JPH06163496A - シリコンウェーハの洗浄液およびその洗浄方法 - Google Patents
シリコンウェーハの洗浄液およびその洗浄方法Info
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- JPH06163496A JPH06163496A JP33661292A JP33661292A JPH06163496A JP H06163496 A JPH06163496 A JP H06163496A JP 33661292 A JP33661292 A JP 33661292A JP 33661292 A JP33661292 A JP 33661292A JP H06163496 A JPH06163496 A JP H06163496A
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- pure water
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコンウェーハの表面において、Ａｌ汚染
が低減でき、Ｃｕの再吸着およびパーティクルの付着を
防止したシリコンウェーハの洗浄液およびその洗浄方法
を提供する。 【構成】 ＨＦとＨＣｌとＨ2Ｏとで構成される洗浄液
中におけるＨＦのモル濃度を、０．００２ｍｏｌ／ｌ以
上に限定する。この洗浄液は、ＨＣｌとＨ2Ｏ2とＨ2Ｏ
とで構成される洗浄液に比べて、シリコンウェーハの表
面からＡｌを除去する能力が向上している。また、上記
ＨＦのモル濃度比を０．０５ｍｏｌ／ｌ以下とした洗浄
液は、シリコンウェーハの表面から自然酸化膜を完全に
除去しないので、シリコンウェーハの表面において、Ｃ
ｕの再吸着およびパーティクルの付着を防止できるもの
である。
が低減でき、Ｃｕの再吸着およびパーティクルの付着を
防止したシリコンウェーハの洗浄液およびその洗浄方法
を提供する。 【構成】 ＨＦとＨＣｌとＨ2Ｏとで構成される洗浄液
中におけるＨＦのモル濃度を、０．００２ｍｏｌ／ｌ以
上に限定する。この洗浄液は、ＨＣｌとＨ2Ｏ2とＨ2Ｏ
とで構成される洗浄液に比べて、シリコンウェーハの表
面からＡｌを除去する能力が向上している。また、上記
ＨＦのモル濃度比を０．０５ｍｏｌ／ｌ以下とした洗浄
液は、シリコンウェーハの表面から自然酸化膜を完全に
除去しないので、シリコンウェーハの表面において、Ｃ
ｕの再吸着およびパーティクルの付着を防止できるもの
である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ等の作製に用い
られるシリコンウェーハの洗浄液およびその洗浄方法に
関するものである。
られるシリコンウェーハの洗浄液およびその洗浄方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、シリコンウェーハ表面の洗浄方
法としては、ＲＣＡ洗浄法が知られている。このＲＣＡ
洗浄法は、ＳＣ１洗浄、純水リンス、ＨＦ浸積、
純水リンス、ＳＣ２洗浄、純水リンス、スピン
ドライの各工程を順次経て行うものである。
法としては、ＲＣＡ洗浄法が知られている。このＲＣＡ
洗浄法は、ＳＣ１洗浄、純水リンス、ＨＦ浸積、
純水リンス、ＳＣ２洗浄、純水リンス、スピン
ドライの各工程を順次経て行うものである。
【０００３】この場合、のＳＣ１洗浄は、例えば、Ｎ
Ｈ4ＯＨ（２７重量％）：Ｈ2Ｏ2（３０重量％）：Ｈ2Ｏ
＝１：１：５（体積比、ＮＨ4ＯＨのＨ2Ｏ2に対するモ
ル濃度の比率が１．５３で、洗浄液中におけるＨ2Ｏ2の
モル濃度が１．４ｍｏｌ／ｌ）の混合溶液を８０℃に保
ち、この溶液中にシリコンウェーハを１０分間浸すもの
である。この洗浄液の水酸化アンモニウムの溶解作用と
過酸化水素水の酸化力により、パーティクルならびにシ
リコンウェーハ表面に付着したハイドロカーボン等の有
機物は除去されるものである。
Ｈ4ＯＨ（２７重量％）：Ｈ2Ｏ2（３０重量％）：Ｈ2Ｏ
＝１：１：５（体積比、ＮＨ4ＯＨのＨ2Ｏ2に対するモ
ル濃度の比率が１．５３で、洗浄液中におけるＨ2Ｏ2の
モル濃度が１．４ｍｏｌ／ｌ）の混合溶液を８０℃に保
ち、この溶液中にシリコンウェーハを１０分間浸すもの
である。この洗浄液の水酸化アンモニウムの溶解作用と
過酸化水素水の酸化力により、パーティクルならびにシ
リコンウェーハ表面に付着したハイドロカーボン等の有
