JPH04107922A - 半導体洗浄液およびそれを用いた洗浄方法 - Google Patents
半導体洗浄液およびそれを用いた洗浄方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(概要〕
半導体装置製造工程において半導体基板を洗浄する為の
アンモニア水/過酸化水素水/純水の混合半導体洗浄液
及びそれを用いた洗浄方法に関し、石英パーティクルと
Siパーティクルの両者についてその除去効果を向上し
、Si基板表面と5i02層の表面の両者についてエン
チング量を低減し、同時に、アンモニア水や過酸化水素
水の使用量を減少して、コストの低減を達成することが
できる洗浄液および洗浄方法を提供することを目的とし
、 純水の容量比率Zを1000としたとき、29wt%の
アンモニア水の容量比率Xに対する31wt%の過酸化
水素水の容量比率YをY1≦Y≦Y2の領域の値とし、 Y、=4.64×10−’X3−6.22X10−3X
” +1. 52X+4. 37 Y2 =0. 25X’ −2,75X2 ±13
.5Xである場合の組成に相当するように構成した。
アンモニア水/過酸化水素水/純水の混合半導体洗浄液
及びそれを用いた洗浄方法に関し、石英パーティクルと
Siパーティクルの両者についてその除去効果を向上し
、Si基板表面と5i02層の表面の両者についてエン
チング量を低減し、同時に、アンモニア水や過酸化水素
水の使用量を減少して、コストの低減を達成することが
できる洗浄液および洗浄方法を提供することを目的とし
、 純水の容量比率Zを1000としたとき、29wt%の
アンモニア水の容量比率Xに対する31wt%の過酸化
水素水の容量比率YをY1≦Y≦Y2の領域の値とし、 Y、=4.64×10−’X3−6.22X10−3X
” +1. 52X+4. 37 Y2 =0. 25X’ −2,75X2 ±13
.5Xである場合の組成に相当するように構成した。
また、この洗浄液を加温して半導体基板を洗浄した後水
洗、乾燥を行うように構成した。
洗、乾燥を行うように構成した。
本発明は、半導体装置製造工程において半導体基板を洗
浄するための、アンモニア水/過酸化水素水/純水の混
合半導体洗浄液およびそれを用いた洗浄方法に関する。
浄するための、アンモニア水/過酸化水素水/純水の混
合半導体洗浄液およびそれを用いた洗浄方法に関する。
近年、半導体集積回路が高集積化されているが、半導体
基板の表面上に付着している、環境に起因するSin、
のパーティクル、あるいは、製造工程に起因するSiの
パーティクルが原因となってフォトリソグラフィー工程
等で支障が発生するため、製造工程に先立って半導体基
板の表面からパーティクルを除去して、製品の高い歩留
りとコストダウンを達成することが要求されている。
基板の表面上に付着している、環境に起因するSin、
のパーティクル、あるいは、製造工程に起因するSiの
パーティクルが原因となってフォトリソグラフィー工程
等で支障が発生するため、製造工程に先立って半導体基
板の表面からパーティクルを除去して、製品の高い歩留
りとコストダウンを達成することが要求されている。
[従来の技術]
従来、これらのパーティクルを除去する方法として、半
導体基板を、加温したアンモニア水/過酸化水素水/純
水の混合液に浸漬して洗浄する方法が知られていたが、
その洗浄液の混合比率(容量比率)は、化学工業用に供
給されている29wt%のアンモニア水1、同じく化学
工業用に供給されている3 1wt%の過酸化水素水I
、および、純水5であった。
導体基板を、加温したアンモニア水/過酸化水素水/純
水の混合液に浸漬して洗浄する方法が知られていたが、
その洗浄液の混合比率(容量比率)は、化学工業用に供
給されている29wt%のアンモニア水1、同じく化学
工業用に供給されている3 1wt%の過酸化水素水I
、および、純水5であった。
つぎに、P型で、抵抗が100cmで、直径が約10c
m(4インチ)のSiウェーハの結晶面(100)、お
よび、このSiウェーハを乾燥酸素中で950″Cに加
熱して形成したSin2層の表面に付着したパーティク
ルを洗浄する従来の洗浄方法について説明する。
m(4インチ)のSiウェーハの結晶面(100)、お
よび、このSiウェーハを乾燥酸素中で950″Cに加
熱して形成したSin2層の表面に付着したパーティク
ルを洗浄する従来の洗浄方法について説明する。
