JPH0817776A - シリコンウェーハの洗浄方法 - Google Patents
シリコンウェーハの洗浄方法Info
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- JPH0817776A JPH0817776A JP17343194A JP17343194A JPH0817776A JP H0817776 A JPH0817776 A JP H0817776A JP 17343194 A JP17343194 A JP 17343194A JP 17343194 A JP17343194 A JP 17343194A JP H0817776 A JPH0817776 A JP H0817776A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコンウェーハ表面の洗浄の効果を低下さ
せることなく、その洗浄工程を簡略化し、複合汚染（酸
性溶液によるパーティクル付着およびＡｌ，Ｆｅ，Ｚ
ｎ，Ｃｕ，Ｎｉ等の金属不純物の付着）が発生しない洗
浄方法を提供する。 【構成】 アンモニア水と過酸化水素水と純水とを混合
してなる混合液を用いてシリコンウェーハの表面を洗浄
する。この後、濃度３３〜３８％の塩酸と濃度４８〜５
０％のフッ酸とに対して、純水を体積比で１００〜１０
０００の割合で混合した非常に希薄な塩酸フッ酸溶液を
用いて、洗浄する。このときの希薄な塩酸フッ酸中に含
まれる０．２μｍ以上の粒子の数を１０個以下に抑え
る。
せることなく、その洗浄工程を簡略化し、複合汚染（酸
性溶液によるパーティクル付着およびＡｌ，Ｆｅ，Ｚ
ｎ，Ｃｕ，Ｎｉ等の金属不純物の付着）が発生しない洗
浄方法を提供する。 【構成】 アンモニア水と過酸化水素水と純水とを混合
してなる混合液を用いてシリコンウェーハの表面を洗浄
する。この後、濃度３３〜３８％の塩酸と濃度４８〜５
０％のフッ酸とに対して、純水を体積比で１００〜１０
０００の割合で混合した非常に希薄な塩酸フッ酸溶液を
用いて、洗浄する。このときの希薄な塩酸フッ酸中に含
まれる０．２μｍ以上の粒子の数を１０個以下に抑え
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウェーハの洗
浄方法、詳しくはシリコンウェーハの製造工程における
シリコンウェーハ表面の洗浄方法に関する。
浄方法、詳しくはシリコンウェーハの製造工程における
シリコンウェーハ表面の洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの集積度が向上
し、パターン寸法が小さくなるにしたがって、シリコン
ウェーハの表面清浄度を一層向上させることが必要とな
っている。従来のシリコンウェーハの洗浄方法は、各種
溶液が入れられた多数の洗浄槽を順次通過させることに
より、ウェーハ表面に付着した汚染物質を除去する、い
わゆるＲＣＡ洗浄と呼ばれるウェット洗浄法が一般的に
採られている。
し、パターン寸法が小さくなるにしたがって、シリコン
ウェーハの表面清浄度を一層向上させることが必要とな
っている。従来のシリコンウェーハの洗浄方法は、各種
溶液が入れられた多数の洗浄槽を順次通過させることに
より、ウェーハ表面に付着した汚染物質を除去する、い
わゆるＲＣＡ洗浄と呼ばれるウェット洗浄法が一般的に
採られている。
【０００３】上記のウェット洗浄として、シリコンウェ
ーハ表面上の有機物、重金属およびパーティクルの除去
を目的とする、Ｈ2ＳＯ4／Ｈ2Ｏ2洗浄、および、濃度２
８％（体積濃度、以下同じ）のアンモニア水と、濃度３
０％の過酸化水素水と、純水とを、ＮＨ4ＯＨ：Ｈ
2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１：１：５の体積比で混合してなるアン
モニア系の薬液を用いて行うＳＣ−１洗浄をまず行う。
ＳＣ−１洗浄後に、自然酸化膜と共に表面の金属不純物
を溶解除去するフッ酸洗浄を行う。フッ酸で自然酸化膜
を除去するとシリコン表面は疎水性になり、パーティク
ルや、イオン化傾向が水素より小さい銅が表面に吸着す
る。このため、最後に、塩酸と過酸化水素水と純水とを
混合してなる塩酸系の薬液（ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝
１：１：５）を用いた洗浄（ＳＣ−２洗浄）が行われる
