JPH03254125A - 半導体ウエーハの洗浄方法 - Google Patents
半導体ウエーハの洗浄方法Info
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野コ
この発明は、半導体ウェーハの洗浄方法に係わり、特に
、ウェーハ表面の金属不純物による汚染を防止すること
ができるものに関する。
、ウェーハ表面の金属不純物による汚染を防止すること
ができるものに関する。
「従来の技術」
一般に、シリコンウェーハ等の半導体ウェーハの洗浄は
、ウェーハ表面に付着した汚染物質を、各種薬液か入れ
られた多数の洗浄槽を順次通過させることにより除去す
るいわゆるウェット洗浄法が採られている。
、ウェーハ表面に付着した汚染物質を、各種薬液か入れ
られた多数の洗浄槽を順次通過させることにより除去す
るいわゆるウェット洗浄法が採られている。
上記ウェット洗浄法の一工程として、シリコンウェーハ
表面上の有機物およびパーティクルの除去を目的とする
洗浄がある。この洗浄は、濃度２８％のアンモニア水と
、濃度３０％の過酸化水素水と、純水とを次の体積比で
混合してなるアンモニア系の薬液を用いて行うものであ
る。
表面上の有機物およびパーティクルの除去を目的とする
洗浄がある。この洗浄は、濃度２８％のアンモニア水と
、濃度３０％の過酸化水素水と、純水とを次の体積比で
混合してなるアンモニア系の薬液を用いて行うものであ
る。
ＮＨ，ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：ＨｔＯ＝ Ｉ ：Ｉ ：５とこ
ろで、上記洗浄においては、アンモニア水および過酸化
水素水中にごく微量（数ｐｐｂ）ではあるがアルミニウ
ム等の金属不純物が含まれており、この金属不純物が洗
浄後にウェーハ表面に不可避的に残留してしまう。この
ため、上記アンモニア系の薬液による洗浄後に、上記金
属不純物の除去を目的として、塩酸と過酸化水素水と純
水とを混合してなる塩酸系の薬液、または塩酸と純水と
を混合してなる塩酸系の薬液を用いた洗浄を行っている
。
ろで、上記洗浄においては、アンモニア水および過酸化
水素水中にごく微量（数ｐｐｂ）ではあるがアルミニウ
ム等の金属不純物が含まれており、この金属不純物が洗
浄後にウェーハ表面に不可避的に残留してしまう。この
ため、上記アンモニア系の薬液による洗浄後に、上記金
属不純物の除去を目的として、塩酸と過酸化水素水と純
水とを混合してなる塩酸系の薬液、または塩酸と純水と
を混合してなる塩酸系の薬液を用いた洗浄を行っている
。
１発明か解決しようとする課題」
ところが、上記の場合、洗浄の工程が多くなるため、洗
浄に多大の時間を要するとともに、ウェーハの製造コス
トが高くなるという欠点がある。
浄に多大の時間を要するとともに、ウェーハの製造コス
トが高くなるという欠点がある。
「課題を解決するための手段」
そこで、本発明者等が、上記課題を解決すべく、鋭意研
究を重ねた結果、次のような知見を見出だすに至った。
究を重ねた結果、次のような知見を見出だすに至った。
すなわち、従来、ウェーハ表面上のパーティクルの除去
を目的とするアンモニア系の薬液による洗浄においては
、ウェーハ表面がエツチングされるが、パーティクルの
除去能力は、このエツチング速度と関連していると考え
られているため、薬液の純水による希釈量を増加すると
、エツチング速度が減少し、パーティクルの除去能力が
低下するものと考えられていた。
を目的とするアンモニア系の薬液による洗浄においては
、ウェーハ表面がエツチングされるが、パーティクルの
除去能力は、このエツチング速度と関連していると考え
られているため、薬液の純水による希釈量を増加すると
、エツチング速度が減少し、パーティクルの除去能力が
低下するものと考えられていた。
ところが、上記エツチング速度（パーティクルの除去能
力）は、アンモニア水と過酸化水素水との濃度比（体積
比）が一定の場合、純水の希釈量がある一定値を越すま
では、はぼ同じであり、薬液全体に対する純水の濃度（
体積）には、あまり依存していないことが本発明者等の
研究により明らかになった。
力）は、アンモニア水と過酸化水素水との濃度比（体積
比）が一定の場合、純水の希釈量がある一定値を越すま
では、はぼ同じであり、薬液全体に対する純水の濃度（
