機鎖を有する燐酸塩）を含める群から
選択された所定の濃度の錯体形成剤を、洗浄液中の金属
錯体結合の保持のために“ＳＣ１”の湿式洗浄混合物ま
たは調製物に添加し、これによって、洗浄順序の間にシ
リコンウェーハの表面の金属汚染が減少する、半導体製
造のための改善された“ＲＣＡ洗浄”の洗浄順序を開発
した。
【０００７】本発明の種々の実施態様は、以下に図面に
基づき簡単に説明され、この場合、同じ項目は、同様の
内容で記載されている。
基づき簡単に説明され、この場合、同じ項目は、同様の
内容で記載されている。
【０００８】
【実施例】半導体製造の場合、典型的には、シリコンウ
ェーハを加工して、ウェーハを化学的および物理的に変
化させる。この種の加工は、ベースシリコンウェーハに
よって得られた基板上の半導体材料の層のエピタキシャ
ルな成長、加工しているウェーハの部分のエッチング、
ｎまたはｐ導電性を有するためのウェーハの部分のドー
ピング等の工程を含めていてよい。集積回路デバイスを
製造するために必要な典型的な多数の工程の間に、例え
ばこの種の一連の工程の最後に洗浄順序を導入すること
が必要である。１つの従来の洗浄順序は、“ＲＣＡ洗
浄”としておよび工程“Ｂ”〜“Ｇ”の複数を含める第
１図中に示されたものとして一般に知られている。従来
技術で典型的な、工程“Ａ”または“ＰＩＲＡＮＨＡ”
工程として示された付加的な工程は、第１図中で説明さ
れたような“ＰＩＲＡＮＨＡ−ＲＣＡ”洗浄順序を得る
ために“ＲＣＡ洗浄”に工程“Ｂ”〜“Ｇ”を加えたも
のである。工程“Ａ”〜“Ｇ”の順序の場合、“Ａ”ま
たは“ＰＩＲＡＮＨＡ”で、有機汚染は、洗浄されたシ
リコンウェーハから除去され；工程“Ｃ”または“ＳＣ
１”で、粒子は、シリコンウェーハから除去され；工程
“Ｅ”または“ＳＣ２”で、金属汚染がシリコンウェー
ハから除去される。工程“Ｂ”、“Ｄ”および“Ｆ”
は、水ですすぐ工程および工程“Ｇ”ウェーハ乾燥工程
である。
ェーハを加工して、ウェーハを化学的および物理的に変
化させる。この種の加工は、ベースシリコンウェーハに
よって得られた基板上の半導体材料の層のエピタキシャ
ルな成長、加工しているウェーハの部分のエッチング、
ｎまたはｐ導電性を有するためのウェーハの部分のドー
ピング等の工程を含めていてよい。集積回路デバイスを
製造するために必要な典型的な多数の工程の間に、例え
ばこの種の一連の工程の最後に洗浄順序を導入すること
が必要である。１つの従来の洗浄順序は、“ＲＣＡ洗
浄”としておよび工程“Ｂ”〜“Ｇ”の複数を含める第
１図中に示されたものとして一般に知られている。従来
技術で典型的な、工程“Ａ”または“ＰＩＲＡＮＨＡ”
工程として示された付加的な工程は、第１図中で説明さ
れたような“ＰＩＲＡＮＨＡ−ＲＣＡ”洗浄順序を得る
ために“ＲＣＡ洗浄”に工程“Ｂ”〜“Ｇ”を加えたも
のである。工程“Ａ”〜“Ｇ”の順序の場合、“Ａ”ま
たは“ＰＩＲＡＮＨＡ”で、有機汚染は、洗浄されたシ
リコンウェーハから除去され；工程“Ｃ”または“ＳＣ
１”で、粒子は、シリコンウェーハから除去され；工程
“Ｅ”または“ＳＣ２”で、金属汚染がシリコンウェー
ハから除去される。工程“Ｂ”、“Ｄ”および“Ｆ”
は、水ですすぐ工程および工程“Ｇ”ウェーハ乾燥工程
である。
【０００９】最近、従来技術で、“本来のＲＣＡ洗浄”
調製物中で使用された濃度に比べて“ＲＣＡ洗浄工程の
ための稀釈化学処理”を用いるシリコンウェーハの洗浄
の際に、実質的に同じ結果を得ることができることが見
出された。以下に示されているように第１表は、化学薬
品と、本来の“ＰＩＲＡＮＨＡ−ＲＣＡ”洗浄工程
“Ａ”“Ｃ”および“Ｅ”並びに稀釈した“ＰＩＲＡＮ