のが基本的洗浄法である。
ーハ表面上の有機物、重金属およびパーティクルの除去
を目的とする、Ｈ2ＳＯ4／Ｈ2Ｏ2洗浄、および、濃度２
８％（体積濃度、以下同じ）のアンモニア水と、濃度３
０％の過酸化水素水と、純水とを、ＮＨ4ＯＨ：Ｈ
2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１：１：５の体積比で混合してなるアン
モニア系の薬液を用いて行うＳＣ−１洗浄をまず行う。
ＳＣ−１洗浄後に、自然酸化膜と共に表面の金属不純物
を溶解除去するフッ酸洗浄を行う。フッ酸で自然酸化膜
を除去するとシリコン表面は疎水性になり、パーティク
ルや、イオン化傾向が水素より小さい銅が表面に吸着す
る。このため、最後に、塩酸と過酸化水素水と純水とを
混合してなる塩酸系の薬液（ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝
１：１：５）を用いた洗浄（ＳＣ−２洗浄）が行われる
のが基本的洗浄法である。
【０００４】シリコンウェーハの製造工程でも鏡面研磨
後の最終洗浄もこの組み合せで行われていたが、近年の
製造管理技術の進歩と薬液および純水の純度の飛躍的向
上により工程の簡略化が検討され、ＳＣ−１洗浄のみに
よる洗浄法が着目されている。
後の最終洗浄もこの組み合せで行われていたが、近年の
製造管理技術の進歩と薬液および純水の純度の飛躍的向
上により工程の簡略化が検討され、ＳＣ−１洗浄のみに
よる洗浄法が着目されている。
【０００５】上記ＳＣ−１洗浄においては、アンモニア
水および過酸化水素水中に、極微量（ｐｐｂ以下）では
あるが、アルミニウムや重金属不純物が含まれており、
この内アルミニウムなどアルカリ金属の除去能力が小さ
く、また、重金属不純物の中で鉄および亜鉛がウェーハ
表面に残留してしまうという問題点があった。
水および過酸化水素水中に、極微量（ｐｐｂ以下）では
あるが、アルミニウムや重金属不純物が含まれており、
この内アルミニウムなどアルカリ金属の除去能力が小さ
く、また、重金属不純物の中で鉄および亜鉛がウェーハ
表面に残留してしまうという問題点があった。
【０００６】これらの不純物は、サブミクロンのパター
ン寸法を有するＬＳＩにおいては問題となる。これらの
不純物の除去のため、上記アンモニア系の薬液によるＳ
Ｃ−１洗浄と、フッ酸によって不純物を自然酸化膜とと
もに除去する方法と、塩酸と過酸化水素水と純水とを混
合してなる塩酸系の薬液を用いた洗浄（ＳＣ−２洗浄）
との組み合わせが余儀なく行われている。
ン寸法を有するＬＳＩにおいては問題となる。これらの
不純物の除去のため、上記アンモニア系の薬液によるＳ
Ｃ−１洗浄と、フッ酸によって不純物を自然酸化膜とと
もに除去する方法と、塩酸と過酸化水素水と純水とを混
合してなる塩酸系の薬液を用いた洗浄（ＳＣ−２洗浄）
との組み合わせが余儀なく行われている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
洗浄方法において、フッ酸による自然酸化膜除去は、パ
ーティクルを表面に吸着することが知られている。ま
た、塩酸と過酸化水素水と純水とを混合してなる塩酸系
の薬液（ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１：１：５）を用い
たＳＣ−２洗浄は、付着した銅などの金属イオンやアル
カリ金属の除去に効果があるものの、重金属の再付着が
行われる場合がある。この結果、微量の不純物を効果的
に除去することができないか、または、洗浄の工程が複
雑になってしまうという課題があった。
洗浄方法において、フッ酸による自然酸化膜除去は、パ
ーティクルを表面に吸着することが知られている。ま
た、塩酸と過酸化水素水と純水とを混合してなる塩酸系
の薬液（ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１：１：５）を用い
たＳＣ−２洗浄は、付着した銅などの金属イオンやアル
カリ金属の除去に効果があるものの、重金属の再付着が
行われる場合がある。この結果、微量の不純物を効果的
に除去することができないか、または、洗浄の工程が複
雑になってしまうという課題があった。
【０００８】そこで、本発明者らは、上記課題を解決す
べく鋭意研究を重ねた結果、次の知見を見出した。すな
わち、ＳＣ−１洗浄後に希フッ酸洗浄を行うことによっ
