JPH0298133A - 半導体基板の洗浄方法 - Google Patents
半導体基板の洗浄方法Info
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- JPH0298133A JPH0298133A JP25038488A JP25038488A JPH0298133A JP H0298133 A JPH0298133 A JP H0298133A JP 25038488 A JP25038488 A JP 25038488A JP 25038488 A JP25038488 A JP 25038488A JP H0298133 A JPH0298133 A JP H0298133A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体基板の洗浄方法に関するものである。
従来の技術
従来、半導体装置の製造工程において、たとえば熱酸化
前あるいはホトレジスト除去後などの半導体基板の洗浄
は純水、アンモニア水、過酸化水素を７：１：２で混ぜ
た混合液が用いて行なわれ、そのときの処理温度は７０
±５℃前後であった。
前あるいはホトレジスト除去後などの半導体基板の洗浄
は純水、アンモニア水、過酸化水素を７：１：２で混ぜ
た混合液が用いて行なわれ、そのときの処理温度は７０
±５℃前後であった。
発明が解決しようとする課題
ところで、上記混合液と処理温度によって半導体基板の
洗浄を行なう従来技術では、微細化が進むにつれて薄く
なるＭＯＳＦＥＴにおけるゲート酸化膜形成の前処理と
して十分な洗浄効果が得られなかった（第１図Ａ参照）
、また、製造工程中のパーティクルを十分に除去するこ
とができず、ＭＯＳキャパシタの耐圧の収率が悪いとい
う問題があった。第３図にＭＯＳキャパシタの耐圧分布
状態を示す。
洗浄を行なう従来技術では、微細化が進むにつれて薄く
なるＭＯＳＦＥＴにおけるゲート酸化膜形成の前処理と
して十分な洗浄効果が得られなかった（第１図Ａ参照）
、また、製造工程中のパーティクルを十分に除去するこ
とができず、ＭＯＳキャパシタの耐圧の収率が悪いとい
う問題があった。第３図にＭＯＳキャパシタの耐圧分布
状態を示す。
本発明はこのような問題を解決するもので、半導体基板
の洗浄効果の向上を図るとともにパーティクル除去率の
向上を図りキャパシタの耐圧収率の低下を防止すること
を目的とするものである。
の洗浄効果の向上を図るとともにパーティクル除去率の
向上を図りキャパシタの耐圧収率の低下を防止すること
を目的とするものである。
課題を解決するための手段
この問題を解決するために本発明は、硫酸と過酸化水素
を混ぜた混合液を用いて半導体基板を洗浄処理するもの
である。
を混ぜた混合液を用いて半導体基板を洗浄処理するもの
である。
作用
この構成により、半導体基板の洗浄効果の向上を図るこ
とができ、半導体デバイスの微細化にともなうゲート酸
化膜の薄膜化からくるパーティクルによる収率の低下を
防止することができる。その結果、半導体デバイスの微
細化に大きく寄与できる。
とができ、半導体デバイスの微細化にともなうゲート酸
化膜の薄膜化からくるパーティクルによる収率の低下を
防止することができる。その結果、半導体デバイスの微
細化に大きく寄与できる。
実施例
以下１本発明の一実施例について、図面に基づいて説明
する。
する。
まず、本発明の実施例の洗浄方法は硫酸と過酸化水素水
を４＝１の割合で混合し、これを１００℃に加熱して半
導体基板を洗浄する方法である。この洗浄方法を用いて
ＭＯＳキャパシタを製造する。
を４＝１の割合で混合し、これを１００℃に加熱して半
導体基板を洗浄する方法である。この洗浄方法を用いて
ＭＯＳキャパシタを製造する。
その製造工程について以下に説明すると、まずＰ型（１
００）比抵抗７〜１５Ω■のシリコン基板を上記混合液
を用いて洗浄する。次に９００℃酸素雰囲気中で酸化し
、酸化膜を１０μｍ形成する。次いで、減圧ＣＶＤ法に
よりポリシリ３２４０００人程度成長させる。次に、ゲ
ート電極形成のために、１０００℃ｐ Ｈ３１１囲気中
でＰをポリシリコンにドープする。最後に、前記ポリシ
リコンを選択的にエツチングしてＭＯＳキャパシタを形
成する。
００）比抵抗７〜１５Ω■のシリコン基板を上記混合液
を用いて洗浄する。次に９００℃酸素雰囲気中で酸化し
、酸化膜を１０μｍ形成する。次いで、減圧ＣＶＤ法に
よりポリシリ３２４０００人程度成長させる。次に、ゲ
ート電極形成のために、１０００℃ｐ Ｈ３１１囲気中
でＰをポリシリコンにドープする。最後に、前記ポリシ
リコンを選択的にエツチングしてＭＯＳキャパシタを形
成する。
上記工程と並行してウェハ表面の付着物の除去率を求め
た。第１図已にその結果を示し、第１図Ａに示す従来例
の除去率と比較したところ、第１図Ｂに示す本発明実施
例の方が除去率が向上していることが分る。これにより
半導体基板のパーティクル除去率を向上させることがで
きる。
た。第１図已にその結果を示し、第１図Ａに示す従来例
の除去率と比較したところ、第１図Ｂに示す本発明実施
例の方が除去率が向上していることが分る。これにより
半導体基板のパーティクル除去率を向上させることがで
きる。
すなわち従来方法よりも本発明実施例の方が。
表面Ｓｉｏ２あるいはシリコンのエツチングが表面荒れ
の出ない程度に促進され、表面に付着したパーティクル
の除去率が向上する。ＭＯＳキャパシタの収率は表面パ
ーティクルの数に反比例することが知られている。そこ
で、ＭＯＳキャパシタの収率を上げるためには表面パー
ティクルを減らさなければならない。上記実施例によれ
ばパーティクル除去率を向上させることができるととも
に、第２図に示すＭＯＳキャパシタの耐圧分布状態から
もキャパシタの収率を上げることができる。
の出ない程度に促進され、表面に付着したパーティクル
の除去率が向上する。ＭＯＳキャパシタの収率は表面パ
ーティクルの数に反比例することが知られている。そこ
で、ＭＯＳキャパシタの収率を上げるためには表面パー
ティクルを減らさなければならない。上記実施例によれ
ばパーティクル除去率を向上させることができるととも
に、第２図に示すＭＯＳキャパシタの耐圧分布状態から
もキャパシタの収率を上げることができる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、半導体基板の洗浄効果の
向上を図ることができ、半導体デバイスの微細化にとも
なうゲート酸化膜の薄膜化からくるパーティクルによる
収率の低下を防止することができる、その結果、半導体
デバイスの微細化に大きく寄与できる。
向上を図ることができ、半導体デバイスの微細化にとも
なうゲート酸化膜の薄膜化からくるパーティクルによる
収率の低下を防止することができる、その結果、半導体
デバイスの微細化に大きく寄与できる。
第１図は従来例と本発明実施例によるウェハ表面付着物
