таточно высокийуровень примесей металлического типа, которые в процессе химобработки осаждаютс на поверхности пластин и при последующих термических операци х остаютс на поверхности, вызыва поверхностные утечки, дрейфы порогового напр жени полупроводникового прибора, кроме того окисные пленки, выращенные на кремниевых пластинах, прошедшие очистку в растворах реактивов имеют высокую дефектность (пористость) и неравномерность по толщине. Неудовлетворительна электрическа стабильность окисной пленки SiOij так как растворы реагентов,, использу мые при очистке пластин кремни сами вл сь источниками металлических примесей,не обеспечивают достаточное удаление с поверхности пластин данных примесей. Высокий процент брака по пробивному напр жению между актив ными област ми полупроводникового прибора, так как после очистки пластин кремни с рельефом на поверхности остаютс всевозможные примеси, создающие поверхностные утечки, инве рсионные слои и тем самым снижающие пробивные напр жени . Высокое содержание примесей, остающиес на поверхности пластин кремни после их обработки в химреактивах, приводит к высокому встроенному зар ду, что не позвол ет снизить пороговое напр жение полупроводникового прибора (например МДП-транз.истор), Цель изобретени - улучшение элек трофизических параметров полупроводниковых приборов. Указанна цель достигаетс тем, что способ изготовлени полупроводниковых приборов, преимущественно на основе монокристаллического кремни включающий химическую очистку прасти кремни в травильных растворах, гидромеханическую очистку пластин, термическое окисление пластин кремни , формирование активных областей Ри п-типа проводимости, перед операци ми термического окислени пластин кремни и формировани активных областей Р -.и п-типов проводимости осуществл ют дополнительную очистку пластин кремни в парах водного раст вора сол ной кислоты, причем дополнительную очистку провод т гтри темпе ратуре проведени операций термического окислени кремни и формирова92 4 ии активных областей р- и п-типов проводимости соответственно. Пример. Полупроводниковые пластины кремни с удельным сопротивлением 20 ом«см с ориентацией (100)обезжири8ают в кип щем перекисно-аммиачном растворе (Н(, , 9 3:7) в течение 15 мин, отмывают в проточной деионизованной воде, обрабатывают в концентрированной азотной кислоте при 90-100 С в течение 10 мин, отмывают в проточной деионизованнрй воде, повторно обрабатывают в кип щем перекисно-аммиачном растворе в течение 15 мин, отмывают в проточной деионизованной воде, обрабатывают гидромеханическим способом с помощью м гких беличьих флейц и сушат на центрифуге. Отмытые пластины кремни помещают в кассету-лодочку и загружают в зону кварцевой трубы с температурой процесса первого окислени , равной (). При данной температуре пластины кремни выдерживают в потоке пара в течение 10 мин. Предварительно раствор сол ной кислоты заливают в парогенератор, который нагревают с помощью ИК нагрева и довод т данный раствор до температуры АО°С, Образующийс при этом пар захватывают инертным газом (путем продувки через парогенератор, инертным газом служит аргон) и поступает в зону реакции кварцевой трубы с наход щимис в ней кремниевыми пластинами . За это врем поверхность пластин очищаетс от оставшихс загр знений , а затем при этой же температуре , не выгружа пластины кремни из зоны реакции, провод т первое окисление по стандартной технологии в среде сухой - влажный - сухой кислород . Выращивают маскирующую окисную пленку толщиной 0,2 мкм. После отмывки пластин по стандартной технологии, загружают пластины кремни в реакционную камеру, снова провод т очистку пластин кремни в потоке пара водного раствора сол ной кислоты в течение 8 мин в едином процессе перед операцией Разгонка активной примеси. Пары водного раствора сол ной кислоты захватываютс потоком инертного газа (путем его продувки через парогенератор) и поступают в ЗОНУ реакции. Очистку пластин кремни и разгонку примеси осуществл ют в соответствии с требовани