て、ウェーハ表面の金属不純物を低減するとともに、そ
の表面のパーティクルレベルを悪化させないという効果
を見出した。さらに、ＳＣ−１洗浄後に行う希塩酸フッ
酸洗浄は、濃度３３〜３８％の塩酸と、濃度４８〜５０
％のフッ酸とに対して、純水を体積比で１００〜１００
００の割合で混合した非常に希薄な塩酸フッ酸を用いる
と効果的であることを見出した。
べく鋭意研究を重ねた結果、次の知見を見出した。すな
わち、ＳＣ−１洗浄後に希フッ酸洗浄を行うことによっ
て、ウェーハ表面の金属不純物を低減するとともに、そ
の表面のパーティクルレベルを悪化させないという効果
を見出した。さらに、ＳＣ−１洗浄後に行う希塩酸フッ
酸洗浄は、濃度３３〜３８％の塩酸と、濃度４８〜５０
％のフッ酸とに対して、純水を体積比で１００〜１００
００の割合で混合した非常に希薄な塩酸フッ酸を用いる
と効果的であることを見出した。
【０００９】本発明者らは、この理由について以下のよ
うに推察している。すなわち、ＳＣ−１洗浄でウェーハ
表面に付着する成分としてはＡｌは、塩酸を含む希薄溶
液でも容易に除去することができる。また、フッ酸濃度
を非常に低くすると、自然酸化膜を除去しないため、ウ
ェーハ表面は親水性が維持されパーティクルレベルを悪
化させないからである。
うに推察している。すなわち、ＳＣ−１洗浄でウェーハ
表面に付着する成分としてはＡｌは、塩酸を含む希薄溶
液でも容易に除去することができる。また、フッ酸濃度
を非常に低くすると、自然酸化膜を除去しないため、ウ
ェーハ表面は親水性が維持されパーティクルレベルを悪
化させないからである。
【００１０】そこで、本発明は、シリコンウェーハ表面
の洗浄の効果を低下させることなく、その洗浄工程を簡
略化し、複合汚染が発生しないシリコンウェーハの洗浄
方法を提供することを、その目的としている。具体的に
は、酸性溶液中でのパーティクル汚染の防止と、ＳＣ−
１溶液、ＨＦ溶液中でのＡｌ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉ
等の金属不純物の付着を防止することをその目的として
いる。
の洗浄の効果を低下させることなく、その洗浄工程を簡
略化し、複合汚染が発生しないシリコンウェーハの洗浄
方法を提供することを、その目的としている。具体的に
は、酸性溶液中でのパーティクル汚染の防止と、ＳＣ−
１溶液、ＨＦ溶液中でのＡｌ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｎｉ
等の金属不純物の付着を防止することをその目的として
いる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は上記知見に基づ
いてなされたものであり、請求項１に記載のシリコンウ
ェーハの洗浄方法では、アンモニア水と過酸化水素水と
純水とを混合してなる混合液を用いてシリコンウェーハ
の表面を洗浄した後、濃度３３〜３８％の塩酸と、濃度
４８〜５０％のフッ酸とに対して、純水を体積比で１０
０〜１００００の割合で混合した非常に希薄な塩酸フッ
酸でシリコンウェーハの表面を洗浄することを特徴とす
る。具体的には、ＨＦ：ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ＝（０．１〜
１．２）：（１〜１０）：（１００〜１００００）の濃
度範囲である。
いてなされたものであり、請求項１に記載のシリコンウ
ェーハの洗浄方法では、アンモニア水と過酸化水素水と
純水とを混合してなる混合液を用いてシリコンウェーハ
の表面を洗浄した後、濃度３３〜３８％の塩酸と、濃度
４８〜５０％のフッ酸とに対して、純水を体積比で１０
０〜１００００の割合で混合した非常に希薄な塩酸フッ
酸でシリコンウェーハの表面を洗浄することを特徴とす
る。具体的には、ＨＦ：ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ＝（０．１〜
１．２）：（１〜１０）：（１００〜１００００）の濃
度範囲である。
【００１２】請求項２に記載のシリコンウェーハの洗浄
方法では、請求項１に記載の方法にあって、上記希薄な
塩酸フッ酸を濾過して希薄塩酸フッ酸中に含まれる０．
２μｍ以上の粒子の数を１０個以下に抑えた後、この希
薄塩酸フッ酸を循環させて再び半導体ウェーハの表面の
洗浄に用いることを特徴とする。
方法では、請求項１に記載の方法にあって、上記希薄な