上記の半導体基板を、80°Cに加熱した、29wt%
のアンモニア水(容量比率1)、31wt%の過酸化水
素水(容量比率1)、純水(容量比率5)の混合洗浄液
に浸漬して10分間洗浄した後、10分間水洗し、15
分間乾燥した。
のアンモニア水(容量比率1)、31wt%の過酸化水
素水(容量比率1)、純水(容量比率5)の混合洗浄液
に浸漬して10分間洗浄した後、10分間水洗し、15
分間乾燥した。
この場合、直径0.3μm以上のパーティクルを計数し
て算出したパーティクル除去率は、Si基板表面、Si
O□層表面ともに、石英パーティクルについては94%
、Siパーティクルについては36%であった。
て算出したパーティクル除去率は、Si基板表面、Si
O□層表面ともに、石英パーティクルについては94%
、Siパーティクルについては36%であった。
そして、この洗浄の結果、Si基板表面が75人エツチ
ングされ、Sin、層の表面が32人エツチングされた
。
ングされ、Sin、層の表面が32人エツチングされた
。
〔発明が解決しようとする課題]
前記した混合比率の従来の洗浄液によって洗浄すると、
石英パーティクルについても、Siパーティクルについ
ても、その除去効果は、現在の半導体装置の高集積化に
対応するには充分でなく、また、この洗浄によって、S
t基板の表面やSiO2層の表面が著しくエツチングさ
れるという問題があり、同時に、アンモニア水や過酸化
水素水の原液の使用量が膨大になるため、コスト的に問
題があるばかりか、アンモニア水については、廃水処理
上の問題を生じていた。
石英パーティクルについても、Siパーティクルについ
ても、その除去効果は、現在の半導体装置の高集積化に
対応するには充分でなく、また、この洗浄によって、S
t基板の表面やSiO2層の表面が著しくエツチングさ
れるという問題があり、同時に、アンモニア水や過酸化
水素水の原液の使用量が膨大になるため、コスト的に問
題があるばかりか、アンモニア水については、廃水処理
上の問題を生じていた。
本発明は、上記の点に鑑み、石英パーティクルとSiパ
ーティクルの両者についてその除去効果を向上し、Si
基板表面とSin2層の表面の両者についてエツチング
量を低減し、同時に、アンモニア水や過酸化水素水の使
用量を減少して、コストの低減を達成することができる
洗浄液および洗浄方法を提供することを目的とする。
ーティクルの両者についてその除去効果を向上し、Si
基板表面とSin2層の表面の両者についてエツチング
量を低減し、同時に、アンモニア水や過酸化水素水の使
用量を減少して、コストの低減を達成することができる
洗浄液および洗浄方法を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
本発明にかかる、アンモニア水/過酸化水素水/純水の
混合半導体洗浄液においては、純水の容量比率Zを10
00としたとき、29wt%のアンモニア水の容量比率
Xに対する3 1wt%の過酸化水素水の容量比率Yを
Y1≦y<yzの領域の値とし、 Y、=4.64×10−’X’−6.22×10−3X
” +1.52X+4.37 Yz =0.25X3−2.75X” +13.5Xで
ある場合の組成に相当する構成を採用した。
混合半導体洗浄液においては、純水の容量比率Zを10
00としたとき、29wt%のアンモニア水の容量比率
Xに対する3 1wt%の過酸化水素水の容量比率Yを
Y1≦y<yzの領域の値とし、 Y、=4.64×10−’X’−6.22×10−3X
” +1.52X+4.37 Yz =0.25X3−2.75X” +13.5Xで
ある場合の組成に相当する構成を採用した。
また、このアンモニア水/過酸化水素水/純水の混合半
導体洗浄液を加温して半導体基板を洗浄した後水洗、乾
燥を行う洗浄方法を採用した。
導体洗浄液を加温して半導体基板を洗浄した後水洗、乾
燥を行う洗浄方法を採用した。
本発明によると、従来の洗浄液の混合比率に比較して著
しく多量の純水によって希釈された、アンモニア水/過
酸化水素水/純水の混合洗浄液によって、石英パーティ
クルとSiパーティクルの除去効率が向上し、Si基板
表面とSin、層の表面のエツチング量が低減し、同時
に、アンモニア水や過酸化水素水の使用量が減少する。
しく多量の純水によって希釈された、アンモニア水/過
酸化水素水/純水の混合洗浄液によって、石英パーティ
クルとSiパーティクルの除去効率が向上し、Si基板