機物は除去されるものである。
【０００４】また、のＨＦ浸積は、１重量％の希釈フ
ッ酸液に浸すものである。このため、シリコンウェーハ
表面に形成された酸化膜が除去されるものである。
ッ酸液に浸すものである。このため、シリコンウェーハ
表面に形成された酸化膜が除去されるものである。
【０００５】そして、のＳＣ２洗浄は、例えば、ＨＣ
ｌ（３７重量％）：Ｈ2Ｏ2（３０重量％）：Ｈ2Ｏ＝
１：１：５（体積比）の混合溶液を８０℃に保ち、この
溶液中にシリコンウェーハを１０分間浸すものである。
この結果、シリコンウェーハ表面の重金属は除去され、
この重金属は可溶性のイオンになり、溶液中からの再沈
着が防止される。
ｌ（３７重量％）：Ｈ2Ｏ2（３０重量％）：Ｈ2Ｏ＝
１：１：５（体積比）の混合溶液を８０℃に保ち、この
溶液中にシリコンウェーハを１０分間浸すものである。
この結果、シリコンウェーハ表面の重金属は除去され、
この重金属は可溶性のイオンになり、溶液中からの再沈
着が防止される。
【０００６】ここで、に示す純水リンスは、例え
ば、純水の流れの中にシリコンウェーハをおき、このシ
リコンウェーハが常に新しい純水に触れるよう設計され
た水洗槽中で行われていた。このときの純水の品質は、
イオン交換水等を用いて室温で１８ＭΩ・ｃｍ以上の比
抵抗値となるように管理されていたものである。
ば、純水の流れの中にシリコンウェーハをおき、このシ
リコンウェーハが常に新しい純水に触れるよう設計され
た水洗槽中で行われていた。このときの純水の品質は、
イオン交換水等を用いて室温で１８ＭΩ・ｃｍ以上の比
抵抗値となるように管理されていたものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなＲＣＡ洗浄法にあっては、ＨＦ浸積後のシリコンウ
ェーハの表面において、親水性の自然酸化膜が除去さ
れ、シリコンウェーハの表面が疎水性になるため、Ｃｕ
の再吸着、さらに大部分がシリコンウェーハの破砕粒子
であるパーティクルの付着を容易に発生させるという課
題が生じていた。
うなＲＣＡ洗浄法にあっては、ＨＦ浸積後のシリコンウ
ェーハの表面において、親水性の自然酸化膜が除去さ
れ、シリコンウェーハの表面が疎水性になるため、Ｃｕ
の再吸着、さらに大部分がシリコンウェーハの破砕粒子
であるパーティクルの付着を容易に発生させるという課
題が生じていた。
【０００８】そこで、本発明の目的は、シリコンウェー
ハの表面において、Ａｌ汚染が低減でき、Ｃｕの再吸着
およびパーティクルの付着を防止したシリコンウェーハ
の洗浄液およびその洗浄方法を提供することである。
ハの表面において、Ａｌ汚染が低減でき、Ｃｕの再吸着
およびパーティクルの付着を防止したシリコンウェーハ
の洗浄液およびその洗浄方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、ＨＦとＨＣｌとＨ2Ｏとで構成されるシリコンウェ
ーハの洗浄液において、上記洗浄液中におけるＨＦのモ
ル濃度を０．００２ｍｏｌ／ｌ以上で、０．０５ｍｏｌ
／ｌ以下としたものである。
は、ＨＦとＨＣｌとＨ2Ｏとで構成されるシリコンウェ
ーハの洗浄液において、上記洗浄液中におけるＨＦのモ
ル濃度を０．００２ｍｏｌ／ｌ以上で、０．０５ｍｏｌ
／ｌ以下としたものである。
【００１０】また、請求項２に記載の発明は、シリコン
ウェーハを、ＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2とＨ2Ｏとで構成される
洗浄液で洗浄し、その後、純水でリンスし、さらに、請
求項１に記載したシリコンウェーハの洗浄液で洗浄し、
その後、純水でリンスし、さらに、乾燥するシリコンウ
ェーハの洗浄方法である。
ウェーハを、ＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2とＨ2Ｏとで構成される
洗浄液で洗浄し、その後、純水でリンスし、さらに、請
求項１に記載したシリコンウェーハの洗浄液で洗浄し、
その後、純水でリンスし、さらに、乾燥するシリコンウ
ェーハの洗浄方法である。
【００１１】
【作用】請求項１の発明に係るシリコンウェーハの洗浄
液にあっては、ＨＦとＨＣｌとＨ2Ｏとで構成される洗
浄液中におけるＨＦのモル濃度が、０．００２ｍｏｌ／
ｌ以上である。この洗浄液は、ＨＣｌとＨ2Ｏ2とＨ2Ｏ
とで構成される洗浄液に比べて、シリコンウェーハの表