ＨＡ−ＲＣＡ”洗浄工程“Ａ”“Ｃ”および“Ｅ”の双
方についての濃度を示す。
調製物中で使用された濃度に比べて“ＲＣＡ洗浄工程の
ための稀釈化学処理”を用いるシリコンウェーハの洗浄
の際に、実質的に同じ結果を得ることができることが見
出された。以下に示されているように第１表は、化学薬
品と、本来の“ＰＩＲＡＮＨＡ−ＲＣＡ”洗浄工程
“Ａ”“Ｃ”および“Ｅ”並びに稀釈した“ＰＩＲＡＮ
ＨＡ−ＲＣＡ”洗浄工程“Ａ”“Ｃ”および“Ｅ”の双
方についての濃度を示す。
【００１０】
【表１】
【００１１】第１表 第１表中に示された化学薬品溶液を、噴霧装置の使用に
よってシリコンウェーハに塗布し、それによって溶液ま
たは混合物をウェーハの上に直接噴霧塗布することがで
きるかまたはシリコンウェーハを、槽部材中に含有され
た化学薬品混合物または溶液の浴中に沈降させることが
できる。通常使用される噴霧装置は、“ＦＳＩ ＭＥＣ
ＵＲＹ ＯＣ”である。また、通常使用される槽部材に
は、“Ｐｏｋｏｒｎｙ Ｗｅｔ Ｂｅｎｃｈ”、“ＳＭ
Ｓ Ｗｅｔ Ｂｅｎｃｈ”“ＤＮＳ Ａｕｔｏ Ｃｌｅ
ａｎｅｒ”または“Ｓａｎｋｙｏ Ａｕｔｏ Ｃｌｅａ
ｎｅｒ”の任意の１つが包含まれる。
よってシリコンウェーハに塗布し、それによって溶液ま
たは混合物をウェーハの上に直接噴霧塗布することがで
きるかまたはシリコンウェーハを、槽部材中に含有され
た化学薬品混合物または溶液の浴中に沈降させることが
できる。通常使用される噴霧装置は、“ＦＳＩ ＭＥＣ
ＵＲＹ ＯＣ”である。また、通常使用される槽部材に
は、“Ｐｏｋｏｒｎｙ Ｗｅｔ Ｂｅｎｃｈ”、“ＳＭ
Ｓ Ｗｅｔ Ｂｅｎｃｈ”“ＤＮＳ Ａｕｔｏ Ｃｌｅ
ａｎｅｒ”または“Ｓａｎｋｙｏ Ａｕｔｏ Ｃｌｅａ
ｎｅｒ”の任意の１つが包含まれる。
【００１２】本発明者らは、第１図の“Ｐｉｒａｎｈａ
−ＲＣＡ”順序によって洗浄されたシリコンウェーハの
表面上に残された金属濃度が、しばしば、望ましい金属
濃度よりも多く残留し、この場合、例えば６４Ｍ ＤＲ
ＡＭおよび２５６Ｍ ＤＲＡＭのような複合集積回路の
製造の間に減少された収率を生じる。本発明者らは、金
属汚染の問題を、第１図の“Ｐｉｒａｎｈａ−ＲＣＡ”
洗浄順序の工程“Ｃ”または“ＳＣ１”工程を変性し、
ＥＤＴＡまたはＤＥＱＵＥＳＴを含めする群から選択さ
れた錯体形成剤を添加することによって実質的に減少さ
せることができることを見出した。こうして、金属錯体
は、溶液中に結合を残し、これによって、結合した金属
が、洗浄されるシリコンウェーハの表面を汚染すること
は阻止される。以下に第２表中に示されたように、Ｐｉ
ｒａｎｈａ−ＲＣＡ洗浄順序を完結した後にシリコンウ
ェーハ表面上に残された鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）
およびカルシウム（Ｃａ）の濃度は、第１図の従来のＰ
ｉｒａｎｈａ−ＲＣＡ洗浄順序と比べて、第２図の変性
されたＰｉｒａｎｈａ−ＲＣＡを用いる場合には実質的
に減少されている。
−ＲＣＡ”順序によって洗浄されたシリコンウェーハの
表面上に残された金属濃度が、しばしば、望ましい金属
濃度よりも多く残留し、この場合、例えば６４Ｍ ＤＲ
ＡＭおよび２５６Ｍ ＤＲＡＭのような複合集積回路の
製造の間に減少された収率を生じる。本発明者らは、金
属汚染の問題を、第１図の“Ｐｉｒａｎｈａ−ＲＣＡ”
洗浄順序の工程“Ｃ”または“ＳＣ１”工程を変性し、
ＥＤＴＡまたはＤＥＱＵＥＳＴを含めする群から選択さ
れた錯体形成剤を添加することによって実質的に減少さ
せることができることを見出した。こうして、金属錯体
は、溶液中に結合を残し、これによって、結合した金属
が、洗浄されるシリコンウェーハの表面を汚染すること