の除去率を比較するグラフ、第２図は本発明実施例によ
るＭＯＳキャパシタの耐圧分布状態を示すグラフ、第３
図は従来例によるＭＯＳキャパシタの耐圧分布状態を示
すグラフである。 代理人 森 本 義 弘 第１図 シー・・玉＆４ｔ！棉除良か比較、 第 図 Ｔｏ ｉ ｔｔｐａ Ａ 卿り電卒（ｚ） 第３図 ｔｐ加電Ｊｌｉ！−（％）
の除去率を比較するグラフ、第２図は本発明実施例によ
るＭＯＳキャパシタの耐圧分布状態を示すグラフ、第３
図は従来例によるＭＯＳキャパシタの耐圧分布状態を示
すグラフである。 代理人 森 本 義 弘 第１図 シー・・玉＆４ｔ！棉除良か比較、 第 図 Ｔｏ ｉ ｔｔｐａ Ａ 卿り電卒（ｚ） 第３図 ｔｐ加電Ｊｌｉ！−（％）
Claims (1)
- １、硫酸と過酸化水素を混ぜた混合液を用いて半導体基
板を洗浄処理する半導体基板の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25038488A JPH0298133A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 半導体基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25038488A JPH0298133A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 半導体基板の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0298133A true JPH0298133A (ja) | 1990-04-10 |
Family
ID=17207119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25038488A Pending JPH0298133A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 半導体基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0298133A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0521411A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Fujitsu Ltd | 表面処理方法及び表面処理装置 |
| KR19980023075A (ko) * | 1996-09-25 | 1998-07-06 | 배순훈 | 웨이퍼 식각 방법 |
| WO1999049997A1 (fr) * | 1998-03-25 | 1999-10-07 | Daikin Industries, Ltd. | Procede de nettoyage de produit moule en caoutchouc fluore pour dispositif de fabrication de semi-conducteurs et produit moule nettoye |
| US6273959B1 (en) | 1996-07-08 | 2001-08-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of cleaning semiconductor device |
| KR100338823B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2002-05-31 | 박종섭 | 반도체장치의 게이트전극 제조방법 |
| KR100626346B1 (ko) * | 1999-03-25 | 2006-09-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 세정 방법 |
| KR100765639B1 (ko) * | 2006-07-03 | 2007-10-10 | 에스. 오. 이. 떼끄 씰리꽁 오 냉쉴라또흐 떼끄놀로지 | 웨이퍼의 표면 거칠기 개선 방법 |
-
1988
- 1988-10-04 JP JP25038488A patent/JPH0298133A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0521411A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Fujitsu Ltd | 表面処理方法及び表面処理装置 |
| US6273959B1 (en) | 1996-07-08 | 2001-08-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of cleaning semiconductor device |
| KR19980023075A (ko) * | 1996-09-25 | 1998-07-06 | 배순훈 | 웨이퍼 식각 방법 |
| WO1999049997A1 (fr) * | 1998-03-25 | 1999-10-07 | Daikin Industries, Ltd. | Procede de nettoyage de produit moule en caoutchouc fluore pour dispositif de fabrication de semi-conducteurs et produit moule nettoye |
| US6663722B1 (en) | 1998-03-25 | 2003-12-16 | Daikin Industries, Ltd. | Method of cleaning fluorine-containing rubber molded article for semiconductor production apparatuses and cleaned molded article |
| KR100626346B1 (ko) * | 1999-03-25 | 2006-09-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 세정 방법 |
| KR100338823B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2002-05-31 | 박종섭 | 반도체장치의 게이트전극 제조방법 |
| KR100765639B1 (ko) * | 2006-07-03 | 2007-10-10 | 에스. 오. 이. 떼끄 씰리꽁 오 냉쉴라또흐 떼끄놀로지 | 웨이퍼의 표면 거칠기 개선 방법 |
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