面からＡｌを除去する能力が向上している。また、上記
ＨＦのモル濃度比を０．０５ｍｏｌ／ｌ以下とした洗浄
液は、シリコンウェーハの表面から自然酸化膜を完全に
除去しないので、シリコンウェーハの表面において、Ｃ
ｕの再吸着およびパーティクルの付着を防止できるもの
である。
液にあっては、ＨＦとＨＣｌとＨ2Ｏとで構成される洗
浄液中におけるＨＦのモル濃度が、０．００２ｍｏｌ／
ｌ以上である。この洗浄液は、ＨＣｌとＨ2Ｏ2とＨ2Ｏ
とで構成される洗浄液に比べて、シリコンウェーハの表
面からＡｌを除去する能力が向上している。また、上記
ＨＦのモル濃度比を０．０５ｍｏｌ／ｌ以下とした洗浄
液は、シリコンウェーハの表面から自然酸化膜を完全に
除去しないので、シリコンウェーハの表面において、Ｃ
ｕの再吸着およびパーティクルの付着を防止できるもの
である。
【００１２】また、請求項２の発明に係るシリコンウェ
ーハの洗浄方法にあっては、シリコンウェーハが、ＮＨ
4ＯＨとＨ2Ｏ2とＨ2Ｏとで構成される洗浄液で洗浄され
る。この結果、シリコンウェーハ表面に付着した有機物
は除去される。この有機物が除去されたシリコンウェー
ハは、リンスした後、その洗浄液中におけるＨＦのモル
濃度を０．００２ｍｏｌ／ｌ以上で、０．０５ｍｏｌ／
ｌ以下としたＨＦとＨＣｌとＨ2Ｏとで構成される洗浄
液によって洗浄される。この結果、このシリコンウェー
ハの表面から、Ａｌが除去され易く、Ｃｕの再吸着およ
びパーティクルの付着が防止される。その後、シリコン
ウェーハは、所定のリンスおよび乾燥が施される。した
がって、乾燥後のシリコンウェーハの表面からは、有機
物が除去され、Ａｌ汚染が低減され、Ｃｕが再吸着する
ことなく、パーティクルが付着しないものである。さら
に、従来のＲＣＡ洗浄法に比べて、２工程が削減でき
る。すなわち、プロセスが単純化するため、洗浄設備、
薬液等のコストが低く押させられ、商業的な量産に適し
ている。
ーハの洗浄方法にあっては、シリコンウェーハが、ＮＨ
4ＯＨとＨ2Ｏ2とＨ2Ｏとで構成される洗浄液で洗浄され
る。この結果、シリコンウェーハ表面に付着した有機物
は除去される。この有機物が除去されたシリコンウェー
ハは、リンスした後、その洗浄液中におけるＨＦのモル
濃度を０．００２ｍｏｌ／ｌ以上で、０．０５ｍｏｌ／
ｌ以下としたＨＦとＨＣｌとＨ2Ｏとで構成される洗浄
液によって洗浄される。この結果、このシリコンウェー
ハの表面から、Ａｌが除去され易く、Ｃｕの再吸着およ
びパーティクルの付着が防止される。その後、シリコン
ウェーハは、所定のリンスおよび乾燥が施される。した
がって、乾燥後のシリコンウェーハの表面からは、有機
物が除去され、Ａｌ汚染が低減され、Ｃｕが再吸着する
ことなく、パーティクルが付着しないものである。さら
に、従来のＲＣＡ洗浄法に比べて、２工程が削減でき
る。すなわち、プロセスが単純化するため、洗浄設備、
薬液等のコストが低く押させられ、商業的な量産に適し
ている。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１を参照して説明
する。この実施例においては、シリコン単結晶の成長に
は、例えば標準的な引き上げ速度によるＣＺ法が用いら
れている。このシリコン単結晶より通常条件のプロセス
を用いてウェーハ加工し、研磨する。このようにして作
製したＰ型、比抵抗１０Ωｃｍ、［１００］方位のシリ
コンウェーハを、ＮＨ4ＯＨ（２７重量％）：Ｈ2Ｏ
2（３０重量％）：Ｈ2Ｏ＝１：１：５（体積比）の混合
溶液中にて、８０℃に保ち、１０分間浸す（Ｓ１）。こ
の結果、シリコンウェーハ表面に付着したハイドロカー
ボン等の有機物は除去されるものである。
する。この実施例においては、シリコン単結晶の成長に
は、例えば標準的な引き上げ速度によるＣＺ法が用いら
れている。このシリコン単結晶より通常条件のプロセス
を用いてウェーハ加工し、研磨する。このようにして作
製したＰ型、比抵抗１０Ωｃｍ、［１００］方位のシリ
コンウェーハを、ＮＨ4ＯＨ（２７重量％）：Ｈ2Ｏ
2（３０重量％）：Ｈ2Ｏ＝１：１：５（体積比）の混合
溶液中にて、８０℃に保ち、１０分間浸す（Ｓ１）。こ
の結果、シリコンウェーハ表面に付着したハイドロカー
ボン等の有機物は除去されるものである。
【００１４】次に、この有機物がその表面から除去され
たシリコンウェーハを、所定の純水でリンスする（Ｓ
２）。すなわち、純水の流れの中にシリコンウェーハを