は阻止される。以下に第２表中に示されたように、Ｐｉ
ｒａｎｈａ−ＲＣＡ洗浄順序を完結した後にシリコンウ
ェーハ表面上に残された鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）
およびカルシウム（Ｃａ）の濃度は、第１図の従来のＰ
ｉｒａｎｈａ−ＲＣＡ洗浄順序と比べて、第２図の変性
されたＰｉｒａｎｈａ−ＲＣＡを用いる場合には実質的
に減少されている。
【００１３】
【表２】
【００１４】第２表 本発明の有利な実施態様の場合、本発明者らは、第２図
の変性された洗浄順序の変性された工程“Ｃ′”または
“ＳＣ１′”工程の場合の０．０５ｍｇ／ｌ〜０．０１
ｍｇ／ｌの範囲内のＥＤＴＡの濃度が、最適な結果をも
たらすことを見出した。しかしながら、必要とされたこ
のＥＤＴＡ濃度は、“Ｐｉｒａｎｈａ−ＲＣＡ”が使用
される本来のまたは稀釈された化学処理を含める溶液中
で使用された他の化学薬品の濃度に依存している。例え
ば、最適な結果は、本来の“Ｐｉｒａｎｈａ−ＲＣＡ”
洗浄調製物の“ＳＣ１”にＥＤＴＡ０．１０ｍｇ／ｌを
添加する場合に得られる。また、本発明の洗浄順序の改
善は、噴霧装置中で使用できないことが注目される。こ
の理由は、化学薬品の混合とシリコンウェーハの加工と
の間の時間が化学薬品錯体を形成できるようにするには
短過ぎるということである。従って、本発明の改善され
た方法は、第２図の工程“Ｃ′”の場合にシリコンウェ
ーハを洗浄する際に槽部材を使用することを必要とす
る。
の変性された洗浄順序の変性された工程“Ｃ′”または
“ＳＣ１′”工程の場合の０．０５ｍｇ／ｌ〜０．０１
ｍｇ／ｌの範囲内のＥＤＴＡの濃度が、最適な結果をも
たらすことを見出した。しかしながら、必要とされたこ
のＥＤＴＡ濃度は、“Ｐｉｒａｎｈａ−ＲＣＡ”が使用
される本来のまたは稀釈された化学処理を含める溶液中
で使用された他の化学薬品の濃度に依存している。例え
ば、最適な結果は、本来の“Ｐｉｒａｎｈａ−ＲＣＡ”
洗浄調製物の“ＳＣ１”にＥＤＴＡ０．１０ｍｇ／ｌを
添加する場合に得られる。また、本発明の洗浄順序の改
善は、噴霧装置中で使用できないことが注目される。こ
の理由は、化学薬品の混合とシリコンウェーハの加工と
の間の時間が化学薬品錯体を形成できるようにするには
短過ぎるということである。従って、本発明の改善され
た方法は、第２図の工程“Ｃ′”の場合にシリコンウェ
ーハを洗浄する際に槽部材を使用することを必要とす
る。
【００１５】また、自動注入器は、第２図の洗浄順序の
“ＳＣ１′”工程のために、所定の量の錯体形成剤を洗
浄液に添加するための洗浄系ハードウェアに含めること
ができる。この種の自動注入器は、ＭＥＴＲＯＨＭ Ｃ
ｏｍｐａｎｙによって製造されている。
“ＳＣ１′”工程のために、所定の量の錯体形成剤を洗
浄液に添加するための洗浄系ハードウェアに含めること
ができる。この種の自動注入器は、ＭＥＴＲＯＨＭ Ｃ
ｏｍｐａｎｙによって製造されている。
【００１６】本発明の種々の実施態様が示され、かつ上
記されているが、本発明は、これによって制限されるも
のではない。前記実施態様の一定の変法は、当業者が行
うことができるものであり、この変法は、本発明によっ
て請求されている特許の保護の範囲および精神によって
保護されていることを意味する。
記されているが、本発明は、これによって制限されるも
のではない。前記実施態様の一定の変法は、当業者が行
うことができるものであり、この変法は、本発明によっ
て請求されている特許の保護の範囲および精神によって
保護されていることを意味する。
【図１】“ＲＣＡ洗浄”として一般に公知の半導体製造
のための洗浄順序を示す系統図。
のための洗浄順序を示す系統図。