表面とSin、層の表面のエツチング量が低減し、同時
に、アンモニア水や過酸化水素水の使用量が減少する。
[実施例]
本発明者らは、従来使用されていた、アンモニア水/過
酸化水素水/純水からなる混合洗浄液の混合比率(容量
比率)を広い範囲で変えて洗浄実験を行った。
酸化水素水/純水からなる混合洗浄液の混合比率(容量
比率)を広い範囲で変えて洗浄実験を行った。
第1図は過酸化水素水の容量比率をパラメータとしたア
ンモニア水の容量比率と石英パーティクル除去率の関係
を示している。
ンモニア水の容量比率と石英パーティクル除去率の関係
を示している。
この実験においては、従来の洗浄液による洗浄効果と対
比するため、従来の洗浄方法と同じく、半導体基板を、
80 ’Cに加熱した混合洗浄液に浸漬して10分間洗
浄した後、10分間水洗し、15分間乾燥した。
比するため、従来の洗浄方法と同じく、半導体基板を、
80 ’Cに加熱した混合洗浄液に浸漬して10分間洗
浄した後、10分間水洗し、15分間乾燥した。
第1図によると、アンモニア水と過酸化水素水の関係で
は、過酸化水素水の容量比率が減少し、逆にアンモニア
水の容量比率が増加すると、パーティクル除去率が急激
に向上することが知られるが、特徴的な点は、過酸化水
素水の容量比率が9゜1である場合の曲線に顕著に表れ
ているように、従来の洗浄液による洗浄結果に比較して
、アンモニア水の容量比率が著しく小さい洗浄液によっ
て高いパーティクル除去効果が得られていることである
。
は、過酸化水素水の容量比率が減少し、逆にアンモニア
水の容量比率が増加すると、パーティクル除去率が急激
に向上することが知られるが、特徴的な点は、過酸化水
素水の容量比率が9゜1である場合の曲線に顕著に表れ
ているように、従来の洗浄液による洗浄結果に比較して
、アンモニア水の容量比率が著しく小さい洗浄液によっ
て高いパーティクル除去効果が得られていることである
。
第2図は、石英パーティクル除去率をパラメータとした
アンモニア水の容量比率と過酸化水素水の容量比率の関
係を示している。
アンモニア水の容量比率と過酸化水素水の容量比率の関
係を示している。
この第2図は、第1図の実験結果を、パラメータを変更
して書き換えたものであるが、この図には、従来比率の
洗浄液による石英パーティクル除去率94%より改善さ
れるのは、図の石英パーティクル除去率95%の曲線よ
り下の斜線を施した範囲であることが示されている。
して書き換えたものであるが、この図には、従来比率の
洗浄液による石英パーティクル除去率94%より改善さ
れるのは、図の石英パーティクル除去率95%の曲線よ
り下の斜線を施した範囲であることが示されている。
なお、本発明における特定の洗浄液の混合比率、すなわ
ち、アンモニア水の容量比率が1.8、過酸化水素水の
容量比率が9.1、純水の容量比率が1000の洗浄液
を使用して洗浄した場合、石英パーティクルの除去率は
95%であり、シリコンパーティクルの除去率は88%
となり、特にシリコンパーティクルについては顕著な改
善がみられた。
ち、アンモニア水の容量比率が1.8、過酸化水素水の
容量比率が9.1、純水の容量比率が1000の洗浄液
を使用して洗浄した場合、石英パーティクルの除去率は
95%であり、シリコンパーティクルの除去率は88%
となり、特にシリコンパーティクルについては顕著な改
善がみられた。
つぎに、この洗浄による半導体基板のエツチングについ
ての実験結果を検討する。
ての実験結果を検討する。
第3図は、過酸化水素水の容量比率をパラメータとした
場合のアンモニア水の容量比率とSiエツチング量との
関係を示している。
場合のアンモニア水の容量比率とSiエツチング量との
関係を示している。
この第3図から、過酸化水素水の容量比率が低い程、す
なわち、アンモニア水の容量比率が高い程、Stのエツ
チング量が増加していることがわかる。
なわち、アンモニア水の容量比率が高い程、Stのエツ
チング量が増加していることがわかる。
第4図は、Stのエツチング量をパラメータにした場合
のアンモニア水の容量比率と過酸化水素水の容量比率の
関係を示している。
のアンモニア水の容量比率と過酸化水素水の容量比率の
関係を示している。
この第4図によると、Siのエツチング量が、従来の洗
浄液を使用した場合のStのエツチング量75人より少
ないのは、第4図の斜線を施した範囲であることがわか
る。
浄液を使用した場合のStのエツチング量75人より少