浸積し、このシリコンウェーハが常に新しい純水に触れ
るよう設計された水洗槽中ですすがれている。このとき
の純水の品質は、イオン交換水等を用いて室温で１８Ｍ
Ω・ｃｍ以上の比抵抗値となるように管理されている。
たシリコンウェーハを、所定の純水でリンスする（Ｓ
２）。すなわち、純水の流れの中にシリコンウェーハを
浸積し、このシリコンウェーハが常に新しい純水に触れ
るよう設計された水洗槽中ですすがれている。このとき
の純水の品質は、イオン交換水等を用いて室温で１８Ｍ
Ω・ｃｍ以上の比抵抗値となるように管理されている。
【００１５】次いで、このリンスされたシリコンウェー
ハを、ＨＣｌ（３６重量％）：ＨＦ（５０重量％）：Ｈ
2Ｏ＝１：ｘ：１０００（体積比）の混合溶液中にて、
８０℃に保ち、１０分間浸す（Ｓ３）。このとき、上記
ｘを０〜２まで変更し、シリコンウェーハ上に形成され
た自然酸化膜の厚さを、測定したグラフを図２に示す。
この図から判断すると、ｘが２以下のときは、シリコン
ウェーハ上に形成された自然酸化膜は除去されないもの
である。
ハを、ＨＣｌ（３６重量％）：ＨＦ（５０重量％）：Ｈ
2Ｏ＝１：ｘ：１０００（体積比）の混合溶液中にて、
８０℃に保ち、１０分間浸す（Ｓ３）。このとき、上記
ｘを０〜２まで変更し、シリコンウェーハ上に形成され
た自然酸化膜の厚さを、測定したグラフを図２に示す。
この図から判断すると、ｘが２以下のときは、シリコン
ウェーハ上に形成された自然酸化膜は除去されないもの
である。
【００１６】さらに、上記ｘを０．１以上に限定する
と、ＨＣｌとＨ2Ｏ2とＨ2Ｏとで構成される洗浄液に比
べて、シリコンウェーハの表面からＡｌを除去する能力
が向上している。また、ｘを１．５以下に限定すると、
シリコンウェーハの表面が親水性となるため、シリコン
ウェーハの表面において、Ｃｕの再吸着およびパーティ
クルの付着が防止されるものである。すなわち、ＨＦと
ＨＣｌとＨ2Ｏとで構成される洗浄液中におけるＨＦの
モル濃度が、０．００２ｍｏｌ／ｌ以上であり、かつ、
０．０５ｍｏｌ／ｌ以下とした洗浄液は、シリコンウェ
ーハの表面のＡｌ汚染を低減でき、さらに、シリコンウ
ェーハの表面から自然酸化膜を完全に除去しないので、
シリコンウェーハの表面において、Ｃｕの再吸着および
パーティクルの付着を防止できるものである。
と、ＨＣｌとＨ2Ｏ2とＨ2Ｏとで構成される洗浄液に比
べて、シリコンウェーハの表面からＡｌを除去する能力
が向上している。また、ｘを１．５以下に限定すると、
シリコンウェーハの表面が親水性となるため、シリコン
ウェーハの表面において、Ｃｕの再吸着およびパーティ
クルの付着が防止されるものである。すなわち、ＨＦと
ＨＣｌとＨ2Ｏとで構成される洗浄液中におけるＨＦの
モル濃度が、０．００２ｍｏｌ／ｌ以上であり、かつ、
０．０５ｍｏｌ／ｌ以下とした洗浄液は、シリコンウェ
ーハの表面のＡｌ汚染を低減でき、さらに、シリコンウ
ェーハの表面から自然酸化膜を完全に除去しないので、
シリコンウェーハの表面において、Ｃｕの再吸着および
パーティクルの付着を防止できるものである。
【００１７】次に、その表面からＡｌ汚染が低減され、
Ｃｕが再吸着せず、パーティクルが付着しないシリコン
ウェーハを上記純水によって、すすぐ（Ｓ４）。さら
に、このシリコンウェーハをスピンドライによって乾燥
させる（Ｓ５）。この結果を表１に示す。この表は、本
実施例の比較例として、ＳＣ１，ＳＣ１＋ＨＦ，ＲＣＡ
の各洗浄方法の結果も示すものである。なお、ＳＣ１洗
浄は、従来の技術に示したで行っている。ＳＣ１＋
ＨＦ洗浄は、従来の技術に示したで行ってい
る。ＲＣＡ洗浄は、従来の技術に示した通りである。こ
の表から判断すると、本実施例によるシリコンウェーハ
の表面にあっては、Ａｌ汚染がＲＣＡ洗浄より低減さ
れ、パーティクルが再付着しないものであり、Ｃｕが再
吸着することなく、表面有機物が除去されるものであ
る。ただし、シリコンウェーハ表面に付着したパーティ
クル数は、測定装置の限界である０．２μｍ以上のパー
ティクルを検出している。
Ｃｕが再吸着せず、パーティクルが付着しないシリコン
ウェーハを上記純水によって、すすぐ（Ｓ４）。さら
に、このシリコンウェーハをスピンドライによって乾燥
させる（Ｓ５）。この結果を表１に示す。この表は、本
実施例の比較例として、ＳＣ１，ＳＣ１＋ＨＦ，ＲＣＡ
の各洗浄方法の結果も示すものである。なお、ＳＣ１洗
浄は、従来の技術に示したで行っている。ＳＣ１＋