【図２】第１図の“ＲＣＡ洗浄”の改善である、本発明
の１つの実施態様の半導体製造のための洗浄順序を示す
系統図。
の１つの実施態様の半導体製造のための洗浄順序を示す
系統図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ１１Ｄ 7:18 7:32 7:36）
Claims (18)
- 【請求項１】 シリコンウェーハから半導体デバイスを
二次加工する場合にシリコンウェーハ上で実施される
“ＲＣＡ洗浄”の洗浄順序の間にシリコンウェーハの表
面上の金属汚染を減少させるための方法において、この
方法が、変性された“ＳＣ１”洗浄液を溶液中の金属錯
体結合の保持に提供されるために、前記の“ＲＣＡ洗
浄”の“ＳＣ１”洗浄工程で使用するために準備された
化学薬品溶液（ＮＨ4ＯＨ＋Ｈ2Ｏ2＋Ｈ2Ｏ）に、所定の
濃度の錯体形成剤を添加し、金属が前記シリコンウェー
ハの表面上に残留するのを実質的に阻止し；前記の変性
された“ＳＣ１”洗浄液を、容器部材中に保留させ；か
つ前記のシリコンウェーハを、前記の変性された“ＳＣ
１”洗浄液中に、前記の改善された“ＲＣＡ洗浄”の
“ＳＣ１”洗浄工程の間、所定の期間浸漬しておく改善
された工程からなることを特徴とする、シリコンウェー
ハの表面上の金属汚染の減少法。 - 【請求項２】 記載された錯体形成剤を、ＥＤＴＡおよ
びＤｅｑｕｅｓｔを含めて錯体形成剤の群の１つから選
択する、請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 ＥＤＴＡの濃度を、ＮＨ4ＯＨおよびＨ2
Ｏ2の濃度に依存して０．０５ｍｇ／ｌ〜０．１０ｍｇ
／ｌの範囲内で選択する工程を更に包含する、請求項２
に記載の方法。 - 【請求項４】 前記の選択工程の場合に、ＮＨ4ＯＨ４
重量％およびＨ2Ｏ2５重量％の“ＳＣ１”の本来の調製
物への添加のためにＥＤＴＡの濃度が０．１０ｍｇ／ｌ
である、請求項３に記載の方法。 - 【請求項５】 前記の選択工程の場合に、ＮＨ4ＯＨ
０．００４重量％およびＨ2Ｏ2０．００３重量％の“Ｓ
Ｃ１”稀釈調製物への添加のためにＥＤＴＡの濃度が
０．０５ｍｇ／ｌである、請求項３に記載の方法。 - 【請求項６】 “ＳＣ１”洗浄液中のＮＨ4ＯＨおよび
Ｈ2Ｏ2の濃度に依存して０．１０ｍｇ／ｌ〜０．３０ｍ
ｇ／ｌの範囲内のＤｅｑｕｅｓｔの濃度を選択する工程
を更に包含する、請求項２に記載の方法。 - 【請求項７】 前記の選択工程の場合に、ＮＨ4ＯＨ４
重量％およびＨ2Ｏ2５重量％の“ＳＣ１”の本来の調製
物への添加のためにＤｅｑｕｅｓｔの濃度が０．３０ｍ
ｇ／ｌである、請求項３に記載の方法。 - 【請求項８】 前記の選択工程の場合に、ＮＨ4ＯＨ
０．００４重量％およびＨ2Ｏ2０．００３重量％の“Ｓ
Ｃ１”稀釈調製物への添加のためにＤｅｑｕｅｓｔの濃
度が０．１０ｍｇ／ｌである、請求項３に記載の方法。 - 【請求項９】 シリコンウェーハのための“ＲＣＡ洗
浄”順序の“ＳＣ１”洗浄工程を改善するのための変性
された洗浄液において、シリコンウェーハの“ＳＣ１”
洗浄の間、金属錯体結合を保持するために、“ＳＣ１”
工程のための（ＮＨ4ＯＨ＋Ｈ2Ｏ2）調製物に所定の濃
度の錯体形成剤を添加し、それによって、前記のシリコ
ンウェーハの表面の金属汚染を実質的に減少させること
を特徴とする、“ＳＣ１”洗浄工程を改善するための変
性された洗浄液。 - 【請求項１０】 請求項９の変性された“ＳＣ１”洗浄
液において、前記の錯体形成剤が、ＥＤＴＡおよびＤｅ
ｑｕｅｓｔを含めて錯体形成剤の群の１つから選択され
ている、請求項９の変性された“ＳＣ１”洗浄液。 - 【請求項１１】 前記の錯体形成剤が、ＮＨ4ＯＨおよ