体積）には、あまり依存していないことが本発明者等の
研究により明らかになった。
したがって、アンモニア系の薬液による洗浄において、
アンモニア水と過酸化水素水の体積比を一定に保ったま
ま、純水の体積比を大きくする、すなわち純水による希
釈量を多くすれば、薬液単位体積中に存在する金属不純
物の量が減少するので、洗浄後にウェーハ表面に残留す
る金属不純物の量を規定値以下に減少させることができ
、しかも、パーティクルの除去能力は変わらないので、
上記金属不純物を目的とする塩酸系の薬液による洗浄工
程を省くことができる。
アンモニア水と過酸化水素水の体積比を一定に保ったま
ま、純水の体積比を大きくする、すなわち純水による希
釈量を多くすれば、薬液単位体積中に存在する金属不純
物の量が減少するので、洗浄後にウェーハ表面に残留す
る金属不純物の量を規定値以下に減少させることができ
、しかも、パーティクルの除去能力は変わらないので、
上記金属不純物を目的とする塩酸系の薬液による洗浄工
程を省くことができる。
この発明は、上記の知見に基づいてなされたものであり
、濃度２７〜３１％のアンモニア水と、濃度２９〜３３
％の過酸化水素水と、純水とを混合してなる薬液を用い
て半導体ウェーハの表面を洗浄する半導体ウェーハの洗
浄方法において、上記薬液全体に対する純水の体積比を
、９０〜９９゜７％に設定したものである。
、濃度２７〜３１％のアンモニア水と、濃度２９〜３３
％の過酸化水素水と、純水とを混合してなる薬液を用い
て半導体ウェーハの表面を洗浄する半導体ウェーハの洗
浄方法において、上記薬液全体に対する純水の体積比を
、９０〜９９゜７％に設定したものである。
純水の体積比を、９０〜９９．７％にしたのは、９０％
未満では、薬液単位体積中に存在する金属不純物の量が
多くて、ウェーハの表面に規定値以上の金属不純物が残
留し、一方、９９．７％を越えると、パーティクルの除
去能力が低下してしまうからである。
未満では、薬液単位体積中に存在する金属不純物の量が
多くて、ウェーハの表面に規定値以上の金属不純物が残
留し、一方、９９．７％を越えると、パーティクルの除
去能力が低下してしまうからである。
「実施例」
以下、第１図ないし第３図を参照して、この発明の半導
体ウェハの洗浄方法の一実施例を説明する。
体ウェハの洗浄方法の一実施例を説明する。
濃度２８％のアンモニア水と、濃度３０％の過酸化水素
水と、純水とをそれぞれ次の体積比で混合した２種類の
本発明に係わる薬液と、比較例として従来一般に使用さ
れている薬液を用意する。
水と、純水とをそれぞれ次の体積比で混合した２種類の
本発明に係わる薬液と、比較例として従来一般に使用さ
れている薬液を用意する。
ＮＨ，ＯＨ：Ｈ，Ｏ，：Ｈｔｏ・１：１：５０ ・・
・・・・本発明ＮＨ，ＯＨ：ＨｔＯｔ ：ＨｔＯ・Ｉ：
１：５００ ・・・・・・本発明ＮＨ４ＯＨ：ＨｓＯ
ｔ：Ｈｔｏ”ｌ：１：５ ・・・・・・比較例なお
、上記各薬液の薬液全体に対する純水の体積比は、それ
ぞれ ５０１５２ｘｌ ０Ｏ＝９６．２％ ５００１５０２ｘ１００＝９９．６％ ５／７ ｘ １００＝７１．４％ である。
・・・・本発明ＮＨ，ＯＨ：ＨｔＯｔ ：ＨｔＯ・Ｉ：
１：５００ ・・・・・・本発明ＮＨ４ＯＨ：ＨｓＯ
ｔ：Ｈｔｏ”ｌ：１：５ ・・・・・・比較例なお
、上記各薬液の薬液全体に対する純水の体積比は、それ
ぞれ ５０１５２ｘｌ ０Ｏ＝９６．２％ ５００１５０２ｘ１００＝９９．６％ ５／７ ｘ １００＝７１．４％ である。
そして、上記３種類の薬液を用いて、それぞれシリコン
ウェーハを９０℃で１０分間洗浄し、ウェーハ表面に残
留しているアルミニウムの量を測定し、単位体積当たり
に含まれているアルミニウムの原子の数を求めた。その
結果を第１図に示す。
ウェーハを９０℃で１０分間洗浄し、ウェーハ表面に残
留しているアルミニウムの量を測定し、単位体積当たり
に含まれているアルミニウムの原子の数を求めた。その
結果を第１図に示す。
この図に示すように、本発明の薬液による洗浄後のウェ
ーハ表面のアルミニウムの濃度は、従来の薬液による洗
浄に比べて、規定値以下に減少しており、また、純水の
体積比９０％（体積比の下限）未満では、アルミニウム
の濃度の規定値を越えているのが判る。
ーハ表面のアルミニウムの濃度は、従来の薬液による洗
浄に比べて、規定値以下に減少しており、また、純水の