塩酸フッ酸を濾過して希薄塩酸フッ酸中に含まれる０．
２μｍ以上の粒子の数を１０個以下に抑えた後、この希
薄塩酸フッ酸を循環させて再び半導体ウェーハの表面の
洗浄に用いることを特徴とする。
【００１３】
【作用】この請求項１に記載のシリコンウェーハの洗浄
方法において、純水と塩酸とフッ酸とを上述した体積比
で混合した理由は、純水の体積比が上述の範囲より大き
いと、金属イオンの除去効果が小さくなり過ぎ、逆に、
上述の範囲より小さいと、シリコンウェーハ表面のパー
ティクルレベルが悪化するためである。有機物、パーテ
ィクル、および、一部の重金属（Ｎｉ，Ｃｕ）を、ＳＣ
−１洗浄で除去し、Ａｌ，Ｆｅ，Ｚｎ等の軽金属、重金
属は希薄塩酸フッ酸で除去する。また、薬液中にＣｕが
多量に存在しない場合、ＨＣｌ／ＨＦ溶液中でＣｕは吸
着されない。すなわち、ＨＣｌ／ＨＦ溶液中では自然酸
化膜を完全に除去しないため（除去には所定の時間を要
するため）、Ｃｕは吸着しない。ＣｕはＳｉと直接結合
して吸着されるからである。
方法において、純水と塩酸とフッ酸とを上述した体積比
で混合した理由は、純水の体積比が上述の範囲より大き
いと、金属イオンの除去効果が小さくなり過ぎ、逆に、
上述の範囲より小さいと、シリコンウェーハ表面のパー
ティクルレベルが悪化するためである。有機物、パーテ
ィクル、および、一部の重金属（Ｎｉ，Ｃｕ）を、ＳＣ
−１洗浄で除去し、Ａｌ，Ｆｅ，Ｚｎ等の軽金属、重金
属は希薄塩酸フッ酸で除去する。また、薬液中にＣｕが
多量に存在しない場合、ＨＣｌ／ＨＦ溶液中でＣｕは吸
着されない。すなわち、ＨＣｌ／ＨＦ溶液中では自然酸
化膜を完全に除去しないため（除去には所定の時間を要
するため）、Ｃｕは吸着しない。ＣｕはＳｉと直接結合
して吸着されるからである。
【００１４】また、請求項２に記載のシリコンウェーハ
の洗浄方法にあっては、希薄な塩酸フッ酸中に含まれる
０．２μｍ以上の粒子の数を１０個以下に抑えたのは、
０．２μｍ以上の粒子（パーティクル）の数が１０個を
超えると、ＨＣｌ／ＨＦ溶液中でシリコンウェーハの表
面にパーティクルが付着してパーティクルレベルが悪化
するためである。また、希薄塩酸フッ酸中のパーティク
ルレベルを０．２μｍ以上の粒子数が１０個以下に抑え
るためには、精密濾過を行うことが望ましい。精密濾過
は、多段の循環濾過システムのことであり、それぞれの
薬液を独立させて循環濾過を行い、さらに、洗浄槽でも
循環濾過を行う方法である。さらに、０．２μｍとした
理由は、パーティクルカウンタにあって測定精度の信頼
性を考慮したものである。
の洗浄方法にあっては、希薄な塩酸フッ酸中に含まれる
０．２μｍ以上の粒子の数を１０個以下に抑えたのは、
０．２μｍ以上の粒子（パーティクル）の数が１０個を
超えると、ＨＣｌ／ＨＦ溶液中でシリコンウェーハの表
面にパーティクルが付着してパーティクルレベルが悪化
するためである。また、希薄塩酸フッ酸中のパーティク
ルレベルを０．２μｍ以上の粒子数が１０個以下に抑え
るためには、精密濾過を行うことが望ましい。精密濾過
は、多段の循環濾過システムのことであり、それぞれの
薬液を独立させて循環濾過を行い、さらに、洗浄槽でも
循環濾過を行う方法である。さらに、０．２μｍとした
理由は、パーティクルカウンタにあって測定精度の信頼
性を考慮したものである。
【００１５】
【実施例】図１はＡＡＳ（原子吸光分析法）によるウェ
ーハ表面清浄度の評価結果を示している。比較例として
ＳＣ−１洗浄の場合も同時に示している。（ＳＣ−１＋
ＨＣｌ）洗浄の場合、（ＳＣ−１＋ＨＣｌ／ＨＦ）洗浄
の場合に示すように、比較例に比べて金属汚染の低減効
果がある。比較例ではＣｕ，Ｎｉを検出限界以下にする
ことができるが、Ｆｅ，Ｚｎ，Ａｌを吸着させてしま
う。また、（ＳＣ−１＋ＨＣｌ）洗浄では、Ｆｅ，Ｚｎ
を除去することができるが、Ａｌのような自然酸化膜中
に含まれるものを完全に除去することはできない。そこ
で、本発明方法（ＳＣ−１＋希ＨＣｌ／ＨＦ）によれ
ば、自然酸化膜中に含まれるＡｌも除去することができ
る。具体例としては、ＳＣ−１洗浄液は以下の組成で、
８５℃とし、１０分間洗浄する。すなわち、Ｈ2Ｏ：Ｈ2
Ｏ2：ＮＨ4ＯＨ＝５：１：０．５である。また、ＨＣｌ
／ＨＦ洗浄液は以下の組成で、室温で４分間の洗浄を行
うものとする。Ｈ2Ｏ：ＨＣｌ：ＨＦ＝（１００〜１０
０００）：（１〜１０）：（０．１〜１．２）である。