ＨＦ洗浄は、従来の技術に示したで行ってい
る。ＲＣＡ洗浄は、従来の技術に示した通りである。こ
の表から判断すると、本実施例によるシリコンウェーハ
の表面にあっては、Ａｌ汚染がＲＣＡ洗浄より低減さ
れ、パーティクルが再付着しないものであり、Ｃｕが再
吸着することなく、表面有機物が除去されるものであ
る。ただし、シリコンウェーハ表面に付着したパーティ
クル数は、測定装置の限界である０．２μｍ以上のパー
ティクルを検出している。
【００１８】
【表１】
【００１９】したがって、この乾燥したシリコンウェー
ハの表面は、有機物が除去され、Ａｌ汚染が低減され、
Ｃｕが再吸着することなく、パーティクルが付着しない
ものである。さらに、本実施例のシリコンウェーハの洗
浄方法は、従来のＲＣＡ洗浄法に比べて、２工程が削減
できる。すなわち、プロセスが単純化するため、洗浄設
備、薬液等のコストが低く押させられ、商業的な量産に
適している。
ハの表面は、有機物が除去され、Ａｌ汚染が低減され、
Ｃｕが再吸着することなく、パーティクルが付着しない
ものである。さらに、本実施例のシリコンウェーハの洗
浄方法は、従来のＲＣＡ洗浄法に比べて、２工程が削減
できる。すなわち、プロセスが単純化するため、洗浄設
備、薬液等のコストが低く押させられ、商業的な量産に
適している。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、シリコンウェーハの表
面は、有機物が除去され、Ａｌ汚染が低減され、Ｃｕが
再吸着することなく、パーティクルが付着しないもので
ある。プロセスが単純化するため、洗浄設備、薬液等の
コストが低く抑えられ、商業的な量産に適している。
面は、有機物が除去され、Ａｌ汚染が低減され、Ｃｕが
再吸着することなく、パーティクルが付着しないもので
ある。プロセスが単純化するため、洗浄設備、薬液等の
コストが低く抑えられ、商業的な量産に適している。
【図１】本発明の一実施例に係るシリコンウェーハの洗
浄方法を説明するための工程図である。
浄方法を説明するための工程図である。
【図２】本発明の一実施例に係るシリコンウェーハの洗
浄液中のＨＦ添加量に対する自然酸化膜の厚さの関係を
示すグラフである。
浄液中のＨＦ添加量に対する自然酸化膜の厚さの関係を
示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新行内 隆之 埼玉県大宮市北袋町一丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社中央研究所内 (72)発明者 高石 和成 東京都千代田区岩本町３丁目８番16号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 森田 悦郎 東京都千代田区岩本町３丁目８番16号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 ＨＦとＨＣｌとＨ2Ｏとで構成されるシ
リコンウェーハの洗浄液において、 上記洗浄液中におけるＨＦのモル濃度を０．００２ｍｏ
ｌ／ｌ以上で、０．０５ｍｏｌ／ｌ以下としたことを特
徴とするシリコンウェーハの洗浄液。 - 【請求項２】 シリコンウェーハを、 ＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2とＨ2Ｏとで構成される洗浄液で洗浄
し、 その後、純水でリンスし、 さらに、請求項１に記載したシリコンウェーハの洗浄液
で洗浄し、 その後、純水でリンスし、 さらに、乾燥することを特徴とするシリコンウェーハの
洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33661292A JPH06163496A (ja) | 1992-11-24 | 1992-11-24 | シリコンウェーハの洗浄液およびその洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33661292A JPH06163496A (ja) | 1992-11-24 | 1992-11-24 | シリコンウェーハの洗浄液およびその洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163496A true