体積比９０％（体積比の下限）未満では、アルミニウム
の濃度の規定値を越えているのが判る。
一方、上記各薬液による洗浄後のシリコンウェーハ表面
のエツチング量と、パーティクル数とを測定した。その
結果をそれぞれ第２図および第３図に示す。
のエツチング量と、パーティクル数とを測定した。その
結果をそれぞれ第２図および第３図に示す。
これらの図に示すように、エツチング量とパーティクル
数との間には、エツチング量が多いほど、ウェーハの表
面に残留するパーティクルの数が少ないすなわちパーテ
ィクル除去能力が高いという関連性かあり、また、この
パーティクル除去能力は、アンモニア水と過酸化水素水
との体積比が一定の場合、純水の希釈量すなわち薬液全
体に対する純水の体積比が９９．７％（体積比の上限）
以内ではほぼ一定であり、これを越えると、ウェーハ表
面に残留しているパーティクルの数が多い、すなわちパ
ーティクルの除去能力が低いことが判る。
数との間には、エツチング量が多いほど、ウェーハの表
面に残留するパーティクルの数が少ないすなわちパーテ
ィクル除去能力が高いという関連性かあり、また、この
パーティクル除去能力は、アンモニア水と過酸化水素水
との体積比が一定の場合、純水の希釈量すなわち薬液全
体に対する純水の体積比が９９．７％（体積比の上限）
以内ではほぼ一定であり、これを越えると、ウェーハ表
面に残留しているパーティクルの数が多い、すなわちパ
ーティクルの除去能力が低いことが判る。
このように、薬液全体に対する純水の体積比を、９０〜
９９．７％に設定すれば、パーティクル除去能力を低下
させることなく、ウェーハ表面に残留するアルミニウム
の量を減少させることができる。
９９．７％に設定すれば、パーティクル除去能力を低下
させることなく、ウェーハ表面に残留するアルミニウム
の量を減少させることができる。
「発明の効果」
以上説明したように、この発明の半導体ウェーハの洗浄
方法によれば、濃度２７〜３１％のアンモニア水と、濃
度２９〜３３％の過酸化水素水と、純水とを混合してな
る薬液における純水の体積比を、９０〜９９．７％に設
定したので、パーティクル除去能力を低下させることな
く、ウェーハ表面に残留する金属不純物の量を減少させ
ることができる。したがって、金属不純物の除去を目的
とする塩酸系の薬液による洗浄工程を省くことができる
ので、洗浄の工程を従来に比べて少なくでき、よって、
洗浄に要する時間を低減することができるとともに、ウ
ェーハの製造コストを抑えることができる。
方法によれば、濃度２７〜３１％のアンモニア水と、濃
度２９〜３３％の過酸化水素水と、純水とを混合してな
る薬液における純水の体積比を、９０〜９９．７％に設
定したので、パーティクル除去能力を低下させることな
く、ウェーハ表面に残留する金属不純物の量を減少させ
ることができる。したがって、金属不純物の除去を目的
とする塩酸系の薬液による洗浄工程を省くことができる
ので、洗浄の工程を従来に比べて少なくでき、よって、
洗浄に要する時間を低減することができるとともに、ウ
ェーハの製造コストを抑えることができる。
第１図ないし第３図は、この発明の半導体ウェーハの洗
浄方法の一実施例を説明するためのものであり、第１図
は薬液と洗浄後のウェーハ表面のアルミニウム濃度との
関係を示すグラフ、第２図は薬液と洗浄後のウェーハ表
面のエツチング量との関係を示すグラフ、第３図は薬液
と洗浄後のウェーハ表面に残留しているパーティクル数
との関係を示すグラフである。
浄方法の一実施例を説明するためのものであり、第１図
は薬液と洗浄後のウェーハ表面のアルミニウム濃度との
関係を示すグラフ、第２図は薬液と洗浄後のウェーハ表
面のエツチング量との関係を示すグラフ、第３図は薬液
と洗浄後のウェーハ表面に残留しているパーティクル数
との関係を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 濃度２７〜３１％のアンモニア水と、濃度２９〜３３％
の過酸化水素水と、純水とを混合してなる薬液を用いて
半導体ウェーハの表面を洗浄する半導体ウェーハの洗浄
方法において、 上記薬液全体に対する純水の体積比を、９０〜９９．７