びＨ2Ｏ2の濃度に依存して０．０５ｍｇ／ｌ〜０．１０
ｍｇ／ｌの範囲内のＥＤＴＡの濃度からなる、請求項９
の変性された“ＳＣ１”洗浄液。 - 【請求項１２】 ＮＨ4ＯＨ４重量％およびＨ2Ｏ2５重
量％の“ＳＣ１”の本来の調製物のためにＥＤＴＡの濃
度が０．１０ｍｇ／ｌである、請求項１１の変性された
“ＳＣ１”洗浄液。 - 【請求項１３】 ＮＨ4ＯＨ０．００４重量％およびＨ2
Ｏ2０．００３重量％の“ＳＣ１”稀釈調製物のために
ＥＤＴＡの濃度が０．０５ｍｇ／ｌである、請求項１１
の変性された“ＳＣ１”洗浄液。 - 【請求項１４】 前記錯体形成剤が、ＮＨ4ＯＨおよび
Ｈ2Ｏ2の濃度に依存して０．１０ｍｇ／ｌ〜０．３０ｍ
ｇ／ｌの範囲内のＤｅｑｕｅｓｔの濃度からなる、請求
項９の変性された“ＳＣ１”洗浄液。 - 【請求項１５】 ＮＨ4ＯＨ４重量％およびＨ2Ｏ2５重
量％の“ＳＣ１”の本来の調製物ためにＤｅｑｕｅｓｔ
の濃度が０．０３ｍｇ／ｌである、請求項１４の変性さ
れた“ＳＣ１”洗浄液。 - 【請求項１６】 ＮＨ4ＯＨ０．００４重量％およびＨ2
Ｏ2０．００３重量％の“ＳＣ１”稀薄調製物のために
Ｄｅｑｕｅｓｔの濃度が０．１０ｍｇ／ｌである、請求
項１４の変性された“ＳＣ１”洗浄液。 - 【請求項１７】 前記錯体形成剤が、それぞれ、０．０
０４重量％〜４重量％の範囲内のＮＨ4ＯＨの濃度およ
びそれぞれ、０．００３重量％〜５重量％の範囲内のＨ
2Ｏ2の濃度に対して０．０５ｍｇ／ｌ〜０．１０ｍｇ／
ｌの範囲内の濃度を有するＥＤＴＡからなる、請求項９
の変性された“ＳＣ１”洗浄液。 - 【請求項１８】 前記の錯体形成剤が、それぞれ、0.00
4重量％〜４重量％の範囲内のＮＨ4ＯＨの濃度およびそ
れぞれ、０．００３重量％〜５重量％の範囲内のＨ2Ｏ2
の濃度に対して０．１ｍｇ／ｌ〜０．３ｍｇ／ｌの範囲
内の濃度を有するＤｅｑｕｅｓｔからなる、請求項９の
変性された“ＳＣ１”洗浄液。
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|---|---|---|---|
| US08/266279 | 1994-06-27 | ||
| US08/266,279 US5637151A (en) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | Method for reducing metal contamination of silicon wafers during semiconductor manufacturing |
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|---|---|
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| JP7159663A Withdrawn JPH0831784A (ja) | 1994-06-27 | 1995-06-26 | シリコンウェーハの表面上の金属汚染の減少法および変性された洗浄液 |
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| EP (1) | EP0690482A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0831784A (ja) |
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| TW (1) | TW269050B (ja) |
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