JPH06163496A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18300961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33661292A Pending JPH06163496A (ja) | 1992-11-24 | 1992-11-24 | シリコンウェーハの洗浄液およびその洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163496A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2769248A1 (fr) * | 1997-10-06 | 1999-04-09 | St Microelectronics Sa | Procede de nettoyage post-polissage mecano-chimique d'une couche d'oxyde ou de nitrure deposee sur un substrat |
| JP2002151484A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-05-24 | Agilent Technol Inc | エッチング後の洗浄処理法 |
| CN109461653A (zh) * | 2018-11-13 | 2019-03-12 | 上海超硅半导体有限公司 | 一种返抛硅片金属膜层的剥离方法 |
| CN112435916A (zh) * | 2020-11-24 | 2021-03-02 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 硅片清洗方法及硅片清洗设备 |
| CN115602530A (zh) * | 2022-11-01 | 2023-01-13 | 河北同光半导体股份有限公司（Cn） | 碳化硅晶圆表面颗粒动态清洗方法 |
-
1992
- 1992-11-24 JP JP33661292A patent/JPH06163496A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2769248A1 (fr) * | 1997-10-06 | 1999-04-09 | St Microelectronics Sa | Procede de nettoyage post-polissage mecano-chimique d'une couche d'oxyde ou de nitrure deposee sur un substrat |
| WO1999018605A1 (fr) * | 1997-10-06 | 1999-04-15 | Stmicroelectronics S.A. | Procede de nettoyage post-polissage mecano-chimique d'une couche d'oxyde ou de nitrure deposee sur un substrat |
| JP2002151484A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-05-24 | Agilent Technol Inc | エッチング後の洗浄処理法 |
| CN109461653A (zh) * | 2018-11-13 | 2019-03-12 | 上海超硅半导体有限公司 | 一种返抛硅片金属膜层的剥离方法 |
| CN112435916A (zh) * | 2020-11-24 | 2021-03-02 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 硅片清洗方法及硅片清洗设备 |
| CN112435916B (zh) * | 2020-11-24 | 2024-09-24 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 硅片清洗方法及硅片清洗设备 |
| CN115602530A (zh) * | 2022-11-01 | 2023-01-13 | 河北同光半导体股份有限公司（Cn） | 碳化硅晶圆表面颗粒动态清洗方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990817 |