％に設定したことを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5140390A JP2749938B2 (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 半導体ウエーハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5140390A JP2749938B2 (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 半導体ウエーハの洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03254125A true JPH03254125A (ja) | 1991-11-13 |
| JP2749938B2 JP2749938B2 (ja) | 1998-05-13 |
Family
ID=12885971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5140390A Expired - Lifetime JP2749938B2 (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 半導体ウエーハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2749938B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5746233A (en) * | 1996-01-17 | 1998-05-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Washing apparatus and method therefor |
| JP2010141099A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| CN117393473A (zh) * | 2023-12-11 | 2024-01-12 | 青岛立昂晶电半导体科技有限公司 | 基于模型预测控制的磷化铟晶片智能清洗过程控制方法 |
| CN117542728A (zh) * | 2024-01-09 | 2024-02-09 | 河北同光半导体股份有限公司 | 一种去除碳化硅衬底表面金属离子的动态清洗方法 |
-
1990
- 1990-03-02 JP JP5140390A patent/JP2749938B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5746233A (en) * | 1996-01-17 | 1998-05-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Washing apparatus and method therefor |
| JP2010141099A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| CN117393473A (zh) * | 2023-12-11 | 2024-01-12 | 青岛立昂晶电半导体科技有限公司 | 基于模型预测控制的磷化铟晶片智能清洗过程控制方法 |
| CN117393473B (zh) * | 2023-12-11 | 2024-04-05 | 青岛立昂晶电半导体科技有限公司 | 基于模型预测控制的磷化铟晶片智能清洗过程控制方法 |
| CN117542728A (zh) * | 2024-01-09 | 2024-02-09 | 河北同光半导体股份有限公司 | 一种去除碳化硅衬底表面金属离子的动态清洗方法 |
| CN117542728B (zh) * | 2024-01-09 | 2024-03-19 | 河北同光半导体股份有限公司 | 一种去除碳化硅衬底表面金属离子的动态清洗方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2749938B2 (ja) | 1998-05-13 |
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Legal Events
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