ないのは、第4図の斜線を施した範囲であることがわか
る。
なお、本発明の特定の洗浄液、すなわち、アンモニア水
の容量比率が1.8、過酸化水素水の容量比率が9.1
、純水の容量比率が1000の洗浄液を使用して洗浄し
た場合、Siのエツチング量は49人であり、Sin1
層のエツチング量はわずか9人で、顕著な改善がみられ
た。
の容量比率が1.8、過酸化水素水の容量比率が9.1
、純水の容量比率が1000の洗浄液を使用して洗浄し
た場合、Siのエツチング量は49人であり、Sin1
層のエツチング量はわずか9人で、顕著な改善がみられ
た。
第5図は、アンモニア水と過酸化水素水の最適希釈比率
を示している。
を示している。
第5図は、第2図における石英パーティクル除去率が9
5%以上の範囲と、第4図におけるStのエツチング量
が75Å以下の範囲の両者を満足する範囲に斜線を施し
たものである。
5%以上の範囲と、第4図におけるStのエツチング量
が75Å以下の範囲の両者を満足する範囲に斜線を施し
たものである。
本発明は、多くの実験結果に基づいて、Siパーティク
ルおよび石英パーティクルの除去率と、SiおよびSi
n、層のエツチング量の両者を同時に満足する範囲とし
て、従来知られていなかった、YlとY2ではさまれ斜
線を施した領域を選択したものである。
ルおよび石英パーティクルの除去率と、SiおよびSi
n、層のエツチング量の両者を同時に満足する範囲とし
て、従来知られていなかった、YlとY2ではさまれ斜
線を施した領域を選択したものである。
このYIとY2ではさまれた領域が、同図に比較のため
示された従来比率を表す点から大きく離れていることが
わかる。
示された従来比率を表す点から大きく離れていることが
わかる。
次の数式は、YlとY2の曲線上の主要部の各点をコン
ピュータに入力して方程式化したものである。
ピュータに入力して方程式化したものである。
Y、=4.64X10−3X’−6,22×10−2X
” +1.52X±4.37 Y、 =0.25X3−2.75X” +13.5Xし
たがって、第5図において、曲線Y1と曲線Ytではさ
まれる範囲は、上記のYlとY2の方程式で表される数
値の間に入る範囲ということになる。
” +1.52X±4.37 Y、 =0.25X3−2.75X” +13.5Xし
たがって、第5図において、曲線Y1と曲線Ytではさ
まれる範囲は、上記のYlとY2の方程式で表される数
値の間に入る範囲ということになる。
本発明において、31wt%の過酸化水素水の容量比率
Yを5から150の範囲に選定し、29wt%のアンモ
ニア水の容量比率Xを方程式Y1とY2を満たす値に選
定すると、パーティクル除去率、SiおよびSiO□層
のエツチング量を最適範囲にすることができる。
Yを5から150の範囲に選定し、29wt%のアンモ
ニア水の容量比率Xを方程式Y1とY2を満たす値に選
定すると、パーティクル除去率、SiおよびSiO□層
のエツチング量を最適範囲にすることができる。
なお、上記の実施例において、アンモニア水および過酸
化水素水の原液として、化学工業用に供給されている2
9wt%のアンモニア水と31wt%の過酸化水素水を
使用したが、混合後の洗浄液の組成が同じであればどの
ような原液を使用してもその効果は同じであって、本発
明の実施の態様に属することはいうまでもない。
化水素水の原液として、化学工業用に供給されている2
9wt%のアンモニア水と31wt%の過酸化水素水を
使用したが、混合後の洗浄液の組成が同じであればどの
ような原液を使用してもその効果は同じであって、本発
明の実施の態様に属することはいうまでもない。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明によれば、従来よりも基板
上の石英パーティクルおよびSiパーティクルの除去効
果が高くなるために半導体装置の歩留り向上に寄与する
。
上の石英パーティクルおよびSiパーティクルの除去効
果が高くなるために半導体装置の歩留り向上に寄与する
。
そして、同時に、SiおよびSiO□層のエツチング量
が低下し、半導体装置の設計パラメータの変動を減少す
ることができる。
が低下し、半導体装置の設計パラメータの変動を減少す
ることができる。
そしてまた、従来の洗浄液に比較して希釈度が著しく高
いから、アンモニア水と過酸化水素水の原液の使用量が
低減され、半導体装置製造におけるコストが低減し、特