なお、これらの中間工程として４〜１０分間の純水リン
スを行っている。乾燥は行わない。
ーハ表面清浄度の評価結果を示している。比較例として
ＳＣ−１洗浄の場合も同時に示している。（ＳＣ−１＋
ＨＣｌ）洗浄の場合、（ＳＣ−１＋ＨＣｌ／ＨＦ）洗浄
の場合に示すように、比較例に比べて金属汚染の低減効
果がある。比較例ではＣｕ，Ｎｉを検出限界以下にする
ことができるが、Ｆｅ，Ｚｎ，Ａｌを吸着させてしま
う。また、（ＳＣ−１＋ＨＣｌ）洗浄では、Ｆｅ，Ｚｎ
を除去することができるが、Ａｌのような自然酸化膜中
に含まれるものを完全に除去することはできない。そこ
で、本発明方法（ＳＣ−１＋希ＨＣｌ／ＨＦ）によれ
ば、自然酸化膜中に含まれるＡｌも除去することができ
る。具体例としては、ＳＣ−１洗浄液は以下の組成で、
８５℃とし、１０分間洗浄する。すなわち、Ｈ2Ｏ：Ｈ2
Ｏ2：ＮＨ4ＯＨ＝５：１：０．５である。また、ＨＣｌ
／ＨＦ洗浄液は以下の組成で、室温で４分間の洗浄を行
うものとする。Ｈ2Ｏ：ＨＣｌ：ＨＦ＝（１００〜１０
０００）：（１〜１０）：（０．１〜１．２）である。
なお、これらの中間工程として４〜１０分間の純水リン
スを行っている。乾燥は行わない。
【００１６】図２はウェーハ上のパーティクルの増加量
を示している（ＥＳＣＡ測定値）。洗浄条件別の酸化膜
厚さの測定結果を示している。このグラフによれば、希
薄塩酸フッ酸洗浄ではフッ酸洗浄に比較して酸化膜厚さ
が厚く、酸化膜除去効果がないことを示している。つま
り、本発明に係る希ＨＣｌ／ＨＦ洗浄後のシリコンウェ
ーハの表面は親水性であって、従来のＨＦ洗浄と異な
り、パーティクル付着のおそれがないことを示してい
る。また、ウェーハ表面にＣｕの吸着がないこととな
る。これらの図１、図２によれば、ＳＣ−１洗浄後の酸
化膜の厚さは６オングストローム程度であり、この自然
酸化膜を希ＨＣｌ／ＨＦ洗浄で１〜２オングストローム
程度除去することにより、ＨＣｌ洗浄のみでは除去する
ことができなかったＡｌを除去することができることを
示している。
を示している（ＥＳＣＡ測定値）。洗浄条件別の酸化膜
厚さの測定結果を示している。このグラフによれば、希
薄塩酸フッ酸洗浄ではフッ酸洗浄に比較して酸化膜厚さ
が厚く、酸化膜除去効果がないことを示している。つま
り、本発明に係る希ＨＣｌ／ＨＦ洗浄後のシリコンウェ
ーハの表面は親水性であって、従来のＨＦ洗浄と異な
り、パーティクル付着のおそれがないことを示してい
る。また、ウェーハ表面にＣｕの吸着がないこととな
る。これらの図１、図２によれば、ＳＣ−１洗浄後の酸
化膜の厚さは６オングストローム程度であり、この自然
酸化膜を希ＨＣｌ／ＨＦ洗浄で１〜２オングストローム
程度除去することにより、ＨＣｌ洗浄のみでは除去する
ことができなかったＡｌを除去することができることを
示している。
【００１７】図３は洗浄条件別のウェーハ表面のパーテ
ィクルレベルを示している。測定はサーフスキャンＬＳ
−６０００（テンコール社製）を使用した。６インチウ
ェーハ表面の洗浄前後における０．１７μｍ以上，０．
２０μｍ以上のパーティクル数で示している。このグラ
フから明かなように、希薄塩酸フッ酸洗浄の効果により
パーティクルレベルは低下している。したがって、０．
２０μｍ以上のパーティクル数を１０個以下となるよう
に循環濾過を行えば、パーティクルの再付着なしの洗浄
を行える。
ィクルレベルを示している。測定はサーフスキャンＬＳ
−６０００（テンコール社製）を使用した。６インチウ
ェーハ表面の洗浄前後における０．１７μｍ以上，０．
２０μｍ以上のパーティクル数で示している。このグラ
フから明かなように、希薄塩酸フッ酸洗浄の効果により
パーティクルレベルは低下している。したがって、０．
２０μｍ以上のパーティクル数を１０個以下となるよう
に循環濾過を行えば、パーティクルの再付着なしの洗浄
を行える。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、シリコンウェーハ表面
の複合汚染（酸性溶液によるパーティクル付着およびＳ
Ｃ−１，ＨＦでの金属不純物による汚染）を防止するこ
とができる。有機物、一部の重金属、パーティクルはＳ
Ｃ−１洗浄により除去するとともに、金属不純物をＨＣ
ｌ／ＨＦ洗浄で除去する。とともに、洗浄工程を簡略化
することができる。すなわち、従来はＨ2ＳＯ4／Ｈ2Ｏ2