に、アンモニア水について、その原液の使用量が減少す
るから排水処理等の負担が低減することになる。
いから、アンモニア水と過酸化水素水の原液の使用量が
低減され、半導体装置製造におけるコストが低減し、特
に、アンモニア水について、その原液の使用量が減少す
るから排水処理等の負担が低減することになる。
第1図は過酸化水素水の容量比率をパラメータとしたア
ンモニア水の容量比率と石英パーティクル除去率の関係
、第2図は、石英パーティクル除去率をパラメータとし
たアンモニア水の容量比率と過酸化水素水の容量比率の
関係、第3図は過酸化水素水の容量比率をパラメータと
した場合のアンモニア水の容量比率とSiエツチング量
との関係、第4図は、Siのエツチング量をパラメータ
にした場合のアンモニア水の容量比率と過酸化水素水の
容量比率の関係、第5図は、アンモニア水と過酸化水素
水の最適希釈比率を示している。 特許出願人 富士通株式会社(外1名)代理人弁理士
相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 容量比率と石英パーティクル除去率の関係第1図 石英パーティクル除去率をパラメータとしたアンモニア
水の容量比率と過酸化水素水の容量比率の関係過釦ヒ水
素水の容量比率をパラメータとした場合のアンモニア水
の容量比率と51のエツチング量との関係容量比率と過
酸化水素水の容量比率の関係第4図 アンモニア水と過酸化水素水の最遣希釈比率第5図
ンモニア水の容量比率と石英パーティクル除去率の関係
、第2図は、石英パーティクル除去率をパラメータとし
たアンモニア水の容量比率と過酸化水素水の容量比率の
関係、第3図は過酸化水素水の容量比率をパラメータと
した場合のアンモニア水の容量比率とSiエツチング量
との関係、第4図は、Siのエツチング量をパラメータ
にした場合のアンモニア水の容量比率と過酸化水素水の
容量比率の関係、第5図は、アンモニア水と過酸化水素
水の最適希釈比率を示している。 特許出願人 富士通株式会社(外1名)代理人弁理士
相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 容量比率と石英パーティクル除去率の関係第1図 石英パーティクル除去率をパラメータとしたアンモニア
水の容量比率と過酸化水素水の容量比率の関係過釦ヒ水
素水の容量比率をパラメータとした場合のアンモニア水
の容量比率と51のエツチング量との関係容量比率と過
酸化水素水の容量比率の関係第4図 アンモニア水と過酸化水素水の最遣希釈比率第5図
Claims (3)
- (1)、純水の容量比率Zを1000としたとき、29
wt%のアンモニア水の容量比率Xに対する31wt%
の過酸化水素水の容量比率YをY_1≦Y≦Y_2の領
域の値とし、 Y_1=4.64×10^−^3X^3−6.22×1
0^−^2X^2+1.52X+4.37 Y_2=0.25X^3−2.75X^2+13.5X
−10 である場合の組成に相当することを特徴とするアンモニ
ア水/過酸化水素水/純水の混合半導体洗浄液。 - (2)、請求項1記載の混合半導体洗浄液において、3
1wt%の過酸化水素水の容量比率Yが、5から150
の範囲にあることを特徴とする混合半導体洗浄液。 - (3)、請求項1または請求項2記載のアンモニア水/
過酸化水素水/純水の混合比率の混合半導体洗浄液を加
温して半導体基板を洗浄した後水洗、乾燥を行うことを
特徴とする半導体洗浄方法。
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- 1990-08-29 JP JP2225419A patent/JPH04107922A/ja active Pending
-
1991
- 1991-08-28 US US07/750,582 patent/US5176756A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-08-28 EP EP19910114530 patent/EP0473150A3/en not_active Withdrawn
- 1991-08-29 KR KR1019910015053A patent/KR920005290A/ko not_active Application Discontinuation
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