洗浄，ＳＣ−１洗浄，ＨＦ洗浄，ＳＣ−２洗浄の４つを
組み合わせていたが、本発明によれば、ＳＣ−１洗浄、
希ＨＣｌ／ＨＦ洗浄の組み合せで行うことができる。
の複合汚染（酸性溶液によるパーティクル付着およびＳ
Ｃ−１，ＨＦでの金属不純物による汚染）を防止するこ
とができる。有機物、一部の重金属、パーティクルはＳ
Ｃ−１洗浄により除去するとともに、金属不純物をＨＣ
ｌ／ＨＦ洗浄で除去する。とともに、洗浄工程を簡略化
することができる。すなわち、従来はＨ2ＳＯ4／Ｈ2Ｏ2
洗浄，ＳＣ−１洗浄，ＨＦ洗浄，ＳＣ−２洗浄の４つを
組み合わせていたが、本発明によれば、ＳＣ−１洗浄、
希ＨＣｌ／ＨＦ洗浄の組み合せで行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係るウェーハ表面の清浄度
と洗浄条件との関係を示すグラフである。
と洗浄条件との関係を示すグラフである。
【図２】本発明の一実施例に係る洗浄条件別の自然酸化
膜の厚さを示すグラフである。
膜の厚さを示すグラフである。
【図３】本発明の一実施例に係る洗浄条件別のパーティ
クルレベルを示すグラフである。
クルレベルを示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 衣川 浩司 東京都千代田区岩本町３丁目８番16号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 遠藤 光弘 東京都千代田区岩本町３丁目８番16号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 吉見 年弘 東京都千代田区岩本町３丁目８番16号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 アンモニア水と過酸化水素水と純水とを
混合してなる混合液を用いてシリコンウェーハの表面を
洗浄した後、 濃度３３〜３８％の塩酸と濃度４８〜５０％のフッ酸と
に対して、純水を体積比で１００〜１００００の割合で
混合した非常に希薄な塩酸フッ酸溶液を用いて、このシ
リコンウェーハの表面を洗浄することを特徴とするシリ
コンウェーハの洗浄方法。 - 【請求項２】 上記希薄な塩酸フッ酸中に含まれる０．
２μｍ以上の粒子の数を１０個以下に抑えた請求項１に
記載のシリコンウェーハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17343194A JP3226144B2 (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | シリコンウェーハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17343194A JP3226144B2 (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | シリコンウェーハの洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817776A true JPH0817776A (ja) | 1996-01-19 |
| JP3226144B2 JP3226144B2 (ja) | 2001-11-05 |
Family
ID=15960335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17343194A Expired - Lifetime JP3226144B2 (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | シリコンウェーハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3226144B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1198620A1 (en) * | 1999-05-21 | 2002-04-24 | Cfmt, Inc. | Methods for wet processing electronic components having copper containing surfaces |
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